本発明は、カーボン・ナノスフィアを高分子材料中へ導入した新規な複合材料に関するものである。高分子材料は、グラファイト材料に親和性のあるどのような高分子または重合可能な材料であってもよい。カーボン・ナノスフィアは、中空のグラファイト状ナノ粒子である。カーボン・ナノスフィアは、鋳型ナノ粒子を使用したカーボン前駆体から製造することができる。カーボン・ナノスフィアのユニークなサイズ、形状、および電気的性質は、これらのナノ材料を導入した複合材料に有利な性質を与える。 （もっと読む）

【課題】遠心分離を行うことなく、分散した単層カーボンナノチューブを含み近赤外域に蛍光を発するカーボンナノチューブ含有物質の作成方法を提供する。
【解決手段】カルボキシメチルセルロース（ＣＭＣ）と、単層カーボンナノチューブが凝集した集合体を含むバルク体のカーボンナノチューブとを水（Ｈ₂ Ｏ）に投入し、溶液を作成する。ＣＭＣにより溶液中で単層カーボンナノチューブが可溶化して集合体から分離する。超音波を用いて単層カーボンナノチューブを分散させた溶液をフィルタ２１，２２，２３で濾過し、単層カーボンナノチューブが分散したカーボンナノチューブ溶液を作成する。カーボンナノチューブ溶液を板上に滴下して乾燥させることにより、カーボンナノチューブ含有膜を作成する。ＣＭＣにより単層カーボンナノチューブの凝集が防止され、カーボンナノチューブ含有膜は近赤外域に蛍光を発する。 （もっと読む）

【解決手段】 ナノ多孔性炭素質膜及びそれに関する装置及び方法を開示する。 （もっと読む）

本発明は、炭素と非炭素との組織化されたアセンブリーおよびその様な組織化された構造体を製造する方法に一般的に関する。好ましい実施態様において、本発明の組織化された構造体は、ナノロッドの形態またはその集合形態をとる。より好ましくは、ナノロッドは、非炭素物質によって充填され、被覆され、または充填および被覆されたカーボンナノチューブから作られている。本発明は単層カーボンナノチューブの分離にさらに向けられている。特に、それは半導体性単層カーボンナノチューブの、導電性（あるいは金属性）単層カーボンナノチューブからの分離に関する。それは単層カーボンナノチューブの、それらのキラリティおよび／または直径による分離に関する。
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【課題】ＤＬＣ薄膜の製造方法の提供。
【解決手段】本発明はＤＬＣ薄膜の製造法に関するものであり、主にはスパッタリング方法を用いて基板表面にＤＬＣ薄膜を形成させるものである。本発明の製造方法には以下の手順を含めている：（ａ）反応室を提供し、反応室に基板を置く、（ｂ）反応室の圧力を１０^-6 ｔｏｒｒ以下とする、（ｃ）少なくとも一種の炭素を含むガスを反応室に導入する、及び（ｄ）石墨ターゲット材料を使用してスパッタリング法を利用してＤＬＣ薄膜を基板に沈積させる。なお、本発明で製作したＤＬＣ薄膜には、薄片構造の特徴を持ち、基板表面に花びら模様に配列している。本発明のＤＬＣ薄膜の薄片構造の高さはミクロン単位で、厚さはナノ単位なので、本発明のＤＬＣ薄膜の薄片構造の高さと広さが高い縦幅比になっており、優れた電界放出増強因子を持つことができる。 （もっと読む）

【課題】導電性の塗料、電波吸収材、遮光材料等に用いた際に、高い導電性、充填性や遮光性等が得られる結晶の厚さ（Ｌｃ）が１０ｎｍ以下の箔片状結晶片を含有する炭素材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭素材料は、炭化水素化合物をプラズマ熱分解して得られる結晶性のものであって、その結晶の厚さ（Ｌｃ）が１０ｎｍ以下である箔片状結晶片を含有する。この炭素材料は、不活性ガス、または不活性ガスと水素ガスあるいは炭酸ガスとの混合ガスをプラズマ発生室内で、標準状態（２５℃で１０１３２５Ｐａ）におけるガスの流速が０．６０２ｍ／ｓｅｃ以上になるように供給し、プレート電力６ｋＶＡ以上の高周波を印加した後、前記炭化水素化合物を５Ｌ／ｍｉｎ以上導入して該炭化水素化合物の熱分解を行って製造する。 （もっと読む）

本発明は、特定の位置、ナノチューブ密度及び配向を有する長手方向に配列したカーボンナノチューブのアレイ、並びに、誘導成長法及び誘導堆積法を使用したナノチューブアレイの対応する作製方法を提供する。また、多層ナノチューブアレイ構造及びデバイスを含む、長手方向に配列したカーボンナノチューブの１つ又は複数のアレイを備える電子デバイス及びデバイスアレイも提供される。 （もっと読む）

