【課題】 カーボンナノチューブ先端の極めて小さな曲率半径に基づく電子放出効率を有する、ディスプレイ装置に用いる電子放出源の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上の電子放出源を形成する所定の位置に、カーボンナノチューブを生成する触媒微粒子４３を担持し、基板上に触媒微粒子４３を介して基板に直立して成長するカーボンナノチューブ４４とカーボン不純物４５とを含む粗生成物４６を堆積するディスプレイ装置に用いる電子放出源の製造方法であって、粗生成物４６が堆積された基板を、炭素と反応して吸熱酸化反応を生ずる酸化剤中で、カーボン不純物４５が選択的に酸化される温度に加熱して、粗生成物４６からカーボン不純物４５を取り除いて、直立したカーボンナノチューブ４４のみを残す。 （もっと読む）

より収率性よくガス内包フラーレンを製造することが可能な内包フラーレンの製造方法及び製造装置を提供すること。 内包対象原子を含むガス６３０を内部に導入するためのガス導入口６５０を有してプラズマを発生するためのプラズマ発生室６１１と、前記プラズマ発生室６１１と連通してプラズマ流６６０を形成し該プラズマ流６６０中へフラーレン６５１を導入できるようにした真空容器６１０とを有し、該真空容器６１０内のプラズマ発生室６１１側にプラズマ流中の電子のエネルギーを制御するための手段（エネルギー制御手段）６０４を設けると共に、下流側に内包対象原子イオンの速度を調整することによりフラーレンイオンと結合させて内包フラーレンを形成する電位体６０９を設けたことを特徴とする。
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原料ガス流量の初期揺らぎ時間や立上り時間を無くして、カーボンナノ構造物の初期成長を促進できる高効率合成方法及び装置を開発する。
本発明に係るカーボンナノ構造物の高効率合成方法は、原料ガスと触媒を反応条件下で接触させてカーボンナノ構造物を製造する方法において、原料ガスと触媒の接触の開始を瞬時に行うカーボンナノ構造物の高効率合成方法である。温度や原料ガス濃度などの反応条件を触媒成長条件に設定して、この反応条件下で原料ガスＧと触媒６の接触の開始を瞬時に行うから、カーボンナノ構造物の初期成長を積極的に行わせ、の高さ成長や太さ成長を高効率にでき、高密度成長、短時間の高速度成長をも可能にする。前記触媒は触媒基板、触媒構造体、触媒粉体、触媒ペレットなどの任意形状の触媒を包含している。特に、原料ガスＧの供給・遮断を電磁三方弁２４により断続制御する方式が好適である。
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【課題】１本ごとが独立したカーボンナノチューブを製造する方法、その製造方法により製造されるカーボンナノチューブ、及びカーボンナノチューブ製造用触媒を提供する。
【解決手段】浸炭可能な金属元素を含む触媒層上にカーボンナノチューブを形成させる方法であって、前記触媒層上に設けられた１又は２以上の突起部から上方に向かってカーボンナノチューブを成長させる工程を含むことを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 所望の方向に配向しているカーボンナノチューブを、所望の形状の触媒金属または非触媒金属上に直接作製するカーボンナノチューブの作製方法、および、カーボンナノチューブの作製装置を提供すること。
【解決手段】 陰極４０２の陽極側の表面に、基板４０４を配置する基板配置工程を行った後、ガス供給部４０６からメタンガスと水素ガスから成る混合ガスを所定量チャンバー４０１内に供給すると共に、ヒーター４０７を用いて基板４０４の温度を所定の温度に調整する。その後、カーボンナノチューブ形成工程で、電源４０９によって、陰極４０２と陽極４０３との間に強い電場を発生させて、絶縁破壊を生じさせることでプラズマを発生させるプラズマ放電を行って、陰極４０２の上に配置された基板４０４上に、電場の向きに沿った指向性のカーボンナノチューブを作製する。 （もっと読む）

