【課題】電解質に対する耐久性に優れるカーボンナノファイバ複合電極を提供すること。
【解決手段】不動態を形成する金属基板１と、金属基板１上に設けられ、不定形炭素で構成される不定形炭素層２と、不定形炭素層２に結合される多数のカーボンナノファイバ３とを備えることを特徴とするカーボンナノファイバ複合電極２０。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に連続的にカーボンナノチューブを形成し得るとともに原料ガスを基板の表面に均一に供給し得る熱ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】加熱炉１の炉本体２内の一端側に基板Ｋを構成する薄板材が巻き付けられた巻出しロール16を、他端側にこの基板Ｋを巻き取る巻取りロール17をそれぞれ配置し、これら両ロール16，17同士の間に、基板Ｋを挿通し得る連通用開口部3aを有する区画壁３により所定寸法の平面視矩形状の加熱室13を形成し、この加熱室13内の基板Ｋの上方位置に加熱装置41を配置し、加熱室13の下部に原料ガスＧを供給し得るガス供給口５を設け、このガス供給口５に胴部が円柱状で且つ上端部が半球状にされた多孔質材料より成るガス分散部材21を配置し、加熱室13内を所定の真空度に減圧し得る排気装置23を具備したものである。 （もっと読む）

【課題】低コストでグラフェンを高速で製造できる量産性のよいグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】反応容器１内に有機溶媒Ｓを収容する工程と、有機溶媒中に浸漬した一対の電極２間にパルス電圧を印加して有機溶媒Ｓを気化させ、このとき生じた気泡中でグロー放電を起こしてプラズマＰを発生させる工程と、プラズマ中の活性種により有機溶媒を分解してグラフェンＧを析出させる工程と、有機溶媒からグラフェンを回収し、この回収したグラフェンを乾燥する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高密度かつ高い垂直配向性でカーボンナノチューブを形成するために、触媒金属微粒子を効率よく活性化する方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブの形成のための前処理方法は、触媒金属層にプラズマを作用させて触媒金属を微粒子化して触媒金属微粒子を形成する第１のプラズマ処理工程と、触媒金属微粒子に、水素含有ガスと窒素ガスとの混合ガスのプラズマを作用させて触媒金属微粒子を活性化させる第２のプラズマ処理工程と、を備えている。前記触媒金属層の下に、ＴｉＮ、ＴａＮなどの窒化物からなる助触媒層を備えていることが好ましく、水素含有ガスと窒素ガスとの混合ガスのプラズマにより助触媒層が窒化され、触媒金属微粒子の活性化比率が向上する。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドにドナー元素が均一に添加されたナノ多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ多結晶ダイヤモンド１は、炭素と、該炭素中に原子レベルで分散するように添加されたＶ族元素３と、不可避不純物とで構成される。該多結晶ダイヤモンド１の結晶粒径は５００ｎｍ以下である。上記多結晶ダイヤモンド１は、Ｖ族元素が炭素中に原子レベルで分散するように添加され、結晶粒径が１０μｍ以下である黒鉛に、高温高圧プレス装置内で熱処理を施すことで作製可能である。 （もっと読む）

【課題】磁気センシングに利用可能なナノ多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ多結晶ダイヤモンド１は、炭素同位体^１２Ｃの純度が９９．９質量％以上である炭素と、炭素以外の複数の不純物とで構成される。複数の不純物の濃度は、それぞれ０．０１質量％以下であり、結晶粒径は５００ｎｍ以下である。上記ナノ多結晶ダイヤモンド１は、炭素同位体^１２Ｃの純度が９９．９質量％以上であり、化学純度が９９質量％以上である炭化水素ガスを熱分解して得られる黒鉛に、高温高圧プレス装置内で熱処理を施してダイヤモンドに変換することで作製可能である。 （もっと読む）

【課題】高純度かつ高硬度のナノ多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ多結晶ダイヤモンド１は、炭素と、該炭素以外の複数の不純物とで構成される。複数の不純物の濃度は、それぞれ０．０１質量％以下であり、ナノ多結晶ダイヤモンド１の結晶粒径（最大長さ）は５００ｎｍ以下である。上記ナノ多結晶ダイヤモンド１は、不純物の濃度が０．０１質量％以下である黒鉛を準備し、該黒鉛に超高圧、高温を施して黒鉛をダイヤモンドに変換することで作製可能である。 （もっと読む）

