光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置
【課題】表面のべたつきを抑制でき、かつ耐熱性及び冷熱サイクル特性に優れている光半導体装置用封止剤を提供する。
【解決手段】光半導体装置１用封止剤４は、下記式（１）で表され、かつ珪素原子に結合したアルケニル基を有する第１のオルガノポリシロキサン（但し、珪素原子に結合した水素原子を有さない）と、下記式（５１）で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有する第２のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒とを含む。第１，第２のオルガノポリシロキサンにおける珪素原子に結合したアリール基の各含有比率は２０モル％以下である。絶対分子量が２００００以上、１０００００以下である第１のオルガノポリシロキサンと絶対分子量が２０００以上、１００００以下である第１のオルガノポリシロキサンとの重量比は、１０：９０〜９０：１０である。
【解決手段】光半導体装置１用封止剤４は、下記式（１）で表され、かつ珪素原子に結合したアルケニル基を有する第１のオルガノポリシロキサン（但し、珪素原子に結合した水素原子を有さない）と、下記式（５１）で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有する第２のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒とを含む。第１，第２のオルガノポリシロキサンにおける珪素原子に結合したアリール基の各含有比率は２０モル％以下である。絶対分子量が２００００以上、１０００００以下である第１のオルガノポリシロキサンと絶対分子量が２０００以上、１００００以下である第１のオルガノポリシロキサンとの重量比は、１０：９０〜９０：１０である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体装置において光半導体素子を封止するために用いられる光半導体装置用封止剤、並びに該光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）装置などの光半導体装置の消費電力は低く、かつ寿命は長い。また、光半導体装置は、過酷な環境下でも使用され得る。従って、光半導体装置は、携帯電話用バックライト、液晶テレビ用バックライト、自動車用ランプ、照明器具及び看板などの幅広い用途で使用されている。
【０００３】
光半導体装置に用いられている発光素子である光半導体素子（例えばＬＥＤ）が大気と直接触れると、大気中の水分又は浮遊するごみ等により、光半導体素子の発光特性が急速に低下する。このため、上記光半導体素子は、通常、光半導体装置用封止剤により封止されている。
【０００４】
下記の特許文献１には、光半導体装置用封止剤として、水素添加ビスフェノールＡグリシジルエーテルと、脂環式エポキシモノマーと、潜在性触媒とを含むエポキシ樹脂材料が開示されている。このエポキシ樹脂材料は、熱カチオン重合により硬化する。
【０００５】
また、エポキシ樹脂を含む光半導体装置用封止剤だけでなく、シリコーン樹脂を含む光半導体装置用封止剤も広く用いられている。上記シリコーン樹脂に関しては、青色から紫外領域の短波長の光に対する透過性が高く、耐熱性及び耐光性に優れている。
【０００６】
しかしながら、上記シリコーン樹脂を含む封止剤を用いた場合には、封止剤の硬化物の表面がべたつくため、表面にごみなどの異物が付着しやすくなるという問題がある。また、硬化物の表面がべたつくと、パッケージ同士のくっ付き、及び実装時のピックアップノズルへの付着が生じて、光半導体装置の生産性が大きく低下するという問題がある。
【０００７】
一方で、下記の特許文献２に記載のように、架橋密度が高められたシリコーン樹脂を含む封止剤が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−０７３４５２号公報
【特許文献２】特開２００２−３１４１４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１，２に記載のような従来の光半導体装置用封止剤では、プリント基板等に実装する際のリフロー工程で封止剤が変色し、光度が低下するという問題がある。また、従来の光半導体装置用封止剤が、加熱と冷熱とを繰り返し受ける温度サイクル等の過酷な環境で使用されると、封止剤にクラックが生じたり、封止剤がハウジング材等から剥離したりすることがある。特に、従来の光半導体装置用封止剤では、耐熱性が低いという問題がある。
【００１０】
また、特許文献２に記載の封止剤では、該封止剤に含まれるシリコーン樹脂の架橋密度が高いので、硬化物の表面のべたつきが比較的少ない。しかし、硬化物の表面のべたつきがさらに一層抑制された封止剤が強く求められている。
【００１１】
本発明の目的は、表面のべたつきを抑制でき、かつ耐熱性に優れており、更に冷熱サイクル特性にも優れている光半導体装置用封止剤、並びに該光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の広い局面によれば、下記式（１）で表され、かつ珪素原子に結合したアルケニル基を有する第１のオルガノポリシロキサン（但し、珪素原子に結合した水素原子を有するオルガノポリシロキサンを除く）と、下記式（５１）で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有する第２のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒とを含み、上記第１のオルガノポリシロキサンが、珪素原子に結合したアリール基を有さないか又は珪素原子に結合したアリール基を有し、上記第１のオルガノポリシロキサンが珪素原子に結合したアリール基を有する場合には、上記第１のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｘ）より求められる珪素原子に結合したアリール基の含有比率が２０モル％以下であり、上記第２のオルガノポリシロキサンが、珪素原子に結合したアリール基を有さないか又は珪素原子に結合したアリール基を有し、上記第２のオルガノポリシロキサンが珪素原子に結合したアリール基を有する場合には、上記第２のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｘ）より求められる珪素原子に結合したアリール基の含有比率が２０モル％以下であり、上記第１のオルガノポリシロキサン全体における絶対分子量が２００００以上、１０００００以下である第１のオルガノポリシロキサンと絶対分子量が２０００以上、１００００以下である第１のオルガノポリシロキサンとの重量比が、１０：９０〜９０：１０である、光半導体装置用封止剤が提供される。
【００１３】
【化１】
【００１４】
上記式（１）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．３０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．７０〜１．０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．１０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、アルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。
【００１５】
【化２】
【００１６】
上記式（５１）中、ｐ、ｑ及びｒは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１０〜０．４０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１０〜０．５０及びｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．２０〜０．８０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個が水素原子を表し、水素原子以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。
【００１７】
珪素原子に結合したアリール基の含有比率（モル％）＝（上記第１のオルガノポリシロキサン又は上記第２のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合したアリール基の平均個数×アリール基の分子量／上記第１のオルガノポリシロキサン又は上記第２のオルガノポリシロキサンの数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｘ）
【００１８】
本発明に係る光半導体装置用封止剤では、上記第１のオルガノポリシロキサンが、珪素原子に結合したメチル基を有し、上記式（１）中、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、アルケニル基及びメチル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数２〜８の炭化水素基を表し、上記第２のオルガノポリシロキサンが、珪素原子に結合したメチル基を有し、上記式（５１）中、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個が珪素原子を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、珪素原子及びメチル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数２〜８の炭化水素基を表す。
【００１９】
上記第１のオルガノポリシロキサン及び上記第２のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｙ）より求められる珪素原子に結合したメチル基の含有比率がそれぞれ、８０モル％以上であることが好ましい。
【００２０】
珪素原子に結合したメチル基の含有比率（モル％）＝（上記第１のオルガノポリシロキサン又は上記第２のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合したメチル基の平均個数×メチル基の分子量／上記第１のオルガノポリシロキサン又は上記第２のオルガノポリシロキサンの数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｙ）
【００２１】
上記式（１）中、（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、Ｒ１がアルケニル基を表し、Ｒ２及びＲ３がアルケニル基又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す構造単位を含むことが好ましい。
【００２２】
上記第２のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合したビニル基を有することが好ましい。
【００２３】
本発明に係る光半導体装置は、光半導体素子と、該光半導体素子を封止するように設けられており、かつ本発明に従って構成された光半導体装置用封止剤とを備える。
【発明の効果】
【００２４】
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、式（１）で表され、かつ珪素原子に結合したアルケニル基を有する第１のオルガノポリシロキサン（但し、珪素原子に結合した水素原子を有するオルガノポリシロキサンを除く）と、式（５１）で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有する第２のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒とを含み、上記第１，第２のオルガノポリシロキサンにおける珪素原子に結合したアリール基の含有比率がそれぞれ０モル％以上、２０モル％以下であり、更に上記第１のオルガノポリシロキサン全体における絶対分子量が２００００以上、１０００００以下である第１のオルガノポリシロキサンと絶対分子量が２０００以上、１００００以下である第１のオルガノポリシロキサンとの重量比が１０：９０〜９０：１０であるので、封止剤の表面のべたつきを抑制できる。さらに、本発明に係る光半導体装置用封止剤の耐熱性及び冷熱サイクル特性も高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を示す正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００２７】
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、第１のオルガノポリシロキサンと、第２のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒とを含む。
【００２８】
上記第１のオルガノポリシロキサン（但し、珪素原子に結合した水素原子を有するオルガノポリシロキサンを除く）は、珪素原子に結合したアルケニル基を有する。上記第１のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合したアリール基を有さないか、又は珪素原子に結合したアリール基を有する。上記第２のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合した水素原子を有する。上記第２のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合したアリール基を有さないか、又は珪素原子に結合したアリール基を有する。
【００２９】
本発明では、上記第１のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｘ）より求められる珪素原子に結合したアリール基の含有比率及び上記第２のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｘ）より求められる珪素原子に結合したアリール基の含有比率はそれぞれ、２０モル％以下である。
【００３０】
珪素原子に結合したアリール基の含有比率（モル％）＝（上記第１のオルガノポリシロキサン又は上記第２のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合したアリール基の平均個数×アリール基の分子量／上記第１のオルガノポリシロキサン又は上記第２のオルガノポリシロキサンの数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｘ）
【００３１】
上記式（Ｘ）における第１のオルガノポリシロキサンの数平均分子量は、第１のオルガノポリシロキサン全体での数平均分子量を示す。
【００３２】
本発明では、上記第１のオルガノポリシロキサン全体における絶対分子量が２００００以上、１０００００以下である第１のオルガノポリシロキサン（以下、第１のオルガノポリシロキサンＡともいう）と絶対分子量が２０００以上、１００００以下である第１のオルガノポリシロキサン（以下、第１のオルガノポリシロキサンＢともいう）との重量比が、１０：９０〜９０：１０である。
【００３３】
特定の第１，第２のオルガノポリシロキサンとヒドロシリル化反応用触媒とを含み、かつ第１，第２のオルガノポリシロキサンにおける上記アリール基の各含有比率が０モル％以上、２０モル％以下であり、更に絶対分子量が特定の範囲内である第１のオルガノポリシロキサンＡと絶対分子量が特定の範囲内である第１のオルガノポリシロキサンＢとの重量比が１０：９０〜９０：１０である組成の採用により、光半導体装置用封止剤の表面のべたつきを充分に抑制できる。特に、第１ノオルガノポリシロキサン全体における第１のオルガノポリシロキサンＡと第１のオルガノポリシロキサンＢとの重量比が１０：９０〜９０：１０であることは、封止剤の表面のべたつきの抑制に大きく寄与する。
【００３４】
さらに、上記組成の採用により、封止剤の耐熱性も高くなる。また、上記組成の採用により、冷熱サイクル特性も高くなる。このため、封止剤を用いた光半導体装置が加熱と冷却とを繰り返し受ける過酷な環境で使用されても、封止剤にクラック及び剥離が生じ難くなる。特に、第１，第２のオルガノポリシロキサンにおける上記アリール基の各含有比率が２０モル％以下であることは、封止剤の耐熱性の向上に大きく寄与する。
【００３５】
封止剤の耐熱性をより一層高める観点からは、上記第１のオルガノポリシロキサン及び上記第２のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｙ）より求められる珪素原子に結合したメチル基の含有比率はそれぞれ、好ましくは５０モル％以上、より好ましくは８０モル％以上、９９モル％以下である。
【００３６】
珪素原子に結合したメチル基の含有比率（モル％）＝（上記第１のオルガノポリシロキサン又は上記第２のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合したメチル基の平均個数×メチル基の分子量／上記第１のオルガノポリシロキサン又は上記第２のオルガノポリシロキサンの数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｙ）
【００３７】
上記式（Ｙ）における第１のオルガノポリシロキサンの数平均分子量は、第１のオルガノポリシロキサン全体での数平均分子量を示す。
【００３８】
（第１のオルガノポリシロキサン）
本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれている第１のオルガノポリシロキサン（但し、珪素原子に結合した水素原子を有するオルガノポリシロキサンを除く）は、下記式（１）で表され、珪素原子に結合したアルケニル基を有する。上記第１のオルガノポリシロキサンは、アリール基を有さないか、又はアリール基を有する。上記第１のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつ珪素原子に結合したアルケニル基を有する第１のオルガノポリシロキサンである。上記第１のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合した水素原子を有さないので、第２のオルガノポリシロキサンとは異なる。上記アルケニル基は、珪素原子に直接結合している。上記第１のオルガノポリシロキサンが珪素原子に結合したアリール基を有する場合には、該アリール基は珪素原子に直接結合している。上記アリール基としては、無置換のフェニル基及び置換フェニル基が挙げられる。この特定の第１のオルガノポリシロキサンの使用により、ガスバリア性に優れた封止剤が得られる。上記第１のオルガノポリシロキサンは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３９】
【化３】
【００４０】
上記式（１）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．３０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．７０〜１．０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．１０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、アルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。なお、上記式（１）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位及び（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。
【００４１】
上記第１のオルガノポリシロキサンがアリール基を有する場合には、上記式（１）中、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、少なくとも１個がアリール基を表し、アルケニル基及びアリール基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。
【００４２】
上記式（１）は平均組成式を示す。上記式（１）における炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。上記式（１）中のＲ１〜Ｒ６は同一であってもよく、異なっていてもよい。
【００４３】
