【課題】金属原子、特に放射性金属原子に対する吸着能力が高い吸着剤と、その吸着剤を収率よく沈降させることのできる凝集剤を使用することにより、廃液から前記金属原子を効率よく除去することのできる処理方法を提供する。
【解決手段】廃液中の金属原子を、(a)フェロシアン化金属化合物及び／又はフェリシアン化金属化合物を担持してなる複合ダイヤモンド微粒子、及び／又は(b)フェロシアン化金属化合物及び／又はフェリシアン化金属化合物を担持してなる複合カーボンナノチューブを用いて除去及び回収する廃液処理方法であって、前記廃液に、前記複合ダイヤモンド微粒子及び／又は複合カーボンナノチューブを添加混合する工程、及び前記複合ダイヤモンド微粒子及び／又は複合カーボンナノチューブを添加混合した廃液に、凝集剤を添加する工程を有することを特徴とする処理方法。 （もっと読む）

【課題】金属原子、特に放射性金属原子に対する吸着能力が高い吸着剤と、その吸着剤を収率よく沈降させることのできる凝集剤とを使用することにより、廃液から前記金属原子を効率よく除去することのできる処理方法を提供する。
【解決手段】廃液中から金属原子を除去及び回収する処理方法であって、前記廃液に、ダイヤモンド微粒子又はカーボンナノチューブを添加混合する工程、及び前記ダイヤモンド微粒子又はカーボンナノチューブを添加混合した廃液に、凝集剤を添加する工程を有することを特徴とする処理方法。 （もっと読む）

【課題】大面積のグラフェンを低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】１０００℃で１時間加熱前の走査電子顕微鏡による表面の元素分析を行って測定される直径が０．５μｍ以上の酸化物及び硫化物の合計個数が１５個/ｍｍ^２以下であるグラフェン製造用銅箔である。所定の室内１００に、加熱したグラフェン製造用銅箔１０を配置すると共に炭素含有ガスＧを供給し、グラフェン製造用銅箔の表面にグラフェン２０を形成するグラフェン形成工程と、グラフェンの表面に転写シート３０を積層し、グラフェンを転写シート上に転写しながら、グラフェン製造用銅箔をエッチング除去するグラフェン転写工程と、を有するグラフェンの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ連続繊維を安定して連続的に製造することができる実用的な装置を提供する。
【解決手段】流動気相ＣＶＤ法によって炭素源と触媒とキャリアガスとから連続的にカーボンナノチューブを合成する管状反応炉２と、管状反応炉の下流側に設けられた、内径が、管状反応炉の内径の０．１〜０．５倍の範囲の筒状体１２と、管状反応炉内から連続的に引き出したカーボンナノチューブのスライバーを挟持しながら加撚し送り出す一対のベルトニップツイスター４１０と、得られたカーボンナノチューブ連続繊維を連続的に巻き取る巻取装置５００とを備えたカーボンナノチューブ連続繊維の製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】微細加工技術を用いることなく任意の幅のグラフェンリボンを形成しうるグラフェンリボンの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に触媒金属材料を堆積し、基板上に堆積した触媒金属材料を熱処理し、表面にストライプ状の双晶領域を有する触媒金属膜を形成し、触媒金属膜の双晶領域上に、触媒金属膜を触媒としてグラフェンを選択的に成長する。 （もっと読む）

【課題】良好な再現性を有し、カーボンナノチューブを安定して紡績することのできるカーボンナノチューブ膜の製造方法の提供。
【解決手段】平板状の基板の表面に金属触媒を堆積させ、続いて、その基板の雰囲気を図１に示すように変化させて、当該基板の表面にカーボンナノチューブ膜を製造した。すなわち、基板の雰囲気を水素ガスで置換し、基板及びその雰囲気を金属触媒活性化温度としての５００℃まで昇温させて３分間その温度に保持した。続いて、基板及びその雰囲気を２００〜５００℃まで降温し、基板の雰囲気に炭化水素ガスを導入した。そして、基板及びその雰囲気を０〜３分間その温度に保持した後、ＣＮＴ合成温度としての７００℃まで基板及びその雰囲気を昇温した。基板及びその雰囲気を炭化水素ガスを導入しながら７００℃に１０分間保持してカーボンナノチューブ膜を形成した。 （もっと読む）

