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Fターム[4J100BC12]の内容

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【課題】高温高湿下で優れた電気絶縁性を有し、かつ長期間の信頼性に優れたアクリル系エラストマー及びこれを用いたアクリル系エラストマー組成物を提供する。
【解決手段】構造単位として、少なくとも下記一般式(I)、炭素数1−10の炭化水素基を有するアクリル系エステルモノマー、及び特定の官能基を有するアクリル系モノマーの3種を含むアクリル系エラストマー。


(Xは、炭素数5〜22の脂環式炭化水素を含む置換基を示す。R1は水素又はメチル基を示す。) (もっと読む)


【解決手段】酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位と酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位の両方を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶媒を含むレジスト組成物、あるいは酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶媒を含むレジスト組成物を基板上に塗布して、加熱処理後に高エネルギー線でレジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像とアルカリ水溶液による現像の2回の現像を行うパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、有機溶剤とアルカリ水による2回の現像によって1本のラインを2本に分割し、マスクパターンの2倍の解像力を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】色度特性に優れ、現像性及び保存安定性の良好なカラーフィルタ用着色組成物を提供する。
【解決手段】(A)顔料を含む着色剤、(B)式(1)で表される繰り返し単位(1)と、式(2)で表される繰り返し単位(2)と、酸性基を有する繰り返し単位(3)を含み、繰り返し単位(1)以外の繰り返し単位の合計に対する、繰り返し単位(2)の共重合割合が75質量%以上であり、重量平均分子量Mwと数平均分子量Mnとの比(Mw/Mn)が1.0〜1.9である共重合体、及び(C)架橋剤を含有する。
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【課題】リソグラフィー特性やパターン形状に優れたポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸解離性溶解抑制基を含む化合物(A)と、−SO−を含む環式基を有し、かつ酸解離性溶解抑制基を有さない化合物(H)とを含有し、化合物(A)及び化合物(H)以外に酸発生剤成分を含有しないポジ型レジスト組成物;化合物(H)は、一般式(3−1)で表される基を含有する化合物であることが好ましい[式中、A’は酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1〜5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり、aは0〜2の整数であり、Rはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、水酸基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり、R”は水素原子またはアルキル基である]。
[化1]
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【課題】リソグラフィー特性やパターン形状に優れたポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A’)を含有し、基材成分(A’)以外に酸発生剤成分を含有しないポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分(A’)が、一般式(a0−1)で表される構成単位(a0−1)と、酸解離性溶解抑制基を含む構成単位(a1)とを有する樹脂成分(A1)を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、Rは単結合又は2価の連結基であり、Rは、その環骨格中に−SO−を含む環式基である。]
[化1]
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【課題】ラフネスがより低減され、良好な形状のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸エステルから誘導される、酸解離性溶解抑制基を含む構成単位(a1)及び−SO−含有環式基を含む構成単位(a0)を有する樹脂成分(A1)と、一般式(c1)で表される化合物(C1)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含有するポジ型レジスト組成物。一般式(c1)中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基;Yは2価の脂肪族炭化水素基;Rは水素原子、フッ素原子、アルキル基又はフッ素化アルキル基である。pは1〜10の整数、Aは有機カチオンを表す。
[化1]
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【課題】高い感度を有し、熱安定性が高く、かつ、有機溶媒膨潤率が低い硬化膜を形成しうるポジ型感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】(成分A)式(1)で表される構成単位とアセタール若しくはケタールで保護されたカルボキシ基又はフェノール性水酸基を有する構成単位とを含む樹脂、(成分B)酸発生剤、並びに、(成分C)溶剤、を含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。式(1)中、R1は水素原子又はアルキル基を表し、L1は二価の連結基を表し、L2は三価の炭化水素基を表す。
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【課題】新規な化合物と、該化合物に由来する構造単位を有する樹脂と、該樹脂を含むレジスト組成物等を提供する。
【解決手段】式(I)で表される化合物。[式(I)中、Wは、炭素数3〜36の飽和炭化水素環を表す。Aは、単結合又は炭素数1〜17の2価の飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。Rは、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6のハロゲン化アルキル基を表す。R及びRは、それぞれ独立に、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6のハロゲン化アルキル基を表す。]
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【課題】コンタクトホールパターン形成時のパターンの側壁の垂直性が良化し、EDWが拡大し、サイドローブ耐性が向上し、かつ経時保存後のレジスト溶液中でのパーティクルの増加が著しく低減された化学増幅型レジスト組成物、並びに該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】(A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(C)硫黄原子を有する特定の構造のベンゾイミダゾール系塩基性化合物を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】塗布膜厚の均一性が改善され、且つ、液浸露光により形成されたパターンのウエハー面内における寸法均一性に優れるパターンを提供可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】(A)下記一般式(A1)で表される繰り返し単位を含み、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物、及び(C)フッ素原子を有する基で置換されたラクトン構造を有する繰り返し単位を含む樹脂を含有することを特徴とする感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。(式中、Rは水素原子、アルキル基、フッ化アルキル基、ハロゲン原子又はCHOHを表す。Rはアルキレン基、シクロアルキレン基、またはそれらを組み合わせた2価の連結基を表す。nは0〜5の整数を表す。nが2以上の場合、複数のRは同一でも異なっていてもよい。)
【化1】
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【課題】パターン形成方法の提供。
【解決手段】支持体上に、第一のポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成し、第一のレジスト膜を露光し、露光後ベークを行い、アルカリ現像して第一のレジストパターンを形成する工程(1)と、第一のレジストパターンが形成された支持体上に、第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤を含有する第二の膜形成用組成物を塗布して第二の膜を形成し、アルカリ現像することによりレジストパターンを形成する工程(2)とを有し、第一のポジ型レジスト組成物は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分及び露光により酸を発生する酸発生剤成分)を含有するポジ型レジスト組成物であって、基材成分が酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位を有する樹脂成分を含有することを特徴とするパターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】液浸露光時にウォーターマークの発生を抑制しうるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】(A)所定の一般式(a1−1)及び(a1−3)から選ばれる構造を有する繰り返し単位(a1)、所定の一般式(a2)で表される繰り返し単位(a2)、及び、所定の一般式(a3−1)〜(a3−4)から選ばれる構造を有する繰り返し単位(a3)を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物、(C)フッ素および/またはケイ素原子を含有し、下記(x)〜(z)の群から選ばれる基を少なくとも1つ含有する樹脂、並びに(D)溶剤、を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。(x)アルカリ可溶性基、(y)アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基、(z)酸の作用により分解する基。 (もっと読む)


