【課題】化学蒸着（ＣＶＤ）プロセス反応器炉を使用して、任意の長さのカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を生成する装置を提供すること。
【解決手段】ＣＮＴを炉の全長の一部分に沿って軸方向に成長させる。この装置は、スピンドルと、スピンドルを回転させる機構とを含む。このスピンドルは、炉の温度が一定の領域に配置されており、ＣＮＴが炉内で成長しているときに、回転しているスピンドルに巻き付けてＣＮＴを集めるように動作可能である。 （もっと読む）

【課題】触媒を担持した基材の面積が大きくてもＣＮＴ配向集合体を均一に製造することを可能にする、触媒賦活物質を含むガスの噴出装置を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブの成長の触媒を賦活する触媒賦活物質を含むガスの噴出装置１００であって、複数のシャワー２０１、２０２を備え、複数のシャワー２０１、２０２では、噴出する触媒賦活物質の量が互いに異なり、外側のシャワー２０２により噴出される触媒賦活物質の量が、内側のシャワー２０１により噴出される触媒賦活物質の量より多くなるように、複数のシャワー２０１、２０２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】触媒を担持した基材の面積が大きくてもＣＮＴ配向集合体をより均一に製造する。
【解決手段】カーボンナノチューブの触媒層を表面に有する基材上に、カーボンナノチューブの原料ガス、触媒賦活物質及び希釈ガスを含む原料ガス混合物を供給してカーボンナノチューブ配向集合体を成長させるカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法であって、成長炉内に上記基材を設置する工程と、上記触媒層に噴射部から上記原料ガス混合物を噴射する工程と、を含み、上記触媒層と上記噴射部との距離Ｈの４倍以上の幅Ｗを上記触媒層が有し、上記希釈ガスが窒素を含み、上記触媒賦活物質が二酸化炭素を含む。 （もっと読む）

【課題】容易に且つ膜の特性を損なうことなく特性が向上したダイヤモンド様薄膜を実現できるようにする。
【解決手段】ダイヤモンド様薄膜は、基材１１の上に形成され、炭素と結合した水素を含むダイヤモンド様材料からなる第１の層１３と、第１の層１３の上に形成され且つ炭素と結合した水素の少なくとも一部が引き抜かれ、第１の層１３と比べて水素の含有率が低いダイヤモンド様材料からなる第２の層１４と、第１の層１３と基材１１との間に形成され、第１の層１３と比べて水素の含有率が低いダイヤモンド様材料からなる第３の層１５とを備えていている。 （もっと読む）

【課題】ＣＮＭ等の難溶解性粉体の表面修飾処理を高速化して、大量の表面修飾処理を低コストで行うことのできる粉体可溶化方法及びその粉体可溶化方法に基づき粉体可溶化処理を行える粉体可溶化装置を提供することである。
【解決手段】攪拌部材４の終端部５を液中電極１４の対向電極として、両電極間に高電圧高周波パルス発生装置１７の合成電圧Ｖが印加される。合成電圧Ｖの印加により、水面３２近傍のＣＮＴあるいは水面３２に浮遊するＣＮＴ１１が粉体電極となって、液中電極１４との間で液中プラズマ放電２７を発生させる。液中プラズマ放電２７により液中電極１４の周囲が沸騰状態に達し、Ｈ^＋やＯＨ⁻等のラジカルを含む活性水蒸気２８が生ずる。活性水蒸気２８及び液中プラズマに接触することにより、浮遊ＣＮＴ粉体はＣＮＴ周囲に水和層が形成され親水化される。 （もっと読む）

