【課題】カーボンナノ構造体の長尺化や形状の安定化が可能なカーボンナノ構造体の製造装置およびカーボンナノ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノ構造体の製造装置１は、カーボンナノ構造体２０を成長させる触媒部材４と、原料ガス供給部１１および原料ガス供給管５と、磁場発生部材（コイル７、８）と、加熱部材（ヒータ６）とを備える。原料ガス供給部１１および原料ガス供給管５は、触媒部材４に、カーボンナノチューブ２０を構成するための炭素を供給する。磁場発生部材（コイル７、８）は、触媒部材４の一方表面から、当該一方表面と対向する他方表面に向けて、磁場強度が徐々に高くなる勾配磁場（たとえば磁束線９、１０で示されるカスプ磁場）を印加する。加熱部材（ヒータ６）は、触媒部材４を加熱する。 （もっと読む）

【課題】 硫化水素ガスを用いることなく、金属材の表面にナノカーボン類を含む炭素膜を形成する。
【解決手段】 鉄を主成分とする金属材の表面に、希硫酸を塗布する第１工程と、第１工程の後に、金属材の表層に窒化層が形成される窒化条件の下でＣＯ、ＣＯ_２および有機ガスからなる群から選ばれる少なくとも一種とともに金属材を熱処理することによって、金属材の窒化層の表面に、カーボンナノコイル、カーボンナノチューブおよびカーボンナノフィラメントからなる群から選ばれる少なくとも１種のナノカーボン類を含む炭素膜を形成する第２工程と、を有する、金属材の表面処理方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】高品質でドメインバウンダリーが無い均一なグラフェン薄膜を製膜する。
【解決手段】単結晶基板にエピタキシャルに成長した遷移金属単結晶薄膜を加熱し、遷移金属の表面に炭素を供給することでグラフェンを成長させるグラフェンの製造方法において、単結晶基板として、Ｍｉｃａ（１００）、もしくはＹＳＺ（１１１）を用いることとする。遷移金属はＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｗ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｐｔまたはこれらの合金である。遷移金属単結晶薄膜は3回対称または6回対称の表面を有する （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドライクカーボン膜を備えた摺動部材において、せん断に対するダイヤモンドライクカーボン膜の密着性（耐引っ掻き性）を向上することで摺動部材の耐摩耗性の向上および長寿命化が可能な摺動部材を提供する。
【解決手段】基材の上に、第一層を含むＤＬＣ膜を配置した摺動部材であって、前記基材が、Ｖ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗから選ばれる少なくとも１種を含む合金鋼であり、前記第一層がＶ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗから選ばれる少なくとも１種を含み、前記基材から第一層に向けて同一の結晶構造が連続することを特徴とする摺動部材。 （もっと読む）

【課題】基板上に配置される粒子の凝集を低減して、基板表面に分散性よく粒子が配置された、基板複合体、及び、基板の表面にカーボンナノチューブが高密度で形成されたカーボンナノチューブ複合体を提供する。
【解決手段】基板複合体が、基板と、前記基板の少なくとも一方の表面に配置された粒子群を有する層と、を備え、前記層は、遷移金属及びアルカリ金属を含む。また、カーボンナノチューブ複合体は、前記基板複合体と、前記粒子群に一端が接続されている複数本のカーボンナノチューブと、を有する。 （もっと読む）

【課題】成長用基材を再利用するために成長用基材を溶かさずに炭素膜を転写用基材に再現性良く剥離する手法を提供するとともに、連続成膜方法の適用が可能な、炭素膜の剥離方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ法で形成した透明導電性炭素膜と成長用基材の間の剥離強度（Ｆ）を１Ｎ／ｃｍ以下に制御することにより、形成した透明導電性炭素膜を成長用基材から剥がれやすくして、転写用基材に転写しやすくする。これにより、成長用基材を溶かさずに、且つダメージを与えずに剥離できるので、形成した透明導電性炭素膜は、成長用基材からは転写用基材へ連続転写・連続加工することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブの形成方法及び熱拡散装置に関し、カーボンナノチューブの直径の制御性を高め且つ成長密度を高める。
【解決手段】 基板表面に平均周期が２０ｎｍ〜１００ｎｍの微細な凹凸を有する凹凸形成層を形成し、前記凹凸形成層の表面上に前記凹凸の形状に沿った形状を有する酸素含有皮膜を形成し、前記酸素含有皮膜上に触媒金属層を形成したのち、熱処理を行うことによって前記触媒金属層を溶融して孤立した複数の触媒微粒子にし、炭素含有ガスを利用した化学気相成長法により、前記触媒微粒子上にカーボンナノチューブを成長させる。 （もっと読む）