上記式（１）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位における酸素原子部分、（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位における酸素原子部分はそれぞれ、シロキサン結合を形成している酸素原子部分、アルコキシ基の酸素原子部分、又はヒドロキシ基の酸素原子部分を示す。
【００４４】
なお、一般に、上記式（１）の各構造単位において、アルコキシ基の含有量は少なく、更にヒドロキシ基の含有量も少ない。これは、一般に、第１のオルガノポリシロキサンを得るために、アルコキシシラン化合物などの有機珪素化合物を加水分解し、重縮合させると、アルコキシ基及びヒドロキシ基の多くは、シロキサン結合の部分骨格に変換されるためである。すなわち、アルコキシ基の酸素原子及びヒドロキシ基の酸素原子の多くは、シロキサン結合を形成している酸素原子に変換される。上記式（１）の各構造単位がアルコキシ基又はヒドロキシ基を有する場合には、シロキサン結合の部分骨格に変換されなかった未反応のアルコキシ基又はヒドロキシ基がわずかに残存していることを示す。後述の式（５１）の各構造単位がアルコキシ基又はヒドロキシ基を有する場合に関しても、同様のことが言える。
【００４５】
上記式（１）中、アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基及びヘキセニル基等が挙げられる。封止剤のガスバリア性をより一層高める観点からは、第１のオルガノポリシロキサンにおけるアルケニル基及び上記式（１）中のアルケニル基は、ビニル基又はアリル基であることが好ましく、ビニル基であることがより好ましい。
【００４６】
上記式（１）における炭素数１〜８の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔ−ペンチル基、イソへキシル基、シクロヘキシル基及びアリール基が挙げられる。
【００４７】
本発明に係る光半導体装置用封止剤では、上記第１のオルガノポリシロキサン全体における絶対分子量が２００００以上、１０００００以下である第１のオルガノポリシロキサンＡと絶対分子量が２０００以上、１００００以下である第１のオルガノポリシロキサンＢとの重量比（第１のオルガノポリシロキサンＡ：第２のオルガノポリシロキサンＢ）が、１０：９０〜９０：１０である。特定の第１のオルガノポリシロキサンＡ，Ｂを特定の上記重量比で用いることにより、封止剤の表面べたつきを顕著に抑制できる。さらに、封止剤の耐熱性及び冷熱サイクル特性を良好にすることができる。
【００４８】
封止剤の表面のべたつきをさらに一層抑制し、かつ封止剤の耐熱性及び冷熱サイクル特性をより一層良好にする観点からは、上記重量比（第１のオルガノポリシロキサンＡ：第２のオルガノポリシロキサンＢ）は、好ましくは２０：８０〜８０：２０、より好ましくは。３０：７０〜７０：３０である。
【００４９】
上記式（１）中、（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、Ｒ１がアルケニル基を表し、Ｒ２及びＲ３がアルケニル基又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す構造単位を含むことが好ましい。すなわち、上記式（１）中、（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、下記式（１−ａ）で表される構造単位を含むことが好ましい。（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、下記式（１−ａ）で表される構造単位のみを含んでいてもよく、下記式（１−ａ）で表される構造単位と下記式（１−ａ）で表される構造単位以外の構造単位とを含んでいてもよい。なお、下記式（１−ａ）で表される構造単位において、末端の酸素原子は、隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、末端の１つの酸素原子を「Ｏ１／２」とする。
【００５０】
【化４】
【００５１】
上記式（１−ａ）中、Ｒ１はアルケニル基を表し、Ｒ２及びＲ３はそれぞれアルケニル基又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す。Ｒ２及びＲ３はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表すことが好ましい。Ｒ２及びＲ３はそれぞれ、アリール基ではない炭素数１〜８の炭化水素基を表すことがより好ましい。
【００５２】
封止剤の表面のべたつきをより一層抑制する観点からは、上記式（１）中の全構造単位１００モル％中、（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位であって、Ｒ１がアルケニル基を表し、Ｒ２及びＲ３がアルケニル基又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す構造単位（上記式（１−ａ）で表される構造単位）の割合は、好ましくは０．１モル％以上、好ましくは５０モル％以下、より好ましくは４５モル％以下、更に好ましくは４０モル％以下である。
【００５３】
封止剤の耐熱性をより一層高める観点からは、上記第１のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合したメチル基を有することが好ましい。この場合には、上記式（１）中、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、アルケニル基及びメチル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数２〜８の炭化水素基を表す。
【００５４】
封止剤の耐熱性をより一層高める観点からは、上記第１のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｙ１）より求められる珪素原子に結合したメチル基の含有比率は、好ましくは５０モル％以上、より好ましくは８０モル％以上、９９モル％以下である。このメチル基の含有比率が８０モル％以上であると、封止剤の耐熱性がかなり高くなる。上記メチル基の含有比率が上記上限以下であると、上記第１のオルガノポリシロキサンにアルケニル基を十分に導入でき、封止剤の硬化性を高めることが容易である。
【００５５】
珪素原子に結合したメチル基の含有比率（モル％）＝（平均組成式が上記式（１）で表される第１のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合したメチル基の平均個数×メチル基の分子量／平均組成式が上記式（１）で表される第１のオルガノポリシロキサンの数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｙ１）
【００５６】
上記第１のオルガノポリシロキサンは珪素原子に結合したアリール基を有さないか、又は珪素原子に結合したアリール基を有する。上記第１のオルガノポリシロキサンが珪素原子に結合したアリール基を有する場合には、上記式（１）で表される第１のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｘ１）より求められる珪素原子に結合したアリール基の含有比率は２０モル％以下である。このアリール基の含有比率が２０モル％以下であると、封止剤の耐熱性が十分に高くなり、封止剤の剥離が生じ難くなる。封止剤の耐熱性をより一層高め、封止剤の剥離をより一層生じ難くする観点からは、珪素原子に結合したアリール基の含有比率は、好ましくは１５モル％以下、より好ましくは１０モル％以下である。
【００５７】
珪素原子に結合したアリール基の含有比率（モル％）＝（平均組成式が上記式（１）で表される第１のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合したアリール基の平均個数×アリール基の分子量／平均組成式が上記式（１）で表される第１のオルガノポリシロキサンの数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｘ１）
【００５８】
上記式（Ｘ１）におけるアリール基がフェニル基である場合には、アリール基の含有比率はフェニル基の含有比率を示す。
【００５９】
上記式（１）で表される第１のオルガノポリシロキサンにおいて、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位（以下、二官能構造単位ともいう）は、下記式（１−２）で表される構造、すなわち、二官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。
【００６０】
（Ｒ４Ｒ５ＳｉＸＯ１／２） ・・・式（１−２）
【００６１】
（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、下記式（１−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（１−２−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ４及びＲ５で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位に含まれる。具体的には、アルコキシ基がシロキサン結合の部分骨格に変換された場合には、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、下記式（１−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を示す。未反応のアルコキシ基が残存している場合、又はアルコキシ基がヒドロキシ基に変換された場合には、残存アルコキシ基又はヒドロキシ基を有する（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、下記式（１−２−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を示す。
【００６２】
【化５】
【００６３】
上記式（１−２）及び（１−２−ｂ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（１−ｂ）、（１−２）及び（１−２−ｂ）中のＲ４及びＲ５は、上記式（１）中のＲ４及びＲ５と同様の基である。
【００６４】
上記式（１）で表される第１のオルガノポリシロキサンにおいて、（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位（以下、三官能構造単位ともいう）は、下記式（１−３）又は（１−４）で表される構造、すなわち、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の２つがそれぞれヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。
【００６５】
（Ｒ６ＳｉＸ２Ｏ１／２） ・・・式（１−３）
（Ｒ６ＳｉＸＯ２／２） ・・・式（１−４）
【００６６】
（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位は、下記式（１−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（１−３−ｃ）又は（１−４−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ６で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位に含まれる。
【００６７】
【化６】
【００６８】
上記式（１−３）、（１−３−ｃ）、（１−４）及び（１−４−ｃ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（１−ｃ）、（１−３）、（１−３−ｃ）、（１−４）及び（１−４−ｃ）中のＲ６は、上記式（１）中のＲ６と同様の基である。
【００６９】
上記式（１−ｂ）及び（１−ｃ）、式（１−２）〜（１−４）、並びに式（１−２−ｂ）、（１−３−ｃ）及び（１−４−ｃ）において、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基としては特に限定されず、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基及びｔ−ブトキシ基が挙げられる。
【００７０】
上記式（１）中、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）は０以上、０．３０以下である。ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記上限以下であると、封止剤の耐熱性がより一層高くなり、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。上記式（１）中、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）は、好ましくは０．２５以下、より好ましくは０．２０以下である。なお、ａが０であり、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が０である場合、上記式（１）中、（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）の構造単位は存在しない。
【００７１】
上記式（１）中、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）は０．７０以上、１．０以下である。ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記下限以上であると、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。上記式（１）中、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）は、好ましくは０．７５以上、より好ましくは０．８０以上である。
【００７２】
上記式（１）中、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）は０以上、０．１０以下である。ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記上限以下であると、封止剤としての適正な粘度を維持することが容易であり、密着性がより一層高くなる。なお、ｃが０であり、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が０である場合、上記式（１）中、（Ｒ６ＳｉＯ３／２）の構造単位は存在しない。
【００７３】
上記式（１）中のｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）は、０であることが好ましい。すなわち、上記式（１）で表される第１のオルガノポリシロキサンは、下記式（１Ａ）で表される第１のオルガノポリシロキサンであることが好ましい。これにより、封止剤にクラックがより一層生じ難くなり、かつ封止剤がハウジング材等からより一層剥離し難くなる。
【００７４】
【化７】
【００７５】
上記式（１Ａ）中、ａ及びｂは、ａ／（ａ＋ｂ）＝０〜０．３０及びｂ／（ａ＋ｂ）＝０．７０〜１．０を満たし、Ｒ１〜Ｒ５は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、アルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。上記式（１Ａ）中、Ｒ１〜Ｒ５は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、アルケニル基及びメチル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数２〜８の炭化水素基を表すことが好ましい。
【００７６】
上記式（１Ａ）中、ａ／（ａ＋ｂ）は、好ましくは０．２５以下、より好ましくは０．２０以下である。上記式（１Ａ）中、ｂ／（ａ＋ｂ）は、好ましくは０．７５以上、より好ましくは０．８０以上である。
【００７７】
上記第１のオルガノポリシロキサンについて、テトラメチルシラン（以下、ＴＭＳ）を基準に２９Ｓｉ−核磁気共鳴分析（以下、ＮＭＲ）を行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記式（１）中の（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位に相当するピークは＋１０〜−５ｐｐｍ付近に現れ、上記式（１）中の（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）及び上記式（１−２）の二官能構造単位に相当する各ピークは−１０〜−５０ｐｐｍ付近に現れ、上記式（１）中の（Ｒ６ＳｉＯ３／２）、並びに上記式（１−３）及び上記式（１−４）の三官能構造単位に相当する各ピークは−５０〜−８０ｐｐｍ付近に現れる。
【００７８】
従って、２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって上記式（１）中の各構造単位の比率を測定できる。
【００７９】
但し、上記ＴＭＳを基準にした２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定で上記式（１）中の構造単位の見分けがつかない場合は、２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定結果だけではなく、１Ｈ−ＮＭＲの測定結果を必要に応じて用いることにより、上記式（１）中の各構造単位の比率を見分けることができる。
【００８０】
（第２のオルガノポリシロキサン）
本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれている第２のオルガノポリシロキサンは、下記式（５１）で表され、珪素原子に結合した水素原子を有する。上記第２のオルガノポリシロキサンは、アリール基を有さないか、又はアリール基を有する。該水素原子は、珪素原子に直接結合している。上記第２のオルガノポリシロキサンが珪素原子に結合したアリール基を有する場合には、該アリール基は珪素原子に直接結合している。該アリール基としては、無置換のフェニル基及び置換フェニル基が挙げられる。この特定の第２のオルガノポリシロキサンの使用により、ガスバリア性に優れた封止剤が得られる。上記第２のオルガノポリシロキサンは１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００８１】
【化８】
【００８２】
上記式（５１）中、ｐ、ｑ及びｒは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１０〜０．４０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１０〜０．５０及びｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．２０〜０．８０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個が珪素原子を表し、珪素原子以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。珪素原子以外のＲ５１〜Ｒ５６は、アリール基ではない炭素数１〜８の炭化水素基であることが好ましい。なお、上記式（５１）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位及び（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。
【００８３】
上記式（５１）は平均組成式を示す。上記式（５１）における炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。上記式（５１）中のＲ５１〜Ｒ５６は同一であってもよく、異なっていてもよい。
【００８４】
上記式（５１）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位における酸素原子部分、（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位における酸素原子部分はそれぞれ、シロキサン結合を形成している酸素原子部分、アルコキシ基の酸素原子部分、又はヒドロキシ基の酸素原子部分を示す。
【００８５】