【課題】バイアス電源等の設置を不要とすることができ、基板に対して原料ガス中の炭素のみを効果的に提供してカーボンナノチューブを垂直配向で成長させ、製造することのできるプラズマＣＶＤ装置とカーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１と、チャンバ１に連通するプラズマ発生部３およびガス提供部２と、チャンバ１内でカーボンナノチューブを成長させる基板Ｋが載置される載置部４と、を備えてなるプラズマＣＶＤ装置１０であり、ガス提供部２からは少なくとも炭素原料ガスが導入されるようになっており、チャンバ１内において、プラズマ発生部３と基板Ｋの間にバルク状の遮蔽材５が配設されている。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの反応容器内への導入及び当該反応容器からのガス排出の構成に工夫を凝らし、反応容器内における原料ガスの流動や触媒との接触を良好に行うようにした微小コイルの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】反応容器２０は、円筒状容器本体２０ａと、この容器本体２０ａの左右両側部から互いに逆方向に延出された原料ガス筒群２０ｂ〜２９ｄ及び排出ガス筒群２０ｆと、容器本体２０ａ内に挿入した円筒状基材３０とを備えている。原料ガス筒群２０ｂ〜２９ｄから容器本体２０ａ内に導入された原料ガスは、所定の高温下にて、基材３０に担持した触媒と反応して熱分解して、基材３０から微小コイルを成長させる。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板であっても短時間にカーボンナノチューブを形成することができる化学気相成長方法および化学気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗに対して比較的小さいヘッド３０を所定の方向に所定の速度で相対的に移動させる。ヘッド３０には、基板Ｗに還元ガスを供給する還元室４０と炭素源ガスを供給する炭素源室５０とを設けている。また、基板Ｗに対するヘッド３０の相対移動方向に沿って還元室４０を炭素源室５０よりも前段側に設ける。基板Ｗの表面に配置された触媒が還元室４０または炭素源室５０に対向しているときには、その触媒を加熱することにより還元処理およびカーボンナノチューブの成膜処理を行う。大面積の基板Ｗであっても還元室４０および炭素源室５０の雰囲気置換に長時間を要することはなく、短時間にカーボンナノチューブを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】同一のカーボンナノチューブ形成面に形成されるカーボンナノチューブの性状のばらつきを抑制できる新規なカーボンナノチューブ製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】装置は、対象物１を収容するための反応室３０と、反応室に収容された対象物のカーボンナノチューブ形成面１１，１２に間隔を隔てて対面しつつカーボンナノチューブ形成面が延設する面方向に沿って延設されたガス供給室５１，５２と、ガス供給室と反応室とを連通させる反応ガスを反応室に吹き出す複数の吹出口４１，４２とを有するガス通路形成部材と、加熱源７１，７２とをもつ。反応ガスをガス供給室に供給することにより、反応室内の対象物のカーボンナノチューブ形成面が延設する面方向に対して交差する方向に沿って、ガス供給室の反応ガスを吹出口から対象物のカーボンナノチューブ形成面に向けて衝突させるように吹き出す。 （もっと読む）

【課題】フラーレンの六員環よりも大きな原子を内包する内包フラーレンの製造において、内包フラーレンの形成確率が高い製造方法を提供する。
【解決手段】内包イオンの照射と同時に、直径と質量が大きいイオンをフラーレン膜に照射する。質量が大きいイオンがフラーレン分子１７に衝突するため、フラーレン分子１７が大きく変形し、フラーレン分子１７の開口部が大きくなり、内包イオンがフラーレン分子１７のケージの中に入る確率が高くなる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ配向集合体を連続的に製造する装置において、排気管中に付着する炭素固形物の生成を抑制することによって、ＣＮＴ配向集合体の連続製造を安定的に保つことを可能にする。
【解決手段】触媒基板１０上に原料ガスを供給してカーボンナノチューブ配向集合体を成長させる成長炉３ａと、成長炉３ａ内のガスを排気する排気管２３と、を備えるカーボンナノチューブ配向集合体の製造装置において、前記原料ガスと化学反応を起こすことで前記排気管内２３に付着する炭素固形物を低減する反応ガスを噴射する反応ガス噴射部１６、１７を備えている。 （もっと読む）

【課題】 安価であり、且つ公害を発生させることがなく、さらに、融雪効率がよく扱い易い融雪剤を提供すること。
【解決手段】 炭素原子単体、または数個の炭素原子の結合体から成る原子状炭素の粉末と、カルシウムとを水中に溶解させ、水素イオンによりＰＨ値が８以上に維持されたマイナスイオン水の中に前記原子状炭素とカルシウムとを遊離させた融雪剤を実現する。融雪剤に用いられる原子状炭素は、有機物を無酸素雰囲気において所定の温度で加熱し、前記雰囲気中及び有機物中の炭素以外の成分を、６００℃以下の温度において分解温度の低いものから順次熱分解させて個別的に遊離させて得られる。 （もっと読む）

【課題】重量密度（単位体積あたりの重量が小さい）が低く、優れた成形加工性を備え、比表面積が高く、且つ一本一本のＣＮＴが規則的な方向に配向している単層ＣＮＴ配向集合体、バルク状単層ＣＮＴ配向集合体、粉体状単層ＣＮＴ配向集合体を提供する。
【解決手段】比表面積；６００〜２６００ｍ^２／ｇ、蛍光Ｘ線測定で得られた炭素純度；９５％以上、ラマンスペクトルのＧバンドピークとＤバンドピークの比Ｇ／Ｄ；１〜５０、平均外径；１．５ｎｍ〜４ｎｍ、半値幅；１ｎｍ以上で平均外径の倍以下を備え、かつ配向度が所定の条件で定義されるバルク状単層カーボンナノチューブ配向集合体。 （もっと読む）

