【課題】装置として極めてシンプルでかつコンパクト等のカーボンファイバ製造装置を提供すること。
【解決手段】本カーボンファイバ製造装置１０は、反応ガスを、屈曲した少なくとも１つの反応経路(キャピラリ管１２の管路)を分子流領域の圧力で一方向に流しながら、当該反応経路内を流動する触媒粒子に作用させてカーボンファイバを製造する構成を備える。 （もっと読む）

【課題】表面上に触媒が担持された基材に対し、原料ガスを触媒担持面側から供給し、カーボンナノチューブを気相合成により成長させる製造方法において、触媒担持面への原料ガスの供給を阻害することなく、カーボンナノチューブの長繊維化を可能とする。
【解決手段】原料ガスを供給するノズル１４の噴射口１４ａを、基板１２の触媒担持面１３に対向させ、当該噴射口１４ａから触媒担持面１３に向かって原料ガスを吹き付けることで、原料ガスが噴射口１４ａから触媒担持面１３に当たって反転した後、ノズル１４の周囲を触媒担持面１３とは反対方向へ流れていくような原料ガスの流れを形成し、この原料ガスの流れにおける触媒担持面１３とは反対方向への流れに沿わせて、カーボンナノチューブ１００を触媒担持面１３から成長させる。 （もっと読む）

【課題】基板を有する回転テーブルを用いて基板法ＣＶＤの連続運転を実現可能にし、基板法の利点を生かした安定性、制御性の良いナノカーボンの連続製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバー１内において、一つの円周上に複数の面状ヒーター１１を等分位置に配置し、その上方に、同じ円周上で同じ等分位置にそれぞれ基板２２が配設された回転テーブル２０を回転可能に設置し、この回転テーブルの上方に、上記円周上における面状ヒーター１１の配置の等分位置に対応させて、触媒導入部、触媒前処理部、ナノカーボン生成部、生成物回収部、及び基板クリーニング部を形成する部室３１，３２，３３を設ける。回転テーブル２０の一方向への回転により、該回転テーブル上の基板２２が上記の順で各部室に対面する位置に順次移動し、ナノカーボンが連続的に製造される。 （もっと読む）

【課題】ナノサイズカーボン材又は金属内包ナノサイズカーボン材を、大量に且つ安価に、しかも効率良く生産することができるようにする。
【解決手段】ピストン１２及びシリンダ１１を備える往復式ピストン機関１０を用い、シリンダ室１１Ｒに、アセチレンガスからなる燃料ガスと、これを不完全燃焼させる量の酸素ガスとを導入する。そして、ピストン１２を動作させてシリンダ室１１Ｒを負圧にした状態でアセチレンガスと酸素ガスとの混合ガスを爆発燃焼させる。その後、爆発燃焼により生じたススを含む燃焼ガスをシリンダ室１１Ｒから排気口１１１を介して排気させる。低圧環境下で爆発燃焼が行われるので、ナノサイズカーボン材を効率良く製造することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カーボンナノチューブの成長装置及びカーボンナノチューブの成長方法に関する。
【解決手段】本発明に係るカーボンナノチューブの成長装置は、ガス入口及びガス出口を備える反応装置と、吸気口及び排気口を備え、前記ガス出口に連通される排気装置と、を含む。また、本発明に係るカーボンナノチューブの成長方法は、前記反応装置にカーボンを含むガスを導入させて、化学気相堆積法でカーボンナノチューブを成長させる段階と、所定のスピードにより前記反応装置の反応容器の内部圧力を連続的に低減させる段階と、前記反応容器に先端が異なるカーボンナノチューブを成長させる段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ナノカーボン材料を効率よく連続的に製造することができ、製造効率の向上が可能なナノカーボン材料の製造装置及び製造方法を提供すること。
【解決手段】ナノカーボン材料の製造装置１は、ＣＶＤ反応を行う反応チャンバ２と、反応チャンバ２内を加熱するヒータ２１と、基板６を冷却する冷却チャンバ４と、反応チャンバ２内に原料ガスを供給するガス供給手段と、反応チャンバ２内のガスを排気する排気手段と、基板６を支持すると共にＣＶＤ反応を行う反応位置２０２へ移送可能な基板支持部２２と、基板６を反応チャンバ２から冷却チャンバ４へ移送する移送手段とを有している。反応チャンバ２と冷却チャンバ４との間には、両者の間を連通させる排出用気密連通路５２が設けられており、排出用ゲート５２１の開閉により両者の間の連通状態と遮断状態とを切り替えることができるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 微細炭素繊維の製造法において、反応炉内における製造条件を均一化することにより、反応炉内の反応効率を向上し、繊維径等にバラツキの生じることなく、しかも、繊維同士が中継点によって結ばれた構造を有する微細炭素繊維を高収率で製造する。
【解決手段】 炭化水素ガス及び金属化合物ガスを含む原料混合ガスを導入させて、前記炭化水素ガスを加熱分解させる筒状の反応炉８と、前記反応炉８内を加熱する加熱手段１１と、前記反応炉８の軸心方向の一端側から反応炉８内に前記原料混合ガスを導入させる導入ノズル９とを具備し、該反応炉８内における濃度分布と温度分布とを軸直交方向に対して均一化させる均一化手段を備える。この均一化手段として、導入ノズル９の原料混合ガス導入口１４近傍に衝突部１０を設け、導入された原料混合ガスに乱流を形成させるとよい。 （もっと読む）

