【課題】導電性基板が絶縁部材で覆われている場合においても、適切に導電性基板を加熱できる熱ＣＶＤ法及び熱ＣＶＤ装置並びにカーボンナノチューブの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】炭素原料ガスＧが導入される加熱室１３内に配置され且つ少なくとも一方の表面に絶縁部材Ｚが設けられた導電性基板Ｋを加熱して熱化学気相成長法により導電性基板Ｋにカーボンナノチューブを形成するカーボンナノチューブの製造方法であって、所定間隔を有して配置された一対の電極２２を絶縁部材Ｚの表面に接触又は隙間を有して対向させると共に、各電極２２と、其に対応する導電性基板Ｋと、絶縁部材Ｚ又は絶縁部材Ｚ及び隙間とにより構成される一対のキャパシタ、並びに両キャパシタ同士間の導電性基板Ｋにより形成される抵抗により構成される電気回路の両電極２２間に交流電圧を印加することにより、局所的に導電性基板Ｋを加熱するものである。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノ構造物の成長速度を向上させ、高い成長効率を達成することが可能となるカーボンナノ構造物の製造方法及びカーボンナノ構造物製造装置を実現する。
【解決手段】炭素源となる原料ガスを、８００℃より高く、１０００℃以下に加熱されたガス予備加熱部で予備加熱する予備加熱工程と、予備加熱された原料ガスを、６５０℃より高く、８００℃以下に加熱された反応部に導入して、触媒と接触させることによってカーボンナノ構造物を生成させる反応工程とを含むカーボンナノ構造物の製造方法、及び、８００℃より高く、１０００℃以下に保たれているガス予備加熱部と、６５０℃より高く、８００℃以下に保たれている反応部とを備えるカーボンナノ構造物製造装置。 （もっと読む）

【課題】基板表面に原料ガスを均一に供給し得る熱ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】加熱室４にカーボンを含む原料ガスＧを導くと共に原料ガスを加熱して加熱室に配置された基板Ｋの表面にカーボンナノチューブを形成し得る加熱炉１を具備する熱ＣＶＤ装置であって、加熱室内に、基板をそのカーボンナノチューブ形成面が下面となるように保持し得る基板保持部材11を配置し、この基板保持部材下方の加熱炉底壁部1aにガス供給口５を形成すると共に基板保持部材上方の加熱炉上壁部1bにガス排出口６を形成し、上記基板保持部材の上側に発熱体13を配置し、ガス供給口から導かれた原料ガスを基板保持部材の下面に導くためのガス案内用ダクト体14を設け、このガス案内用ダクト体と基板保持部材との間に反応ガスを分散させる邪魔板15を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】従来技術と比較して、室温で十分に高いキャリア濃度を有するダイヤモンド半導体及び作製方法を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド基板１１（図５（ａ））上にマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用い、メタンを反応ガスとし、基板温度７００℃でダイヤモンド薄膜１２を１ミクロン積層する（図５（ｂ））。ダイヤモンド薄膜１２にイオン注入装置を用い、不純物１（ＶＩ族又はＩＩ族元素）を打ち込む（図５（ｃ））。その後、不純物２（ＩＩＩ族又はＶ族元素）を打ち込んだが（図５（ｄ））、注入条件は、打ち込んだ不純物がそれぞれ表面から０．５ミクロンの厚さの範囲内で、１×１０¹⁷ｃｍ^-3となるようにシミュレーションにより決定した。その後、２種類のイオンが注入されたダイヤモンド薄膜１３をアニールすることにより（図５（ｅ））、イオン注入された不純物の活性化を行い、ダイヤモンド半導体薄膜１５を得た（図５（ｆ））。 （もっと読む）

