【課題】低温プロセスでゾルゲルガラスからなるクラッド・コア材の作製、屈折率の任意制御、光損失の極小制御が可能なポリマー光変調器の製造方法の提供。
【解決手段】下記式（１）
Ｒ^１_ｎＳｉ（ＯＲ^２）_４−ｎ （１）
で表されるシリコンアルコキシド、その加水分解・縮合物、またはこれらの混合物と、光酸発生剤とを含む硬化性組成物を調製する工程と、
該硬化性組成物を基板上に塗布・硬化し、更にパターン形成を行い、ゾルゲルガラスから形成される下部クラッド層、コア層、側部クラッド層及び上部クラッド層を形成する工程と、
上部クラッド層中に、電気光学ポリマーから形成されるコア層を、該ゾルゲルガラスから形成されるコア層の上部に接触して埋設する工程とを含み、且つ、上部クラッド層と電気光学ポリマーから形成されるコア層との接続部の一部が、導波光の進行方向に対しテーパー構造を有する、ポリマー光変調器の製造方法。 （もっと読む）

【課題】表面のべたつきを抑制でき、かつ耐熱性及び冷熱サイクル特性に優れている光半導体装置用封止剤を提供する。
【解決手段】光半導体装置１用封止剤４は、下記式（１）で表され、かつ珪素原子に結合したアルケニル基を有する第１のオルガノポリシロキサン（但し、珪素原子に結合した水素原子を有さない）と、下記式（５１）で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有する第２のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒とを含む。第１，第２のオルガノポリシロキサンにおける珪素原子に結合したアリール基の各含有比率は２０モル％以下である。絶対分子量が２００００以上、１０００００以下である第１のオルガノポリシロキサンと絶対分子量が２０００以上、１００００以下である第１のオルガノポリシロキサンとの重量比は、１０：９０〜９０：１０である。
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【課題】湿熱環境及び紫外線に曝されても密着性及び意匠性に優れた耐候性塗布層を有する太陽電池用バックシートを提供する。
【解決手段】ポリマー基材と、ポリマー基材上に設けられ、分子中に下記一般式（１）で表されるシロキサン構造単位を１５〜８５質量％及び非シロキサン系構造単位を８５〜１５質量％含む複合ポリマー、複合ポリマーを架橋する架橋剤由来の構造部分、並びに、嵩比重が０．５０ｇ／ｃｍ^３以上０．８５ｇ／ｃｍ^３以下であり、ポリマー層の全質量に対する割合が４５質量％以上８５質量％以下である顔料を含有するポリマー層と、を有する太陽電池用バックシート。式中、Ｒ^１及びＲ^２は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基を表し、ｎは１以上の整数を表す。複数のＲ^１及びＲ^２は各々、互いに同一でも異なってもよい。
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【課題】プロトン伝導膜の材料に用いられる新規なシルセスキオキサン誘導体、及び該誘導体から構成されるプロトン伝導膜を提供する。
【解決手段】ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造と、その末端に導入されているポリオキシエチレン構造と、その末端に導入されているリン酸基とを有する特定のシルセスキオキサン誘導体を用い、該誘導体から構成されるプロトン伝導膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ヒドロシリル化反応により架橋して、室温では高硬度の固体状であり、高温では著しく軟化もしくは液状化する架橋物を形成する架橋性シリコーン組成物、および室温では高硬度の固体状であり、高温では著しく軟化もしくは液状化する架橋物を提供する。
【解決手段】 （Ａ）平均単位式で表される、フェニル基及びアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、（Ｂ）一般式で表される、フェニル基及びアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、（Ｃ）一分子中に少なくとも１個のフェニル基と２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、および（Ｄ）ヒドロシリル化反応用触媒から少なくともなる架橋性シリコーン組成物。 （もっと読む）

