【課題】表面において化学反応の促進を可能とし、また、表面の修飾をし易くした機能性材料の実現を目的とする。
【解決手段】本発明の炭素粒子の製造方法は、メソフェーズピッチを材料として用い、この材料を加熱して流動性を有する態様とし、不活性ガス中に浮遊させた状態で350〜1000°Cの温度で熱処理するとともに温度を降下させることにより炭素粒子を製造することを特徴とする。特に、炉内の下方から上方へ不活性ガスを流しながら熱処理することが好ましい。 （もっと読む）

巻き取り可能な長さの基材が通過できる大きさに形成された基材入口を有する少なくとも１つのカーボン・ナノチューブ成長ゾーンを備えた装置。装置は、カーボン・ナノチューブ成長ゾーンと熱的に連結した少なくとも１つの加熱器も備える。装置は、カーボン・ナノチューブ成長ゾーンと流体的に連結した少なくとも１つの供給ガス流入口を備える。装置は、運転中、大気に開放されている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、第１にナノ構造炭素材料を容易に、且つ、高速に形成し得る製造方法を提供することにあり、第２に様々な基板上にナノ構造炭素材料を形成可能な製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に金属化合物を含む溶液を塗布した後、該金属化合物の有機成分をプラズマ処理により分解除去し、前記基板上に金属微粒子を付着させる金属微粒子付着工程と、前記基板上にナノ構造炭素材料を形成するナノ構造炭素材料形成工程と、を有することを特徴とするナノ構造炭素材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】配向カーボンナノチューブを安定に大量合成することができる配向カーボンナノチューブ連続合成方法及び同連続合成装置を提供する。
【解決手段】触媒液を塗布して乾燥させて基体表面に触媒層を形成する塗布乾燥工程と、前記触媒層を加熱して前記基体表面に触媒粒子層を有する触媒基体を形成する触媒基体形成工程と、前記配向カーボンナノチューブの合成温度以上に加熱された原料ガスを前記触媒基体の表面に接触させて配向カーボンナノチューブを合成する合成工程と、前記配向カーボンナノチューブを回収する回収工程を含み、前記合成工程において、前記触媒基体の表面に接触する前記原料ガスの周囲又はその前段と後段に前記合成温度以上のキャリアガスが供給され、前記配向カーボンナノチューブを連続的又は断続的に合成する配向カーボンナノチューブ連続合成方法及び同連続合成装置である。 （もっと読む）

【課題】純度及び安定性の高い高品質のナノカーボンを低コストで効率よく量産することで、殆ど半永久的にナノカーボンを生成しつづけられ、ナノカーボンを大量に生産できる装置を提供することを課題とする。
【解決手段】還元雰囲気で縦向きに設置した加熱炉容器１１と、加熱炉容器内に該容器と同心円状に傾斜角度をつけて多段に配置された円錐状板１３ａ，１３ｂと、円錐状板の外周部の加熱ジャケット１７と、加熱炉容器内に炭化水素と微量の微細金属触媒粉とを混合噴霧する炭化水素・触媒混合噴霧ノズル１９と、ナノカーボン排出ノズル２０とを具備し、噴霧ノズルより微細金属触媒粉の混合した金属触媒粉混合炭化水素を噴霧することにより円錐状板上で反応させてナノカーボンを成長させ、成長したナノカーボンを円錐状板から剥離させ、ナノカーボン排出ノズルにより排出することを特徴とするナノカーボン生成装置。 （もっと読む）

