【課題】 前駆体であるハロゲン化イミノホスファゼニウムを単離することなく、塩基性イミノホスファゼニウム塩含有溶液を製造する方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも、不活性ガス雰囲気下、非水溶性溶媒中で、五ハロゲン化リンとグアニジン誘導体を反応し、ハロゲン化イミノホスファゼニウムを製造する工程、得られた反応液に水性媒体を添加し油水分離を行い、得られた水相にさらにハロゲン化溶媒を添加し油水分離を行い、反応生成物をハロゲン化溶媒で抽出した溶液とする工程、得られた溶液のハロゲン溶媒を溶解度パラメータ１０〜１５（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２を有する溶媒で置換した溶液とする工程、得られた溶液にアルカリ金属化合物又はアルカリ土類金属化合物を添加し、副生ハロゲン化アルカリ金属塩又はハロゲン化アルカリ土類金属塩を除去し、塩基性イミノホスファゼニウム塩含有溶液とする工程、を経てなる塩基性イミノホスファゼニウム塩含有溶液の製造方法。 （もっと読む）

【課題】トリアリールホスフィンとハロゲン化アリールとを、金属ハロゲン化合物触媒及び水溶性高沸点溶媒の存在下で反応させて、非対称テトラアリールホスホニウムハライドを製造するに当たり、副生成物の生成を抑制して、非対称テトラアリールホスホニウムハライドを高収率、高選択率で製造する。
【解決手段】ハロゲン化アリール、金属ハロゲン化合物触媒及び水溶性高沸点溶媒を含む反応液に、トリアリールホスフィンを分割又は連続的に添加する。 （もっと読む）

【課題】ルテニウム化合物配位子、ルテニウム化合物、固体ルテニウム化合物触媒及びその調製方法と用途を提供する。
【解決手段】ルテニウム化合物配位子IIの構造式はそれぞれ以下の通りである：ルテニウム化合物と固体ルテニウム化合物触媒は活性が高く、安定性が高く、分解しにくく、回収しやすくて繰返し使用できるなどの優れた点がある。
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【課題】硬化耐燃性樹脂の調製に有用な新規なホスフィン化化合物を提供する。
【解決手段】一官能性、二官能性、および多官能性フェノールの新規なホスフィン化化合物、その誘導体、ならびにその調製方法。新規なホスフィン化化合物の例を下記に示す。


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【課題】２．５水和物の形態又は１水和物の形態を生ずる結晶化の手順を提供すること。
【解決手段】本発明は、３−ピリジル−１−ヒドロキシエチリデン−１．１−ビスホスホン酸ナトリウム２．５水和物及び１水和物と、核形成温度及び結晶化速度を制御することにより２．５水和物又は１水和物を調製する方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、リン含有化合物を単一構造のリン酸エステル（すなわち単一化合物）に分解する方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、リン含有化合物を超臨界または亜臨界の状態にあるメタノールで分解する、リン含有化合物の分解方法に係わる。 （もっと読む）

【課題】優れたガス分離性能を有する金属錯体を提供すること。
【解決手段】５−ニトロイソフタル酸と、ニッケルイオンと、下記一般式（Ｉ）；
【化１】


（式中、Ｒ^１〜Ｒ^８は明細書に定義されるとおりである。）とからなる金属錯体によって上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】アルキルホスフェートを調製するための方法を提供する。
【解決手段】本発明は、テトラクロロビスホスフェートをアルコールと反応させ、塩基を用いて生成した塩化水素を中和し、その中和によって生成した塩を固形物として単離することによる、テトラアルキルビスホスフェートを調製するための方法に関する。 （もっと読む）

【課題】アルキルホスフェートを調製するための方法を提供する。
【解決手段】本発明は、テトラクロロビスホスフェートをアルコールと反応させ、塩基を用いて生成した塩化水素を中和し、そしてその反応混合物から抽出によって所望の反応生成物を単離することによる、テトラアルキルビスホスフェートを調製するための方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、従来の水溶性リン酸エステルの精製方法に内在する前記課題を解決し、極めて簡単な操作により短時間で実施することが可能で、設備の整備に多大な費用を必要としない、水溶性リン酸エステルの精製方法を提供することにある。
【解決手段】 水溶性リン酸エステルを水、炭素数１から４の低級アルコール、ジメチルホルムアミド及びジメチルスルホキシドからなる群から選択される１以上の溶媒に溶解し、次いで炭素数３から７のケトンを添加する。 （もっと読む）

【課題】アミノホスファゼンの工業的精製方法が望まれていた。
【解決手段】本発明に係るアミノホスファゼンの精製方法は、粗製アミノホスファゼンに水およびアルコールを混合して、粗製アミノホスファゼン中のアミノホスファゼンを沈殿させるアミノホスファゼンの精製方法であって、多孔性物質または吸着性物質を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ホスホン酸ジエステル誘導体の効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】一般式(II)で表される化合物を脱保護することを特徴とする、一般式(I)で表されるホスホン酸ジエステル誘導体の製造法：
【化１】


(式中、R^a、R^b、R^c、R¹、R²は、明細書に定義されるとおりである。）。 （もっと読む）

【課題】Ｐｄ_１６より大きいパラジウムクラスターを含むことのできるデンドリマーを母材とする複合体やそれを利用した水素化方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表されるデンドリマー
【化１】