【課題】気相からの凝集物、例えば単層または多層カーボンナノチューブから繊維を製造して機械的または電子的特性を向上する。
【解決手段】１つまたは複数のガス状反応物質の流れを反応器１２に通す工程と、反応器１２の反応領域内で１つまたは複数のガス状反応物質を反応させて、エーロゲルを形成する工程と、該エーロゲルを凝集物４へと凝集させる工程と、該凝集物４に力を加えて、それを反応領域外に連続的に移動させながら繊維２４にする工程とを含む製造方法。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブの品質が劣化するのを抑制し得る熱ＣＶＤ装置における断熱体を提供する。
【解決手段】熱ＣＶＤ法によりカーボンナノチューブを基板の表面に形成するための加熱室１３の内壁面に配置される断熱体２１を、底壁部２ａ側に配置される底壁断熱部２２と、上壁部２ｂ側に配置される上壁断熱部２３と、側壁部２ｃおよび区画壁３に沿って配置される側壁断熱部２４とから構成するとともに、これら各断熱部２２〜２４として、金属製の薄い遮蔽板２５を所定間隔おきに多数並置することにより構成したもの。 （もっと読む）

【課題】触媒が全面に塗布された基板においても、所望の形状で成長したカーボンナノチューブを得ることができる蒸着装置を提供する。
【解決手段】触媒が塗布された基板Ｋを内部に配置すると共に所定の真空度を維持し得る加熱室１３を有して、熱化学気相成長法により当該基板Ｋに原料ガスＧを供給してカーボンナノチューブを成長させるカーボンナノチューブ形成用のＣＶＤ装置であって、基板Ｋのカーボンナノチューブの生成範囲に原料ガスＧを導く複数のガス案内用ダクト体２３と、これら各ガス案内用ダクト体２３にそれぞれ一端が接続されて原料ガスＧを各ガス案内用ダクト体２３に導く複数のガス導入管５とを具備したものである。 （もっと読む）

【課題】低温度かつ短時間で高比表面積または低比表面積のバイオマスカーボンを賦活させる方法およびその装置を提供することである。
【解決手段】半炭化後に粉砕し急速熱分解したバイオマスカーボン粉末を定量供給し落下させる原料供給工程と、前記落下直後の粉末を分散させる粉末分散工程と、前記分散し落下する粉末を、羽根状の板を多段式に配設した邪魔板の回転軸の回転速度を可変させることにより落下時間を調整可能とし、賦活ガス雰囲気中で高周波電源により１００〜１８００℃で放電発熱させて賦活反応をさせる賦活工程とを含む工程からなるバイオマスカーボン賦活方法によって実現できた。 （もっと読む）

【課題】活性炭の再生を短時間で効率良く行うことができるようにする。
【解決手段】過熱水蒸気が内部に供給され、受入れ口１２ａから受入れた使用済み活性炭を前記過熱水蒸気により再生し、再生した活性炭を排出口１２ｂから外部へ排出する再生炉１２と、前記再生炉１２の内部に、前記受入れ口１２ａから前記排出口１２ｂへ前記使用済み活性炭を移動させつつ攪拌するように設けられ、軸回りに回動する軸部材１４ａの周りに螺旋状のフィン１４ｂが形成された攪拌移動手段１４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に生成する膜を全面でより均一にできるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】熱化学気相成長法により基板Ｋの表面にカーボンナノチューブを生成する加熱室１３を有するカーボンナノチューブ形成用の熱ＣＶＤ装置であって、加熱室１３内を所定方向に移動される所定幅の基板Ｋを側面視が円弧形状となるように保持し得るガイド板２３を具備するとともに、このガイド板２３により保持される基板Ｋの円弧中心位置に原料ガスＧの放出口５を基板Ｋの幅方向に沿って配置したものである。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ配向集合体を連続的に製造する装置において、排気管からの排気流量を所定の範囲内に制御することによって、ＣＮＴ配向集合体の連続製造を安定的に保つことを可能にする。
【解決手段】炉内のガスを排気する排気管１４ａを備えるカーボンナノチューブ配向集合体の製造装置１００において、
排気管１４ａ内の排気流量を測定する排気流量測定手段１４と、排気流量測定手段１４が測定した結果に基づいて、排気管１４ａ内の排気流量を可変する排気流量可変手段１５とを備える排気流量安定化部２０を備えている。 （もっと読む）