【課題】異なる種類のフラーレンが混在するクラスターを用いたものでありながら、一つの装置にて、効率良く単離すると共に、単離された金属内包フラーレン又はフラーレンのみが挿入されたピーポッドを用いた半導体素子の提供。
【解決手段】金属内包フラーレンと空のフラーレンとが混在するクラスターを充填したオーブン１１と、オーブン１１内で加熱昇華されたクラスターが噴出される再昇華円筒１２と、再昇華円筒１２を加熱してオーブン１１から噴出されたクラスターを再昇華する加熱装置１３と、再昇華円筒１２内に存在する単離状態の空のフラーレン及び金属内包フラーレンを正負別々のイオンとする電子ビーム照射装置と、カーボンナノチューブが塗布された一対の堆積基板１５，１６と、一対の堆積基板１５，１６の各々に正負別々のバイアスを印加する電源装置１７，１８と、を備えた装置を使用する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、メタルシリコーン材料の利用について精密加工した超微粒状のメタルシリコーン利用とは別の水溶性として処理加工し、メタルシリコーンを半導体以外のものに利用可能としてこれを実用化しようとするものである。
【解決手段】本発明のメタルシリコーン溶解・水溶液の製造方法は、微細なクラスターによって構成する純水とメタルシリコーン石を、ステンレス型タンクに入れ、加熱して60℃の温水として一定時間保温維持する前処理工程と、前処理終了温水中に、苛性ソーダを投入し、加熱を併用して急激な煮沸攪拌を生じさせ、沸騰現象が急激な変化状態となって８０℃〜９０℃の温度条件が不安定になる恐れがある場合は、安定剤としてホウ酸塩を使用して一定時間保熱維持する本処理工程と、本処理工程終了と同時に、加熱を完全にストップし、自然の状態で６０℃まで温度を加工する養生工程と、からなることを特徴する。 （もっと読む）

【課題】基材の搬送形態や搬送姿勢を改善することにより、カーボンナノチューブ配向集合体の生産効率の向上を図り、短時間で多くのカーボンナノチューブ配向集合体を得ることのできる生産装置及び生産方法を提供すること。
【解決手段】このカーボンナノチューブ配向集合体の生産装置Ｓ１は、触媒層を有する基材８にカーボンナノチューブ配向集合体を生成させる生産装置Ｓ１であって、基材８の周囲環境を原料ガス環境として化学気相合成によりカーボンナノチューブ配向集合体を表裏面に生成する成長工程を実現する成長ユニット４と、成長工程の後に基材８を冷却する冷却工程を実現する冷却ユニット５と、基材８を、成長ユニット４及び冷却ユニット５の順に各ユニット内部を通過させる搬送ユニット７と、搬送中において、搬送ユニット７による搬送方向と表裏面とが直交するように基材８を保持するクリップ７ｃとを有している。 （もっと読む）

【課題】反応槽内で製造されたカーボンナノチューブを全量回収できるカーボンナノチューブの製造装置、および該製造装置を用いたカーボンナノチューブの製造方法の提供。
【解決手段】流動層反応によるカーボンナノチューブの製造装置であって、少なくとも１本の上下動可能なカーボンナノチューブ抜出し管を具備してなるカーボンナノチューブの製造装置。また、触媒と炭素含有ガスが反応する流動部を有する反応槽を含むカーボンナノチューブの製造装置であって、該反応槽内に該炭素含有ガスを供給するための炭素含有ガス供給管と、該反応槽に設けられた該炭素含有ガスを加熱するための加熱器と、該反応槽頂部から挿入された、少なくとも１本の上下動可能なカーボンナノチューブ抜出し管と、該反応槽から反応ガスを排出するための反応ガス排出管と、を具備するカーボンナノチューブの製造装置。およびこれらの製造装置を用いたカーボンナノチューブの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドおよび単結晶基板が破損することなく、かつ大面積で結晶性の高い高品質の単結晶ダイヤモンド膜を連続膜として有する積層基板とその製造方法を低コストで提供する。
【解決手段】少なくとも、単結晶基板と、該単結晶基板上に気相合成させたダイヤモンド膜を有する積層基板であって、前記単結晶基板が、Ｉｒ単結晶またはＲｈ単結晶であることを特徴とする積層基板。また、少なくとも、単結晶基板上にダイヤモンド膜を気相合成させる工程を有する積層基板の製造方法において、前記単結晶基板に、Ｉｒ単結晶またはＲｈ単結晶を用いることを特徴とする積層基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】炭素ナノチューブの合成装置が提供する。
【解決手段】炭素ナノチューブが形成される空間を提供して垂直に長く形成される反応器と、前記反応器の外側に形成されて反応器を加熱する加熱部１２０と、反応器の内部に位置する触媒と反応して炭素ナノチューブを合成するための反応ガスを噴射するガス供給部と、反応器の上段部に連結されて炭素ナノチューブの合成に反応しない反応ガスを外部に排出する排気部１５０、および反応器の内部に形成されて炭素ナノチューブの合成に反応しない反応ガスだけを排気部を通じて排出させて合成された炭素ナノチューブまたは触媒の排出を遮断する遮断部１８０と、を含み、遮断部は、断面が複数の多角形構造で区切られ、各々の区切られたセル（ｃｅｌｌ）には下方向に傾いた遮断翼１８４，１８６が形成された炭素ナノチューブの合成装置。 （もっと読む）