【課題】保存安定性があり、加熱焼成し膜とした際、鉛筆硬度ＨＢ以上で、膜厚１．５μｍ以上にしてもクラックを発生させることのない膜を得ることが出来る、アルコキシシランの加水分解および縮合反応によって得られる縮合物を提供する。
【解決手段】一般式（１）：Ｓｉ（ＯＲ^１）_４で表されるアルコキシシランＡと、一般式（２）：（Ｒ^２）Ｓｉ（ＯＲ^１）_３で表されるアルコキシシランＢと一般式（３）：（Ｒ^２）_２Ｓｉ（ＯＲ^１）_２で表されるアルコキシシランＣをモル比で表して、アルコキシシランＡ：アルコキシシランＢ：アルコキシシランＣ＝０〜７０：３０〜１００：０〜７０の範囲で縮合させたアルコキシシランの縮合物。（Ｒ^１はメチル基またはエチル基、Ｒ^２はメチル基、エチル基またはフェニル基である。） （もっと読む）

【課題】分子量及び粘度の制御が容易で、安定的に所望の低分子量及び低粘度を有する分子鎖両末端トリオルガノシロキシ基封鎖オルガノポリシロキサンの製造方法を提供する。
【解決手段】シラノール基末端オルガノシラン又はオルガノポリシロキサンを有機溶剤中、開環重合時に非特異的な縮合反応が起らないアルキルリチウム触媒又はリチウムシラノレート触媒と重合促進剤の存在下に、トリス（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメチルシクロトリシロキサンをリビング重合により共重合させて分子鎖末端シラノール基（又はそのリチウム塩）封鎖の共重合体を調製後、該触媒に対して弱酸による中和処理を行い、有機溶剤を留去後に、トリオルガノシリルトリフラート又は強酸とヘキサオルガノジシラザンにより分子鎖末端シラノール基のトリオルガノシロキシ基による封鎖を行う。 （もっと読む）

【課題】高屈折率硬化性かつ光学的に透明な発光ダイオード封止材配合物を提供。
【解決手段】発光ダイオード封止材として使用するための硬化性液体ポリシロキサン／ＴｉＯ_２複合体であって；５ｎｍ未満の平均ドメインサイズを有するＴｉＯ_２ドメインを有するポリシロキサンプレポリマーを当該複合体が含み；前記硬化性液体ポリシロキサン／ＴｉＯ_２複合体が全固形分基準で２０〜６０モル％のＴｉＯ_２を含み；前記硬化性液体ポリシロキサン／ＴｉＯ_２複合体が１．６１より大きく１．７以下の屈折率を示し；並びに、前記硬化性液体ポリシロキサン／ＴｉＯ_２複合体が室温および大気圧で液体である；硬化性液体ポリシロキサン／ＴｉＯ_２複合体。 （もっと読む）

【課題】耐熱性及び高温熱履歴後の耐薬品性に優れ、現像時の膜減りが少なく、現像工程における現像マージンが大きいポジ型感光性組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）式（１）で表わされる化合物と式（２）で表わされる化合物とを加水分解・縮合反応させて得られる構造からなるシラノール基含有ポリシロキサン化合物、（Ｂ）エポキシ含有有機基を少なくとも２つ有する化合物、（Ｃ）ジアゾナフトキノン類及び（Ｄ）有機溶剤を含有するポジ型感光性組成物。Ｒ¹はＣ１〜４アルキル基等、Ｒ²はＣ２〜１０の２価炭化水素基、Ｒ³はＣ２〜１０の２価飽和脂肪族炭化水素基、Ｘは特定の一般式で表される基をそれぞれ表す。
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【課題】硬化させて、シリコーンゴムの特徴である耐熱性、耐寒性、耐候性、電気絶縁性のみならず、耐溶剤性においても良好な硬化物を形成する耐溶剤性シリコーンゴム組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）式（Ｉ）で示される直鎖状ポリオルガノシロキサン １００重量部；（Ｂ）ケイ素原子に結合した水素原子を分子中に２個を越える数で有するポリオルガノハイドロジェンシロキサン （Ａ）に存在するアルケニル基１個に対するケイ素原子に結合した水素原子の数が、０．５〜１０．０になる量；（Ｃ）白金族金属化合物 白金族金属原子を、（Ａ）の量に対して０．１〜１，０００重量ｐｐｍ含有する量；並びに（Ｄ）平均粒径 １〜１００μｍであり、かつアスペクト比１０〜５００であるマイカ粉 ２０〜２００重量部 を含む、耐溶剤性シリコーンゴム組成物である。 （もっと読む）