上記式（５１）における炭素数１〜８の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔ−ペンチル基、イソへキシル基、シクロヘキシル基、ビニル基、アリル基及びアリール基が挙げられる。
【００８６】
封止剤の硬化性を高め、冷熱サイクルでのクラック及び剥離の発生をより一層抑制する観点からは、上記式（５１）中の（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、Ｒ５１が水素原子を表し、Ｒ５２及びＲ５３が水素原子又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す構造単位を含むことが好ましい。上記式（５１）中の（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、Ｒ５１が水素原子を表し、Ｒ５２及びＲ５３が炭素数１〜８の炭化水素基を表す構造単位を含むことがより好ましい。
【００８７】
すなわち、上記式（５１）中、（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、下記式（５１−ａ）で表される構造単位を含むことが好ましい。（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、下記式（５１−ａ）で表される構造単位のみを含んでいてもよく、下記式（５１−ａ）で表される構造単位と下記式（５１−ａ）で表される構造単位以外の構造単位とを含んでいてもよい。
【００８８】
【化９】
【００８９】
上記式（５１−ａ）中、Ｒ５２及びＲ５３はそれぞれ、水素原子又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す。Ｒ５２及びＲ５３はそれぞれ、アリール基ではない炭素数１〜８の炭化水素基を表すことが好ましい。
【００９０】
封止剤の硬化性を高め、冷熱サイクルでのクラック及び剥離の発生をより一層抑制する観点からは、上記式（５１）中の全構造単位１００モル％中、（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位であって、Ｒ５１が水素原子を表し、Ｒ５２及びＲ５３が水素原子又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す構造単位（上記式（５１−ａ）で表される構造単位）の割合は、好ましくは０.１モル％以上、より好ましくは１モル％以上、好ましくは５０モル％以下、より好ましくは４５モル％以下である。
【００９１】
封止剤の表面のべたつきをより一層低減する観点からは、第２のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合したアルケニル基を有することが好ましく、珪素原子に結合したビニル基を有することがより好ましい。この場合には、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個が珪素原子を表し、少なくとも１個がアルケニル基（又はビニル基）を表し、水素原子及びアルケニル基（又はビニル基）以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。
【００９２】
封止剤の耐熱性をより一層高める観点からは、上記第２のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合したメチル基を有することが好ましい。この場合には、上記式（５１）中、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個が珪素原子を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、珪素原子及びメチル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数２〜８の炭化水素基を表す。
【００９３】
封止剤の耐熱性をより一層高める観点からは、上記第２のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｙ５１）より求められる珪素原子に結合したメチル基の含有比率は、好ましくは５０モル％以上、より好ましくは８０モル％以上、好ましくは９９モル％以下である。このメチル基の含有比率が８０モル％以上であると、封止剤の耐熱性がかなり高くなる。上記メチル基の含有比率が上記上限以下であると、第２のオルガノポリシロキサンに珪素原子に結合した水素原子を十分に導入でき、封止剤の硬化性を高めることが容易である。
【００９４】
珪素原子に結合したメチル基の含有比率（モル％）＝（平均組成式が上記式（５１）で表される第２のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合したメチル基の平均個数×メチル基の分子量／平均組成式が上記式（５１）で表される第２のオルガノポリシロキサンの数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｙ５１）
【００９５】
上記第２のオルガノポリシロキサンは珪素原子に結合したアリール基を有さないか、又は上記第２のオルガノポリシロキサンが珪素原子に結合したアリール基を有する。上記第２のオルガノポリシロキサンが珪素原子に結合したアリール基を有する場合には、上記式（５１）で表される第２のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｘ５１）より求められる珪素原子に結合したアリール基の含有比率は２０モル％以下である。このアリール基の含有比率が２０モル％以下であると、封止剤の耐熱性が十分に高くなり、封止剤の剥離が生じ難くなる。封止剤の耐熱性をより一層高め、封止剤の剥離をより一層生じ難くする観点からは、珪素原子に結合したアリール基の含有比率は、好ましくは１５モル％以下、より好ましくは１０モル％以下である。
【００９６】
珪素原子に結合したアリール基の含有比率（モル％）＝（平均組成式が上記式（５１）で表される第２のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合したアリール基の平均個数×アリール基の分子量／平均組成式が上記式（５１）で表される第２のオルガノポリシロキサンの数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｘ５１）
【００９７】
上記式（Ｘ５１）におけるアリール基がフェニル基である場合には、アリール基の含有比率はフェニル基の含有比率を示す。
【００９８】
上記式（５１）で表される第２のオルガノポリシロキサンにおいて、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位（以下、二官能構造単位ともいう）は、下記式（５１−２）で表される構造、すなわち、二官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。
【００９９】
（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＸＯ１／２） ・・・式（５１−２）
【０１００】
（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、下記式（５１−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（５１−２−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ５４及びＲ５５で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位に含まれる。
【０１０１】
【化１０】
【０１０２】
上記式（５１−２）及び（５１−２−ｂ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（５１−ｂ）、（５１−２）及び（５１−２−ｂ）中のＲ５４及びＲ５５は、上記式（５１）中のＲ５４及びＲ５５と同様の基である。
【０１０３】
上記式（５１）で表される第２のオルガノポリシロキサンにおいて、（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位（以下、三官能構造単位ともいう）は、下記式（５１−３）又は（５１−４）で表される構造、すなわち、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の２つがそれぞれヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。
【０１０４】
（Ｒ５６ＳｉＸ２Ｏ１／２） ・・・式（５１−３）
（Ｒ５６ＳｉＸＯ２／２） ・・・式（５１−４）
【０１０５】
（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位は、下記式（５１−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（５１−３−ｃ）又は（５１−４−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ５６で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位に含まれる。
【０１０６】
【化１１】
【０１０７】
上記式（５１−３）、（５１−３−ｃ）、（５１−４）及び（５１−４−ｃ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（５１−ｃ）、（５１−３）、（５１−３−ｃ）、（５１−４）及び（５１−４−ｃ）中のＲ５６は、上記式（５１）中のＲ５６と同様の基である。
【０１０８】
上記式（５１−ｂ）及び（５１−ｃ）、式（５１−２）〜（５１−４）、並びに式（５１−２−ｂ）、（５１−３−ｃ）及び（５１−４−ｃ）において、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基としては特に限定されず、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基及びｔ−ブトキシ基が挙げられる。
【０１０９】
上記式（５１）中、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）は０．１０以上、０．４０以下である。ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記範囲内であると、封止剤の耐熱性がより一層高くなり、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。上記式（５１）中、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）は、好ましくは０．３５以下、より好ましくは０．３０以下、好ましく０．１５以上、より好ましくは０．２０以上である。
【０１１０】
上記式（５１）中、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）は０．１０以上、０．５０以下である。ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記上限以下であると、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。上記式（５１）中、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）は、好ましくは０．４０以下、より好ましくは０．３０以下である。
【０１１１】
上記式（５１）中、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）は０．２０以上、０．８０以下である。ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記上限以下であると、封止剤としての適正な粘度を維持することが容易であり、密着性がより一層高くなる。上記式（５１）中、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）は、好ましくは０．７０以下、より好ましくは０．６０以下である。
【０１１２】
上記第２のオルガノポリシロキサンについて、テトラメチルシラン（以下、ＴＭＳ）を基準に２９Ｓｉ−核磁気共鳴分析（以下、ＮＭＲ）を行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記式（５１）中の（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位に相当するピークは＋１０〜−５ｐｐｍ付近に現れ、上記式（５１）中の（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）及び上記式（５１−２）の二官能構造単位に相当する各ピークは−１０〜−５０ｐｐｍ付近に現れ、上記式（５１）中の（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）、並びに上記式（５１−３）及び上記式（５１−４）の三官能構造単位に相当する各ピークは−５０〜−８０ｐｐｍ付近に現れる。
【０１１３】
従って、２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって上記式（５１）中の各構造単位の比率を測定できる。
【０１１４】
但し、上記ＴＭＳを基準にした２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定で上記式（５１）中の構造単位の見分けがつかない場合は、２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定結果だけではなく、１Ｈ−ＮＭＲの測定結果を必要に応じて用いることにより、上記式（５１）中の各構造単位の比率を見分けることができる。
【０１１５】
上記第１のオルガノポリシロキサン１００重量部に対して、上記第２のオルガノポリシロキサンの含有量は１０重量部以上、４００重量部以下であることが好ましい。上記第１，第２のオルガノポリシロキサンの含有量がこの範囲内であると、ガスバリア性により一層優れた封止剤が得られる。ガスバリア性に更に一層優れた封止剤を得る観点からは、上記第１のオルガノポリシロキサン１００重量部に対して、上記第２のオルガノポリシロキサンの含有量は、より好ましくは３０重量部以上、更に好ましくは５０重量部以上、より好ましくは３００重量部以下、更に好ましくは２００重量部以下である。
【０１１６】
（第１，第２のオルガノポリシロキサンの他の性質及びその合成方法）
上記第１，第２のオルガノポリシロキサンにおけるアルコキシ基の含有量は、好ましくは０．５モル％以上、より好ましくは１モル％以上、好ましくは１０モル％以下、より好ましくは５モル％以下である。アルコキシ基の含有量が上記下限以上であると、封止剤の密着性が高くなる。アルコキシ基の含有量が上記上限以下であると、上記第１，第２のオルガノポリシロキサン及び封止剤の貯蔵安定性が高くなり、封止剤の耐熱性がより一層高くなる。
【０１１７】
上記アルコキシ基の含有量は、第１，第２のオルガノポリシロキサンの平均組成式中に含まれるアルコキシ基の量を意味する。
【０１１８】
上記第１，第２のオルガノポリシロキサンはシラノール基を含有しないほうが好ましい。上記第１，第２のオルガノポリシロキサンがシラノール基を含有しないと、第１，第２のオルガノポリシロキサン及び封止剤の貯蔵安定性が高くなる。上記シラノール基は、真空下での加熱により減少させることができる。シラノール基の含有量は、赤外分光法を用いて測定できる。
【０１１９】
上記第１のオルガノポリシロキサンの数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１０００以上、より好ましくは２０００以上、好ましくは５００００以下、より好ましくは１５０００以下である。数平均分子量が上記下限以上であると、熱硬化時に揮発成分が少なくなり、高温環境下で封止剤の硬化物の厚みが減少しにくくなる。数平均分子量が上記上限以下であると、粘度調節が容易である。上記第１のオルガノポリシロキサンの数平均分子量（Ｍｎ）は、第１のオルガノポリシロキサン全体での数平均分子量である。
【０１２０】
上記第２のオルガノポリシロキサンの数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは５００以上、より好ましくは８００以上、更に好ましくは１０００以上、好ましくは５００００以下、より好ましくは１５０００以下である。数平均分子量が上記下限以上であると、熱硬化時に揮発成分が少なくなり、高温環境下で封止剤の硬化物の厚みが減少しにくくなる。数平均分子量が上記上限以下であると、粘度調節が容易である。
【０１２１】
上記数平均分子量（Ｍｎ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて、ポリスチレンを標準物質して求めた値である。上記数平均分子量（Ｍｎ）は、Ｗａｔｅｒｓ社製の測定装置（カラム：昭和電工社製 Ｓｈｏｄｅｘ ＧＰＣ ＬＦ−８０４（長さ３００ｍｍ）を２本、測定温度：４０℃、流速：１ｍＬ／分、溶媒：テトラヒドロフラン、標準物質：ポリスチレン）を用いて測定された値を意味する。
【０１２２】
上記第１オルガノポリシロキサンＡの絶対分子量は好ましくは２５０００以上、更に好ましくは３００００以上、好ましくは８００００以下、より好ましくは６００００以下である。絶対分子量が上記下限以上であると封止剤表面のべたつきを大きく低減でき、上記上限以下であると封止剤としての適正な粘度を維持することが容易である。
【０１２３】
上記第１オルガノポリシロキサンＢの絶対分子量は好ましくは３５００以上、より好ましくは５０００以上、好ましくは８０００以下、より好ましくは７０００以下である。絶対分子量が上記下限以上であると封止剤表面のべたつきを大きく低減でき、上記上限以下であると封止剤としての適正な粘度を維持することが容易である。
【０１２４】
上記絶対分子量は上記数平均分子量（Ｍｎ）と同じ装置に多角度光散乱検出器（商品名「ｍｉｎｉ ＤＡＷＮ Ｔｒｉｓｔａｒ」、Ｗｙａｔｔ社製）を取り付けて測定された値を意味する。
【０１２５】
上記第１，第２のオルガノポリシロキサンを合成する方法としては特に限定されず、アルコキシシラン化合物を加水分解し縮合反応させる方法、及びクロロシラン化合物を加水分解し縮合させる方法が挙げられる。なかでも、反応の制御の観点からアルコキシシラン化合物を加水分解し縮合させる方法が好ましい。
【０１２６】
アルコキシシラン化合物を加水分解し縮合させる方法としては、例えば、アルコキシシラン化合物を、水と酸性触媒又は塩基性触媒との存在下で反応させる方法が挙げられる。また、ジシロキサン化合物を加水分解して用いてもよい。
【０１２７】
上記第１のオルガノポリシロキサンにアルケニル基を導入するための有機珪素化合物としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、メトキシジメチルビニルシラン、ビニルジメチルエトキシシラン及び１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。
【０１２８】
上記第２のオルガノポリシロキサンに珪素原子に結合した水素原子を導入するための有機珪素化合物としては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、及び１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。
【０１２９】
上記第１，第２のオルガノポリシロキサンを得るために用いることができる他の有機珪素化合物としては、例えば、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、イソプロピル（メチル）ジメトキシシラン、シクロヘキシル（メチル）ジメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン及びオクチルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【０１３０】
上記第１，第２のオルガノポリシロキサンに必要に応じてアリール基を導入するための有機珪素化合物としては、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、メチル（フェニル）ジメトキシシラン、及びフェニルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【０１３１】
