【課題】スキャンスピードが高速（例えば、７００ｍｍ／ｓ）であっても水残りを抑制でき、さらに液浸液と上層膜との界面におけるバブルの発生をも抑制することのできる液浸上層膜を形成できる上層膜形成用組成物の提供。
【解決手段】液浸上層膜形成用組成物は、下記一般式（１−１）で表される繰り返し単位および（１−２）で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる少なくとも一種、炭化水素基を有する繰り返し単位およびフッ素置換炭化水素基を有する繰り返し単位を含有する重合体（Ａ）と溶剤（Ｓ）とを含む。


（一般式（１−１）及び（１−２）中、Ｒ^１は水素原子等を示す。Ｒ^２及びＲ^３は互いに独立に単結合又は炭化水素基を示し、Ｒ^４はフッ素原子置換炭化水素基を示す。） （もっと読む）

【課題】ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、ＥＵＶ等の（極）遠紫外線、シンクロトロン放射線等のＸ線、電子線に有効に感応し、感度に優れ、微細パターンを高精度に且つ安定して形成可能な化学増幅型ポジ型レジスト膜を成膜することができる感放射線性組成物を提供すること。
【解決手段】一般式（１）で表されるスルホンイミド化合物と、酸解離性基含有化合物と、溶剤と、を含有する感放射線性組成物である。


（一般式（１）中、Ｍ^＋は一価のオニウムカチオンを示し、Ｙは、カルボニル基等を示し、Ｒ^ａ及びＲ^ｂは、相互に独立に、炭素数１〜１２の直鎖状又は分岐状のアルキル基等を示す。） （もっと読む）

【課題】本発明は、感度、解像度及び露光余裕に優れる新規な感放射線性樹脂組成物及びその組成物等に用いる重合体の提供。
【解決手段】本発明は、［Ａ］下記式（Ｉ）で表される構造単位を有する重合体、及び［Ｂ］感放射線性酸発生体を含有する感放射線性樹脂組成物である。


（式中、Ｒ^１は、水素原子又はメチル基である。Ｒ^２は、炭素数１〜２０の炭化水素基である。）。また、上記Ｒ^２は、炭素数１〜４のアルカンジイル基が好ましい。 （もっと読む）

【課題】支持体との密着性に優れ、パターン倒れの耐性が良好で、解像性の高いレジストパターンを形成できる表面改質材料及びレジストパターン形成方法と、エッチング処理を行った際に支持体からレジストパターンが剥がれにくいパターン形成方法の提供。
【解決手段】支持体とレジスト膜との間に設けられる表面改質層を形成するための、質量平均分子量が１０００〜５００００であるエポキシ樹脂を含有する表面改質材料；支持体上に、当該表面改質材料を用いて表面改質層を形成する工程と、前記表面改質層が形成された前記支持体上に、レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を露光する工程と、前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程とを含むレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ラクトン骨格含有（メタ）アクリル系化合物を単量体として用いる重合体の重合方法において、欠陥の原因となりやすい分子量の非常に高い成分の生成を限りなく抑制した半導体レジスト用重合体の重合方法及びその方法により得られる半導体レジスト用重合体を提供する。
【解決手段】本発明の半導体レジスト用重合体の重合方法は、原料単量体として、ラクトン骨格を含有する（メタ）アクリル系単量体（Ａ）、及びラクトン骨格を含有しない単量体（Ｂ）が用いられ、前記単量体（Ａ）及び前記単量体（Ｂ）を含む単量体溶液（ｉ）を、反応系に３０分間以上かけて加えながら重合し、該重合の開始から３０分間以上経過した後に、前記単量体（Ａ）を含む単量体溶液（ｉｉ）を、反応系に更に加えて重合を行う。 （もっと読む）

