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Fターム[4J100AL08]の内容

付加系(共)重合体、後処理、化学変成 (209,625) | 不飽和カルボン酸エステル (19,462) | 1つの不飽和基を持つ不飽和カルボン酸のエステル (15,201) | (メタ)アクリル酸からなる酸部分と、置換基を有するアルコール残基からなるエステル (8,148)

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【課題】直線性が良好な着色パターンを形成でき、且つ、着色パターン形成領域外における残渣の発生が抑制された着色感放射線性組成物を提供する。
【解決手段】(A)着色剤、(B)下記式(I)で表される部分構造を有するアクリル樹脂、(C)重合性化合物、及び(D)紫外線吸収剤を含み、該(D)紫外線吸収剤の含有量が着色感放射線性組成物の固形分に対して、0.1質量%〜10質量%である着色感放射線組成物。
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【課題】低コストで良好なガスバリア性を示すガスバリア性フィルム、その製造方法及びガスバリア層、並びにガスバリア性フィルム又はガスバリア層を用いた装置を提供する。
【解決手段】ガスバリア性フィルム10は、プラスチック基材1と、プラスチック基材1上に設けられた有機層2と、有機層2上に設けられた無機層3とを有し、その有機層2を、水酸基を構造内に含まないアルキレンオキサイド変性フルオレンアクリレートを架橋してなる層とする。 (もっと読む)


【課題】良好な現像時間依存性を以って、超微細の孔径を有し、かつ、真円性に優れるホールパターンの提供。
【解決手段】(P)下記一般式(I)で表される繰り返し単位(a)を有する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物、及び、(C)活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物を含有する組成物であって、前記化合物(C)の前記化合物(B)に対するモル比率[C]/[B]が0.4以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。


上記一般式(I)中、Rは、水素原子又はメチル基を表す。R、R及びRは、各々独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。 (もっと読む)


【課題】EUV用またはEB用として有用なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】フッ素原子およびケイ素原子から選ばれる少なくとも1種と、芳香族基と、塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基とを有する樹脂成分(C)と、露光により酸を発生し且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分(A)(ただし前記樹脂成分(C)を除く。)と、を含有し、前記樹脂成分(C)中の前記芳香族基を有する構成単位の割合が20モル%以上であることを特徴とするEUV用またはEB用レジスト組成物。 (もっと読む)


【課題】現像欠陥が少なくかつ良好なパターン形状を有するレジストパターンを形成できるフォトレジスト組成物の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、[A]酸解離性基を含む構造単位(I)を有するベース重合体、[B]塩基解離性基を含む構造単位(II)を有し、[A]重合体よりもフッ素原子含有率が高い重合体、及び[C]酸発生体を含有し、上記[A]重合体のポリスチレン換算重量平均分子量が、10,000以上40,000以下であるフォトレジスト組成物である。上記塩基解離性基は、フッ素原子を有することが好ましい。上記塩基解離性基は、芳香族炭化水素基であることがさらに好ましい。構造単位(II)が、下記式(2)で表されることが好ましい。
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【課題】
パターン形成後にラフネスが発生したり、パターン自体をうまく描けないなどの欠陥を防止するために、樹脂中に光酸発生機能を組み込んだレジスト樹脂であって、「酸の作用によって現像液への溶解性が変化する部位」と「光酸発生機能を有する部位」が規則正しく配置されたレジスト樹脂を提供する。
【解決手段】
下記一般式(3)で表される繰り返し単位を有する含フッ素スルホン酸塩樹脂。
【化1】


(式中、Aはそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子またはトリフルオロメチル基を表す。nは1〜10の整数を表す。Wは2価の連結基を表す。Rは酸不安定基を表す。M+は、1価のカチオンを表す。) (もっと読む)


【課題】ネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法、及びこれに用いることができ、保存安定性に優れたレジスト組成物の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分と、酸供給成分と、フッ素原子及びケイ素原子から選ばれる少なくとも1種を含み、かつ、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含まない化合物(F)とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程(1)と、前記レジスト膜を露光する工程(2)と、前記工程(2)の後にベークを行う工程(3)と、前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程(4)とを含むレジストパターン形成方法、及び前記工程(1)で用いる前記レジスト組成物。 (もっと読む)


【課題】重合性液晶およびそれに類似する重合性液晶の塗布後の結晶析出抑制に効果がある、添加剤としての重合性液晶化合物の提供。
【解決手段】下記式で表される重合性液晶化合物(式中、Pは重合性官能基;Spは、スペーサーまたは単結合;Z1及びZ2は、−CO−O−;R0は炭素原子数1〜15の直鎖アルキル基;R2、R3及びR4は互いに独立して炭素原子数1〜4のアルキル基、炭素原子数1〜4のアルコキシ基、炭素原子数2〜5のアルコキシカルボニル基、炭素原子数2〜5のアシルオキシ基、炭素原子数2〜4のアシル基、炭素原子数2〜5のアミド基、シアノ基、アミノ基、水酸基又はハロゲン原子;r1、r2及びr3は、0〜4のいずれかの整数を表し、r1、r2及びr3がそれぞれ2以上であるときにR2、R3及びR4は、互いに同一であっても異なっていてもよい。但し、R0がメチル基のときr2は1ではない。)。
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【課題】孔径について現像時間依存性を低く抑えながら、真円性に優れる微細な孔径(例えば、60nm以下)のホールパターンを形成可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】(P)下記一般式(I)で表される繰り返し単位(a)を有する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物、及び、(C)窒素原子を有し、かつ活性光線又は放射線の照射により変化しない塩基性化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分に対する前記化合物(C)の含有量が1.0質量%以上であり、かつ前記化合物(C)の前記化合物(B)に対するモル比率[C]/[B]が0.40以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
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【課題】有機溶剤現像によるネガ型パターン形成において、現像後のパターン倒れ及びブリッジ欠陥の発生を抑え、残膜率も大きい感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】下記一般式(I)で表される繰り返し単位(a)を有する樹脂(P)、
特定の一般式(B−1)〜(B−3)のいずれかで表される化合物(B)、及び溶剤
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。