【課題】ハウジングと封止剤との密着性を高めることができ、かつ湿度に対する接着信頼性を高めることができる光半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置１は、ハウジング２と、ハウジング２内に配置された光半導体素子３と、ハウジング２内で光半導体素子３を封止するように設けられた光半導体装置用封止剤の硬化物とを備える。ハウジング２は銀めっきされたリード電極を有数する。上記光半導体装置用封止剤は、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつ珪素原子に結合したアルケニル基及び珪素原子に結合したアリール基を有する第１のオルガノポリシロキサンと、珪素原子に結合した水素原子及び珪素原子に結合したアリール基を有する第２のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒と、チタン原子を有する有機化合物とを含む。 （もっと読む）

【課題】不純物の含有量が極めて少ない高純度末端アルコキシ変性オルガノポリシロキサンを製造する。
【解決手段】（Ａ）式（１）のオルガノポリシロキサンと、


（Ｒ¹は一価炭化水素基、ＸはＯＨ基又はＲ¹、ｍは整数。）（Ｂ）（Ａ）成分のＯＨ基１モルに対して等モルを超える量の式（２）のアルコキシシランとを、


（Ｒ²、Ｒ³は一価炭化水素基、ａは整数。）（Ｃ）沸点が３０〜８０℃である一級アミンの存在下で縮合反応を行い、得られた生成物を減圧加熱して末端アルコキシ変性オルガノポリシロキサンを得る。 （もっと読む）

【課題】従来のシルセスキオキサンに比較して、より耐熱性を高め、低温で流動性を有し、成形が容易なシロキサン化合物および硬化させた硬化物を提供。
【解決手段】繰り返し数３〜８のＳｉ−Ｏ結合を持つ環状シロキサン化合物の少なくとも一つの珪素基上に、末端に二重結合基、三重結合基、マレイミド基等の架橋基を有し繰り返し数０〜９のＳｉ−Ｏ結合を持つ直鎖状シロキサン結合を有する置換基を導入したシロキサン化合物およびこの化合物を加熱等の手段により架橋させた硬化物。 （もっと読む）

【課題】
成型加工性、透明性に優れる液状の多面体構造ポリシロキサン系化合物および該化合物を用いた組成物を提供する。
【解決手段】
アルケニル基を有する多面体構造ポリシロキサン系化合物（ａ）、ヒドロシリル基を有する化合物（ｂ）、１分子中にアルケニル基を１個有する有機ケイ素化合物（ｃ）、とをヒドロシリル化反応することで得られる多面体構造ポリシロキサン変性体であって、
（ａ）成分のアルケニル基１個あたり、（ｂ）成分のＳｉ原子に直結した水素原子が１．０個以上２．５個未満になる範囲で加えることを特徴とする多面体構造ポリシロキサン変性体。 （もっと読む）

