【課題】金属含有膜を作製するために使用される多座β−ケトイミナートの金属含有錯体を提供する。
【解決手段】例えば、ビス（２，２−ジメチルー５−（ジメチルアミノエチルーイミノ）ー３ーヘキサノナートーＮ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムやトリス（２，２−ジメチルー５−（ジメチルアミノエチルーイミノ）ー３ーヘキサノナート）イットリウムなどの化合物が挙げられる。 （もっと読む）

脂肪族炭化水素溶媒での改善された溶解度を有する複素環式有機リガンドのハフニウム錯体及びオレフィン重合触媒の成分としてのその使用、並びにその成分部の新規合成が開示される。 （もっと読む）

【課題】ジルコニウム化合物とハフニウム化合物を分離するための、特に低ジルコニウムのハフニウム化合物を生成するための、前記の欠点を有さない簡単かつ効率的な方法を提供する。
【解決手段】特定の有機ジルコニウム化合物と有機ハフニウム化合物（以下に簡単にジルコニウム化合物とハフニウム化合物とする）であって、他の特性が非常に類似している化合物同士を、互いに簡単な分別結晶によって分離する。 （もっと読む）

内部オルトメタル化を含有するヘテロ環式有機配位子のハフニウム錯体、およびオレフィン重合触媒、特に気相オレフィン重合でのオレフィン重合触媒の成分としてのそれらのハフニウム錯体の使用が開示される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、長鎖分岐を有するポリオレフィンの構成成分と成り得るポリオレフィンを効率よく製造できる触媒を提供すること、並びに、それを用いるポリオレフィンの製造方法を提供する。
【解決手段】特定の有機遷移金属化合物、活性化助触媒、有機アルミニウム化合物からなるオレフィン重合用触媒を用いてオレフィンを重合する。 （もっと読む）

【課題】フェノール類と環状エーテル化合物の反応による光学活性なアルコール化合物の製造方法において、高い触媒活性を示す不斉錯体を提供すること。
【解決手段】式（１）


（式中、Ｒ¹〜Ｒ⁸はそれぞれ同一または相異なってアルキル基等を表すか、または隣接する二つの基が結合してベンゼン環とともにナフタレン環を形成する。Ｒ⁹およびＲ¹⁰は、そのいずれか一方が水素原子を表し、他方が、置換されていてもよいフェニル基等を表すか、または、異なる炭素原子に結合したＲ⁹とＲ¹⁰からなる対のうち、いずれか一対が結合してテトラメチレン基を形成する。Ｑは、単結合もしくは炭素数１〜４のアルキレン基を表す。Ｍは金属イオンを表し、金属イオンのイオン価と配位子の配位数が同一のときＡは存在せず、前記イオン価と配位数が相異なるときＡは対イオン等を表す。）
で示される光学活性な金属錯体とＺｒまたはＨｆのアルコキシドとを反応せしめてなる不斉錯体。 （もっと読む）

【課題】 病巣選択的な造影を行うためのリポソーム造影剤に適した化合物を提供する。
【解決手段】
下記一般式（Ｉ）：


［式中、Ｒ¹及びＲ²はそれぞれ独立に８〜３０個の炭素原子からなる置換若しくは無置換のアルキル基又は８〜３０個の炭素原子からなる置換若しくは無置換のアルケニル基を示し；Ｌは２価の連結基を表し（ただし、Ｌは炭素原子、酸素原子、窒素原子、及び水素原子からなる群から選択される原子により構成され、かつＬを構成する炭素原子、酸素原子、及び窒素原子からなる群から選択される原子の総数は１〜１５個である）；Ｃｈは３個以上の窒素原子を含むキレート形成部を示す］で表される化合物又はその塩。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法、ＡＬＤ法の原料として熱安定性と気化特性を有する化合物、その製造方法、その化合物を用いた薄膜及び形成方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される化合物を原料とした金属含有薄膜を形成する。
（もっと読む）

