【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹はメチレン基又はエチレン基、Ｒ²は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、又は炭素数２〜１０のアルケニル基で、酸素原子又は硫黄原子を有していてもよい。Ｒ³はフッ素原子又はトリフルオロメチル基、ｍは１〜４の整数。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】接着性及び耐オゾン性（耐候性）を向上させることができるコンベアベルト用ゴム組成物及びそれを用いたコンベアベルトを提供する。
【解決手段】本発明のコンベアベルト用ゴム組成物は、ゴム成分中に、共役ジエン系重合体と、共役ジエン化合物と非共役オレフィンとの共重合体とを含むコンベアベルト用ゴム組成物であって、前記ゴム成分１００質量部に対し、前記共重合体を３０質量部〜５０質量部含む。 （もっと読む）

【課題】パターン形状に優れるレジストパターンを形成でき、パターン倒れ耐性を向上させ、ブロッブ欠陥及びブリッジ欠陥の発生を低減できる液浸用上層膜形成組成物の提供。
【解決手段】本発明は、［Ａ］同一又は異なる重合体中にカルボキシル基を含む構造単位（Ｉ）、スルホ基を含む構造単位（ＩＩ）、α−トリフルオロメチルアルコール基を含む構造単位（ＩＩＩ）、スルホンアミド基を含む構造単位（ＩＶ）及び下記式（ｉ）で表される基を含む構造単位（Ｖ）からなる群より選ばれる少なくとも１種を有する重合体成分を含有する液浸用上層膜形成組成物であって、この液浸用上層膜形成組成物が［Ａ］重合体成分の同一又は異なる重合体中に、芳香族含窒素複素環を含む構造単位（Ａ）をさらに有するか又は［Ｂ］芳香族含窒素複素環を有する化合物をさらに含有するかの少なくともいずれか一方であることを特徴とする。
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【課題】水と接触した場合であっても基材から離脱しがたく、優れた防曇性を有する被膜を基材表面上で形成しうる二液型防曇剤、および水と接触した場合であっても基材から離脱しがたく、優れた防曇性を有する被膜を有する防曇性基材を提供すること。
【解決手段】ケイ素原子含有モノマーと窒素原子含有モノマーを含有するモノマー成分を重合させてなる（メタ）アクリル系ポリマーを含有するＩ液と、アルコキシシリル基を有する（メタ）アクリル系ポリマーを含有してなるII液とを含むことを特徴とする二液型防曇剤、および前記二液型防曇剤からなる被膜が基材表面上に形成されてなる防曇性基材であって、基材上にＩ液からなる被膜が形成され、当該Ｉ液からなる被膜上にII液からなる被膜が形成されていることを特徴とする防曇性基材。 （もっと読む）

【課題】電子線あるいは極紫外線（ＥＵＶ光）を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、優れたパターン形状、高解像性（高い限界解像性など）、高ラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）性能を極めて高次元で同時に満足するパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ａ）酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、（Ｂ）電子線又は極紫外線の照射により酸を発生する化合物と、（Ｃ）フッ素原子、フッ素原子を有する基、珪素原子を有する基、炭素数が６以上のアルキル基、炭素数が６以上のシクロアルキル基、炭素数が９以上のアリール基、炭素数が１０以上のアラルキル基、少なくとも１個の炭素数３以上のアルキル基で置換された芳香環基、及び、少なくとも１個の炭素数５以上のシクロアルキル基で置換された芳香環基からなる群より選択される１つ以上の基を有する樹脂と、（Ｄ）溶剤とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程（１）、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程（２）、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程（４）をこの順番で有するパターン形成方法、これに供される感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、これを用いて形成されたレジスト膜。また、上記パターン形成方法を用いた、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】金属と含フッ素ポリマーとが直接、強固に接着した積層体を提供する。
【解決手段】金属からなる層（Ａ）、及び、前記層（Ａ）上に形成された層（Ｂ）を有する積層体であって、層（Ｂ）は、テトラフルオロエチレンに基づく重合単位及びパーフルオロ（アルキルビニルエーテル）に基づく重合単位を含む共重合体からなり、前記共重合体は、主鎖末端にカルボキシル基を有し、メルトフローレートが２０ｇ／１０分以上であり、融点が２９５℃以下であり、前記金属は、銅、ステンレス、アルミニウム、鉄、及び、それらの合金からなる群より選択される少なくとも１種であることを特徴とする積層体。 （もっと読む）

