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Fターム[4H049VN07]の内容

Fターム[4H049VN07]に分類される特許

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【化1】


遷移金属触媒を用いて、官能基で置換されたオレフィンの、重合の方法が提供される。この方法は、触媒構造に組み込まれた1以上の安定化基によるものであり、重合工程における、それぞれの連続的な反応の間、遷移金属錯体に対するそれぞれのオレフィンモノマーの立体配置を「固定」する。本発明は、実質的に、重合中に触媒の活性部位におけるオレフィン転移の可能性を減少させる。1つの特定の実施形態では、官能基は極性、電子供与性基であり、安定化基はルイス酸置換基であり;このような系で調製され得るポリマーの例は、ポリ(酢酸ビニル)、ポリ(ビニルアルコール)、およびポリ(ビニルエーテル)を含む。重合方法において有用な新規の錯体および触媒系もまた、提供される。 (もっと読む)


本発明は、不斉金属錯体ならびにアクチベータを含む、線状のアイソタクティックポリマーを生成するための触媒コンビネーションに関する。
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【課題】気化安定性を向上し得る、有機金属化学気相成長法用原料を提供する。
【解決手段】Hf又はSiのいずれか一方又はその双方を含有するゲート絶縁膜用の酸化膜を形成するためのMOCVD法用原料であって、化合物の一般式がM[(R1)2N]4(但し、MはHf又はSiであり、R1はメチル基又はエチル基である。)で示され、化合物中に不純物として含まれる塩素量が200ppm以下、かつ不純物として含まれる水分量が30ppm以下である有機金属化合物からなる有機金属化学気相成長法用原料。有機金属化学気相成長法用溶液原料を製造することができ、この溶液原料を用いて蒸着法により金属含有薄膜を作製することができる。 (もっと読む)


【課題】 特にCVD用原料として合致する熱及び/又は酸化による分解特性、熱安定性、蒸気圧等の性質を有するチタニウム、ジルコニウム又はハフニウムプレカーサを含有する薄膜形成用原料を提供すること。
【解決手段】 下記一般式(I)で表される金属化合物を含有してなる薄膜形成用原料。
【化1】
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【課題】 本発明の課題は、金属錯体ガスと水蒸気を用いて、化学気相蒸着法により、成膜対象物上に金属酸化膜を製造する方法において、上記問題点を解決し、優れた成膜性を有する金属酸化膜の製造方法を提供するものである。
【解決手段】 本発明の課題は、金属錯体ガスと水蒸気とを用いて、化学気相蒸着法により、成膜対象物上に金属酸化膜を製造する方法において、金属錯体として、シリルエーテル基を有するβ-ジケトナトを配位子とする金属錯体を使用することを特徴とする、金属酸化膜の製造方法によって解決される。 (もっと読む)


【課題】 気相化学反応(CVD)により薄膜を形成させるための原料として有用な、気化性、安定性に優れた含フッ素金属錯体の合成方法を提供する。
【解決手段】 Zr、Hf、またはTiの含フッ素β−ジケトン錯体を合成するに際し、Zr、Hf、またはTiの無水金属塩化物を非プロトン性溶媒中に溶解または懸濁・分散させ、超強酸と無水金属塩化物とを反応させ、さらに含フッ素β−ジケトンを反応させた後、60〜140℃の温度範囲で還流しながら、1〜50Paの不活性ガス加圧下で反応させ、遊離する超強酸、塩化水素を除去した後、二層分離した溶液から上層溶媒を除去したのち、再度非プロトン性溶媒を添加し、60〜140℃の温度範囲て還流した後、−20〜15℃の温度範囲で冷却して結晶を析出させ、結晶を濾別後、再度非プロトン性溶媒を添加して60〜140℃の温度範囲て還流した後、−20〜15℃の温度範囲で冷却して結晶を析出させる。 (もっと読む)


【課題】運搬の容易な、固形のハフニウム及び/又はジルコニウム層状化合物、その効率的な製造方法並びに前記層状化合物を含有する塗布層から形成され、高い硬度と優れた疎水性とを有する硬質膜を提供すること。
【解決手段】(1)ハフニウム及び/又はジルコニウムとカルボニル基とを含有することを特徴とする層状化合物。(2)水酸化ハフニウム及び/又は水酸化ジルコニウムと水とカルボン酸とを混合し、加熱することを特徴とする前記(1)の層状化合物の製造方法。(3)前記(1)の層状化合物層状化合物を含有する塗布層に紫外線を照射することによって形成されて成ることを特徴とする硬質膜。 (もっと読む)


【課題】 アンサ−メタロセン誘導体を、高いジアステレオ選択性及び/又は高いエナンチオ選択性で製造することができ、アンサ−メタロセン誘導体を得ることのできる製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の製造方法は、下記一般式(1)で示される、アンサ−メタロセン誘導体の製造方法であって、チタン、ジルコニウム又はハフニウム原子と複合体を形成し得るエーテル類又はアミン類と、チタン、ジルコニウム又はハフニウムのハロゲン化物との複合体を用いることを特徴とする。
【化1】
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【課題】 メタロセン化合物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 式(1)