本発明は、フッ素化多層炭素ナノ材料及びそれらを生成するための方法を提供する。本発明の一態様では、炭素ナノ材料は、部分的にフッ素化され、未反応炭素を一部保持する。本発明はまた、本発明のフッ素化炭素ナノ材料を組み込んだ電極及び電気化学デバイスを提供する。本発明の一態様では、電気化学品は、本発明の少なくとも部分的にフッ素化された炭素材料を含む第１電極と、リチウムイオン源を含む第２電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】粉状あるいは粒子状の被反応物を反応ガスと接触させる連続バッチ的反応プロセスにおけるサイクルタイムを短縮した高生産性の気相反応方法及びを装置を提供する。
【解決手段】把持体２に支持した粉状あるいは粒子状の被反応物を反応室３０に装填し、該反応室３０に反応ガスを導入して加熱下に気相反応を行い、該反応室３０から前記把持体２と共に反応生成物を取り出す一連の操作を、新たな被反応物を順次供給しながら連続バッチ的に繰り返す気相反応方法と装置において、反応室３０に開閉可能なゲート扉３０１ａを介して隔離された予備加熱室２０を設け、反応室３０で行う気相反応工程と平行して、予備加熱室２０で前記新たな被反応物を昇温処理することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】黒鉛の結晶性を維持して、なおかつ比表面積が大きい表面改質黒鉛と、その改質黒鉛を用いる黒鉛層間化合物および触媒であって、燃料電池用触媒やキャパシタやリチウムイオン電池などの電池材料などに広く応用される。
【解決手段】比表面積が２００〜１０００ｍ^２／g 、ラマンスペクトルのＤバンド（１３５０ｃｍ^−１）とＧバンド（１５８０ｃｍ^−１）のピーク強度比であるＲ値が０．３〜０．７、およびＸ線回折法の（００２）面のｃ軸方向の結晶子の大きさＬｃ（００２）が３０ｎｍ以上であることを特徴とする改質黒鉛。前記改質黒鉛を用いる金属塩化物がインターカレートされてなる黒鉛層間化合物及び触媒並びにそれらの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブ電子電界エミッタ構造を含む改良された電界放出デバイスを実現する。
【解決手段】 接着性カーボンナノチューブ膜（単層あるいは多層ナノチューブを含む）が、比較的平坦な導電性基板上に形成される。本発明は、強く接着するカーボンナノチューブ膜を実現する。さらに、放出特性を向上させるために、膜中のナノチューブの一部（例えば、少なくとも５０体積％）を、ほぼ同じ方向に整列させ、それらの長軸を、基板表面に垂直な向きにすることが可能である。一実施例では、単層カーボンナノチューブが、炭素溶解性元素（例えば、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ）あるいはカーバイド形成元素（例えば、Ｓｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ）のような炭素と反応する材料を含む基板上に形成される。また、アルミニウムのような低融点材料を有する基板を使用することも可能である。 （もっと読む）

【課題】ＣＮＴ以外のＣＮＳを、より強く母材基板へ付着して成長させる製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣウェハーを、１５００℃から２０００℃の範囲に含まれる温度、かつ１０^-2Ｐａよりも小さい圧力の気中でアニールする。特に、温度範囲を１５５０℃から１６００℃、１６００℃から１６５０℃、又は１６５０℃から１７００℃とし、３０分よりも長くアニールすれば、それぞれカーボンナノフレーク、カーボンナノウォール、又はカーボンナノリーフを選択的に成長させることができる。また、前記ＳｉＣウェハーを蓋部に孔のあいた蓋付きの黒鉛筒で囲い、１７００℃から２０００℃の範囲に含まれる温度で、３０分よりも長くアニールすれば、黒鉛を成長させることができる。このとき、前記孔の径は前記黒鉛筒の径の５／１３０よりも小さいことが望ましい。 （もっと読む）

【課題】 基板上に種々の触媒物質を用いて形成した触媒微粒子を用いて高品質のカーボンナノチューブを成長させることができるカーボンナノチューブの成長方法およびカーボンナノチューブ構造体の製造方法の提供。
【解決手段】 カーボンナノチューブの成長方法は、酸化性雰囲気中において加熱処理して得られる触媒微粒子を、大気に曝すことなくカーボンナノチューブ成長用炭素含有ガス雰囲気中に存在させてカーボンナノチューブを成長させる工程を含むことを特徴とする。触媒微粒子は、粒径が０．４〜１０ｎｍの範囲にあるものであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】大掛かりな成膜設備を必要とせずに、生産性が高く、複雑な表面形状を有する表面に対しても十分に表面被覆が行えるＤＬＣ膜の形成方法を提供する。
【解決手段】デカフェニルシクロペンタシランからなる側鎖としてフェニル基を有するポリシラン化合物を含む溶液１１に光を照射して、溶液１１中に高分子材料を生成する工程と、光照射後の溶液１１を基板２１上に塗布し、高分子膜２２を形成する工程と、基板２１に熱処理を行うことで、高分子膜２２をＤＬＣ膜２３に変化させる工程とを有することを特徴とするＤＬＣ膜の形成方法である。 （もっと読む）