【解決手段】側鎖末端にヘキサフルオロヒドロキシプロピルカルボニルオキシ基を有する（メタ）アクリレート単位を含有し、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物を含むレジスト保護膜材料。
【効果】上記レジスト保護膜材料は、高撥水性かつ高滑水性性能を有する。そのため水に対する良好なバリアー性能を有し、レジスト成分の水への溶出が抑えられる上、現像欠陥が少なく、現像後のレジストパターン形状が良好な液浸リソグラフィーを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】高感度で、現像後のパターン倒れの発生を抑え、残膜率も大きい感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイスの提供。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（Ａ０）で表される部分構造を有する繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、（Ｂ）電子線又は極紫外線の照射により酸を発生する化合物とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程（１）、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程（２）、及び露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程（４）を有するパターン形成方法。


上記一般式中、Ａｒは樹脂（Ａ）の主鎖と直接又は間接的に結合する芳香環基を表し、Ｒ_ａは水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。 （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）〜（３）から選ばれる酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


【効果】露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。 （もっと読む）

【課題】取扱性に優れ、高い耐水性や耐ブロッキング性を有する皮膜を得ることができるコーティング剤を用いて得られる塗工物、感熱記録材、インクジェット記録材及び剥離紙原紙、並びに塗工物の製造方法を提供する。
【解決手段】式（１）で表される基を有する単量体単位を含み、式（Ｉ）を満たすビニルアルコール系重合体（Ａ）、及びポリアミドポリアミンエピクロロヒドリン系樹脂（Ｂ）を含有し、（Ｂ）の含有量が（Ａ）１００質量部に対して０．２質量部以上１５０質量部以下とする。


３７０≦Ｐ×Ｓ≦６，０００・・・（Ｉ）。Ｐ：粘度平均重合度。Ｓ：上記単量体単位の含有率（モル％）。 （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹、Ｒ²は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、又は炭素数２〜１０のアルケニル基で、酸素原子又は硫黄原子を有していてもよい。Ｒ³はフッ素原子又はトリフルオロメチル基、ｍは１〜５の整数。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ゴムクローラの耐カット性（耐衝撃性）及び引裂き力を低減することなく、ゴムクローラの耐亀裂成長性（耐久性）、耐オゾン性及び耐摩耗性を向上させることができるクローラ用ゴム組成物及びそれを用いたゴムクローラを提供する。
【解決手段】本発明のクローラ用ゴム組成物は、ゴム成分中に、共役ジエン系重合体と、共役ジエン化合物−非共役オレフィン共重合体とを含むクローラ用ゴム組成物であって、
前記ゴム成分１００質量部に対し、前記共役ジエン化合物−非共役オレフィン共重合体を１０質量部〜３０質量部含む。 （もっと読む）