(式中、R、R、R及びRは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等を表し、R−Rは水素原子、ハロゲン原子、C1-20のアルキル基等を表し、R10はハロゲン原子、アルキル基等を表し、R11は炭化水素基又は三置換シリル基を表し、R12、R13及びR14は、ハロゲン原子、炭化水素基等を表す。)で示されるケイ素置換シクロペンタジエン化合物と式(2)


(式中、Mは元素の周期律表の第4族の遷移金属原子を示し、X、X、X及びXは、同一又は相異なり、水素原子、ハロゲン原子等を表し、nは0又は1を表す。)
で示される遷移金属化合物とを芳香族炭化水素溶媒を含む溶媒中で反応させることを特徴とする式(3)


(式中、X及びXは同一又は相異なり、水素原子、ハロゲン原子等を表す。)
で示されるメタロセン化合物の製造方法。 (もっと読む)


成膜性が良く、キャリア輸送性に優れ、固体状態で発光を示す材料であって、ホスト材料としても適した材料を用いた電界発光素子を提供する。 一対の電極間に電界発光層を有する電界発光素子において、元素周期律第4族金属錯体が、成膜性およびキャリア輸送性に優れ、且つ固体状態でも発光が得られることから、電界発光層の一部に元素周期律第4族金属錯体を用いて電界発光素子を形成する。なお、元素周期律第4族金属錯体は、従来のホスト材料(Alq等)に比べて、発光波長が長波長側にあることから、赤色発光のゲスト材料と組み合わせて、発光層を形成することもできる。
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本発明は、フッ素を含む、少なくとも1のフッ素化試薬;を1以上の非ハロゲン脱離基を含有する1以上のアルキル化されたメタロセン触媒成分;と接触させて、フッ素化された触媒成分を生成する、フッ素化されたメタロセン触媒成分の製造方法であり、3当量未満からのフッ素は全ての当量の脱離基と接触する製造方法を提供する。本発明の方法は、ペンタン等の非配位性希釈剤中で行われる下記反応で例示される:但し、「Cp」環のいずれか又は両方はここで記載するR基により置換されても架橋されてもよい。BF3及びジメチルジルコノセンの反応生成物は、フッ素化されたジルコノセンである。本発明のBF3フッ素化試薬及び出発メタロセンのモル比は、例えば2:1(フッ素化試薬:メタロセン)未満である。
【化1】

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【課題】 パーティクル汚染を防止しながら、良好な成膜効率で薄膜を形成することができ、特に特にALD法を含むCVD法等の気化工程を有する薄膜製造方法に好適な薄膜形成用原料を提供すること。
【解決手段】 下記一般式(I)で表される金属化合物を含有してなる薄膜形成用原料。
【化1】
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【課題】高温で生成した結晶化度および生産性が良好で、高分子量を有するポリマーを提供可能な触媒系を提供すること。
【解決手段】本発明は、次の化学式により表される遷移金属化合物に関する。式中、Mは周期律表の4族から選択される遷移金属であり、Rは水素等、Rはメチル等、Rは炭素または珪素、Rは水素等、Rは水素等、Rは炭素または珪素、Rは水素、Rは水素等、Rは水素等、R10は−M(R16−、R11は水素等、R12は炭素または珪素、R13は水素等、R14は水素等、およびR15は炭素または珪素であり、a、b、c、d、e、f、およびgは0か1または2である。

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【課題】二重結合を介した重合を基準として高い空時収率において化学的に均質な共重合体を与えると共に、反応パラメーターが変化しても製品の化学的均質性に既知の従来方法よりも影響することの少ないシクロオレフィン共重合体の調製方法を与えるメタロセン化合物及び触媒を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、請求項1に記載の特定のメタロセン化合物、並びにかかるメタロセン化合物と助触媒成分とを含むシクロオレフィン共重合体製造用触媒に関する。 (もっと読む)


本発明は、有機発光ダイオード(OLEDs)におけるエミッター分子としての周期律表の第4副族の金属のメタロセン錯体の使用、OLEDsにおける発光層としてのメタロセン錯体の使用、少なくとも1つのメタロセン錯体を含有する発光層、この発光層を含むOLEDならびに本発明によるOLEDを含む装置に関する。 (もっと読む)


本発明のアルコキシド化合物は、下記一般式(I)で表されるものであり、CVD法等の化合物を気化させて薄膜を形成する方法に用いられる薄膜形成用原料に適するものである。また、本発明の薄膜形成用原料は、該アルコキシド化合物を含有してなるものであり、本発明の薄膜の製造方法は、該薄膜形成用原料を気化させて得たアルコキシド化合物を含有する蒸気を基体上に導入し、これを分解及び/又は化学反応させて基体上に薄膜を形成するものである。
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