上記一般式(I)中、Rは、水素原子又はメチル基を表す。
、R及びRは、各々独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。 (もっと読む)


【課題】フォトリソグラフィのための組成物を提供する。
【解決手段】下記のAを含むポリマーとシランから形成されるポリマーを含む組成物。A)下記の構造単位1:


(式中、Lは、C−C結合でありであり;Mは2価の結合基、Si上に酸素含有基、ハライドから選択される基を持つ。) (もっと読む)


【課題】リソグラフィー特性及びパターン形状に優れたレジスト組成物、該レジスト組成物用として有用な新規重合体、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化し、かつ、露光により酸を発生する基材成分(A)を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分(A)は、主鎖の少なくとも一方の末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有し、かつ、質量平均分子量が20000以下である重合体を含有することを特徴とするレジスト組成物。 (もっと読む)


【課題】密着性が良好で、かつ基材表面に、耐水性、防曇性、防汚性、耐候性に優れる親水性表面を付与した組成傾斜構造を有する親水性部材を提供する。
【解決手段】基材2上に設けられ、下記親水性材料1)及び活性エネルギー線硬化型オリゴマー又はポリマー2)’を含む膜とを有する親水性部材1であって、該膜が膜の厚み方向において前記基材2に最も近い側から最も遠い側に向かって1)の比率が大きくなり、かつ、2)’の比率が小さくなるように、1)及び2)’の組成が連続的に変化する組成傾斜膜3である、親水性部材1。但し、活性エネルギー線硬化型オリゴマー又はポリマー2)’は下記1)の親水性材料とは異なる。1)加水分解性シリル基含有親水性ポリマーを含有し、かつ前記ポリマーが主鎖末端又は側鎖に、加水分解性シリル基を分子中に少なくとも1個有し、親水性基を分子中に少なくとも1個有する親水性材料。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、感度を十分に満足し、かつEL、DOF、CDU及びMEEFに優れる感放射線性樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】本発明は、有機溶媒が80質量%以上の現像液を用いるレジストパターン形成用感放射線性樹脂組成物であって、上記感放射線性樹脂組成物が、[A]酸解離性基を有する重合体、及び[B]感放射線性酸発生体を含有し、かつ上記有機溶媒で現像した場合のレジスト感度曲線から算出されるコントラスト値γが、5.0以上30.0以下であることを特徴とするレジストパターン形成用感放射線性樹脂組成物である。上記有機溶媒は、炭素数3〜7のカルボン酸アルキルエステル及び炭素数3〜10のジアルキルケトンからなる群より選択される少なくとも1種の有機溶媒であることが好ましい。 (もっと読む)


【解決手段】酸不安定基と結合する窒素原子を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】本発明の酸不安定基と結合する窒素原子を有する繰り返し単位を含む高分子化合物と酸発生剤とを含むレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、即ち溶解コントラストが高く、酸拡散を抑制する効果が非常に高い特徴を有する。このレジスト膜を用いてドットパターン又は格子状パターンのマスクを使って露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よく形成することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供すること。
【解決手段】分子内に、ベンジルチオカルバメート基(−Ph−CH−SCSNR)を含有する高分子化合物(A)と、分子内に2個以上の不飽和二重結合を含有する不飽和二重結合化合物(B)とを含む有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。 (もっと読む)


【解決手段】ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得、その上に置換又は非置換のメチロール基と結合する窒素原子及び/又は芳香族基を有する架橋剤を含む溶液を塗布、ベークによってネガパターン表面で架橋することにより、ネガパターンのスペース部分の寸法を縮小させるパターン形成方法。
【効果】本発明のレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。 (もっと読む)


【課題】直線性に優れるパターンを形成することができる硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】樹脂及び重合性化合物を含み、樹脂が、不飽和カルボン酸及び不飽和カルボン酸無水物からなる群から選ばれる少なくとも1種に由来する構造単位と、炭素数2〜4の環状エーテル構造及びエチレン性不飽和結合を有する単量体に由来する構造単位と、式(x)


[式(x)中、Ra1は、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。
a2は、炭素数1〜20の脂肪族炭化水素基を表す。]
で表される単量体に由来する構造単位とを有する共重合体を含む樹脂であり、式(x)で表される単量体に由来する構造単位の含有量が、該共重合体を構成する構造単位全量に対して、0.1モル%以上10モル%以下である硬化性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】リソグラフィー特性及びパターン形状に優れ、ディフェクトを低減可能なレジスト組成物、該レジスト組成物用として有用な新規重合体、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】主鎖の少なくとも一方の末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有し、かつフッ素原子を含む構成単位(f1)を有する重合体;該重合体は主鎖の少なくとも一方の末端に式(I−1)で表される基を有することが好ましい;該重合体を含有するレジスト組成物;該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法
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【課題】優れたラインエッジラフネス(LER)を有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂と、酸発生剤と、式(I)で表される化合物とを含むレジスト組成物。


[式(I)中、R1a及びR1bは、同一又は相異なり、炭素数1〜18の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれるメチレン基は酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよく、R1aとR1bが一緒になって環を形成していてもよい。Rは、置換基を有してもよい炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。] (もっと読む)


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