【課題】ドーパントが均一にドープされたドープトナノ多結晶ダイヤモンドを作製可能な黒鉛およびその製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛１は、炭素と、該炭素中に原子レベルで分散するように添加されたドーパント３と、不可避不純物とで構成される。黒鉛１は、一体の固体であって、結晶化部分を含む。上記黒鉛１は、真空チャンバ内で１５００℃以上の温度に基材を加熱し、該真空チャンバ内に、炭化水素ガスと、Ｖ族元素またはＩＩＩ族元素を含むガスとを導入することで、上記基材上に形成可能である。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドにアクセプター元素が均一に添加されたナノ多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法ならびに該多結晶ダイヤモンドを用いた各種工具を提供する。
【解決手段】ナノ多結晶ダイヤモンド１は、炭素と、該炭素中に原子レベルで分散するように添加されたＩＩＩ族元素３と、不可避不純物とで構成される。該多結晶ダイヤモンド１の結晶粒径は５００ｎｍ以下である。上記多結晶ダイヤモンド１は、ＩＩＩ族元素が炭素中に原子レベルで分散するように添加された黒鉛に、高圧プレス装置内で熱処理を施すことで作製可能である。上記ナノ多結晶ダイヤモンド１は、スクライブツール、スクライブホイール、ドレッサー、回転工具、ウォータージェット用オリフィス、伸線ダイス、切削工具等の工具に有用である。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドに炭素以外の異種元素が均一に添加されたナノ多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ多結晶ダイヤモンド１は、炭素と、該炭素中に原子レベルで分散するように添加され炭素以外の元素である異種元素３と、不可避不純物とで構成される。該多結晶ダイヤモンド１の結晶粒径は５００ｎｍ以下である。上記多結晶ダイヤモンド１は、炭素以外の元素である異種元素が炭素中に原子レベルで分散するように添加された黒鉛に、高圧プレス装置内で熱処理を施すことで作製可能である。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率の優れた多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ多結晶ダイヤモンド１は、^１２Ｃあるいは^１３Ｃのいずれかの炭素同位体で実質的に構成された炭素と、炭素以外の複数の不純物とで構成され、複数の不純物の濃度がそれぞれ０．０１質量％以下であり、結晶粒径が５００ｎｍ以下である。上記ナノ多結晶ダイヤモンド１は、^１２Ｃあるいは^１３Ｃの炭素同位体の純度が９９．９質量％以上である炭化水素ガスを熱分解して得られる黒鉛に、高圧プレス装置内で熱処理を施してダイヤモンドに変換することで作製可能である。 （もっと読む）

【課題】高純度かつ高硬度のナノ多結晶ダイヤモンドを作製可能な黒鉛およびその製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛１は、炭素と、該炭素以外の複数の不純物とで構成される。複数の不純物の濃度は、それぞれ０．０１質量％以下であり、黒鉛は、一体の固体であり、結晶化部分を含む。上記黒鉛１は、真空チャンバ内で１５００℃以上の温度に基材を加熱し、上記真空チャンバ内に９９．９９％以上の純度の炭化水素ガスを導入し、基材上で炭化水素ガスを分解することで形成可能である。 （もっと読む）

【課題】触媒金属膜の任意の領域にグラフェンを選択的に合成しうるグラフェンの合成方法を提供する。
【解決手段】基板の所定の領域上に、触媒金属膜を形成する。次いで、触媒金属膜の側面に、触媒金属膜よりも触媒能の低い被覆膜を形成する。次いで、触媒金属膜の上面上に、触媒金属膜を触媒としてグラフェンを選択的に合成し、グラフェンチャネルを形成する。次いで、基板上に、グラフェンチャネルに接合されたソース電極及びドレイン電極を形成する。次いで、触媒金属膜及び被覆膜を除去する。次いで、グラフェンチャネル上に、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】少数層グラフェンを触媒金属基板一面の大面積で容易に形成できるようにする。
【解決手段】まず、銅とニッケルを主成分とする合金からなる触媒金属構造体を用意し、この触媒金属構造体を、触媒作用によりグラフェンの合成が進行する所定の温度まで加熱する（Ｓ１０１）。次に、触媒金属構造体へ炭素原料ガスを供給し、触媒金属構造体の表面にグラフェンを合成する（Ｓ１０２）。炭素原料ガスからの炭素が触媒金属により反応し、触媒金属構造体の表面に少数層グラフェンが形成される。 （もっと読む）