【課題】コーヒーを煎じた後のコーヒー粕を集積し炭化・賦活により活性炭を製造する方法と装置を提供する。コーヒー粕排出事業所からコーヒー粕を大量に集積して活性炭に再生させ活性炭利用事業所へと配送する集積再生配送システムを提供する。
【解決手段】水分を約３０％以上含有する状態のコーヒー粕を、水平に対し小さな角度で傾斜させたロータリーキルンの入口側から内部に導入し、高温の含酸素ガスをロータリーキルンの入口側から出口側へと送給し、ロータリーキルン内でコーヒー粕を高温ガスで加熱して炭化させると同時に賦活させ、ロータリーキルンの出口側から排出される炭化・賦活したコーヒー粕を冷却器で冷却し、冷却後の炭化・賦活コーヒー粕を粉砕機で粉砕して微細な粉末状活性炭にする。 （もっと読む）

【課題】炭素ナノチューブ合成器のための能動型ガス供給装置を提供する。
【解決手段】本発明の能動型ガス供給装置は、内部反応炉を介して炭素ナノチユーブの合成を行うための反応チャンバ２０と、該反応チャンバ２０へ炭素ナノチューブの合成に必要な反応温度を提供する加熱ヒーター３０と、を含む炭素ナノチューブの合成器に適用されるガス供給装置において、炭素ナノチュ−ブ合成反応に必要な反応ガス等を貯蔵し、かつ一定の油圧にて排出するためのガス貯蔵器７０と、該ガス貯蔵器７０から排出される反応ガス等を混合し、必要とされる反応ガスの量と濃度とを調節するガス混合器５０と、該ガス混合器５０から送達された混合した反応ガスを高温で分解するガス分解器６０と、該ガス分解器６０にて分解された反応ガスを該反応チャンバ内に供給し、かつ反応が終了したガスを排出させるガス供給及び排出部５１、５２、５３と、から構成される。 （もっと読む）