【課題】本発明は、同位体をドープしたナノ材料、その製造方法及び該同位体をドープしたナノ材料を利用する標識方法に関し、特に同位体をドープしたナノ構造体、その製造方法及び該同位体をドープしたナノ構造体を利用する標識方法に関する。
【解決手段】同位体をドープしたナノ構造体は、少なくとも一つの同位体をドープしたナノ構造体セグメントを含み、且つ該少なくとも一つの同位体をドープしたナノ構造体セグメントは少なくとも一種の元素の少なくとも両種の同位体からなり、該少なくとも両種の同位体は所定の質量比で均一に分散する。また、本発明は、前記同位体をドープしたナノ材料の製造方法及び該同位体をドープしたナノ材料を利用する標識方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】空洞化部位の内部環境を好適に維持しつつ、カーボンナノ粒子を効率良く製造することにある。
【解決手段】空洞化部位２０を陰極部材１０の一端に形成して、陰極部材１０の第一黒鉛部１２と陽極部材４０の第二黒鉛部４２を空洞化部位２０内で対面配置したのち、液中の空洞化部位２０にガス流路１８から不活性ガスを供給しつつ、両黒鉛部間にアーク放電を発生させてカーボンナノ粒子を製造するカーボンナノ粒子の製造装置において、陽極部材４０が、反応槽４外に配置の移動部材４６と、反応槽４内に突出のガイド部４４を有し、第二黒鉛部４２が、移動装置４６によって、ガイド部４４に沿って空洞化部位２０内に向かって垂直方向に相対移動する構成とした。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＣ膜をコストアップにならずに、導電性と耐食性の両方を備えた導電性基材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材２と、基材２上に設けられた、ニッケル及びクロムを合計成分割合で３０〜７６モル％含有するダイヤモンドライクカーボン膜３とを有する導電性基材１により上記課題を解決する。ニッケルとクロムがモル比で１：１〜３：１であることが好ましい。このダイヤモンドライクカーボン膜３は、プラズマ化した昇華ガスをニッケル及びクロム原料に照射してニッケル及びクロムをイオン化し、且つ、前記昇華ガスに炭化水素ガスを接触させて該炭化水素ガスをイオン化し、イオン化したニッケル及びクロムと炭化水素ガスとを基材２上に堆積させて成膜する。 （もっと読む）

【課題】高い充填構造を形成しやすい炭素材料、および粒子間の接触を改善しサイクル特性を向上させた黒鉛化度の高い黒鉛材料を安価に製造する技術の提供。
【解決手段】加熱流動状態の溶融炭素前駆体を、ノズルより断続的に吐出させる吐出工程と、断続して吐出された溶融炭素前駆体を冷却賦形化する冷却工程と、前記冷却工程を経た賦形化炭素前駆体を加熱する不融化工程と、前記不融化工程を経た不融化炭素前駆体を炭化する炭化工程を順に実行して、概略球状の塊状部を有する炭素材料を製造する炭素材料の製造方法と得られた炭素材料を黒鉛化する黒鉛化工程を行う黒鉛材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】処理能力を格段に増加させた活性炭の製造装置を提供し、短時間かつ連続的にする高比表面積活性炭を製造すること。
【解決手段】炭素質原料を炭化処理した炭化物にアルカリ金属水酸化物を混合してなるスラリーを、水蒸気を含む不活性ガス雰囲気中に連続供給しつつ、１０秒〜３０秒間、８００℃〜９００℃に加熱可能にする反応部を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ダイヤモンド薄膜の生長装置に関する。
【解決手段】本発明のダイヤモンド薄膜の生長装置は、入気口及び排気口を有する反応室と、前記排気口によって前記反応室に連接された真空装置と、前記入気口と対向して間隔を置いて前記反応室の中に設置された支持体と、前記入気口と前記支持体との間に設置されたホットフィラメントと、を含む。前記ホットフィラメントが少なくとも一つのカーボンナノチューブワイヤからなり、該カーボンナノチューブワイヤが複数のカーボンナノチューブからなる。 （もっと読む）

【課題】タール状副生成物の発生を減少させ、しかもカーボンナノ構造物を高効率に生成するカーボンナノ構造物の製造方法及びその装置を開発する。
【解決手段】本発明に係る原料吹き付け式高効率カーボンナノ構造物製造装置２は、反応管４内に触媒体１２を配置し、この触媒体１２の近傍をカーボンナノ構造物１４の生成温度域にまで加熱する加熱装置６を設け、反応管４内に原料ガスを導入する原料ガス供給管８を設けてその供給管先端８ａを触媒体１２に接近して配置させ、また原料ガスからタール状生成物が生成されない温度域にまで前記原料ガス供給管８を予熱する予熱装置９から構成される。原料ガス供給管の中ではタール状物質は生成されず、中間温度を跳び越して原料ガスを一気に触媒体に吹き付けるから、反応確率が増大してカーボンナノ構造物の生成収率が増大する。原料ガスの多くが消費されるから、反応管４内にもタール状物質が生成されない。 （もっと読む）

【課題】 スプリングプローブとしてのカーボンナノチューブカラム、及びカーボンナノチューブカラムを備えるスプリングプローブの作成及び使用方法を提供すること。
【解決手段】それぞれがカーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブカラムは、導電性コンタクトプローブとして利用できる。カラムを成長させることができ、カラムを成長させるためのプロセスのパラメータは、カラムの成長長さに沿ってカラムの機械的特徴を変更するために、カラムの成長の間に変更できる。次に、カラムの内側及び／又は外側に金属を堆積させることができ、これによってカラムの導電性を高くすることができる。金属化されたカラムは、配線基板の端子に結合できる。コンタクトチップは、カラムの端部に形成できるか、又はこれに取り付けることができる。カーボンナノチューブカラムがコンタクトプローブとして機能できる電気装置を形成するために、配線基板を他の電子コンポーネントと組み合わせることができる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを大面積の基板上に高速に形成する化学気相成長装置等を提供する。
【解決手段】化学気相成長装置１０１において、ノズル１０２は、炭素源ガスを供給し、ヘッド１０３は、表面に触媒を配置した基板１０６の一部を覆うスカート１２３を有し、ノズル１０２から供給された炭素源ガスを基板１０６の対向する領域に供給し、移動部１０４は、基板１０６に対してヘッド１０３を所定の方向へ所定の速度で相対的に移動させ、加熱部１０５は、基板１０６に対してヘッド１０３が移動される間、基板１０６の表面のうち、ヘッド１０３に対向し、かつ、触媒が配置された導電性部材を加熱する。 （もっと読む）