【課題】有機金属化合物を精製する方法の提供。
【解決手段】有機金属化合物をトリアルキルアルミニウム化合物および触媒の存在下で加熱することにより有機金属化合物を精製する方法。 （もっと読む）

【課題】酸素ガス雰囲気下で粗生成物を処理することにより、粗生成物中に含まれる副生成物を低減でき、ＭＯＣＶＤ法で原料として使用したときに、高い成長速度が得られ、優れた気化安定性及び長期成膜安定性を有し、成膜室への汚染を抑えることができ、形成する膜の段差被覆性に優れた、純度の高い有機金属化合物を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の有機金属化合物の製造方法は、金属含有物と配位子前駆体とを有機溶媒の存在下で反応させて有機金属化合物、副生成物及び残渣分を含む粗生成物を得る工程と、得られた粗生成物から残渣分及び有機溶媒を除去して濃縮する工程と、濃縮物を酸素ガス雰囲気下、１３０〜１５０℃で処理する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

多価ヘテロアリールドナー配位子を含む４族金属錯体、ならびに高いアイソタクチシティおよび低い分子量を有するプロピレン／エチレンコポリマー製品の調製に特に適する、オレフィン重合触媒の成分としてのそれらの使用を開示する。 （もっと読む）

【課題】高純度ジルコニウム、ハフニウム、タンタル及びニオブアルコキサイド（アルコレート）Ｍ（ＯＲ）_Ｘの新規な製造方法、新規なタンタル及びニオブ化合物、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）不純物として少なくとも０．０５重量％の単核又は多核ハロゲン含有金属アルコキサイドを含む、ハロゲン含有量＞２００ｐｐｍの粗アルコキサイド生成物Ｍ（ＯＲ）_Ｘを、（ｂ）粗アルコキサイドの合計を基準に、多くとも３０重量％のＲＯＨ［ＲはＣ_１〜Ｃ_１２アルキル基］と混合し、（ｃ）その後又は同時に、単核又は多核ハロゲン含有金属アルコキサイドを基準として過剰のアンモニアを配量する方法である。 （もっと読む）

金属塩を（ベンジル)_nMgX_2-n化合物と化合させることを含むジ−、トリ−またはテトラベンジル−金属化合物の合成方法であって、ｎは１または２であり、Ｘは一価のアニオン性基であり；化合は混合希釈液中で行い、該混合希釈液は、混合希釈液中０〜８０体積％のエーテルの他に、芳香族化合物、ハロゲン化炭化水素およびそれらの混合物からなる群から選択される希釈液である方法を開示した。当該方法は、様々な種類の希釈液を使用することができ、ある場合には、エーテルを使用しない。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、即ち、低い融点を有し、且つ水分、空気及び熱に対しての安定性に優れ、ＣＶＤ法による金属薄膜形成に適したアルコキシアルキルメチル基を有するβ-ジケトナト及びアルコキシを配位子とする金属錯体（例えば、周期律表第IVA族の金属原子を中心金属とする金属錯体）を提供するものである。又、本発明の課題は、当該金属錯体を用いた金属含有薄膜（例えば、周期律表第IVA族の金属の含有薄膜）の製法を提供するものでもある。
【解決手段】 本発明の課題は、アルコキシアルキルメチル基を有するβ-ジケトナト及びアルコキシを配位子とする金属錯体によって解決される。本発明の課題は、又、該金属錯体を金属供給源として用いた、化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製法によっても解決される。 （もっと読む）

【課題】オレフィン重合性能に優れた遷移金属化合物を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）で表される構造をもつ新規な遷移金属化合物（Ａ）。


たとえば、［ジフェニルシリル（オクタメチルオクタヒドロジベンゾフルオレニル）（４，６−ジ−ｔ−ブチルフェノキシ）］チタニルジクロライドが例示される。 （もっと読む）