上記酸性触媒としては、例えば、無機酸、有機酸、無機酸の酸無水物及びその誘導体、並びに有機酸の酸無水物及びその誘導体が挙げられる。
【０１３２】
上記無機酸としては、例えば、塩酸、リン酸、ホウ酸及び炭酸が挙げられる。上記有機酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フマル酸、マレイン酸及びオレイン酸が挙げられる。
【０１３３】
上記塩基性触媒としては、例えば、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属のアルコキシド及びアルカリ金属のシラノール化合物が挙げられる。
【０１３４】
上記アルカリ金属の水酸化物としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び水酸化セシウムが挙げられる。上記アルカリ金属のアルコキシドとしては、例えば、ナトリウム−ｔ−ブトキシド、カリウム−ｔ−ブトキシド及びセシウム−ｔ−ブトキシドが挙げられる。
【０１３５】
上記アルカリ金属のシラノール化合物としては、例えば、ナトリウムシラノレート化合物、カリウムシラノレート化合物及びセシウムシラノレート化合物が挙げられる。なかでも、カリウム系触媒又はセシウム系触媒が好ましい。
【０１３６】
（ヒドロシリル化反応用触媒）
本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれているヒドロシリル化反応用触媒は、上記第１のオルガノポリシロキサン中の珪素原子に結合したアルケニル基と、上記第２のオルガノポリシロキサン中の珪素原子に結合した水素原子とをヒドロシリル化反応させる触媒である。
【０１３７】
上記ヒドロシリル化反応用触媒として、ヒドロシリル化反応を進行させる各種の触媒を用いることができる。上記ヒドロシリル化反応用触媒は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１３８】
上記ヒドロシリル化反応用触媒としては、例えば、白金系触媒、ロジウム系触媒及びパラジウム系触媒等が挙げられる。封止剤の透明性が高くなるため、白金系触媒が好ましい。
【０１３９】
上記白金系触媒としては、白金粉末、塩化白金酸、白金−アルケニルシロキサン錯体、白金−オレフィン錯体及び白金−カルボニル錯体が挙げられる。特に、白金−アルケニルシロキサン錯体又は白金−オレフィン錯体が好ましい。
【０１４０】
上記白金−アルケニルシロキサン錯体におけるアルケニルシロキサンとしては、例えば、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、及び１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。上記白金−オレフィン錯体におけるオレフィンとしては、例えば、アリルエーテル及び１，６−ヘプタジエン等が挙げられる。
【０１４１】
上記白金−アルケニルシロキサン錯体及び白金−オレフィン錯体の安定性が向上するため、上記白金−アルケニルシロキサン錯体又は白金−オレフィン錯体に、アルケニルシロキサン、オルガノシロキサンオリゴマー、アリルエーテル又はオレフィンを添加することが好ましい。上記アルケニルシロキサンは、好ましくは１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンである。上記オルガノシロキサンオリゴマーは、好ましくはジメチルシロキサンオリゴマーである。上記オレフィンは、好ましくは１，６−ヘプタジエンである。
【０１４２】
上記ヒドロシリル化反応用触媒は、白金アルケニル錯体を含有することが好ましい。上記白金系触媒は、白金アルケニル錯体とリン化合物との混合物であることが好ましい。すなわち、上記白金系触媒は、白金アルケニル錯体とリン化合物とを含有することが好ましい。上記白金アルケニル錯体は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１４３】
特定の上記第１，第２のオルガノポリシロキサンと、白金アルケニル錯体及びリン化合物の混合物である白金系触媒との併用とにより、封止剤のガスバリア性がより一層高くなる。さらに、硬化した封止剤にクラックが生じ難くなり、かつ封止剤はハウジング材等から剥離し難くなる。
【０１４４】
また、従来の光半導体装置用封止剤では、プリント基板等に実装する際のリフロー工程で封止剤が変色し、光度が低下するという問題がある。これに対して、特定の上記第１，第２のオルガノポリシロキサンと、白金アルケニル錯体及びリン化合物の混合物である白金系触媒との併用により、リフロー工程などの過酷な条件に晒されても、封止剤が変色し難くなる。また、白金アルケニル錯体とリン化合物との混合物である白金系触媒の使用により、封止剤の透明性を高くすることもできる。
【０１４５】
上記リン化合物としては、トリフェニルフォスフィン、トリシクロヘキシルフォスフィン及びトリエチルフォスフィン等が挙げられる。過酷な条件に晒されてもより一層変色し難い封止剤を得る観点からは、上記リン化合物は、トリフェニルフォスフィンであることが好ましい。
【０１４６】
封止剤中で、上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量は、金属原子（金属原子が白金元素である場合には白金元素）の重量単位で０．０１ｐｐｍ以上、１０００ｐｐｍ以下であることが好ましい。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量が０．０１ｐｐｍ以上であると、封止剤を十分に硬化させることが容易であり、更に封止剤のガスバリア性がより一層高くなる。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量が１０００ｐｐｍ以下であると、封止剤の着色の問題が生じ難い。封止剤中で上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量は、金属原子の重量単位で、より好ましくは１ｐｐｍ以上、より好ましくは５００ｐｐｍ以下である。
【０１４７】
白金アルケニル錯体とリン化合物との混合物である白金系触媒を用いる場合には、該白金系触媒は、白金元素と上記リン化合物とを重量比で、０．１：９９．９〜９９．９〜０．１で含むことが好ましく、１：９９〜２０：８０で含むことがより好ましい。
【０１４８】
（酸化珪素粒子）
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、酸化珪素粒子をさらに含むことが好ましい。この酸化珪素粒子の使用により、封止剤の硬化物の耐熱性及び耐光性を損なうことなく、硬化前の封止剤の粘度を適当な範囲に調整できる。従って、封止剤の取り扱い性を高めることができる。また、上記酸化珪素粒子は、有機珪素化合物により表面処理されていることが好ましい。この表面処理により、酸化珪素粒子の分散性が非常に高くなり、硬化前の封止剤の温度上昇による粘度の低下をより一層抑制できる。
【０１４９】
上記酸化珪素粒子の一次粒子径は、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは８ｎｍ以上、好ましくは２００ｎｍ以下、より好ましくは１５０ｎｍ以下である。上記酸化珪素粒子の一次粒子径が上記下限以上であると、酸化珪素粒子の分散性がより一層高くなり、封止剤の硬化物の透明性がより一層高くなる。上記酸化珪素粒子の一次粒子径が上記上限以下であると、２５℃における粘度の上昇効果を充分に得ることができ、かつ温度上昇における粘度の低下を抑制できる。
【０１５０】
上記酸化珪素粒子の一次粒子径は、以下のようにして測定される。光半導体装置用封止剤の硬化物を透過型電子顕微鏡（商品名「ＪＥＭ−２１００」、日本電子社製）を用いて観察する。視野中の１００個の酸化珪素粒子の一次粒子の大きさをそれぞれ測定し、測定値の平均値を一次粒子径とする。上記一次粒子径は、上記酸化珪素粒子が球形である場合には酸化珪素粒子の直径の平均値を意味し、非球形である場合には酸化珪素粒子の長径の平均値を意味する。
【０１５１】
上記酸化珪素粒子のＢＥＴ比表面積は、好ましくは３０ｍ２／ｇ以上、好まししくは４００ｍ２／ｇ以下である。上記酸化珪素粒子のＢＥＴ比表面積が上記下限以上であると、封止剤の２５℃における粘度を好適な範囲に制御でき、温度上昇における粘度の低下を抑制できる。上記酸化珪素粒子のＢＥＴ比表面積が上記上限以下であると、酸化珪素粒子の凝集が生じ難くなり、酸化珪素粒子の分散性がより一層高くなり、更に封止剤の硬化物の透明性がより一層高くなる。
【０１５２】
上記酸化珪素粒子としては特に限定されず、例えば、フュームドシリカ、溶融シリカ等の乾式法で製造されたシリカ、並びにコロイダルシリカ、ゾルゲルシリカ、沈殿シリカ等の湿式法で製造されたシリカ等が挙げられる。なかでも、揮発成分が少なく、かつ透明性がより一層高い封止剤を得る観点からは、上記酸化珪素粒子として、フュームドシリカが好適に用いられる。
【０１５３】
上記フュームドシリカとしては、例えば、Ａｅｒｏｓｉｌ ５０（比表面積：５０ｍ２／ｇ）、Ａｅｒｏｓｉｌ ９０（比表面積：９０ｍ２／ｇ）、Ａｅｒｏｓｉｌ １３０（比表面積：１３０ｍ２／ｇ）、Ａｅｒｏｓｉｌ ２００（比表面積：２００ｍ２／ｇ）、Ａｅｒｏｓｉｌ ３００（比表面積：３００ｍ２／ｇ）、及びＡｅｒｏｓｉｌ ３８０（比表面積：３８０ｍ２／ｇ）（いずれも日本アエロジル社製）等が挙げられる。
【０１５４】
上記有機珪素化合物としては特に限定されず、例えば、アルキル基を有するシラン系化合物、ジメチルシロキサン等のシロキサン骨格を有する珪素系化合物、アミノ基を有する珪素系化合物、（メタ）アクリロイル基を有する珪素系化合物、及びエポキシ基を有する珪素系化合物等が挙げられる。上記「（メタ）アクリロイル基」は、アクリロイル基とメタクリロイル基とを意味する。
【０１５５】
酸化珪素粒子の分散性をさらに一層高める観点からは、酸化珪素粒子は、ジメチルシリル基を有する有機ケイ素化合物、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物及びポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物からなる群から選択された少なくとも１種により表面処理されていることが好ましい。上記酸化珪素粒子を表面処理するための上記有機珪素化合物は、ジメチルシリル基を有する有機ケイ素化合物、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物及びポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物からなる群から選択された少なくとも１種であることが好ましい。
【０１５６】
有機珪素化合物により表面処理する方法の一例として、ジメチルシリル基を有する有機ケイ素化合物又はトリメチルシリル基を有する有機珪素化合物を用いる場合には、例えば、ジクロロジメチルシラン、ジメチルジメトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルシリルクロライド及びトリメチルメトキシシラン等を用いて、酸化珪素粒子を表面処理する方法が挙げられる。ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物を用いる場合には、ポリジメチルシロキサン基の末端にシラノール基を有する化合物及び環状シロキサン等を用いて、酸化珪素粒子を表面処理する方法が挙げられる。
【０１５７】
上記ジメチルシリル基を有する有機ケイ素化合物により表面処理された酸化ケイ素粒子の市販品としては、Ｒ９７４（比表面積：１７０ｍ２／ｇ）、及びＲ９６４（比表面積：２５０ｍ２／ｇ）（いずれも日本アエロジル社製）等が挙げられる。
【０１５８】
上記トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子の市販品としては、ＲＸ２００（比表面積：１４０ｍ２／ｇ）、及びＲ８２００（比表面積：１４０ｍ２／ｇ）（いずれも日本アエロジル社製）等が挙げられる。
【０１５９】
上記ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子の市販品としては、ＲＹ２００（比表面積：１２０ｍ２／ｇ）（日本アエロジル社製）等が挙げられる。
【０１６０】
上記有機珪素化合物により酸化珪素粒子を表面処理する方法は特に限定されない。この方法としては、例えば、ミキサー中に酸化珪素粒子を添加し、攪拌しながら有機珪素化合物を添加する乾式法、酸化珪素粒子のスラリー中に有機珪素化合物を添加するスラリー法、並びに、酸化珪素粒子の乾燥後に有機珪素化合物をスプレー付与するスプレー法などの直接処理法等が挙げられる。上記乾式法で用いられるミキサーとしては、ヘンシェルミキサー及びＶ型ミキサー等が挙げられる。上記乾式法では、有機珪素化合物は、直接、又は、アルコール水溶液、有機溶媒溶液若しくは水溶液として添加される。
【０１６１】
上記有機珪素化合物により表面処理されている酸化珪素粒子を得るために、光半導体装置用封止剤を調製する際に、酸化珪素粒子と上記第１，第２のオルガノポリシロキサン等のマトリクス樹脂との混合時に、有機珪素化合物を直接添加するインテグレルブレンド法等を用いてもよい。
【０１６２】
上記第１のオルガノポリシロキサンと上記第２のオルガノポリシロキサンとの合計１００重量部に対して、上記酸化珪素粒子の含有量は好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは０．５重量部以上、更に好ましくは１重量部以上、好ましくは４０重量部以下、更に好ましくは３５重量部以下、特に好ましくは２０重量部以下である。上記酸化珪素粒子の含有量が上記下限以上であると、硬化時の粘度低下を抑制することが可能になる。上記酸化珪素粒子の含有量が上記上限以下であると、封止剤の粘度をより一層適正な範囲に制御でき、かつ封止剤の透明性をより一層高めることができる。
【０１６３】
（蛍光体）
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、蛍光体をさらに含んでいてもよい。封止剤が予め蛍光体を含んでいても、該蛍光体は沈降し難い。
【０１６４】
また、本発明に係る光半導体装置用封止剤は、蛍光体を含んでいなくてもよい。この場合には、封止剤は、使用時に蛍光体が添加されて、用いられ得る。封止剤に蛍光体が添加されても、添加された蛍光体は沈降し難い。
【０１６５】
上記蛍光体は、光半導体装置用封止剤を用いて封止する発光素子が発する光を吸収し、蛍光を発生することによって、最終的に所望の色の光を得ることができるように作用する。上記蛍光体は、発光素子が発する光によって励起され、蛍光を発し、発光素子が発する光と蛍光体が発する蛍光との組み合わせによって、所望の色の光を得ることができる。
【０１６６】
例えば、発光素子として紫外線ＬＥＤチップを使用して最終的に白色光を得ることを目的とする場合には、青色蛍光体、赤色蛍光体及び緑色蛍光体を組み合わせて用いることが好ましい。発光素子として青色ＬＥＤチップを使用して最終的に白色光を得ることを目的とする場合には、緑色蛍光体及び赤色蛍光体を組み合わせて用いるか、又は、黄色蛍光体を用いることが好ましい。上記蛍光体は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１６７】
上記青色蛍光体としては特に限定されず、例えば、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、（Ｂａ、Ｓｒ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ、（Ｓｒ、Ｂａ）３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ等が挙げられる。
【０１６８】
上記赤色蛍光体としては特に限定されず、例えば、（Ｓｒ、Ｃａ）Ｓ：Ｅｕ、（Ｃａ、Ｓｒ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ２：Ｅｕ、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、ＬｉＷ２Ｏ８：（Ｅｕ、Ｓｍ）、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂｓ、Ｍｇ）１０（ＰＯ４）８Ｃｌ２：（Ｅｕ、Ｍｎ）、Ｂａ３ＭｇＳｉ２Ｏ８：（Ｅｕ、Ｍｎ）等が挙げられる。
【０１６９】
上記緑色蛍光体としては特に限定されず、例えば、Ｙ３（Ａｌ、Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ、Ｃａ３Ｓｃ２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ、ＳｒＳｉＯＮ：Ｅｕ、ＺｎＳ：（Ｃｕ、Ａｌ）、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７（Ｅｕ、Ｍｎ）、ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ等が挙げられる。
【０１７０】
上記黄色蛍光体としては特に限定されず、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ、Ｇｄ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、Ｔｂ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、ＣａＧａ２Ｓ４：Ｅｕ、Ｓｒ２ＳｉＯ４：Ｅｕ等が挙げられる。
【０１７１】
さらに、上記蛍光体としては、有機蛍光体であるペリレン系化合物等が挙げられる。
【０１７２】
上記蛍光体の体積平均粒径は、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは２μｍ以上、好ましくは３０μｍ以下、より好ましくは２５μｍ以下である。
【０１７３】
所望の色の光を得るように、上記蛍光体の含有量は適宜調整でき、特に限定されない。本発明に係る光半導体装置用封止剤１００重量部に対して、上記蛍光体の含有量は、０．１重量部以上、４０重量部以下であることが好ましい。光半導体装置用封止剤の蛍光体を除く全成分１００重量部に対して、上記蛍光体の含有量は０．１重量部以上、４０重量部以下であることが好ましい。
【０１７４】
（カップリング剤）
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、接着性を付与するために、カップリング剤をさらに含んでいてもよい。
【０１７５】
上記カップリング剤としては特に限定されず、例えば、シランカップリング剤等が挙げられる。該シランカップリング剤としては、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、及びＮ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。カップリング剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１７６】
（他の成分）
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、必要に応じて、分散剤、酸化防止剤、消泡剤、着色剤、変性剤、レベリング剤、光拡散剤、熱伝導性フィラー又は難燃剤等の添加剤をさらに含んでいてもよい。
【０１７７】
なお、上記第１のオルガノポリシロキサンと、上記第２のオルガノポリシロキサンと、上記ヒドロシリル化反応用触媒とは、これらを１種又は２種以上含む液を別々に調製しておき、使用直前に複数の液を混合して、本発明に係る光半導体装置用封止剤を調製してもよい。例えば、上記第１のオルガノポリシロキサン及びヒドロシリル化反応用触媒を含むＡ液と、第２のオルガノポリシロキサンを含むＢ液とを別々に調製しておき、使用直前にＡ液とＢ液を混合して、本発明に係る光半導体装置用封止剤を調製してもよい。酸化珪素粒子又は蛍光体を用いる場合には、酸化珪素粒子と蛍光体とはそれぞれ、Ａ液に添加してもよく、Ｂ液に添加してもよい。このように上記第１のオルガノポリシロキサン及び上記ヒドロシリル化反応用触媒と上記第２のオルガノポリシロキサンとを別々に、第１の液と第２の液との２液にすることによって保存安定性を向上させることができる。
【０１７８】
（光半導体装置用封止剤の詳細及び用途）
本発明に係る光半導体装置用封止剤の硬化温度は特に限定されない。光半導体装置用封止剤の硬化温度は、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１００℃以上、好ましくは１８０℃以下、より好ましくは１５０℃以下である。硬化温度が上記下限以上であると、封止剤の硬化が充分に進行する。硬化温度が上記上限以下であると、パッケージの熱劣化が起こり難い。