【課題】 高純度のカーボンナノケージを大量に合成できる簡単な方法を提供する。
【解決手段】 本発明にかかるカーボンナノケージの製造方法は，噴霧ノズル４を備えた反応器６内に不活性ガスを導入する工程と，反応器６の温度を，触媒化合物の熱分解温度まで上昇させる工程と，噴霧ノズル４を通じて，触媒化合物と炭素含有化合物とを共に含む反応原料を，反応器６内に噴出させる工程と，を含んで構成される。ここで，不活性気体の空間速度と反応原料の空間速度との比を１００以上とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤ法による長尺の微細炭素繊維の製造方法を提供する。
【解決手段】触媒金属層３を備える基板１を、還元性ガスを含む原料ガス気流下、所定の処理温度でＣＶＤ法により処理する。還元性ガスと原料ガスとの混合比が０．５〜１．５、処理温度が２５０〜９００℃である。原料ガスは炭化水素ガスまたはアルコールガスである。還元性ガスは、Ｈ_２、ＮＨ_３、Ｏ_２、ＣＦ_４、ＳＦ_６の１種である。基板１は、基体２と触媒金属層３との間に、窒化物、酸化物または炭化物のいずれか、好ましくは窒化珪素または酸化珪素からなる拡散防止層４を備える。基板１を反応炉１１に収容し、還元性ガスを含む原料ガスとキャリヤガスとを充填後、キャリヤガスのみを充填し、その後、キャリヤガスのみまたはキャリヤガスと還元性ガスとからなる気流下に処理温度に加熱し、還元性ガスを含む原料ガスとキャリヤガスとからなる気流下、ＣＶＤ法により処理する。 （もっと読む）

【課題】
光電変換材料を構成する電子受容体としては、従来、空のフラーレンが用いられていたが、十分高い光電流増強効果が得られていなかった。
【解決手段】
電子受容体として原子内包フラーレンを用い、原子内包フラーレンを電子供与性有機材料にドープすることにより光電変換材料を作製することにした。従来の光電変換材料と比較し、大幅に光電流を増加させることが可能になった。 （もっと読む）

【課題】 従来のカーボンナノチューブの製造設備にて低コストでカーボンナノチューブ密度制御を行える方法を提供する。
【解決手段】 触媒金属層を有する基板を熱化学気相蒸着装置に入れ、同装置内に不活性ガスおよび原料ガスを供給し、熱化学気相蒸着法により触媒金属層を微粒化すると共に生成した触媒微粒子にカーホンナノチューブを成長させる。その際、供給する原料ガスの濃度変化量を制御することでカーホンナノチューブの成長密度を制御する。「濃度変化量」とは供給する原料ガスの時間に対する変化量を意味する。 （もっと読む）

蒸気爆発によるナノ物質の製造方法及び装置並びにナノ原料製造方法を提供する。原料を蒸気爆発に晒して超微粒子を含めた原子粒を蒸散させ、これを爆発に伴う熱水幕の中から捕獲し、核の回りにナノ物質化して収集する。蒸気爆発は、加熱原料に液体を噴射するか、圧抜きするか、或いは加熱原料を膨張させるか等により、蒸気飽和の均衡状態を破り小爆発が連鎖的に誘発されるように行う。原料としては、樹脂廃棄物を乾溜し、これを精製して高品質のものを得ることができる。
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本発明は、炭素ナノチューブ及び炭素ナノオニオンから選択された炭素ナノ構造を製造する方法を提供する。この方法は、炭素含有ガスを、プラズマ形成ガスから発生されたプラズマ炎へ注入して、原子状炭素を発生するステップであって、この原子状炭素は、炭素ナノ構造を成長させる核生成ポイントとして働くその場で発生されたナノメーターサイズの金属触媒粒子の存在中で、炭素ナノ構造を発生するものであるステップと、その炭素ナノ構造を収集するステップとを備えている。
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【課題】 脱臭性能に優れたコストの安い炭化物を製造することのできる汚泥炭化物の製造方法及び汚泥炭化物の製造システムを提供すること。
【解決手段】 含水率５５％以下で、粒径１０ｍｍ以下の団粒状乾燥汚泥を、炭化炉により炭化温度４５０℃〜５５０℃で炭化させて脱臭性能に優れた汚泥炭化物を得ている。 （もっと読む）

微細な炭素繊維を特定の容器に充填あるいは圧密成型せずに、該炭素繊維生成の反応炉から取り出された粉体のまま、または微細な炭素繊維を圧縮して解砕し不定形の粉体状にした後に不活性ガス雰囲気または水素ガス雰囲気下で８００℃以上の温度で加熱炉で加熱して、繊維に付着している揮発成分を気化させ、さらに高い温度で炭化させる粉体熱処理方法、及び加熱炉部分が、炉内の微細な炭素繊維押し込み板または攪拌装置で仕切られて、これらの板又は装置で仕切られたコンパートメントのうち繊維供給口に近い部分に雰囲気ガス抜き出し管を設け、該繊維の出口に近い部分にガス供給口を設けた粉体熱処理装置。
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【課題】 微細炭素繊維の流動性を向上させることができる熱処理装置を提供すること。
【解決手段】
解砕された微細炭素繊維を流動可能に収容する一の流路１４１が形成された筒体１４０と、流路１４１の排出側に設けられ圧力変動を生じさせる移送装置１５０とを備えるように熱処理装置１１０を構成する。そして、筒体１４０は、流路１４１の上流部に設けられ収容された微細炭素繊維を加熱精製するガス抜き炉１０３と、流路１４１の下流部に設けられ収容された微細炭素繊維を加熱改質するアニール炉１０４とを有している。 （もっと読む）