【課題】均質に賦活された活性炭を得ることができ、特に電気二重層キャパシタの炭素材として用いたとき高い静電容量を有し耐久性が高い電気二重層キャパシタを得ることができ、発生する金属蒸気を安全に捕集し、安全に、且つ効率よく高品位の活性炭を工業的規模で製造することができる活性炭製造装置を提供すること。
【解決手段】炭素材と金属水酸化物とを加熱して活性炭を生成する活性炭製造装置において、炭素材と金属水酸化物とを収納した反応容器を搬送する搬送手段と、搬入口に雰囲気置換室を備えた内部を不活性ガス雰囲気に保持し長手方向において賦活温度まで昇温し、賦活温度から降温する温度調整手段を有するトンネル炉と、該トンネル炉の搬出口に設けられる二酸化炭素により金属を捕集するトラップ室と、該トラップ室の下流に設けられる冷却室とを備える。 （もっと読む）

【課題】 触媒を用いて低級炭化水素を直接分解して水素とナノ炭素とを生成する際に、経時的な転化率の低下を防止する。
【解決手段】 低級炭化水素４を触媒１を使用して直接分解し、機能性ナノ炭素と水素を得る反応において、前記低級炭化水素に低濃度の酸化性ガスあるいは還元性ガスまたはそれらの混合物ガスを共存させたガス９を前記反応に供する。前記反応により触媒上に生成される機能性ナノ炭素の前駆体や副生物の無定形炭素と共存ガスが反応して触媒上から除去され、前記前駆体、副生物によって反応が阻害されて転化率が経時的に減少するのを防止する。低級炭化水素原料がバイオガスである場合には、メタンの精製度を低くすることによって共存ガスを容易にメタン中に混合でき、また水素は低級炭化水素の分解生成物の一つとして得られるので再反応させる際に混入させることができる。 （もっと読む）

【課題】粉体の炭素材料を黒鉛化するにあたり、不純ガスの混入なく、生産性良く効率的に加熱することにより黒鉛粉体を製造する方法、装置。
【解決手段】炭素製容器に炭素粉末を充填し、容器自体に通電し加熱昇温する。また、加熱室内に、この容器を連続的に送入、加熱、取出しを行えるように装置化した。これによりリチウム２次電池用に好適な黒鉛炭素粉末が得られる。 （もっと読む）

【課題】 低級炭化水素を原料として触媒反応によってナノ炭素を安定して、かつ連続的に製造することを可能にする。
【解決手段】 圧力反応容器となるスクリュフィーダ本体１ａと、フィーダ本体１ａ内に触媒２０を導入する触媒供給部５、６、７と、フィーダ本体１ａ内に低級炭化水素を導入する低級炭化水素供給部３、４と、フィーダ本体１ａ内において触媒と低級炭化水素の熱分解によって生成したナノ炭素とを移送するスクリュ１ｂと、スクリュ１ｂによって移送される触媒とナノ炭素をフィーダ本体１ａ外に送出する固体送出部１０と、未反応低級炭化水素と熱分解によって生成した水素をフィーダ本体１ａ外に送出する気体送出部１１を備える。経時的に成長するナノ炭素を使用済触媒とともに連続的に反応容器外に排出し、それと同量の未使用触媒を供給することで転化率を一定にして効率良く連続反応させる。 （もっと読む）