【課題】良好なパターン形状を得ることが可能で、水等の液浸露光液に溶出し難く、液浸露光液との後退接触角が大きく、現像欠陥を生じ難いレジスト被膜の材料である感放射線性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】(A)一般式(1)で表される繰り返し単位(a1)を有する第一の重合体を含む重合体成分と、(B)溶剤と、を含有する感放射線性樹脂組成物である。


(一般式(1)中、Rは、水素原子等を示す。R及びRは、相互に独立に、炭素数4〜20の1価の脂環式炭化水素基等を示す。Rfは、少なくとも1つのフッ素原子を有するともに、COORで表される基を有する有機基等を示す。) (もっと読む)


【課題】優れた解像性を有し、矩形性が良好な微細パターンを形成できるとともに、酸発生剤から発生する酸が弱い場合も良好なレジスト特性が得られ、感度も良好なフォトレジスト組成物を構成できる高分子化合物、該高分子化合物を用いたフォトレジスト組成物、および該フォトレジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ溶解性が変化し得る高分子化合物であって、下記化学式(30)又は(31)の少なくともいずれか一方で表される構成単位中のフェノール性水酸基の水素原子が、下記一般式(1)(式中、R1は炭素数20以下の脂肪族環式基であり、nは0または1〜5の整数を表す。)で示される酸解離性溶解抑止基(ii)で置換されていることを特徴とする高分子化合物。
(もっと読む)


【課題】低吸湿性能とアルカリ水溶解性能の相反する性質をバランス良く併せもち、各種焼結工程を含む成型用バインダーとして好適に用いられるポリマーの提供。
【解決手段】(A)カルボキシル基含有ビニルモノマー、(B)ヒドロキシル基含有ビニルモノマー、(C)アルキル基の炭素数が1〜8である(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(D)次の一般式で表されるモノマー及び(E)ポリオキシエチレン構造を有する(メタ)アクリル酸エステル系モノマーを含むモノマー組成物を共重合したポリマーとする。


[R:H又はCH,R:炭素数9以上の脂環族炭化水素基,n=0〜3] (もっと読む)


【解決手段】酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。
【効果】酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含む高分子化合物と酸発生剤とを含むフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高い特徴を有する。このフォトレジスト膜を用いて格子状パターンのマスクを使って露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よくかつ高感度で形成することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】部材の一部が不透明であっても、部材との剥離性に優れ、切削加工後の部材の寸法精度が向上するといった効果が得られる組成物の提供。
【解決手段】(A)多官能(メタ)アクリレート、(B)単官能(メタ)アクリレート、(C)光重合開始剤及び(D)熱重合開始剤を含有する組成物であり、該組成物から得られる硬化体のガラス転移温度が−50〜50℃組成物であり、該組成物から得られる硬化体の膨潤率が5質量%以下である組成物。(E)(A)〜(D)に溶解しない粒状物質を含有しても良い。この組成物を含有する接着剤組成物。 (もっと読む)


【課題】ダブルパターニングプロセスにおいて、2回目以降のパターニングの影響を受けにくいレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法、及びこれに用いる樹脂の精製方法を提供すること。
【解決手段】支持体上に、樹脂(A1)と有機溶剤(S1)とを含有する第一のレジスト材料を用いて第一のレジストパターンを形成する工程と、前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、樹脂(A2)と、該樹脂(A2)を溶解し且つ前記樹脂(A1)を溶解しない有機溶剤(S2)とを含有する第二のレジスト材料を用いてレジストパターンを形成する工程とを含むレジストパターン形成方法であって、前記樹脂(A1)を、該樹脂(A1)を溶解せず且つ前記樹脂(A2)を溶解する有機溶剤(W)を含有する洗浄液で洗浄することにより精製して前記第一のレジスト材料に配合することを特徴とするレジストパターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】
塗布量が低減でき、経時における異物を生じにくく、さらにBlob欠陥を生じにくい上層膜を得ることができる上層膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】
溶剤としてエーテル系溶剤を含む上層膜形成用組成物に特定の繰り返し単位を含む重合体を用いること。 (もっと読む)


【課題】酸分解性基を含有するラクトン化合物を高収率で得ることができる製造方法、及び、レジスト性能が改善された感活性光線性または感放射線性樹脂組成物の製造方法を提供すること
【解決手段】下記一般式(IB)で表される化合物の製造方法であって、下記一般式(IA)で表される化合物を用いる製造方法。
【化1】


式中、Qは、重合性基を表す。Lは、mが2以上の場合は各々独立に、連結基を表す。Lcはラクトン構造を有する基を表す。Aは酸の作用により脱離する基、又は酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を発生する基を有する基を表す。mは0以上の整数を表す。 (もっと読む)


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