【課題】炭素ナノチューブの合成装置を提供することである。
【解決手段】本発明の炭素ナノチューブの合成装置の一実施形態（Ａｓｐｅｃｔ）は、垂直型反応チェンバと、前記垂直型反応チェンバの内部に具備されて上側から供給される触媒を攪拌させる攪拌器、および前記垂直型反応チェンバの内部を複数に上下分割し、上側から供給されるソースガスを反応チェンバ内部に均一に分散させる複数の分散板と、を含む。 （もっと読む）

本発明は、化学気相成長法を用いて基板（１４）をコーティングするデバイス、特にダイヤモンド又はシリコンで基板をコーティングするデバイスであって、複数の細長い熱伝導体（２）からなる熱伝導体アレイがハウジング（９）内に提供され、前記熱伝導体（２）が第１の電極（１）と第２の電極（６）との間に延在し、熱伝導体がその一端に取り付けられたウェイト（４）によって個別にぴんと張った状態に保持されるデバイスに関する。熱伝導体（２）の寿命を延ばすために、本発明は、ウェイト（４）によって生成されるウェイトフォース（Ｇ）のベクトルが熱伝導体（２）の長手延長方向と４５°以下の角度（α）を形成するように、ウェイト（４）又は熱伝導体（２）が第２の電極（６）に案内されて電気的ループ接触が形成されることを提案する。
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【課題】一酸化炭素とフッ素との反応によって生じる反応容器内の局所的かつ急激な温度上昇を抑制し、反応温度の均一化を可能にするとともに、半導体ＣＶＤ用の洗浄ガス等として有用な二フッ化カルボニル（ＣＯＦ₂）を、高純度、高収率で、かつエネルギー効率
よく得ることができる、工業的に有利な製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の二フッ化カルボニルの製造方法は、循環している二フッ化カルボニルガスに一酸化炭素ガスとフッ素ガスとを供給し、一酸化炭素ガスとフッ素ガスとを反応させて二フッ化カルボニルを生成させるとともに、二フッ化カルボニルガスを取り出す工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カーボン部品を高純度に効率よく精製する。
【解決手段】多結晶シリコンの製造に用いられるカーボン部品を処理炉内に収容して、処理炉内を不活性ガス等で置換後、処理炉内を乾燥温度まで昇温し不活性ガス等を流通させてカーボン部品を乾燥する乾燥処理と、乾燥処理後に処理炉内を乾燥温度よりも高い純化温度に消音するとともに、処理炉内に塩素ガスを流通させる塩素流通処理（ステップ２）と、塩素流通処理の後に処理炉内部を減圧する減圧処理（ステップ３）と、減圧処理により生じた減圧状態に処理炉内を保持する減圧保持処理（ステップ４）と、減圧保持処理後の処理炉に塩素ガスを導入して処理炉内を加圧状態とする塩素加圧処理（ステップ５）とを複数回繰り返した後、処理炉内を冷却する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ等の有用性の高い繊維状のナノカーボンをナノカーボン生成温度領域に合わせて段階的にその特性を変えることにより効率的に製造すること等を目的とする。
【解決手段】有機物を原料とするナノカーボン生成において、低温レベルの第１のナノカーボン生成装置１１と、内部温度を前記第１のナノカーボン生成装置１１における内部設定温度以上に設定した高温レベルの第２のナノカーボン生成装置３１とを具備し、ナノカーボン生成を低温レベルでのナノカーボン生成、高温レベルでのナノカーボン生成の２段階で行い、第１のナノカーボン生成装置１１で排出される未反応炭化水素を第２のナノカーボン生成装置３１に入れることにより、低温レベルで生成するナノカーボン、高温レベルで生成するナノカーボンの両方を回収することを特徴とするナノカーボン生成システム。 （もっと読む）