【課題】無機膜との密着性に優れ、銅配線のヒロックを抑制できる絶縁膜、該絶縁膜を備える半導体装置及び該絶縁膜を提供できる膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜は、１分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含む膜形成用組成物を用いて形成された絶縁膜であって、該絶縁膜とＳｉＣＮ膜とを用いて測定される、ｍ−ＥＬＴ法による密着力が、０．１５ＭＰａ・ｍ^{（１／２）}以上０．３５ＭＰａ・ｍ^{（１／２）}以下であることを特徴とする。前記重合性反応基は、芳香環と、当該芳香環に直接結合するエチニル基またはビニル基とを有するものであり、前記重合性化合物において、前記芳香環由来の炭素の数は、当該重合性化合物全体の炭素の数に対して、１５％以上、３８％以下であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】良好な解像性能を有し、特に、レジストパターンの均一形成性及びマスク再現性にすぐれた感放射線性樹脂組成物及びその感放射線性樹脂組成物に好適に用いられる重合体を提供する。
【解決手段】［Ａ］下記式（１）で表される構造単位（１）と、環状カーボネート構造を含む構造単位とを有する重合体、及び［Ｂ］感放射線性酸発生体を含有する感放射線性樹脂組成物である（下記式（１）中、Ｒ^１は、水素原子又はメチル基である。）。
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【解決手段】（Ａ）高分子化合物又は高分子化合物の混合物による膜がアルカリ性現像液に不溶性であり、酸の作用により可溶性に変化する高分子化合物又は高分子化合物の混合物、
（Ｂ）酸発生剤、
（Ｃ）酸の作用を抑制するための塩基性化合物、
（Ｄ）溶剤
を含有し、
上記（Ｃ）成分は、塩基性活性点として２級又は３級アミン構造を持つ側鎖を有する繰り返し単位を持つ高分子化合物であると共に、上記（Ａ）成分である高分子化合物の一部又は全部である電子線用又はＥＵＶ用化学増幅ポジ型レジスト組成物。
【効果】本発明によれば、超微細パターンを要求されるレジストパターンの形成において、上記化学増幅ポジ型レジスト組成物を用いることで、塩基の存在を均一にでき、ラインエッジラフネスの改善、更には温度依存性の抑制ができ、高解像度が期待できる化学増幅ポジ型レジスト組成物を提供できる。 （もっと読む）

【課題】ラインウィズスラフネス、現像欠陥並びにパターン倒れが改善され、更に、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好であるパターンを形成することが可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる構造部位（Ｓ１）と、アルカリ現像液の作用によりアルカリ現像液中への溶解速度が増大する構造部位（Ｓ２）とを備えた繰り返し単位を含んだ樹脂、
（Ｂ）フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂、及び、
（Ｃ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
を含有した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】視野角が広く、液晶分子の応答速度が速く、表示特性および長期信頼性に優れる液晶表示素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】上記液晶表示素子の製造方法は、導電膜を有する一対の基板の該導電膜上に、それぞれ、（Ａ）下記式（Ａ−Ｉ）


（式（Ａ−Ｉ）中、Ｒは水素原子またはメチル基であり、Ｙ^１およびＹ^２は、それぞれ独立に、酸素原子または硫黄原子である。）
で表される基を有する重合体および（Ｃ）有機溶媒を含有する重合体組成物を塗布して塗膜を形成し、前記塗膜を形成した一対の基板を、液晶分子の層を介して前記塗膜が相対するように対向配置して液晶セルを形成し、前記一対の基板の有する導電膜間に電圧を印加した状態で前記液晶セルに光照射する工程を経ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】優れた解像性を有し、矩形性が良好な微細パターンを形成できるとともに、酸発生剤から発生する酸が弱い場合も良好なレジスト特性が得られ、感度も良好なフォトレジスト組成物を構成できる高分子化合物、該高分子化合物を用いたフォトレジスト組成物、および該フォトレジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ溶解性が変化し得る高分子化合物であって、下記一般式（２）（式中、Ｒ₁は炭素数２０以下の脂肪族環式基であり、ｎは０または１〜５の整数を表し、Ｒ₂は水素原子、フッ素原子又は炭素数２０以下の低級アルキル基又は炭素数２０以下のフッ素化低級アルキル基を表す。）で示される化合物から誘導される構成単位（ａ１）と、ラクトン含有単環または多環式基を含む（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ３）と、を含有することを特徴とする高分子化合物。
［化１］
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【課題】ＬＷＲが小さく、かつ、パターン形状に優れたレジストパターンを形成可能である感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）特定のＳＯ_３⁻構造を有する繰り返し単位と、特定の酸解離性基を有する繰り返し単位とを有する重合体および
（Ｂ）感放射線性酸発生剤
を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物と、特定のＳＯ_３⁻構造を有する繰り返し単位と、特定の酸解離性基を有する繰り返し単位とを有する重合体を提供する。 （もっと読む）