【０１７９】
硬化方式として、特に限定されないが、ステップキュア方式を用いることが好ましい。ステップキュア方式は、一旦低温で仮硬化させておき、その後に高温で硬化させる方法である。ステップキュア方式の使用により、封止剤の硬化収縮が抑えられる。
【０１８０】
本発明に係る光半導体装置用封止剤の製造方法としては特に限定されず、例えば、ホモディスパー、ホモミキサー、万能ミキサー、プラネタリウムミキサー、ニーダー、三本ロール又はビーズミル等の混合機を用いて、常温又は加温下で、上記第１のオルガノポリシロキサン、上記第２のオルガノポリシロキサン、上記ヒドロシリル化反応用触媒、及び必要に応じて配合される他の成分を混合する方法等が挙げられる。
【０１８１】
上記発光素子としては、半導体を用いた発光素子であれば特に限定されず、例えば、上記発光素子が発光ダイオードである場合、例えば、基板上にＬＥＤ形式用半導体材料を積層した構造が挙げられる。この場合、半導体材料としては、例えば、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＡｌＮ、及びＳｉＣ等が挙げられる。
【０１８２】
上記基板の材料としては、例えば、サファイア、スピネル、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ、及びＧａＮ単結晶等が挙げられる。また、必要に応じ基板と半導体材料との間にバッファー層が形成されていてもよい。上記バッファー層の材料としては、例えば、ＧａＮ及びＡｌＮ等が挙げられる。
【０１８３】
本発明に係る光半導体装置としては、具体的には、例えば、発光ダイオード装置、半導体レーザー装置及びフォトカプラ等が挙げられる。このような光半導体装置は、例えば、液晶ディスプレイ等のバックライト、照明、各種センサー、プリンター及びコピー機等の光源、車両用計測器光源、信号灯、表示灯、表示装置、面状発光体の光源、ディスプレイ、装飾、各種ライト並びにスイッチング素子等に好適に用いられる。
【０１８４】
本発明に係る光半導体装置では、本発明に係る光半導体装置用封止剤の硬化物により、光半導体により形成された発光素子が封止されている。本発明に係る光半導体装置では、ＬＥＤなどの光半導体により形成された発光素子を封止するように、光半導体装置用封止剤の硬化物が配置されている。このため、発光素子を封止している光半導体装置用封止剤の硬化物にクラックが生じ難く、パッケージからの剥離が生じ難く、かつ封止剤の光透過性、耐熱性、耐候性及びガスバリア性を高めることができる。
【０１８５】
（光半導体装置の実施形態）
図１は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を示す正面断面図である。
【０１８６】
本実施形態の光半導体装置１は、ハウジング２を有する。ハウジング２内にＬＥＤからなる光半導体素子３が実装されている。この光半導体素子３の周囲を、ハウジング２の光反射性を有する内面２ａが取り囲んでいる。本実施形態では、光半導体により形成された発光素子として、光半導体素子３が用いられている。
【０１８７】
内面２ａは、内面２ａの径が開口端に向かうにつれて大きくなるように形成されている。従って、光半導体素子３から発せられた光のうち、内面２ａに到達した光が内面２ａにより反射され、光半導体素子３の前方側に進行する。光半導体素子３を封止するように、内面２ａで囲まれた領域内には、光半導体装置用封止剤４が充填されている。
【０１８８】
なお、図１に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、光半導体装置の実装構造等には適宜変形され得る。
【０１８９】
以下に、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。
【０１９０】
（合成例１）第１のオルガノポリシロキサンＡの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン４８６ｇ、及び１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン１．２ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム２．２ｇを水１４４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸２．４ｇを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ａ）を得た。
【０１９１】
得られたポリマー（Ａ）の絶対分子量は５９３００であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ａ）は、下記の平均組成式（Ａ１）を有していた。
【０１９２】
（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．９９（ＶｉＭｅＳｉＯ１／２）０．００４ …式（Ａ１）
【０１９３】
上記式（Ａ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｖｉはビニル基を示す。
【０１９４】
得られたポリマー（Ａ）のメチル基の含有比率は９９モル％であった。
【０１９５】
なお、合成例１及び後述の合成例で得られた各ポリマーの絶対分子量は、１０ｍｇにテトラヒドロフラン１ｍＬを加え、溶解するまで攪拌し、多角度光散乱検出器（商品名「ｍｉｎｉ ＤＡＷＮ Ｔｒｉｓｔａｒ」、Ｗｙａｔｔ社製）を取り付けたＧＰＣ測定により測定した。ＧＰＣ測定では、Ｗａｔｅｒｓ社製の測定装置（カラム：昭和電工社製 Ｓｈｏｄｅｘ ＧＰＣ ＬＦ−８０４（長さ３００ｍｍ）×２本、測定温度：４０℃、流速：１ｍＬ／ｍｉｎ、溶媒：テトラヒドロフラン、標準物質：ポリスチレン）を用いた。
【０１９６】
（合成例２）第１のオルガノポリシロキサンＡの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン４５６ｇ、ジフェニルジメトキシシラン４８．８ｇ、及び１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン２．２ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム２．２ｇを水１４４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸２．４ｇを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｂ）を得た。
【０１９７】
得られたポリマーの絶対分子量は３８５００であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｂ）は、下記の平均組成式（Ｂ１）を有していた。
【０１９８】
（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．９５（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．０４５（ＶｉＭｅＳｉＯ１／２）０．００８ …式（Ｂ１）
【０１９９】
上記式（Ｂ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。
【０２００】
得られたポリマー（Ｂ）のメチル基の含有比率は９０モル％、フェニル基の含有比率は９モル％であった。
【０２０１】
（合成例３）第１のオルガノポリシロキサンＡの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン４５７ｇ、ジフェニルジメトキシシラン４８．８ｇ、及び１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン１．２ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム２．２ｇを水１４４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸２．４ｇを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｃ）を得た。
【０２０２】
得られたポリマーの絶対分子量は５８７００であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｃ）は、下記の平均組成式（Ｃ１）を有していた。
【０２０３】
（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．９５（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．０４５（ＶｉＭｅＳｉＯ１／２）０．００４ …式（Ｃ１）
上記式（Ｃ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。
【０２０４】
得られたポリマー（Ｃ）のメチル基の含有比率は９０モル％、フェニル基の含有比率は９モル％であった。
【０２０５】
（合成例４）第１のオルガノポリシロキサンＡの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン４５８ｇ、ジフェニルジメトキシシラン４８．８ｇ、及び１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン０．６ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム２．２ｇを水１４４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸２．４ｇを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｄ）を得た。
【０２０６】
得られたポリマーの絶対分子量は８３４００であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｄ）は、下記の平均組成式（Ｄ１）を有していた。
【０２０７】
（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．９５（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．０４５（ＶｉＭｅＳｉＯ１／２）０．００２ …式（Ｄ１）
上記式（Ｄ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。
【０２０８】
得られたポリマー（Ｄ）のメチル基の含有比率は９０モル％、フェニル基の含有比率は９モル％であった。
【０２０９】
（合成例５）第１のオルガノポリシロキサンＢの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン４８７ｇ、及び１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン１４．８ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム２．２ｇを水１４４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸２．４ｇを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｅ）を得た。
【０２１０】
得られたポリマーの絶対分子量は５８３０であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｅ）は、下記の平均組成式（Ｅ１）を有していた。
【０２１１】
（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．９８（ＶｉＭｅＳｉＯ１／２）０．０２２ …式（Ｅ１）
【０２１２】
上記式（Ｅ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｖｉはビニル基を示す。
【０２１３】
得られたポリマー（Ｅ）のメチル基の含有比率は９８モル％であった。
【０２１４】
（合成例６）第１のオルガノポリシロキサンＢの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン４５４ｇ、ジフェニルジメトキシシラン４８．８ｇ、及び１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン１６．３ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム２．２ｇを水１４４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸２．４ｇを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｆ）を得た。
【０２１５】
得られたポリマー（Ｆ）の絶対分子量は３８２０であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｆ）は、下記の平均組成式（Ｆ１）を有していた。
【０２１６】
（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．９３（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．０４５（ＶｉＭｅＳｉＯ１／２）０．０２５ …式（Ｆ１）
【０２１７】
上記式（Ｆ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。
【０２１８】
得られたポリマー（Ｆ）のメチル基の含有比率は８８モル％、フェニル基の含有比率は９モル％であった。
【０２１９】
（合成例７）第１のオルガノポリシロキサンＢの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン４５１ｇ、ジフェニルジメトキシシラン４８．８ｇ、及び１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン１４．８ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム２．２ｇを水１４４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸２．４ｇを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｇ）を得た。
【０２２０】
得られたポリマー（Ｇ）の絶対分子量は５７６０であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｇ）は、下記の平均組成式（Ｇ１）を有していた。
【０２２１】
（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．９３（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．０５（ＶｉＭｅＳｉＯ１／２）０．０２１ …式（Ｇ１）
【０２２２】
上記式（Ｇ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。
【０２２３】
得られたポリマー（Ｇ）のメチル基の含有比率は８９モル％、フェニル基の含有比率は９モル％であった。
【０２２４】
（合成例８）第１のオルガノポリシロキサンＢの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン４５４ｇ、ジフェニルジメトキシシラン４８．８ｇ、及び１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン１１．８ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム２．２ｇを水１４４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸２．４ｇを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｈ）を得た。
【０２２５】
得られたポリマー（Ｈ）の絶対分子量は７６５０であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｈ）は、下記の平均組成式（Ｈ１）を有していた。
【０２２６】
（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．９４（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．０４５（ＶｉＭｅＳｉＯ１／２）０．０１７ …式（Ｈ１）
【０２２７】
上記式（Ｈ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。
【０２２８】
得られたポリマー（Ｈ）のメチル基の含有比率は８９モル％、フェニル基の含有比率は９モル％であった。
【０２２９】
（合成例９）第２のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン９０．２ｇ、メチルトリメトキシシラン２１７ｇ、ビニルトリメトキシシラン３１ｇ、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン４０ｇ、及びトリメチルメトキシシラン１６ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸２．０ｇと水１３４ｇの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｉ）を得た。
【０２３０】
得られたポリマー（Ｉ）の絶対分子量は３４２０であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｉ）は、下記の平均組成式（Ｉ１）を有していた。
【０２３１】
（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．２５（ＭｅＳｉＯ３／２）０．５２（ＶｉＳｉＯ３／２）０．０７（ＨＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．１０（Ｍｅ３ＳｉＯ１／２）０．０６ …式（Ｉ１）
【０２３２】
上記式（Ｉ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｖｉはビニル基を示す。
【０２３３】
得られたポリマー（Ｉ）のメチル基の含有比率は９０モル％であった。
【０２３４】
（合成例１０）第２のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン７２ｇ、メチルトリメトキシシラン２１７ｇ、ジフェニルジメトキシシラン４９ｇ、ビニルトリメトキシシラン３１ｇ、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン４０ｇ、及びトリメチルメトキシシラン１６ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸２．０ｇと水１３４ｇの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｊ）を得た。
【０２３５】
得られたポリマー（Ｊ）の絶対分子量は３３９０であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｊ）は、下記の平均組成式（Ｊ１）を有していた。
【０２３６】
（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．２１（ＭｅＳｉＯ３／２）０．５３（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．０４（ＶｉＳｉＯ３／２）０．０７（ＨＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．１０（Ｍｅ３ＳｉＯ１／２）０．０５ …式（Ｊ１）
【０２３７】
上記式（Ｊ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。
【０２３８】
得られたポリマー（Ｊ）のメチル基の含有比率は８２モル％、フェニル基の含有比率は８モル％であった。
【０２３９】
（実施例１）
ポリマーＢ（２ｇ）、ポリマーＦ（８ｇ）、ポリマーＪ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２４０】
（実施例２）
ポリマーＢ（５ｇ）、ポリマーＦ（５ｇ）、ポリマーＪ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２４１】