【解決手段】 炭素質物質を活性化するシステムは、５％未満のミネラル含有量の炭素質物質を生成する炭素質物質原料装置と、前記炭素質物質原料装置と連通する温浸装置と、前記温浸装置と連通している、酸性混合溶液を提供する酸性原料装置と、前記温室装置と連通している、前記温浸炭素質物質を前記酸性混合溶液から分離する分離装置と、前記分離装置と連通している、前記温浸炭素質物質を乾燥して前記炭素質物質を分離する乾燥装置と、前記炭素質物質を活性化させて活性化炭素質物質を生成する熱装置とを含み、前記熱装置は、前記炭素質物質を前記乾燥装置から受け入れる注入口と、前記活性炭素質物質を前記熱装置から出す放出口とを有する。
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高品質なカーボン単層ナノチューブ（ＳＷＮＴ）を合成する方法およびプロセスを提供する。前記方法により、触媒単位重量当たりの炭素前駆体量および輸送ガス量を最適化する手段を提供する。７８０℃にて、約４．２×１０^−３モルＣＨ_４/秒−ｇ（Ｆｅ）の流量で、炭素前駆体ガスを担体に担持した触媒に接触させたとき、約２０％の変換効率を達成できる。また、炭素前駆体ガスの流量を約１．７×１０^−２モルＣＨ_４/秒−ｇ（Ｆｅ）以上にすると、品質が向上し、より速くカーボンＳＷＮＴが成長する結果になった。一方、炭素原子の供給速度を遅くすると（約４．５×１０^２０Ｃ原子／秒−ｇ、すなわち６．４×１０^−４モルＣＨ_４/秒−ｇ（Ｆｅ））、欠陥の多いナノチューブが生成する結果になった。 （もっと読む）

本発明は、減少した表面抵抗を有しおよびカーボンナノチューブを含む複合材料を製造するための方法に関する。
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【課題】純度及び安定性の高い高品質のナノカーボンを低コストで効率よく量産することができるナノカーボン生成炉を提供する。
【解決手段】還元雰囲気の加熱炉容器１１と、この加熱炉容器内に該容器と同心円状に傾斜角度をつけて配置された円錐状金属基板１２と、この円錐状金属基板の外周部に配置された加熱源と、前記加熱炉容器の上流側に配置され，加熱炉容器内に炭化水素を連続的に又は間欠的に噴霧する炭化水素注入ノズル１４と、前記加熱炉容器の下流側に配置されたナノカーボン排出ノズル１７とを具備し、炭化水素注入ノズルより炭化水素を連続的又は間欠的に噴霧することにより円錐状金属基板上で反応させてナノカーボンを成長させ、成長した生成ナノカーボンを円錐状金属基板から剥離させ、生成ナノカーボンをナノカーボン排出ノズルにより排出することを特徴とするナノカーボン生成炉１０。 （もっと読む）