【課題】エッチング時間が短く、エッチング時の損傷を抑制したグラフェン膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】銅と亜鉛の合金により構成される金属膜を、炭化水素ガスと水素ガスを含む混合雰囲気下で加熱するグラフェン膜成長工程と、前記グラフェン膜上に前記グラフェン膜を支持する支持膜を形成する支持膜形成工程と、前期金属膜をエッチング液により溶解して除去するエッチング工程を行なうことで、エッチング時間が短く、エッチング時の損傷を抑制したグラフェン膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】 基材の変形を防止し、カーボンナノチューブ配向集合体の収量低下や品質低下、各製造工程の不具合を防止することができる製造方法を提供する。
【解決手段】 金属基板の表面に触媒を担持した基材上に、化学気相成長法を用いてカーボンナノチューブ配向集合体を製造するカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法において、前記金属基板として、その表面の残留歪みをεａ、裏面の残留歪みをεｂとし、それぞれの値の信頼区間をそれぞれＭａ、Ｍｂとしたとき、基板面に沿って水平で且つ直交する２方向それぞれの残留歪みが式｜εａ−εｂ｜≦Ｍａ＋Ｍｂを満たしている基板を用いる。 （もっと読む）

【課題】量産性に優れる転写シートの提供およびその製造方法の提供にある。
【解決手段】グラフェンからなる透明導電膜層の作成において、平滑性があり触媒となる金属薄膜層を使用することにより、品質の良いグラフェンを作製するとともに、後の金属薄膜除去の工程が簡易となり、量産性のある転写シートおよびその製造方法を提供できる。 （もっと読む）

【課題】エッチング時間が短く、エッチング時の損傷を抑制したグラフェン膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】ニッケルと亜鉛の合金により構成される金属膜を、炭化水素ガスと水素ガスを含む混合雰囲気下で加熱するグラフェン膜成長工程と、前記グラフェン膜上に前記グラフェン膜を支持する支持膜を形成する支持膜形成工程と、前期金属膜をエッチング液により溶解して除去するエッチング工程を行なうことで、エッチング時間が短く、エッチング時の損傷を抑制したグラフェン膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】比較的低温で安定的に、垂直性が高く、かつ結晶性の高いカーボンナノチューブを成長させることのできるカーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗ上にニッケル、コバルト、鉄のいずれか一種もしくは複数の触媒金属ＭとカーボンＣを提供する第１のステップ、プラズマＣＶＤ法を適用して、プラズマ分解されたカーボンを基板Ｗに提供し、該プラズマ分解されたカーボンを触媒金属Ｍを起点として基板Ｗ上で成長させてカーボンナノチューブＣＮＴを製造する第２のステップからなるカーボンナノチューブの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】グラフェンを積層したときに光透過率の低下を緩和したり、１層のグラフェンの光透過率の上限よりも高い光透過率を得たりすることの可能な透明導電膜、ならびにそれを備えたヒータ、タッチパネル、太陽電池、有機ＥＬ装置、液晶装置および電子ペーパを提供する。
【解決手段】透明導電膜は、単層の導電性グラフェンシートを備えている。単層の導電性グラフェンシートは、グラフェンからなる第１領域と、第１領域で囲まれるとともに第１領域よりも光透過率の高い第２領域とを含んで構成されている。 （もっと読む）