【課題】 レジスト下層膜形成用に適し、アルカリ溶液によるポジ現像、有機溶剤によるネガ現像どちらのプロセスにおいてもレジスト膜との密着性に優れるシリコン含有膜を形成することができると共に、高いパターン転写性を有し、アルカリ溶液によるポジ現像、有機溶剤によるネガ現像どちらのプロセスにおいても得られる下層膜上に形成されるレジストパターンの形状が良好で倒れが少ないポリシロキサン組成物と、レジストパターンの形状が良好で倒れが少なく、微細化が可能なパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）ポリシロキサン、
（Ｂ）極性基及びエステル基から選ばれる少なくとも一種を有する窒素含有化合物、並びに
（Ｃ）紫外光の照射又は加熱により酸を発生する化合物
を含むことを特徴とする、ポリシロキサン組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】高い耐熱性、耐光性を有し、ガスバリア性および耐冷熱衝撃性に優れ、かつ、光半導体素子を封止する際のハンドリング性が良好なポリシロキサン系組成物を提供する。
【解決手段】アルケニル基およびヒドロシリル基を含有する多面体構造ポリシロキサン系化合物（ａ）同士をヒドロシリル化して得られるポリシロキサン化合物（ｂ）、１分子中にヒドロシリル基もしくはアルケニル基を２個以上有する化合物（ｃ）、１分子中に炭素−炭素２重結合を１個有する環状オレフィン化合物（ｄ）とをヒドロシリル化反応させて得られる多面体構造ポリシロキサン変性体。 （もっと読む）

【課題】高温高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用されても、光度が低下し難くかつダイボンド材の変色が生じ難い光半導体装置を得ることができる光半導体装置用ダイボンド材を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、アリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有する第１のシリコーン樹脂と、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基及びアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂と、白金のアルケニル錯体と酸化珪素粒子とを含む。上記白金のアルケニル錯体は、塩化白金酸６水和物と、６当量以上の２官能以上であるアルケニル化合物とを反応させることにより得られる白金のアルケニル錯体である。ダイボンド材中における比（アルケニル基の数／珪素原子に結合した水素原子の数）は、１．０以上、２．５以下である。 （もっと読む）

【課題】低屈折率微粒子を含有しているシロキサン系樹脂組成物において、段差基板上に塗布ムラなく塗布可能な、塗布性および塗液安定性に優れたシロキサン系樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）（ａ−１）シリカ微粒子および（ａ−２）溶剤の存在下で（ａ−３）特定のシラン化合物を加水分解後に縮合反応させたシロキサン系樹脂、（Ｂ）ポリアルキレングリコールならびに（Ｃ）溶剤を含有するシロキサン系樹脂組成物であって、（Ｃ）溶剤の１気圧下の沸点が１３０〜１８０℃であり、かつ（Ｃ）溶剤の表面張力が２８ｍＮ／ｍ以下であることを特徴とするシロキサン系樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】１分子中に炭素−炭素２重結合基とエポキシ基とを有しており、ポリマーを製造する際において反応や構造を容易に制御することができるかご型シルセスキオキサン樹脂及び該かご型シルセスキオキサン樹脂を高収率で製造する方法を提供すること。
【解決手段】不飽和基を含む基Ｒ^１含有シラン（１）：Ｒ^１ＳｉＸ_３・・・（１）｛Ｘは加水分解性基を示す。｝で表わされるケイ素化合物（ａ）、下記一般式（５）：Ｒ^２ＳｉＸ_３・・・（５）｛式（５）中、Ｒ^２は、エポキシ基を含む基、Ｘは加水分解性基を示す。｝で表わされるケイ素化合物（ｃ）を、水と有機極性溶媒と有機非極性溶媒とからなる混合溶媒及び塩基性触媒存在下で加水分解せしめると共に縮合せしめてかご型シルセスキオキサン樹脂を得、前記加水分解反応工程後に９０℃を超えて加熱する工程を備えないことを特徴とするかご型シルセスキオキサン樹脂の製造方法。 （もっと読む）

【課題】レジスト解像性、エッチング耐性に優れるフォトレジスト材料を提供する。
【解決手段】重合性二重結合基を有するポリシロキサンセグメント（ａ１）と、酸基を有するビニル系重合体セグメント（ａ２）とが、一般式（３）で表される結合により結合された複合樹脂（Ａ）を含有するフォトレジスト材料であって、前記ポリシロキサンセグメント（ａ１）の含有率がフォトレジスト材料の全固形分量に対して１０〜９０重量％であり、且つ前記複合樹脂（Ａ）の固形分の酸価が４０〜４００ＫＯＨｍｇ／ｇであるフォトレジスト材料。


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