【課題】大面積のグラフェンを低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】銅箔基材の表面に、厚み５μｍ未満の銅めっき層を設けてなり、水素を２０体積％以上含有し残部アルゴンの雰囲気中で、１０００℃で１時間加熱後の前記銅めっき層表面の圧延平行方向及び圧延直角方向の６０度光沢度が共に３００％以上である。 （もっと読む）

【課題】欠損状細孔を側面に有するカーボンナノチューブで形成されたカーボンナノチューブ並走集合体、その製造方法、炭素系電極および蓄電デバイスを提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ並走集合体は、同じ方向に沿って並走しつつ配向している並走配向性を有する多数のカーボンナノチューブを集合させて形成されている。カーボンナノチューブ並走集合体を成長させたままの状態において、カーボンナノチューブ並走集合体を構成するカーボンナノチューブは、側面に欠損状細孔を備えている。Ｉ_Ｄ／Ｉ_Ｇ比率は０．８０以上である。 （もっと読む）

【課題】ＣＮＴ配向集合体を連続的に製造する際に、ＣＮＴの収率及び品質の低下を防ぐことができる製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】表面に触媒を有する複数の基材１１１上にカーボンナノチューブ配向集合体を成長させるカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法であって、複数の基材１１１を成長炉１０４ａ内に連続的に搬入し、かつ成長炉１０４ａ内において前記触媒の周囲環境を原料ガス環境とすると共に前記触媒及び前記原料ガスのうち少なくとも一方を加熱して、前記カーボンナノチューブ配向集合体を成長させる成長工程と、少なくとも酸素原子を含むクリーニングガスを用いて成長炉１０４ａ内をクリーニングするクリーニング工程とを含み、前記成長工程と前記クリーニング工程とを交互に繰り返して行なう。 （もっと読む）