【課題】 お茶の木を葉刈りした時に出る生茶葉類を原料として用い、水をまろやかにする等の有用な作用を有する生茶葉炭を安価に提供する。
【解決手段】 加熱室１内に配置した炭化室２に日本茶の生茶葉類を入れ、燃焼室３から高温の燃焼ガスを加熱室１に導入して、酸素を絶った状態の炭化室２内を６５０〜８００℃に加熱して生茶葉類を炭化する。得られる生茶葉炭は、炭化物の微細気孔にタール分が残留しておらず、１３０ｍ^２／ｇ以上の平均比表面積を有する。 （もっと読む）

プラズマ化学気相成長（ＰＥＶＣＤ）法によりカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）形成する装置の一実施例は、該装置の処理チャンバ内で様々な構成で電極に連結された１以上のＲＦ及びＤＣ電源を用いる。十分なＤＣ電力を１以上の電極に印加することにより、上記装置は、より水平で向上した電気的性能特性を有するカーボンナノチューブの成長を可能にする。
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【課題】触媒ＣＶＤ法によりカーボンナノチューブを合成する装置において、移動床などの固体触媒に層厚みを形成させて反応させる場合、固体触媒層にムラなく炭素含有ガスを接触させ、かつ、固体触媒が連続的に搬出できることが不可欠になる。本発明はこれらの課題を解決する方法を見いだす。
【解決手段】固体触媒層にアルミナボールなどを希釈材として混ぜることにより、固体触媒層と炭素含有ガスの気固接触が良好に保たれ、かつ、希釈材層を攪拌することで、炭素含有ガス流れ方向に固体触媒を搬出させることができ、有益な直径を有するカーボンナノチューブの合成反応を連続的に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、単層カーボンナノチューブのみを比較的低温で、効率よく高純度に製造でき、生成速度が速く、量産性に優れた単層カーボンナノチューブの製造方法および製造装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
基板の表面をクリーニングする工程と、クリーニングされた基板の表面に、触媒材料を形成する工程と、続いてカーボンナノチューブを形成する工程と、その後、形成された不純物を削減する工程とを含むカーボンナノチューブの製造方法において、触媒材料を形成する工程で、触媒材料を形成する前に、前記クリーニングされた基板の表面に、基板の表面と触媒材料との反応を防止するための反応防止層を形成し、触媒材料形成後、その上に分散材料を形成する。 （もっと読む）

【課題】 基板上に成長するＳＷＮＴの配向状態を、平行方向又は垂直方向に制御することのできるＳＷＮＴ合成用触媒；基板上に分散・担持される主触媒金属の分散密度を制御できるＳＷＮＴ合成用触媒の調製方法；一酸化炭素を用いた容易かつ低コストであって、常圧、低温で行うことができ、基板上に成長するＳＷＮＴの配向状態を制御できるＳＷＮＴの製造方法を提供。
【解決手段】 基板２上に触媒金属が担持されてなる単層カーボンナノチューブ合成用触媒であって、前記触媒金属が、８族、９族、１０族からなる主触媒金属３と、６族からなる助触媒金属４とから構成され、この主触媒金属３が、前記基板２上に疎に分散されて担持されている。 （もっと読む）

粒径分布が再現可能及び変更可能な煤粒子を生成するための装置は、燃料と酸化ガスを供給することが可能であるとともに、燃料と酸化ガスを供給されて煤粒子を発生する炎を中で生成することが可能である燃焼室（１）と、例えば、この燃焼室からの合流口を有する形で、この燃焼室と繋がった、消滅ガス用の合流口を更に有する煤分離部分（３）とを備えている。燃焼室と煤分離部分は、大気圧とは異なる圧力を加えることが可能な形で周囲環境から隔離することができる内部空間の一部である。即ち、この内部空間は、ガスの供給と分離を制御することが可能な閉じた系である。圧力の制御により、粒子の粒径分布を変化させることができる。
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