（実施例３）
ポリマーＢ（８ｇ）、ポリマーＦ（２ｇ）、ポリマーＪ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２４２】
（実施例４）
ポリマーＣ（２ｇ）、ポリマーＧ（８ｇ）、ポリマーＪ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２４３】
（実施例５）
ポリマーＣ（５ｇ）、ポリマーＧ（５ｇ）、ポリマーＪ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２４４】
（実施例６）
ポリマーＣ（８ｇ）、ポリマーＧ（２ｇ）、ポリマーＪ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２４５】
（実施例７）
ポリマーＤ（２ｇ）、ポリマーＨ（８ｇ）、ポリマーＪ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２４６】
（実施例８）
ポリマーＤ（５ｇ）、ポリマーＨ（５ｇ）、ポリマーＪ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２４７】
（実施例９）
ポリマーＤ（８ｇ）、ポリマーＨ（２ｇ）、ポリマーＪ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２４８】
（実施例１０）
ポリマーＡ（２ｇ）、ポリマーＥ（８ｇ）、ポリマーＩ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２４９】
（実施例１１）
ポリマーＡ（５ｇ）、ポリマーＥ（５ｇ）、ポリマーＩ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２５０】
（実施例１２）
ポリマーＡ（８ｇ）、ポリマーＥ（２ｇ）、ポリマーＩ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２５１】
（比較例１）
ポリマーＡ（１０ｇ）、ポリマーＩ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２５２】
（比較例２）
ポリマーＥ（１０ｇ）、ポリマーＩ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２５３】
（比較例３）
ポリマーＣ（１０ｇ）、ポリマーＪ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２５４】
（比較例４）
ポリマーＧ（１０ｇ）、ポリマーＪ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２５５】
（評価）
（光半導体装置の作製）
銀めっきされたリード電極付きポリフタルアミド製ハウジング材に、ダイボンド材によって主発光ピークが４６０ｎｍの発光素子が実装されており、発光素子とリード電極とが金ワイヤーで接続されている構造において、得られた光半導体装置用封止剤を注入し、１５０℃で２時間加熱して硬化させ、光半導体装置を作製した。この光半導体装置を用いて、下記の項目について評価を実施した。
【０２５６】
（通電試験）
得られた光半導体装置について、２３℃の温度下、光度測定装置（「ＯＬ７７０」、オプトロニックラボラトリーズ社製）を用いて発光素子に２０ｍＡの電流を流した時の光度を測定した（以下、「初期光度」と称する）。
【０２５７】
次いで、発光素子に２０ｍＡの電流を流した状態で光半導体装置を８５℃及び相対湿度８５ＲＨ％雰囲気下のチャンバー内に入れて、５００時間放置した。５００時間後、２３℃の温度下、光度測定装置（「ＯＬ７７０」、オプトロニックラボラトリーズ社製）を用いて発光素子に２０ｍＡの電流を流した時の光度を測定し、初期光度対する光度の低下率を算出した。光度の低下率が５％未満の場合を「○○」、５〜１０％未満の場合を「○」、１０〜２０％未満の場合を「△」、３０％以上の場合を「×」と判定した。
【０２５８】
（変色）
通電試験後のサンプルにおいて、通電試験前のサンプルから変色しているか否かを目視で観察した。
【０２５９】
通電試験前後のサンプル間で、変色が見られない場合を「○」、わずかに変色が見られる場合を「△」、著しい変色が見られる場合を「×」と判定した。
【０２６０】
（ガス腐食試験）
得られた光半導体装置を、４０℃及び相対湿度９０％ＲＨ雰囲気下のチャンバー内に入れ、硫化水素ガスの濃度が５ｐｐｍ、二酸化硫黄ガスの濃度が１５ｐｐｍとなるようにチャンバー内にガスを充填した。ガスの充填から、２４時間後、４８時間後、９６時間後、１６８時間後及び５００時間後にそれぞれ、銀めっきされたリード電極を目視で観察した。
【０２６１】
銀めっきに変色が見られない場合を「○○」、銀めっきに茶褐色に変色した箇所が少しみられる場合を「○」、銀めっきのほとんどすべてが茶色に変色した場合を「△」、銀めっきのほとんどすべてが黒色に変色した場合を「×」と判定した。
【０２６２】
（熱衝撃試験）
得られた光半導体装置を、液槽式熱衝撃試験機（「ＴＳＢ−５１」、ＥＳＰＥＣ社製）を用いて、−５０℃で５分間保持した後、１３５℃まで昇温し、１３５℃で５分間保持した後−５０℃まで降温する過程を１サイクルとする冷熱サイクル試験を実施した。５００サイクル後、１０００サイクル及び１５００サイクル後にそれぞれ２０個のサンプルを取り出した。
【０２６３】
実体顕微鏡（「ＳＭＺ−１０」、ニコン社製）にてサンプルを観察した。２０個のサンプルの光半導体装置用封止剤にそれぞれクラックが生じているか否か、又は光半導体装置用封止剤がパッケージ又は電極から剥離しているか否かを観察し、クラック又は剥離が生じたサンプルの数（ＮＧ数）を数えた。
【０２６４】
（光半導体装置用封止剤の硬化物の表面の粘着性（べたつき）の評価）
得られた光半導体装置を、２３℃及び５０ＲＨ％の雰囲気下で２４時間放置した。２４時間放置した後直ちに、光半導体装置用封止剤の硬化物の表面の粘着性（べたつき）を、硬化物に指を接触させて確認した。指を接触させた場合に粘着性（べたつき）をほとんど感じない場合には、粘着性なしとして「○」と評価し、指の表面が粘着性（べたつき）を感じた場合には、粘着性ありとして「×」と評価した。
【０２６５】
結果を下記の表１に示す。下記の表１において、重量比（Ａ：Ｂ）は、第１のオルガノポリシロキサン全体における重量比（第１のオルガノポリシロキサンＡ：第１のオルガノポリシロキサンＢ）を示す。
【０２６６】
【表１】
【符号の説明】
【０２６７】
１…光半導体装置
２…ハウジング
２ａ…内面
３…光半導体素子
４…光半導体装置用封止剤
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体装置において光半導体素子を封止するために用いられる光半導体装置用封止剤、並びに該光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）装置などの光半導体装置の消費電力は低く、かつ寿命は長い。また、光半導体装置は、過酷な環境下でも使用され得る。従って、光半導体装置は、携帯電話用バックライト、液晶テレビ用バックライト、自動車用ランプ、照明器具及び看板などの幅広い用途で使用されている。
【０００３】
光半導体装置に用いられている発光素子である光半導体素子（例えばＬＥＤ）が大気と直接触れると、大気中の水分又は浮遊するごみ等により、光半導体素子の発光特性が急速に低下する。このため、上記光半導体素子は、通常、光半導体装置用封止剤により封止されている。
【０００４】
下記の特許文献１には、光半導体装置用封止剤として、水素添加ビスフェノールＡグリシジルエーテルと、脂環式エポキシモノマーと、潜在性触媒とを含むエポキシ樹脂材料が開示されている。このエポキシ樹脂材料は、熱カチオン重合により硬化する。
【０００５】
また、エポキシ樹脂を含む光半導体装置用封止剤だけでなく、シリコーン樹脂を含む光半導体装置用封止剤も広く用いられている。上記シリコーン樹脂に関しては、青色から紫外領域の短波長の光に対する透過性が高く、耐熱性及び耐光性に優れている。
【０００６】
しかしながら、上記シリコーン樹脂を含む封止剤を用いた場合には、封止剤の硬化物の表面がべたつくため、表面にごみなどの異物が付着しやすくなるという問題がある。また、硬化物の表面がべたつくと、パッケージ同士のくっ付き、及び実装時のピックアップノズルへの付着が生じて、光半導体装置の生産性が大きく低下するという問題がある。
【０００７】
一方で、下記の特許文献２に記載のように、架橋密度が高められたシリコーン樹脂を含む封止剤が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−０７３４５２号公報
【特許文献２】特開２００２−３１４１４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１，２に記載のような従来の光半導体装置用封止剤では、プリント基板等に実装する際のリフロー工程で封止剤が変色し、光度が低下するという問題がある。また、従来の光半導体装置用封止剤が、加熱と冷熱とを繰り返し受ける温度サイクル等の過酷な環境で使用されると、封止剤にクラックが生じたり、封止剤がハウジング材等から剥離したりすることがある。特に、従来の光半導体装置用封止剤では、耐熱性が低いという問題がある。
【００１０】
また、特許文献２に記載の封止剤では、該封止剤に含まれるシリコーン樹脂の架橋密度が高いので、硬化物の表面のべたつきが比較的少ない。しかし、硬化物の表面のべたつきがさらに一層抑制された封止剤が強く求められている。
【００１１】
本発明の目的は、表面のべたつきを抑制でき、かつ耐熱性に優れており、更に冷熱サイクル特性にも優れている光半導体装置用封止剤、並びに該光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の広い局面によれば、下記式（１）で表され、かつ珪素原子に結合したアルケニル基を有する第１のオルガノポリシロキサン（但し、珪素原子に結合した水素原子を有するオルガノポリシロキサンを除く）と、下記式（５１）で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有する第２のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒とを含み、上記第１のオルガノポリシロキサンが、珪素原子に結合したアリール基を有さないか又は珪素原子に結合したアリール基を有し、上記第１のオルガノポリシロキサンが珪素原子に結合したアリール基を有する場合には、上記第１のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｘ）より求められる珪素原子に結合したアリール基の含有比率が２０モル％以下であり、上記第２のオルガノポリシロキサンが、珪素原子に結合したアリール基を有さないか又は珪素原子に結合したアリール基を有し、上記第２のオルガノポリシロキサンが珪素原子に結合したアリール基を有する場合には、上記第２のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｘ）より求められる珪素原子に結合したアリール基の含有比率が２０モル％以下であり、上記第１のオルガノポリシロキサン全体における絶対分子量が２００００以上、１０００００以下である第１のオルガノポリシロキサンと絶対分子量が２０００以上、１００００以下である第１のオルガノポリシロキサンとの重量比が、１０：９０〜９０：１０である、光半導体装置用封止剤が提供される。
【００１３】
【化１】
【００１４】
上記式（１）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．３０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．７０〜１．０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．１０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、アルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。
【００１５】
【化２】
【００１６】
上記式（５１）中、ｐ、ｑ及びｒは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１０〜０．４０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１０〜０．５０及びｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．２０〜０．８０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個が水素原子を表し、水素原子以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。
【００１７】
珪素原子に結合したアリール基の含有比率（モル％）＝（上記第１のオルガノポリシロキサン又は上記第２のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合したアリール基の平均個数×アリール基の分子量／上記第１のオルガノポリシロキサン又は上記第２のオルガノポリシロキサンの数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｘ）
【００１８】
本発明に係る光半導体装置用封止剤では、上記第１のオルガノポリシロキサンが、珪素原子に結合したメチル基を有し、上記式（１）中、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、アルケニル基及びメチル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数２〜８の炭化水素基を表し、上記第２のオルガノポリシロキサンが、珪素原子に結合したメチル基を有し、上記式（５１）中、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個が珪素原子を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、珪素原子及びメチル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数２〜８の炭化水素基を表す。
【００１９】
上記第１のオルガノポリシロキサン及び上記第２のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｙ）より求められる珪素原子に結合したメチル基の含有比率がそれぞれ、８０モル％以上であることが好ましい。
【００２０】
珪素原子に結合したメチル基の含有比率（モル％）＝（上記第１のオルガノポリシロキサン又は上記第２のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合したメチル基の平均個数×メチル基の分子量／上記第１のオルガノポリシロキサン又は上記第２のオルガノポリシロキサンの数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｙ）
【００２１】
上記式（１）中、（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、Ｒ１がアルケニル基を表し、Ｒ２及びＲ３がアルケニル基又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す構造単位を含むことが好ましい。
【００２２】
上記第２のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合したビニル基を有することが好ましい。
【００２３】
本発明に係る光半導体装置は、光半導体素子と、該光半導体素子を封止するように設けられており、かつ本発明に従って構成された光半導体装置用封止剤とを備える。
【発明の効果】
【００２４】
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、式（１）で表され、かつ珪素原子に結合したアルケニル基を有する第１のオルガノポリシロキサン（但し、珪素原子に結合した水素原子を有するオルガノポリシロキサンを除く）と、式（５１）で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有する第２のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒とを含み、上記第１，第２のオルガノポリシロキサンにおける珪素原子に結合したアリール基の含有比率がそれぞれ０モル％以上、２０モル％以下であり、更に上記第１のオルガノポリシロキサン全体における絶対分子量が２００００以上、１０００００以下である第１のオルガノポリシロキサンと絶対分子量が２０００以上、１００００以下である第１のオルガノポリシロキサンとの重量比が１０：９０〜９０：１０であるので、封止剤の表面のべたつきを抑制できる。さらに、本発明に係る光半導体装置用封止剤の耐熱性及び冷熱サイクル特性も高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を示す正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００２７】
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、第１のオルガノポリシロキサンと、第２のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒とを含む。
【００２８】
上記第１のオルガノポリシロキサン（但し、珪素原子に結合した水素原子を有するオルガノポリシロキサンを除く）は、珪素原子に結合したアルケニル基を有する。上記第１のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合したアリール基を有さないか、又は珪素原子に結合したアリール基を有する。上記第２のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合した水素原子を有する。上記第２のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合したアリール基を有さないか、又は珪素原子に結合したアリール基を有する。
【００２９】
本発明では、上記第１のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｘ）より求められる珪素原子に結合したアリール基の含有比率及び上記第２のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｘ）より求められる珪素原子に結合したアリール基の含有比率はそれぞれ、２０モル％以下である。
【００３０】
珪素原子に結合したアリール基の含有比率（モル％）＝（上記第１のオルガノポリシロキサン又は上記第２のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合したアリール基の平均個数×アリール基の分子量／上記第１のオルガノポリシロキサン又は上記第２のオルガノポリシロキサンの数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｘ）
【００３１】
上記式（Ｘ）における第１のオルガノポリシロキサンの数平均分子量は、第１のオルガノポリシロキサン全体での数平均分子量を示す。
【００３２】
本発明では、上記第１のオルガノポリシロキサン全体における絶対分子量が２００００以上、１０００００以下である第１のオルガノポリシロキサン（以下、第１のオルガノポリシロキサンＡともいう）と絶対分子量が２０００以上、１００００以下である第１のオルガノポリシロキサン（以下、第１のオルガノポリシロキサンＢともいう）との重量比が、１０：９０〜９０：１０である。
【００３３】
特定の第１，第２のオルガノポリシロキサンとヒドロシリル化反応用触媒とを含み、かつ第１，第２のオルガノポリシロキサンにおける上記アリール基の各含有比率が０モル％以上、２０モル％以下であり、更に絶対分子量が特定の範囲内である第１のオルガノポリシロキサンＡと絶対分子量が特定の範囲内である第１のオルガノポリシロキサンＢとの重量比が１０：９０〜９０：１０である組成の採用により、光半導体装置用封止剤の表面のべたつきを充分に抑制できる。特に、第１ノオルガノポリシロキサン全体における第１のオルガノポリシロキサンＡと第１のオルガノポリシロキサンＢとの重量比が１０：９０〜９０：１０であることは、封止剤の表面のべたつきの抑制に大きく寄与する。