【課題】良好なパターン形成性を維持しつつ、高温処理等を行った場合においても、優れた色相が長期間維持される着色膜を形成可能な着色硬化性組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）染料と、（Ｂ）一般式（１）で表される構造単位及び一般式（２）で表される構造単位から選ばれる少なくとも１種の構造単位（ｂ−１）並びに酸性基を有する構造単位（ｂ−２）を含み、酸価が１５０ｍｇＫＯＨ／ｇ〜３００ｍｇＫＯＨ／ｇの範囲であるバインダー樹脂と、（Ｃ）有機溶剤と、を含有する着色硬化性組成物。一般式（１）中、Ｒ^１１は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ^１２及びＲ^１３は水素原子又は不飽和二重結合を部分構造として含む炭素数３〜２０のカルボニル基を表し、Ｒ^１２及びＲ^１３の双方が水素原子であることはない。一般式（２）中、Ｒ^２０は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ^２１〜Ｒ^２５は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基又はアリール基を表す。
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【課題】優れた耐熱性、摩擦摺動特性および吸収振動性を有する硬化物が得られるフェノール樹脂組成物を提供する。
【解決手段】アクリル酸エステル類モノマーとアルケニルフェノール類モノマーとの共重合体（Ｉ）およびフェノール樹脂（ＩＩ）を含むフェノール樹脂組成物であって、共重合体（Ｉ）は下記要件（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）を満たす、フェノール樹脂組成物。（Ａ）前記アクリル酸エステル類モノマー／前記アルケニルフェノール類モノマーの重量比が９５／５〜６５／３５である。（Ｂ）重量平均分子量が４００００以上９００００以下である。（Ｃ）ガラス転移温度が−１０℃以下である。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物に有用な酸発生剤、該酸発生剤を含有するレジスト組成物および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、酸発生剤成分（Ｂ）が、一般式（ｂ１−１１）で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含むことを特徴とするレジスト組成物。式（ｂ１−１１）中、Ｒ^１０１〜Ｒ^１０４はそれぞれ独立にアルキル基またはアルコキシ基であり、ｎ１は１〜５の整数であり、ｎ３およびｎ４はそれぞれ独立に０〜３の整数である。Ｘ⁻はアニオンである。
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【課題】電子線あるいは極紫外線（ＥＵＶ光）を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、かつパターン倒れ性能に優れ、更には、パターン下部に食い込みの生じない形状に優れたパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ａ）酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、（Ｂ）電子線又は極紫外線の照射により酸を発生し、かつ酸の作用により分解し有機溶剤に対する溶解度が減少する低分子化合物とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程（１）、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程（２）、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程（４）をこの順番で有する、パターン形成方法、これに供される感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、これを用いて形成されたレジスト膜。また、上記パターン形成方法を用いた、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】樹脂成形体の難燃性を効果的に高めることができ、樹脂成形体の電気特性、特に、誘電率（ε）および誘電正接（ｔａｎδ）が低く、しかも耐熱性が高いホスファゼン化合物を実現する。
【解決手段】ホルミルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物に、カルボニルオレフィン化反応を行う工程を含む、式（１）で表されるエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法。


式（１）中、ｎは１〜６の整数を示し、Ａは少なくとも一つが式（２）で示されるエテニルフェノキシ基で、その他のＡがアリールオキシ基である。
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【課題】プロピレン含有重合体を塩素系溶剤と水との混合液中で塩素化する工程を有する塩素化されたプロピレン含有重合体の製造方法であって、従来よりも効率的に目的物を得ることができる改善された製造方法を提供する。
【解決手段】塩素化されたプロピレン含有重合体の製造方法であって、
（１）ポリプロピレン及びプロピレン−α−オレフィン共重合体の少なくとも１種のプロピレン含有重合体をクロロホルム及び水を含む混合液に分散させて分散液を得る工程１、
（２）密閉下において、前記分散液を１３０℃以下の温度で加温しながら、前記分散液に塩素ガスを導入することにより前記プロピレン含有重合体を塩素化する工程２、
（３）工程２で得られた反応液に水不溶性のエポキシ基含有化合物を添加・静置した後、クロロホルム含有相を分取する工程３、並びに
（４）前記クロロホルム含有相からクロロホルムを留去することにより、塩素化されたプロピレン含有重合体を得る工程４、
を有することを特徴とする製造方法。 （もっと読む）

【課題】液浸露光プロセスにおいて、露光時にはレジスト膜表面の優れた水切れ性を示すと共に、現像欠陥の発生を抑制できる新規な化合物、この化合物に由来する構造単位を有する重合体、この重合体を含有するフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物に由来する構造単位を有する重合体、さらに、［Ａ］酸解離性基を有する重合体、［Ｂ］当該重合体、［Ｃ］酸発生体及び［Ｄ］溶媒を含有するフォトレジスト組成物。式（１）中、Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜２０の１価の有機基である。但し、Ｒ^４及びＲ^５のうち少なくとも１つの基は、フッ素原子を有する。ｎは、１〜４の整数である。
（もっと読む）

【課題】樹脂成形体の難燃性を効果的に高めることができ、樹脂成形体の電気特性、特に、誘電率（ε）および誘電正接（ｔａｎδ）が低く、しかも耐熱性が高いホスファゼン化合物を実現する。
【解決手段】アセチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物を還元してヒドロキシエチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物とし、次にそれを脱水する反応工程を含む下記の式（１）で示されるエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法。


式（１）中、ｎは１〜６の整数を示し、Ａは少なくとも一つが式（２）で示されるエテニルフェノキシ基で、その他のＡがアリールオキシ基である。
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