炭素ナノチューブの合成が行われる反応器の内部を外部に完全に開放し、反応器内部の一定領域を特定の気体が占有するようにすることによって、反応器が外部空気に露出されたオープン型でありながらも反応器の内部に外部空気が流入するのが遮断される炭素ナノチューブ大量合成装置及び大量合成方法を提供する。炭素ナノチューブ大量合成装置は、外部空気に開放された少なくとも一つの開口を有し、前記開口から前記外部空気が流入することが遮断されるよう、前記外部空気と比重の相異なる少なくとも一つの比重相異気体が満たされる比重相異気体占有領域が形成された反応器と、前記比重相異気体占有領域内に設けられ、前記開口から流入した触媒を媒介として炭素ナノチューブを合成する炭素ナノチューブ合成ユニットと、前記触媒を前記開口から前記炭素ナノチューブ合成ユニットに移送する移送ユニットと、前記比重相異気体及び前記炭素ナノチューブの合成のための炭素ソースガスをそれぞれ、前記比重相異気体占有領域及び前記炭素ナノチューブ合成ユニットに供給するガス供給ユニットとを備える構成とした。
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本発明は、一般に、ナノ粉末の合成プロセスに関し、そしてより特定すると、粉末の凝集していないナノ粒子の形成を補助するための、前駆物質（例えば、前駆体気体）の制御された使用に関する。本発明はまた、このプロセスによって製造される炭素と金属とからなる新規ナノ材料、およびこの新規ナノ材料が可能にする基本プロセスに関する。本発明は、制御可能なプロセスで商業的な容積の乾燥した凝集していないコーティングされたナノ粉末を製造することによって、先行技術の問題および困難性を克服する。
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本発明は、回転炉体内での炭化物（活性炭等）のブリッジの発生を防止すると共に付着を抑制でき、品質が一定で良質な炭化物を効率良く製造できる炭化物製造装置に関する。本装置は、例えば、加熱炉２と、この加熱炉内で回転自在に支持される回転炉体４と、この回転炉体を回転させる回転駆動手段５と、回転炉体の内面側に設けられ且つ回転炉体の回転によって回転炉体内に投入された所定量の投入物（廃タイヤチップ又はその炭化チップ等）を掻上げる掻上げ手段（掻上げ部材６）と、回転炉体に振動を付与する振動付与手段（チェーン状部材７ａ，７ｂ）と、を備える。
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カーボンナノチューブ製造装置（１０００、２０００、３０００）において、所定の炭素含有化合物の気化ガスをイオン化するイオン化手段（例えば、マイナスイオン発生器１０）と、電界を発生する電界発生手段（例えば、直流電源２１とカソード電極２２とアノード電極２３）と、電界発生手段により発生された電界内に配置される成長基板（５０、５５）を加熱する加熱手段（例えば、高周波加熱器３０）と、を備え、イオン化された炭素含有化合物の気化ガスを、電界内を通過させることにより、加熱された成長基板に接触させることで、カーボンナノチューブ（４）を成長基板に配向成長させるカーボンナノチューブ製造方法を採用した。
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【課題】一定の品質のカーボンナノチューブなどの生成物を高収量で得ることができる気相反応方法を提供する。
【解決手段】反応場に、粉状あるいは粒子状被反応物を装填する装填工程と、前記粉状あるいは粒子状被反応物を、反応工程における反応場の圧力よりも高い圧力下で、不活性ガスを導入しながら６００℃以上まで加熱する加熱工程と、６００℃以上かつ減圧下の反応場に反応ガスを導入しながら気相反応させる反応工程を有することを特徴とする気相反応方法。 （もっと読む）

【課題】 原料ガスと酸素含有ガスとの予混合ガスを均一な流れにして反応炉内に供給し反応炉内で均一燃焼を安定して行なってフラーレンの収率を向上させることが可能なフラーレン製造用バーナを提供する。
【解決手段】 原料ガスと酸素含有ガスとの予混合ガスを導き、多孔質材料１４を介してフラーレンの反応炉内に供給するフラーレン製造用バーナ１０において、多孔質材料１４は金属を主体とし、その熱伝導率は５Ｗ／ｍＫ以上かつ４００Ｗ／ｍＫ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブ先端の極めて小さな曲率半径に基づく電子放出効率を有する、ディスプレイ装置に用いる電子放出源の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上の電子放出源を形成する所定の位置に、カーボンナノチューブを生成する触媒微粒子４３を担持し、基板上に触媒微粒子４３を介して基板に直立して成長するカーボンナノチューブ４４とカーボン不純物４５とを含む粗生成物４６を堆積するディスプレイ装置に用いる電子放出源の製造方法であって、粗生成物４６が堆積された基板を、炭素と反応して吸熱酸化反応を生ずる酸化剤中で、カーボン不純物４５が選択的に酸化される温度に加熱して、粗生成物４６からカーボン不純物４５を取り除いて、直立したカーボンナノチューブ４４のみを残す。 （もっと読む）