【課題】反応器内の固形炭素不純物などの堆積による目詰まりや劣化を防止することができ、長時間にわたって連続運転が可能なカーボンナノチューブの製造装置を提供する。
【解決手段】粒状触媒と炭素含有ガスが反応する流動部を有し、かつ、内部にガス分散板が設けられた反応器を有するカーボンナノチューブの製造装置であって、少なくともガス分散板がセラミックスでコーティングされてなるカーボンナノチューブの製造装置である。 （もっと読む）

強度を維持し厚さ方向に高い効率で熱源からの熱を伝導することができる異方性熱伝導要素と、その異方性熱伝導要素を製造する方法に関する。これを実現するために、異方性熱伝導要素は、積層グラファイト・シートを有する構造体がグラファイト・シートの厚さ方向を横切って熱源との接触面を有し、積層グラファイト・シートの周囲を被覆して、支持部が形成され、熱源からの熱を伝導することができる。切断処理は、被覆処理の後に、スタック方向にその表面に沿って切断することによって、行える。切断処理の後に、表面処理加工によって、一切片に表面処理を施すことができる。
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【課題】製造効率を低下させることなく、シワや凹凸（うねりや反り）の発生が効果的に抑制され、しかも巻き上がりの形態も安定する多孔質炭素電極基材の連続製造方法を提供する。
【解決手段】炭素繊維と樹脂からなるロール状シート材であるシートロール3を巻き戻して炭化熱処理炉1,2内に連続供給し、炭化熱処理炉内に連続して導入された前記シート材をガイド部材を介することなく走行させて炭化処理を行い、炭化熱処理炉1,2内にて炭化処理されるシート状の多孔質炭素電極基材を巻取り部7にて連続して巻き取る。前記炭化熱処理炉内1,2を走行するシート状の多孔質炭素電極基材の張力を、張力制御手段により１〜２５Ｎ／ｍに維持制御すると同時に、前記炭化熱処理炉から導出する前記シート状の多孔質炭素電極基材の幅方向に向かう偏り動作を偏り修正手段であるシート端縁位置修正装置5により自動的に修正する。 （もっと読む）

本発明は、ナノチューブを包含するナノ構造物の形成および処理に関する。いくつかの実施形態は、比較的穏やかな条件（例えば、低温）を使用するナノ構造物成長の方法を提供する。場合により、本発明の方法は、ナノ構造物形成の効率（例えば、触媒効率）を向上させることもあり、ナノ構造物形成中の所望されない副生成物（揮発性有機化合物および／または多環式芳香族炭化水素を包含する）の生成を減少させることもある。そのような方法は、ナノ構造物形成に関連したコストをを減少させることができ、環境および公衆衛生および安全における、ナノ構造物製造の有害作用も減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗の電気的接続構造を提供する。
【解決手段】 ビアホールの底部の導電体上に導電性触媒担持体層を設け、予め微粒子化した触媒微粒子を当該導電性触媒担持体層上に堆積し、その後リフトオフ法により前記ビアホール底部以外の前記触媒粒子を除去して触媒微粒子層となし、当該触媒微粒子層上に炭素細長構造体を設ける電気的接続構造の製造方法において、前記触媒微粒子が、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅからなる群から選ばれた金属の微粒子であること。 （もっと読む）

【課題】透明導電性に優れた水性分散液および導電性複合体を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、平均外径が３ｎｍ以下であるカーボンナノチューブと分散剤を含んだ分散体であって、動的光散乱法によって測定した平均粒径が２００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下であることを特徴とするカーボンナノチューブ水性分散液であり、分散剤がイオン性分散剤であることを特徴とする上記のカーボンナノチューブ水性分散液であることが好ましい。 （もっと読む）

カーボンナノチューブ合成方法は、触媒を有する第１プレートの表面と近接した基質を成長チャンバー内へ導入することを含むことができる。前記方法はまた、第１プレートから基質への触媒粒子の移動が生じるのに十分な温度まで成長チャンバーを加熱することを含むことができる。前記方法はまた、供給ガスを基質へ誘導することにより、基質上にカーボンナノチューブを成長させることを含むことができる。 （もっと読む）