【課題】ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することであり、パターンプロファイル、パターン倒れ、スカムの諸性能が改善され、かつ液浸液の後退接触角ならびに水追随性も優れたポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法を提供することである。
【解決手段】（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）下記（ｘ）〜（ｚ）の群から選ばれる基を少なくとも１つ含有する含フッ素化合物、および（Ｆ）溶剤、を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法。（ｘ）アルカリ可溶性基、（ｙ）アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基、（ｚ）酸の作用により分解する基。 （もっと読む）

【課題】光インプリント用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】硬化性モノマーが下記の式(１)式(２)含み、かつ、式(１)及び式(２)で表される化合物の重量比率が２０／８０〜９５／５である。


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【課題】リソグラフィー特性に優れたポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大し、且つ、露光により酸を発生する基材成分（Ａ’）を含有するポジ型レジスト組成物であって、基材成分（Ａ’）が、一般式（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０−１）と、露光により酸を発生する構成単位（ａ０−２）と、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）とを有する樹脂成分（Ａ１）を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物［式中、Ｒ^１は水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり、Ｒ^２は２価の連結基であり、Ｒ^３は、その環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環式基である。］
。
［化１］
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【課題】レジスト組成物自体の熱安定性・保存安定性が良好で、ＣｌやＮａなどのイオン性の不純物が少なく、広い波長領域で透明性に優れ、厚膜かつアスペクト比の高いレジストパターンが得られるイオンビーム描画用ネガ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】次の成分（Ａ）および（Ｂ）を含有するイオンビーム描画用ネガ型レジスト組成物並びに上記のネガ型レジスト組成物を利用するパターン形成方法。（Ａ）下記式（１）または環状オレフィンを開環重合した後水素添加した重合体単位、ビニルエーテル重合体単位から選ばれ、イオンビームの照射により現像液に難溶又は不溶となる樹脂、（Ｂ）樹脂（Ａ）を溶解する少なくとも一種以上の有機溶剤。
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【解決手段】カルボキシル基のＨが下記一般式（１）の酸不安定基で置換されている繰り返し単位と、ヒドロキシ基、ラクトン環、エーテル基、エステル基、カルボニル基、シアノ基、環状の−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、環状の−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、カーボネート基から選ばれる密着性基を有する繰り返し単位とを共重合してなる樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


【効果】ポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが高く、高解像性で、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好な上、酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。 （もっと読む）

【課題】優れた解像度及び露光マージンを有するパターンを形成できるフォトレジスト組成物用の樹脂の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位及び式（ＩＩ）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂を含むフォトレジスト組成物。


［式中、Ｒ^１及びＲ^３１は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよいアルキル基；Ｘ^１は複素環基；Ｚ^１は、２価の飽和炭化水素基；Ｒ^３２及びＲ^３３は水素原子、メチル基又は水酸基、ただしＲ^３２及びＲ^３３の少なくともいずれか一方は、水酸基；Ｒ^３４及びＲ^３５は、Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル基を表す。] （もっと読む）

【課題】優れた解像度、フォーカスマージン及び露光マージンを有するパターンを形成することができるフォトレジスト組成物用の樹脂を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位及び式（ＩＩ）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂。


［式中、Ｒ^１及びＲ^３１は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよいアルキル基；Ｘ^１は複素環基を表し、該複素環基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、水酸基、炭化水素基、アルコキシ基、アシル基等で置換されていてもよく、該複素環基に含まれる−ＣＨ_２−は−ＣＯ−又は−Ｏ−で置き換わっていてもよい；Ｚ^１は２価飽和炭化水素基を表し；Ｔは、骨格に−ＳＯ_２−を含む複素環基を表し、該複素環基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基等で置換されていてもよい。］ （もっと読む）

【課題】光弾性係数が小さな位相差フィルムを提供することにある。
【解決手段】式（１Ａ）及び式（１Ｂ）で表される化合物からなる群から選ばれる１種以上のジオール化合物（１）と、脂環式炭化水素骨格を有するポリイソシアネート化合物（２）とを反応させ、次いで、エチレン性二重結合及びポリイソシアネート化合物（２）のイソシアナト基と反応しうる官能基を有する化合物（３）を反応させて得られる化合物（Ａ）に由来する構造単位を含み、延伸してなる位相差フィルム。
ＨＯ−Ｌ^１−Ｗ^１−Ｌ^２−ＯＨ （１Ａ）
ＨＯ−Ｗ^２−Ｌ^３−Ｗ^３−ＯＨ （１Ｂ） （もっと読む）