【００３４】
さらに、上記組成の採用により、封止剤の耐熱性も高くなる。また、上記組成の採用により、冷熱サイクル特性も高くなる。このため、封止剤を用いた光半導体装置が加熱と冷却とを繰り返し受ける過酷な環境で使用されても、封止剤にクラック及び剥離が生じ難くなる。特に、第１，第２のオルガノポリシロキサンにおける上記アリール基の各含有比率が２０モル％以下であることは、封止剤の耐熱性の向上に大きく寄与する。
【００３５】
封止剤の耐熱性をより一層高める観点からは、上記第１のオルガノポリシロキサン及び上記第２のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｙ）より求められる珪素原子に結合したメチル基の含有比率はそれぞれ、好ましくは５０モル％以上、より好ましくは８０モル％以上、９９モル％以下である。
【００３６】
珪素原子に結合したメチル基の含有比率（モル％）＝（上記第１のオルガノポリシロキサン又は上記第２のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合したメチル基の平均個数×メチル基の分子量／上記第１のオルガノポリシロキサン又は上記第２のオルガノポリシロキサンの数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｙ）
【００３７】
上記式（Ｙ）における第１のオルガノポリシロキサンの数平均分子量は、第１のオルガノポリシロキサン全体での数平均分子量を示す。
【００３８】
（第１のオルガノポリシロキサン）
本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれている第１のオルガノポリシロキサン（但し、珪素原子に結合した水素原子を有するオルガノポリシロキサンを除く）は、下記式（１）で表され、珪素原子に結合したアルケニル基を有する。上記第１のオルガノポリシロキサンは、アリール基を有さないか、又はアリール基を有する。上記第１のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつ珪素原子に結合したアルケニル基を有する第１のオルガノポリシロキサンである。上記第１のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合した水素原子を有さないので、第２のオルガノポリシロキサンとは異なる。上記アルケニル基は、珪素原子に直接結合している。上記第１のオルガノポリシロキサンが珪素原子に結合したアリール基を有する場合には、該アリール基は珪素原子に直接結合している。上記アリール基としては、無置換のフェニル基及び置換フェニル基が挙げられる。この特定の第１のオルガノポリシロキサンの使用により、ガスバリア性に優れた封止剤が得られる。上記第１のオルガノポリシロキサンは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３９】
【化３】
【００４０】
上記式（１）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．３０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．７０〜１．０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．１０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、アルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。なお、上記式（１）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位及び（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。
【００４１】
上記第１のオルガノポリシロキサンがアリール基を有する場合には、上記式（１）中、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、少なくとも１個がアリール基を表し、アルケニル基及びアリール基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。
【００４２】
上記式（１）は平均組成式を示す。上記式（１）における炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。上記式（１）中のＲ１〜Ｒ６は同一であってもよく、異なっていてもよい。
【００４３】
上記式（１）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位における酸素原子部分、（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位における酸素原子部分はそれぞれ、シロキサン結合を形成している酸素原子部分、アルコキシ基の酸素原子部分、又はヒドロキシ基の酸素原子部分を示す。
【００４４】
なお、一般に、上記式（１）の各構造単位において、アルコキシ基の含有量は少なく、更にヒドロキシ基の含有量も少ない。これは、一般に、第１のオルガノポリシロキサンを得るために、アルコキシシラン化合物などの有機珪素化合物を加水分解し、重縮合させると、アルコキシ基及びヒドロキシ基の多くは、シロキサン結合の部分骨格に変換されるためである。すなわち、アルコキシ基の酸素原子及びヒドロキシ基の酸素原子の多くは、シロキサン結合を形成している酸素原子に変換される。上記式（１）の各構造単位がアルコキシ基又はヒドロキシ基を有する場合には、シロキサン結合の部分骨格に変換されなかった未反応のアルコキシ基又はヒドロキシ基がわずかに残存していることを示す。後述の式（５１）の各構造単位がアルコキシ基又はヒドロキシ基を有する場合に関しても、同様のことが言える。
【００４５】
上記式（１）中、アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基及びヘキセニル基等が挙げられる。封止剤のガスバリア性をより一層高める観点からは、第１のオルガノポリシロキサンにおけるアルケニル基及び上記式（１）中のアルケニル基は、ビニル基又はアリル基であることが好ましく、ビニル基であることがより好ましい。
【００４６】
上記式（１）における炭素数１〜８の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔ−ペンチル基、イソへキシル基、シクロヘキシル基及びアリール基が挙げられる。
【００４７】
本発明に係る光半導体装置用封止剤では、上記第１のオルガノポリシロキサン全体における絶対分子量が２００００以上、１０００００以下である第１のオルガノポリシロキサンＡと絶対分子量が２０００以上、１００００以下である第１のオルガノポリシロキサンＢとの重量比（第１のオルガノポリシロキサンＡ：第２のオルガノポリシロキサンＢ）が、１０：９０〜９０：１０である。特定の第１のオルガノポリシロキサンＡ，Ｂを特定の上記重量比で用いることにより、封止剤の表面べたつきを顕著に抑制できる。さらに、封止剤の耐熱性及び冷熱サイクル特性を良好にすることができる。
【００４８】
封止剤の表面のべたつきをさらに一層抑制し、かつ封止剤の耐熱性及び冷熱サイクル特性をより一層良好にする観点からは、上記重量比（第１のオルガノポリシロキサンＡ：第２のオルガノポリシロキサンＢ）は、好ましくは２０：８０〜８０：２０、より好ましくは。３０：７０〜７０：３０である。
【００４９】
上記式（１）中、（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、Ｒ１がアルケニル基を表し、Ｒ２及びＲ３がアルケニル基又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す構造単位を含むことが好ましい。すなわち、上記式（１）中、（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、下記式（１−ａ）で表される構造単位を含むことが好ましい。（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、下記式（１−ａ）で表される構造単位のみを含んでいてもよく、下記式（１−ａ）で表される構造単位と下記式（１−ａ）で表される構造単位以外の構造単位とを含んでいてもよい。なお、下記式（１−ａ）で表される構造単位において、末端の酸素原子は、隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、末端の１つの酸素原子を「Ｏ１／２」とする。
【００５０】
【化４】
【００５１】
上記式（１−ａ）中、Ｒ１はアルケニル基を表し、Ｒ２及びＲ３はそれぞれアルケニル基又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す。Ｒ２及びＲ３はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表すことが好ましい。Ｒ２及びＲ３はそれぞれ、アリール基ではない炭素数１〜８の炭化水素基を表すことがより好ましい。
【００５２】
封止剤の表面のべたつきをより一層抑制する観点からは、上記式（１）中の全構造単位１００モル％中、（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位であって、Ｒ１がアルケニル基を表し、Ｒ２及びＲ３がアルケニル基又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す構造単位（上記式（１−ａ）で表される構造単位）の割合は、好ましくは０．１モル％以上、好ましくは５０モル％以下、より好ましくは４５モル％以下、更に好ましくは４０モル％以下である。
【００５３】
封止剤の耐熱性をより一層高める観点からは、上記第１のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合したメチル基を有することが好ましい。この場合には、上記式（１）中、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、アルケニル基及びメチル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数２〜８の炭化水素基を表す。
【００５４】
封止剤の耐熱性をより一層高める観点からは、上記第１のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｙ１）より求められる珪素原子に結合したメチル基の含有比率は、好ましくは５０モル％以上、より好ましくは８０モル％以上、９９モル％以下である。このメチル基の含有比率が８０モル％以上であると、封止剤の耐熱性がかなり高くなる。上記メチル基の含有比率が上記上限以下であると、上記第１のオルガノポリシロキサンにアルケニル基を十分に導入でき、封止剤の硬化性を高めることが容易である。
【００５５】
珪素原子に結合したメチル基の含有比率（モル％）＝（平均組成式が上記式（１）で表される第１のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合したメチル基の平均個数×メチル基の分子量／平均組成式が上記式（１）で表される第１のオルガノポリシロキサンの数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｙ１）
【００５６】
上記第１のオルガノポリシロキサンは珪素原子に結合したアリール基を有さないか、又は珪素原子に結合したアリール基を有する。上記第１のオルガノポリシロキサンが珪素原子に結合したアリール基を有する場合には、上記式（１）で表される第１のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｘ１）より求められる珪素原子に結合したアリール基の含有比率は２０モル％以下である。このアリール基の含有比率が２０モル％以下であると、封止剤の耐熱性が十分に高くなり、封止剤の剥離が生じ難くなる。封止剤の耐熱性をより一層高め、封止剤の剥離をより一層生じ難くする観点からは、珪素原子に結合したアリール基の含有比率は、好ましくは１５モル％以下、より好ましくは１０モル％以下である。
【００５７】
珪素原子に結合したアリール基の含有比率（モル％）＝（平均組成式が上記式（１）で表される第１のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合したアリール基の平均個数×アリール基の分子量／平均組成式が上記式（１）で表される第１のオルガノポリシロキサンの数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｘ１）
【００５８】
上記式（Ｘ１）におけるアリール基がフェニル基である場合には、アリール基の含有比率はフェニル基の含有比率を示す。
【００５９】
上記式（１）で表される第１のオルガノポリシロキサンにおいて、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位（以下、二官能構造単位ともいう）は、下記式（１−２）で表される構造、すなわち、二官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。
【００６０】
（Ｒ４Ｒ５ＳｉＸＯ１／２） ・・・式（１−２）
【００６１】
（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、下記式（１−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（１−２−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ４及びＲ５で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位に含まれる。具体的には、アルコキシ基がシロキサン結合の部分骨格に変換された場合には、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、下記式（１−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を示す。未反応のアルコキシ基が残存している場合、又はアルコキシ基がヒドロキシ基に変換された場合には、残存アルコキシ基又はヒドロキシ基を有する（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、下記式（１−２−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を示す。
【００６２】
【化５】
【００６３】
上記式（１−２）及び（１−２−ｂ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（１−ｂ）、（１−２）及び（１−２−ｂ）中のＲ４及びＲ５は、上記式（１）中のＲ４及びＲ５と同様の基である。
【００６４】
上記式（１）で表される第１のオルガノポリシロキサンにおいて、（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位（以下、三官能構造単位ともいう）は、下記式（１−３）又は（１−４）で表される構造、すなわち、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の２つがそれぞれヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。
【００６５】
（Ｒ６ＳｉＸ２Ｏ１／２） ・・・式（１−３）
（Ｒ６ＳｉＸＯ２／２） ・・・式（１−４）
【００６６】
（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位は、下記式（１−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（１−３−ｃ）又は（１−４−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ６で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位に含まれる。
【００６７】
【化６】
【００６８】
上記式（１−３）、（１−３−ｃ）、（１−４）及び（１−４−ｃ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（１−ｃ）、（１−３）、（１−３−ｃ）、（１−４）及び（１−４−ｃ）中のＲ６は、上記式（１）中のＲ６と同様の基である。
【００６９】
上記式（１−ｂ）及び（１−ｃ）、式（１−２）〜（１−４）、並びに式（１−２−ｂ）、（１−３−ｃ）及び（１−４−ｃ）において、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基としては特に限定されず、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基及びｔ−ブトキシ基が挙げられる。
【００７０】
上記式（１）中、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）は０以上、０．３０以下である。ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記上限以下であると、封止剤の耐熱性がより一層高くなり、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。上記式（１）中、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）は、好ましくは０．２５以下、より好ましくは０．２０以下である。なお、ａが０であり、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が０である場合、上記式（１）中、（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）の構造単位は存在しない。
【００７１】
上記式（１）中、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）は０．７０以上、１．０以下である。ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記下限以上であると、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。上記式（１）中、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）は、好ましくは０．７５以上、より好ましくは０．８０以上である。
【００７２】
上記式（１）中、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）は０以上、０．１０以下である。ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記上限以下であると、封止剤としての適正な粘度を維持することが容易であり、密着性がより一層高くなる。なお、ｃが０であり、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が０である場合、上記式（１）中、（Ｒ６ＳｉＯ３／２）の構造単位は存在しない。
【００７３】
上記式（１）中のｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）は、０であることが好ましい。すなわち、上記式（１）で表される第１のオルガノポリシロキサンは、下記式（１Ａ）で表される第１のオルガノポリシロキサンであることが好ましい。これにより、封止剤にクラックがより一層生じ難くなり、かつ封止剤がハウジング材等からより一層剥離し難くなる。
【００７４】
【化７】
【００７５】
上記式（１Ａ）中、ａ及びｂは、ａ／（ａ＋ｂ）＝０〜０．３０及びｂ／（ａ＋ｂ）＝０．７０〜１．０を満たし、Ｒ１〜Ｒ５は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、アルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。上記式（１Ａ）中、Ｒ１〜Ｒ５は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、アルケニル基及びメチル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数２〜８の炭化水素基を表すことが好ましい。