【課題】大面積のグラフェンを低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】純度が99.95質量％以上のＣｕからなるグラフェン製造用銅箔である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、グラフェン導電膜の製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明のグラフェン導電膜の製造方法は、第一表面及び該第一表面に対向する第二表面を有する金属基材を提供する第一ステップと、前記金属基材の第一表面にグラフェン構造体を成長させる第二ステップと、エッチングによって、前記金属基材をパターニングして電極を形成させる第三ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、グラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体の製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明のグラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体の製造方法は、第一表面及び該第一表面に対向する第二表面を有する金属基材を提供する第一ステップと、前記金属基材の第一表面にグラフェン構造体を成長させる第二ステップと、自立構造を有するカーボンナノチューブ構造体を提供して、前記グラフェン構造体の、前記基材に隣接する表面とは反対の表面に前記カーボンナノチューブ構造体を隣接させ、基材−グラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体を形成する第三ステップと、前記基材の少なくとも一部を除去し、グラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体を形成する第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 光触媒成分とナノカーボン類とを含み、高い活性を示す光触媒を製造する方法を提供する。
【解決手段】 炭素の６員環構造を外殻に有する管状のナノカーボン類と、光を照射されることによって電子および正孔を生成する光触媒成分とを含む光触媒の製造方法であって、ナノカーボン類は、前記光触媒成分を触媒として炭素含有物質を反応させることによって製造する、光触媒の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、熱音響装置の製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明の熱音響装置の製造方法は、第一表面及び該第一表面に対向する第二表面を有する金属基材を提供するステップＳ１１と、前記金属基材にグラフェン構造体を成長させるステップＳ１２と、第一表面及び該第一表面に対向する第二表面を有する非金属基材を提供するステップＳ１３と、前記グラフェン構造体の、前記金属基材に隣接する表面とは反対の表面を前記非金属基材の第一表面に隣接させるステップＳ１４と、前記金属基材の少なくとも一部を除去するステップＳ１５と、前記非金属基材をエッチングして少なくとも一つのスルーホールを形成し、前記グラフェン構造体の一部を該スルーホールに対して暴露させるステップＳ１６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、グラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体の製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明のグラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体の製造方法は、第一表面及び該第一表面に対向する第二表面を有する金属基材を提供する第一ステップと、化学気相成長法で前記金属基材の第一表面にグラフェン構造体を成長させる第二ステップと、高分子材料層を前記グラフェン構造体の、前記金属基材に隣接する表面とは反対の表面に被覆する第三ステップと、前記金属基材をエッチングして、複数の帯状電極に形成し、基材−グラフェン−高分子材料複合構造体になる第四ステップと、カーボンナノチューブ構造体を前記高分子材料層の、前記グラフェン構造体に隣接する表面とは反対の表面に被覆する第五ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された金属触媒層の裏面と、基板の表面との間での炭素膜の成長の制御性を高めることのできる炭素膜の形成装置、及び炭素膜の形成方法を提供する。
【解決手段】熱ＣＶＤ装置１０は、金属触媒層に対してアセチレンガスを供給する炭素含有ガス供給部１６と、基板における金属触媒層側である表面側に配置されたランプヒータ１３と、基板における金属触媒層とは反対側である裏面側に配置された水冷ステージ１２とを有している。ランプヒータ１３は、金属触媒層の表面をアセチレンガスの分解される温度に加熱し、また、水冷ステージ１２は、基板の裏面を冷却することで、ランプヒータ１３によって加熱された金属触媒層の表面と該金属触媒層の裏面とに所定の温度差を形成する。これにより、炭素膜が、基板の表面と金属触媒層の裏面との間に析出する。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で導電性を向上させることの出来るカーボンナノチューブ膜および製造方法を提供する
【解決手段】（１）カーボンナノチューブ含有組成物と（２）スルホン酸塩を含む高分子と（３）スルホン酸塩の陽イオンと交換可能な金属塩を配合してなるカーボンナノチューブ分散体層を基材上に形成させてなる薄膜、（１）カーボンナノチューブ含有組成物と（２）スルホン酸塩を含む高分子と（３）スルホン酸塩の陽イオンと交換可能な金属塩を配合し、（１）カーボンナノチューブ含有組成物を溶媒中に分散させてなるカーボンナノチューブ分散液を用いて基材上にカーボンナノチューブ分散体層を形成させることを特徴とする薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】放射線に対する耐性に優れ、放射性セシウムの吸着除去能力の高い吸着剤を提供する。
【解決手段】フェロシアン化金属化合物及び／又はフェリシアン化金属化合物を担持したダイヤモンド微粒子、及び／又はフェロシアン化金属化合物及び／又はフェリシアン化金属化合物を担持したカーボンナノチューブからなる、セシウムを吸着するための複合吸着剤。 （もっと読む）

【課題】製造に必要なエネルギーを低く抑えつつ、ナノ炭素を量産することができ、また二酸化炭素の発生量を抑えることができるナノ炭素の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】流動触媒、又は流動媒体を併用する流動触媒１が収容され、低級炭化水素と酸素とが供給されて自己燃焼可能な流動層反応器２と、流動層反応器２に接続され、流動層反応器２内に低級炭化水素と酸素とを供給するガス供給部５と、流動層反応器２に接続され、流動層反応器２内の排ガスを外部に排出する排ガス路８と、流動層反応器２に接続され、流動層反応器２内に流動触媒、又は流動媒体を併用する流動触媒１を補給する補給部２ａとを有するナノ炭素の製造装置を用い、流動触媒、又は流動媒体を併用する流動触媒１に低級炭化水素と酸素とを供給して流動層を形成し、低級炭化水素と酸素との自己燃焼を伴う低級炭化水素の分解反応によって、ナノ炭素と水素とを生成する。 （もっと読む）

【課題】 硫化水素ガスを用いることなく、金属材の表面にナノカーボン類を含む炭素膜を形成する。
【解決手段】 鉄を主成分とする金属材の表面に、希硫酸を塗布する第１工程と、第１工程の後に、金属材の表層に窒化層が形成される窒化条件の下でＣＯ、ＣＯ_２および有機ガスからなる群から選ばれる少なくとも一種とともに金属材を熱処理することによって、金属材の窒化層の表面に、カーボンナノコイル、カーボンナノチューブおよびカーボンナノフィラメントからなる群から選ばれる少なくとも１種のナノカーボン類を含む炭素膜を形成する第２工程と、を有する、金属材の表面処理方法を提供する。 （もっと読む）