（式中、Ａは水素原子または酸素原子、ｋは０〜１の整数、ｌは２〜４の整数但しｋ＋
２ｌ≧５、ｍは２〜４の整数、ｎは１〜２の整数、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、及び
Ｒ_５は同一でも異なっていてもよく、それぞれ、水素、炭素数１〜３のアルキル基
及び炭素数１〜３のアルコキシ基からなる群から選択されるいずれかを表す。）
の内部にパラジウムクラスターを含むことを特徴とするパラジウムクラスターとデンドリマーの複合体およびこれを水素化反応用触媒として利用した水素化方法。 （もっと読む）

【課題】高温信頼性を損なわずに樹脂成形体の難燃性を高める環状ホスファゼン化合物を実現する。
【解決手段】式（１）で表されるオリゴ乳酸セグメントを有する環状ホスファゼン化合物。


式（１）中、ｎは１〜６の整数を示し、Ａは少なくとも一つがオリゴ乳酸セグメントを有するフェニレンオキシ基であり、他が炭素数６〜２０のアリールオキシ基である。


式（２）中、Ｅ^１〜Ｅ^５は、少なくとも一つが式（３）で示されるオリゴ乳酸セグメントを有する基であり、他が水素原子又はヒドロキシメチル基、炭素数１〜６のアルキル基およびアルケニル基から選ばれる基である。


式（３）中、ｐは１〜６，０００の整数を示し、Ｌは、乳酸残基である。 （もっと読む）

【課題】 有機塩基として有用な塩基性イミノホスファゼニウム塩を長期間安定に保存することが可能な保存安定性に優れる塩基性イミノホスファゼニウム塩溶液及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 塩基性イミノホスファゼニウム塩を、溶解度パラメータ１０（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２以上であるプロトン性有機溶媒を少なくとも１種類以上含有する溶媒に溶解してなる塩基性イミノホスファゼニウム塩溶液であって、溶解後１０日経過した該塩基性イミノホスファゼニウム塩溶液中の塩基性イミノホスファゼニウム塩を^１Ｈ−ＮＭＲにより測定した際の（２．８４〜２．８８ｐｐｍのピークの積分値／２．８０〜３．００ｐｐｍの範囲のピークの積分値）×１００で示される塩基性イミノホスファゼニウム塩の残存率が９０％以上である保存安定性に優れる塩基性イミノホスファゼニウム塩溶液。 （もっと読む）

【課題】本発明は工業化生産に適するロスバスタチンカルシウム中間生成物の調製方法を提供する。この方法は簡単で、コントロールし易く、収率が高く、純度が良く、コストが相対的に低い。
【解決手段】


式Iに示されているロスバスタチンカルシウム中間生成物の調製方法は次のとおりである。a)クロロエチレンやマンガン及びR-エポキシクロロプロパンのグリニャール反応を行わせ、b)シアン化ナトリウムを入れて求核置換反応を行わせ、c)アルコールを入れて加アルコール分解反応を行わせ、d)アルカリ性溶剤を入れてハイドロキシ基を保護し、e)混合物に対しる酸化反応を行わせ、f)トリフェニルホスファンを入れるとともにアルカリの存在する条件でWittig反応を行わせることによって、式Iの化合物が得られる。本発明の方法は穏やかで、操作が簡単で、プロセスが安定であるので、工業化の大規模生産に適している。 （もっと読む）

【課題】金属錯体アレイ、又はそれが固相担体に固定された金属錯体アレイ固定化固体とそれらの製造法、あるいはその目的に好適に用いられる材料を提供する。
【解決手段】アミノ基及びカルボキシル基を有する金属錯体化合物の二以上が、互いにそのアミノ基及びカルボキシル基の関与するアミド結合を介してマルチの連結体（連結の数：ｎ）を形成した金属錯体アレイは、新たに合成した有機化合物及びその金属錯体を用い、これをＦｍｏｃペプチド固相合成法と同様な操作によって、固相担体上でマルチに連結させ、最後に固相担体から切り離すことで製造できる。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を用いて良質なルテニウム薄膜を形成させるためには、低温で薄膜を形成させることが必要であり、熱に対して高い反応性を有するルテニウム化合物が望まれていた。
【解決手段】（２，４−ジメチルペンタジエニル）（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウム及び（２，４−ジメチルペンタジエニル）（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウムに対して０．１〜１００重量％のビス（２，４−ジメチルペンタジエニル）ルテニウムを含有するルテニウム錯体混合物を原料として用い、ＣＶＤ法等によりルテニウム含有膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】中性のイミノホスファゼニウム塩をイオン交換して塩基性のイミノホスファゼニウム塩をより簡便で効率的に製造する方法の提供。
【解決手段】一般式（１）


［式中、Ｒ_１及びＲ_２は、各々独立して、水素原子又は炭化水素基、または同士が互いに結合して環構造を表す。］で示されるイミノホスファゼニウム塩を、溶解度パラメータが１０〜１５［ｃａｌ／ｃｍ^３］^１／２の範囲である溶媒中、塩基性化合物Ａ^＋Ｘ⁻［式中、Ｘ⁻は、ヒドロキシアニオンなどを表し、Ａ^＋は対カチオンを表す。］と反応させ、塩化物イオンをイオン交換して塩基性のイミノホスファゼニウム塩とする。 （もっと読む）