酸化ハフニウム又は酸化ジルコニウムの化学気相成長法、特にＡＬＤに適切な前駆体は、一般式（Ｉ）：（Ｒ^１Ｃｐ）_２ＭＲ^２Ｒ^３［式中、Ｃｐはシクロペンタジエニルリガンドを表し、Ｒ^１はＨ又はＣｐリガンドを置換しているアルキル基、アルコキシ基又はアミド基であり、Ｒ^２及びＲ^３はアルキル基、アルコキシ基又はアミド基であり、Ｍはハフニウム又はジルコニウムである］を有する。 （もっと読む）

付加重合触媒として有用な、下記式（Ｉ）の第４族金属錯体類。


［式中、
Ｇ¹は水素を数に入れずに１から４０の原子を含む基であり、
Ｔは、モノ−もしくはジ−アリール置換メチレンもしくはシリレン基、または、モノ−もしくはジ−ヘテロアリール置換メチレンもしくはシリレン基から選択される、水素を数に入れずに１０から３０の原子からなる２価の架橋基であり、ここで、このようなアリール置換基またはヘテロアリール置換基の少なくとも１つは、そのオルト位の１つまたは両方を、第２級または第３級アルキル基、第２級または第３級ヘテロアルキル基、シクロアルキル基、またはヘテロシクロアルキル基で置換されており、
Ｇ²は、ルイス塩基官能性を含むＣ₆〜₂₀ヘテロアリール基であり、
Ｍは第４族金属であり、
Ｘ^''''はアニオン性、中性またはジアニオン性の配位基であり、
ｘ’’’’は０から５の数であり、および、
結合、任意の結合、および電子供与相互作用はそれぞれ実線、破線および矢印で表される。］。
（もっと読む）

【課題】非常に低いレベルの金属不純物及び酸素含有不純物を有する、高純度金属含有化合物、特に有機金属化合物を一貫して提供する方法を提供する。
【解決手段】連続抽出を使用する金属含有化合物の精製方法が提供される。この金属含有化合物は高純度で提供され、および金属フィルム、特に電子デバイスで使用される薄い金属フィルムを堆積する際に使用するのに好適である。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造における成膜原料として有用な有機金属アミド錯体の精製方法を提供する。
【解決手段】 一般式：Ｍ［Ｎ（Ｒ^１）（Ｒ^２）］_ｎで示される有機金属アミド錯体の製造において、該有機金属アミド錯体中に含有する塩素を精製除去するに際し、該有機金属アミド錯体中に含有する塩素１当量に対し、１〜１００当量のリチウムアルキルアミドを添加し、減圧蒸留を行う（但し、Ｍは、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｎ、またはＳｂであり、Ｒ^１及びＲ^２はメチル基又はエチル基であり、ｎはＭの価数である。）。 （もっと読む）

１）式Iのメタロセン化合物、


（ここで、Cpは、任意的に置換されていてもよいおよび／または任意的に縮合されていてもよいホモ−またはヘテロ−シクロペンタジエニル配位子であり、
Cp”は、少なくとも１のC_１〜２０アルキル基によって置換されたシクロペンタジエニルであり、
Rは、１〜７の架橋原子のブリッジであり、
Mは、第４〜６族遷移金属であり、
各Ｘは、−ＣＨ_２−Ｙであり、ここで、ＹはＣ_６〜２０−アリール、Ｃ_６〜２０−ヘテロアリール、C_１〜２０−アルコキシ、Ｃ_６〜２０−アリールオキシ、−ＮＲ’_２、−ＳＲ’、−ＰＲ’_３、−ＳｉＲ’_３、−ＯＳｉＲ’_３またはハロゲンであり、
Ｒ’は、C_１〜２０−ヒドロカルビルであり、または−ＮＲ’_２の場合には、２の置換基Ｒ’が、それらが結合している窒素原子とともに環を形成することができ、
そして各非シクロペンタジエニル環部分はさらに置換されることができ、
ｎは０または１である。）、および、
（II）アルミノキサン、
の存在下に、少なくとも１のC_２〜２０−α−オレフィンをスラリー相において重合することを含む、オレフィン単独重合体または共重合体を調製する方法。 （もっと読む）