【課題】粉体の供給が容易で、均一なカーボン膜を作成するための溶射により適したフラーレン粒体、及びその製造方法、並びにこのフラーレン粒体を原料として用い、溶射法により成膜することを特徴とするカーボン膜、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】フラーレンの粒体は、粒径の下限が５０μｍ以上、上限が８００μｍ以下であり、かつ充填密度が０．７ｇ／ｃｍ^３以上であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 層間距離を黒鉛より広く維持し、Ｈｅ法による密度および嵩密度の高い炭素構造体及びその製造方法を実現する。
【解決手段】本発明の炭素構造体は、酸化黒鉛の焼成により共有結合した酸素の一部を取り除き、ＸＲＤ（Ｘ線回析）の回折パターンのピークが１９°から２６°の範囲に有しているとともに、Ｈｅ法による密度が１．４ｇ／ｃｍ^３以上、体積固有抵抗値が１Ω・ｃｍ以下であることを特徴としている。また、以上の炭素構造体は構成成分が少なくとも炭素および酸素からなり、酸素の割合が約１から２５ｗｔ％である。 （もっと読む）

【課題】粒子状固体触媒と炭素含有ガスとを連続供給しながらカーボンナノチューブを連続製造する場合、副生物発生量を低減して高品位のカーボンナノチューブの連続製造を可能にする製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】炭素含有ガスと金属触媒を担体に担持させた粒子状固体触媒とを加熱下の反応域Ａに連続導入して該粒子状固体触媒上にカーボンナノチューブを生成し、該粒子状固体触媒を連続的に回収する製造方法及び装置において、粒子状固体触媒の供給管１４を反応域Ａの内部まで挿入し、該供給管１４により粒子状固体触媒を不活性ガスと共に移送して反応域内に導入する。 （もっと読む）

【課題】熱分解法で安価なカーボンナノチューブを高効率で大量または連続式に合成できる方法とその装置の提供。
【解決手段】キシレン、トルエン、ベンゼンなどの液体カーボンソースと、鉄、ニッケル、コバルト、モリブデンなど金属触媒粒子を混合した液体を同時に定量供給するシリンジポンプ１１又は容量変化に応じて一般液体ポンプに変更可能に構成された燃料供給装置部１と、該液体混合物を均一なナノサイズの前駆体に気化及び微粒化する自動制御方式の気化装置部２と、微粒化粒子を反応装置へ移送しカーボンナノチューブ合成に影響を及ぼす移送ガスを供給する移送ガス供給装置部３と、移送ガスと前駆体を利用してカーボンナノチューブを合成する反応装置部４と、合成後残った粒子と一部の気相合成されたカーボンナノチューブを採取するためのフィルター部５、及び真空ポンプを含む真空装置部６、更に垂直型反応装置が構成される場合、連続収集部を含む。 （もっと読む）

【課題】炭素と窒素とを含む炭素材料であって、炭素に対する窒素の質量比を高めることにより耐食性に優れた材料を提供する。
【解決手段】分子骨格に１，２−エタンジイミンを含む高分子を用意し、酸素を含まない雰囲気の下、高分子を５００[℃]以上１２００[℃]以下の範囲の温度で焼成することにより炭素に対する窒素の質量比が５．６[質量％]より大きい炭素材料（カーボン微粒子）を得るとともに、この炭素材料中には低エネルギー窒素と高エネルギー窒素を含むことを特徴とする炭素材料及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】特定合成手段によって得られる前駆体ポリマーから出発することによって、優れた機能が特異的に発現される極めて微少単位の炭素粒子であって、チューブ状ないしはバルーン状中空構造を有する炭素粒子を提供する。
【解決手段】芳香族環に２個以上のヒドロキシル基が置換した構造を持つフェノール類の中から選択された少なくとも１種類のモノマーと、ホルムアルデヒド、フルフラールを含むアルデヒド類の中から選択された少なくとも１種類のモノマーを、カチオン界面活性剤によって形成されるミセルないしはベシクルを反応鋳型として、この反応鋳型により苛性ソーダを含む塩基性縮合剤の存在下で重合させて中空状ポリマー粒子を得、このポリマー粒子を不活性雰囲気の下で焼成することによって得る。 （もっと読む）