【課題】電子部品素子としての有望な輸送特性と機械的強靭性を併せもち透明導電材料や電子放出素子材料として有用な、単層型カーボンナノチューブと二層型カーボンナノチューブが混合してなる、高純度かつ高品質のカーボンナノチューブ集合体およびその、効率的、且つ大量・安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】気相流動ＣＶＤ法により炭素源からカーボンナノチューブを製造する方法において、少なくとも水素と不活性ガスで構成される混合型キャリアガス雰囲気中、トルエンなどの液体炭化水素を第１炭素源に、メタンを第２炭素源に用いる。 （もっと読む）

【課題】熱フィラメントＣＶＤ法によって、有効成膜面積を大面積化することのできる熱フィラメントＣＶＤ装置及びその装置を用いた薄膜の形成方法を得る。
【解決手段】薄膜を形成するための熱フィラメントＣＶＤ装置であって、フィラメントを固定するための少なくとも一対のフィラメント固定部と、フィラメント固定部の間の距離を変えるためのフィラメント固定部移動機構と、フィラメントの伸縮状態の変化を検出するためのフィラメントの伸縮状態検出手段と、を含み、フィラメントの伸縮状態検出手段が、少なくとも一対のフィラメント固定部の間の略中央の検出位置において、フィラメントからの少なくとも一つの波長の電磁波の強度変化を測定するための、又はフィラメントからの電磁波の波長、強度若しくはそれらの組み合せを測定するための、電磁波測定機構を含む、熱フィラメントＣＶＤ装置である。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドが本来有する物性の高いダイヤモンド膜、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】熱抵抗が１．０×１０^−８（ｍ^２・Ｋ/Ｗ）以下のダイヤモンド膜であって、その製造方法は、（１）一次粒子径が１〜２０ｎｍのナノダイヤモンド粒子を準備する工程、（２）前記ナノダイヤモンド粒子を基材に付着させる工程、（３）前記ナノダイヤモンド粒子付着基材を熱処理又はプラズマ処理する工程、及び（４）前記処理したナノダイヤモンド粒子付着基材のナノダイヤモンド粒子をＣＶＤ法により成長させ、ダイヤモンド膜を形成する工程、とを含む。 （もっと読む）

【課題】所望のパターンに沿ってカーボンナノウォールを配向させることが可能なカーボンナノウォール配列体を提供する。
【解決手段】カーボンナノウォール配列体１０は、基板１と、カーボンナノウォール２〜９とを備える。基板１は、シリコンからなる。そして、基板１は、凸部１１と凹部１２とを含む。凸部１１および凹部１２は、方向ＤＲ１に沿って基板１の一方の表面に形成される。凸部１１および凹部１２は、方向ＤＲ１に垂直な方向ＤＲ２において、交互に形成される。凸部１１は、方向ＤＲ２において、０．１〜０．５μｍの長さを有し、凹部１２は、方向ＤＲ２において、０．６〜１．５μｍの長さを有する。また、凸部１１の高さは、０．３〜０．６μｍである。カーボンナノウォール２〜９の各々は、基板１の凸部１１の長さ方向（＝方向ＤＲ１）に沿って凸部１１上に形成される。 （もっと読む）

【課題】量産に適したグラフェンの製造方法及びグラフェン製造装置を提供すること
【解決手段】、本技術のグラフェンの製造方法は、導電性を有するフレキシブルな成膜対象物の表面に炭素源物質を接触させる。グラフェンは、成膜対象物に電流を印加して成膜対象物をグラフェンの生成温度以上に加熱することによって成膜対象物の表面において前記炭素源物質から生成される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に複数の繊維状柱状構造体を備えた繊維状柱状構造体集合体であって、該基板と該繊維状柱状構造体との密着力が非常に高い繊維状柱状構造体集合体を提供する。
【解決手段】本発明の繊維状柱状構造体集合体は、基板の表面に複数の繊維状柱状構造体を備えた繊維状柱状構造体集合体であって、該複数の繊維状柱状構造体の片端が該基板の表面に密着しており、該複数の繊維状柱状構造体と該基板の表面との密着力が２５℃において２５Ｎ／ｃｍ^２以上である。 （もっと読む）