【課題】高導電性の導電体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも片面にカーボンナノチューブからなる導電層を有し、導電面側のＸＰＳスペクトルの４０５ｅＶの強度Ｉ_４０５と４００ｅＶの強度Ｉ_４００の強度比Ｉ_４０５／Ｉ_４００が０．４〜１．０であることを特徴とする導電体、および、基材の少なくとも片面にカーボンナノチューブからなる導電層を形成した後、硝酸で処理することにより、導電面側のＸＰＳスペクトルの４０５ｅＶの強度Ｉ_４０５と４００ｅＶの強度Ｉ_４００の強度比Ｉ_４０５／Ｉ_４００が０．４〜１．０の範囲にある導電体を製造することを特徴とする導電体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高導電性の導電体、およびその簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ［Ａ］と、分散剤［Ｂ］と、分散媒［Ｃ］とが、［Ａ］に対する［Ｂ］の質量比（［Ｂ］の含有量／［Ａ］の含有量）が１．０〜９．０で含まれる被処理分散液を、遠心加速度１０万〜２０万Ｇ、１〜１０時間の超遠心分離することにより作成された、［Ａ］に対する［Ｂ］の質量比（［Ｂ］の含有量／［Ａ］の含有量）が０．５〜３．０で含まれる遠心後の沈澱部を用いて塗布用分散液を調製し、塗布用分散液を透明基材上に塗布した後、乾燥させることを特徴とする透明導電体の製造方法、およびその方法により得られる透明導電体。 （もっと読む）

【課題】より効率よくカーボンナノチューブ配向集合体を製造する。
【解決手段】本発明に係るカーボンナノチューブ配向集合体製造用基材は、基板、触媒担持層及び触媒層を備え、前記触媒担持層は前記基板の上にあり、板状構造のアルミニウム酸化物であり、その表面には孔が空いており、前記触媒層は、前記孔の少なくとも一部を選択的に露出して、前記表面の上であって孔の空いていない場所にある、触媒の粒子の層である。 （もっと読む）

【課題】ハードマスクとして好適に用いられるアモルファスカーボン膜の製造法を提供する。また、半導体装置における保護膜や封止膜に適したアモルファスカーボン膜の製造法を提供する。
【解決手段】プラズマ雰囲気形成領域を内部に有するチャンバーを備えるCVD装置を用意し、チャンバー内圧を6.66Pa以下、バイアス印加手段を介して成膜用の基体を設置するステージに印加するバイアスを100〜1500W、基体の成膜時の基体温度を200℃以下、成膜用の原料ガスの流量を100〜300cc/min.（0℃、大気圧）、プラズマ雰囲気を形成するための希ガスの流量を50〜400cc/min.（0℃、大気圧）とし、基体をプラズマ雰囲気に対面させ、基体上にアモルファスカーボン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】転写プロセスを用いずに、所期のグラフェンを制御性良く容易且つ確実に安定形成し、信頼性の高い高性能の微細な電子デバイスを実現する。
【解決手段】基板１上に絶縁層２を形成し、絶縁層２に空隙２Ａを形成し、空隙２Ａに触媒材料４を充填し、絶縁層２における触媒材料４の露出面４ａにグラフェン５を形成し、絶縁層２上でグラフェン５の両端部に接続するように一対の電極５，６を形成し、グラフェン５を一部除去してグラフェンリボン８を形成し、グラフェンリボン８の除去された部位である間隙２Ａ１，２Ａ２を通じて触媒材料４を除去する。 （もっと読む）

【課題】触媒層の膜厚をナノサイズのオーダーで基板全面に均質に形成することが可能であり、均質且つ形状の揃った高配向カーボンナノチューブを低コストで大量に合成することが可能な高配向カーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】触媒金属を溶媒に溶解させて触媒溶液を調整する工程と、触媒溶液をインクジェット法によって基板に塗布する工程と、基板を熱処理して溶媒を除去する工程と、を備えることを特徴とする高配向カーボンナノチューブの製造方法を選択する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、熱音響装置に関し、特にグラフェンを利用した熱音響装置に関するものである。
【解決手段】本発明の熱音響装置は、基板と、発熱器と、複数の音波発生器と、を含む。少なくとも一つの前記音波発生器は、グラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体からなる。前記グラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体は、相互に積み重なって設置された少なくとも一つのグラフェン構造体及び少なくとも一つのカーボンナノチューブ構造体からなる。前記発熱器は、前記複数の音波発生器にエネルギーを提供し、前記複数から音波発生器に熱を発生させる。また、本発明は、熱音響装置を利用した電子デバイスも提供する。 （もっと読む）