【００７６】
上記式（１Ａ）中、ａ／（ａ＋ｂ）は、好ましくは０．２５以下、より好ましくは０．２０以下である。上記式（１Ａ）中、ｂ／（ａ＋ｂ）は、好ましくは０．７５以上、より好ましくは０．８０以上である。
【００７７】
上記第１のオルガノポリシロキサンについて、テトラメチルシラン（以下、ＴＭＳ）を基準に２９Ｓｉ−核磁気共鳴分析（以下、ＮＭＲ）を行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記式（１）中の（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位に相当するピークは＋１０〜−５ｐｐｍ付近に現れ、上記式（１）中の（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）及び上記式（１−２）の二官能構造単位に相当する各ピークは−１０〜−５０ｐｐｍ付近に現れ、上記式（１）中の（Ｒ６ＳｉＯ３／２）、並びに上記式（１−３）及び上記式（１−４）の三官能構造単位に相当する各ピークは−５０〜−８０ｐｐｍ付近に現れる。
【００７８】
従って、２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって上記式（１）中の各構造単位の比率を測定できる。
【００７９】
但し、上記ＴＭＳを基準にした２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定で上記式（１）中の構造単位の見分けがつかない場合は、２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定結果だけではなく、１Ｈ−ＮＭＲの測定結果を必要に応じて用いることにより、上記式（１）中の各構造単位の比率を見分けることができる。
【００８０】
（第２のオルガノポリシロキサン）
本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれている第２のオルガノポリシロキサンは、下記式（５１）で表され、珪素原子に結合した水素原子を有する。上記第２のオルガノポリシロキサンは、アリール基を有さないか、又はアリール基を有する。該水素原子は、珪素原子に直接結合している。上記第２のオルガノポリシロキサンが珪素原子に結合したアリール基を有する場合には、該アリール基は珪素原子に直接結合している。該アリール基としては、無置換のフェニル基及び置換フェニル基が挙げられる。この特定の第２のオルガノポリシロキサンの使用により、ガスバリア性に優れた封止剤が得られる。上記第２のオルガノポリシロキサンは１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００８１】
【化８】
【００８２】
上記式（５１）中、ｐ、ｑ及びｒは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１０〜０．４０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１０〜０．５０及びｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．２０〜０．８０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個が珪素原子を表し、珪素原子以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。珪素原子以外のＲ５１〜Ｒ５６は、アリール基ではない炭素数１〜８の炭化水素基であることが好ましい。なお、上記式（５１）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位及び（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。
【００８３】
上記式（５１）は平均組成式を示す。上記式（５１）における炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。上記式（５１）中のＲ５１〜Ｒ５６は同一であってもよく、異なっていてもよい。
【００８４】
上記式（５１）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位における酸素原子部分、（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位における酸素原子部分はそれぞれ、シロキサン結合を形成している酸素原子部分、アルコキシ基の酸素原子部分、又はヒドロキシ基の酸素原子部分を示す。
【００８５】
上記式（５１）における炭素数１〜８の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔ−ペンチル基、イソへキシル基、シクロヘキシル基、ビニル基、アリル基及びアリール基が挙げられる。
【００８６】
封止剤の硬化性を高め、冷熱サイクルでのクラック及び剥離の発生をより一層抑制する観点からは、上記式（５１）中の（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、Ｒ５１が水素原子を表し、Ｒ５２及びＲ５３が水素原子又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す構造単位を含むことが好ましい。上記式（５１）中の（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、Ｒ５１が水素原子を表し、Ｒ５２及びＲ５３が炭素数１〜８の炭化水素基を表す構造単位を含むことがより好ましい。
【００８７】
すなわち、上記式（５１）中、（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、下記式（５１−ａ）で表される構造単位を含むことが好ましい。（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、下記式（５１−ａ）で表される構造単位のみを含んでいてもよく、下記式（５１−ａ）で表される構造単位と下記式（５１−ａ）で表される構造単位以外の構造単位とを含んでいてもよい。
【００８８】
【化９】
【００８９】
上記式（５１−ａ）中、Ｒ５２及びＲ５３はそれぞれ、水素原子又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す。Ｒ５２及びＲ５３はそれぞれ、アリール基ではない炭素数１〜８の炭化水素基を表すことが好ましい。
【００９０】
封止剤の硬化性を高め、冷熱サイクルでのクラック及び剥離の発生をより一層抑制する観点からは、上記式（５１）中の全構造単位１００モル％中、（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位であって、Ｒ５１が水素原子を表し、Ｒ５２及びＲ５３が水素原子又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す構造単位（上記式（５１−ａ）で表される構造単位）の割合は、好ましくは０.１モル％以上、より好ましくは１モル％以上、好ましくは５０モル％以下、より好ましくは４５モル％以下である。
【００９１】
封止剤の表面のべたつきをより一層低減する観点からは、第２のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合したアルケニル基を有することが好ましく、珪素原子に結合したビニル基を有することがより好ましい。この場合には、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個が珪素原子を表し、少なくとも１個がアルケニル基（又はビニル基）を表し、水素原子及びアルケニル基（又はビニル基）以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。
【００９２】
封止剤の耐熱性をより一層高める観点からは、上記第２のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合したメチル基を有することが好ましい。この場合には、上記式（５１）中、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個が珪素原子を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、珪素原子及びメチル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数２〜８の炭化水素基を表す。
【００９３】
封止剤の耐熱性をより一層高める観点からは、上記第２のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｙ５１）より求められる珪素原子に結合したメチル基の含有比率は、好ましくは５０モル％以上、より好ましくは８０モル％以上、好ましくは９９モル％以下である。このメチル基の含有比率が８０モル％以上であると、封止剤の耐熱性がかなり高くなる。上記メチル基の含有比率が上記上限以下であると、第２のオルガノポリシロキサンに珪素原子に結合した水素原子を十分に導入でき、封止剤の硬化性を高めることが容易である。
【００９４】
珪素原子に結合したメチル基の含有比率（モル％）＝（平均組成式が上記式（５１）で表される第２のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合したメチル基の平均個数×メチル基の分子量／平均組成式が上記式（５１）で表される第２のオルガノポリシロキサンの数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｙ５１）
【００９５】
上記第２のオルガノポリシロキサンは珪素原子に結合したアリール基を有さないか、又は上記第２のオルガノポリシロキサンが珪素原子に結合したアリール基を有する。上記第２のオルガノポリシロキサンが珪素原子に結合したアリール基を有する場合には、上記式（５１）で表される第２のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｘ５１）より求められる珪素原子に結合したアリール基の含有比率は２０モル％以下である。このアリール基の含有比率が２０モル％以下であると、封止剤の耐熱性が十分に高くなり、封止剤の剥離が生じ難くなる。封止剤の耐熱性をより一層高め、封止剤の剥離をより一層生じ難くする観点からは、珪素原子に結合したアリール基の含有比率は、好ましくは１５モル％以下、より好ましくは１０モル％以下である。
【００９６】
珪素原子に結合したアリール基の含有比率（モル％）＝（平均組成式が上記式（５１）で表される第２のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合したアリール基の平均個数×アリール基の分子量／平均組成式が上記式（５１）で表される第２のオルガノポリシロキサンの数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｘ５１）
【００９７】
上記式（Ｘ５１）におけるアリール基がフェニル基である場合には、アリール基の含有比率はフェニル基の含有比率を示す。
【００９８】
上記式（５１）で表される第２のオルガノポリシロキサンにおいて、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位（以下、二官能構造単位ともいう）は、下記式（５１−２）で表される構造、すなわち、二官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。
【００９９】
（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＸＯ１／２） ・・・式（５１−２）
【０１００】
（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、下記式（５１−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（５１−２−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ５４及びＲ５５で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位に含まれる。
【０１０１】
【化１０】
【０１０２】
上記式（５１−２）及び（５１−２−ｂ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（５１−ｂ）、（５１−２）及び（５１−２−ｂ）中のＲ５４及びＲ５５は、上記式（５１）中のＲ５４及びＲ５５と同様の基である。
【０１０３】
上記式（５１）で表される第２のオルガノポリシロキサンにおいて、（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位（以下、三官能構造単位ともいう）は、下記式（５１−３）又は（５１−４）で表される構造、すなわち、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の２つがそれぞれヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。
【０１０４】
（Ｒ５６ＳｉＸ２Ｏ１／２） ・・・式（５１−３）
（Ｒ５６ＳｉＸＯ２／２） ・・・式（５１−４）
【０１０５】
（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位は、下記式（５１−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（５１−３−ｃ）又は（５１−４−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ５６で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位に含まれる。
【０１０６】
【化１１】
【０１０７】
上記式（５１−３）、（５１−３−ｃ）、（５１−４）及び（５１−４−ｃ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（５１−ｃ）、（５１−３）、（５１−３−ｃ）、（５１−４）及び（５１−４−ｃ）中のＲ５６は、上記式（５１）中のＲ５６と同様の基である。
【０１０８】
上記式（５１−ｂ）及び（５１−ｃ）、式（５１−２）〜（５１−４）、並びに式（５１−２−ｂ）、（５１−３−ｃ）及び（５１−４−ｃ）において、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基としては特に限定されず、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基及びｔ−ブトキシ基が挙げられる。
【０１０９】
上記式（５１）中、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）は０．１０以上、０．４０以下である。ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記範囲内であると、封止剤の耐熱性がより一層高くなり、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。上記式（５１）中、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）は、好ましくは０．３５以下、より好ましくは０．３０以下、好ましく０．１５以上、より好ましくは０．２０以上である。
【０１１０】
上記式（５１）中、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）は０．１０以上、０．５０以下である。ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記上限以下であると、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。上記式（５１）中、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）は、好ましくは０．４０以下、より好ましくは０．３０以下である。
【０１１１】
上記式（５１）中、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）は０．２０以上、０．８０以下である。ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記上限以下であると、封止剤としての適正な粘度を維持することが容易であり、密着性がより一層高くなる。上記式（５１）中、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）は、好ましくは０．７０以下、より好ましくは０．６０以下である。
【０１１２】
上記第２のオルガノポリシロキサンについて、テトラメチルシラン（以下、ＴＭＳ）を基準に２９Ｓｉ−核磁気共鳴分析（以下、ＮＭＲ）を行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記式（５１）中の（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位に相当するピークは＋１０〜−５ｐｐｍ付近に現れ、上記式（５１）中の（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）及び上記式（５１−２）の二官能構造単位に相当する各ピークは−１０〜−５０ｐｐｍ付近に現れ、上記式（５１）中の（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）、並びに上記式（５１−３）及び上記式（５１−４）の三官能構造単位に相当する各ピークは−５０〜−８０ｐｐｍ付近に現れる。
【０１１３】
従って、２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって上記式（５１）中の各構造単位の比率を測定できる。
【０１１４】
但し、上記ＴＭＳを基準にした２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定で上記式（５１）中の構造単位の見分けがつかない場合は、２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定結果だけではなく、１Ｈ−ＮＭＲの測定結果を必要に応じて用いることにより、上記式（５１）中の各構造単位の比率を見分けることができる。
【０１１５】
上記第１のオルガノポリシロキサン１００重量部に対して、上記第２のオルガノポリシロキサンの含有量は１０重量部以上、４００重量部以下であることが好ましい。上記第１，第２のオルガノポリシロキサンの含有量がこの範囲内であると、ガスバリア性により一層優れた封止剤が得られる。ガスバリア性に更に一層優れた封止剤を得る観点からは、上記第１のオルガノポリシロキサン１００重量部に対して、上記第２のオルガノポリシロキサンの含有量は、より好ましくは３０重量部以上、更に好ましくは５０重量部以上、より好ましくは３００重量部以下、更に好ましくは２００重量部以下である。
【０１１６】
（第１，第２のオルガノポリシロキサンの他の性質及びその合成方法）
上記第１，第２のオルガノポリシロキサンにおけるアルコキシ基の含有量は、好ましくは０．５モル％以上、より好ましくは１モル％以上、好ましくは１０モル％以下、より好ましくは５モル％以下である。アルコキシ基の含有量が上記下限以上であると、封止剤の密着性が高くなる。アルコキシ基の含有量が上記上限以下であると、上記第１，第２のオルガノポリシロキサン及び封止剤の貯蔵安定性が高くなり、封止剤の耐熱性がより一層高くなる。
【０１１７】
上記アルコキシ基の含有量は、第１，第２のオルガノポリシロキサンの平均組成式中に含まれるアルコキシ基の量を意味する。
【０１１８】
上記第１，第２のオルガノポリシロキサンはシラノール基を含有しないほうが好ましい。上記第１，第２のオルガノポリシロキサンがシラノール基を含有しないと、第１，第２のオルガノポリシロキサン及び封止剤の貯蔵安定性が高くなる。上記シラノール基は、真空下での加熱により減少させることができる。シラノール基の含有量は、赤外分光法を用いて測定できる。
【０１１９】
上記第１のオルガノポリシロキサンの数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１０００以上、より好ましくは２０００以上、好ましくは５００００以下、より好ましくは１５０００以下である。数平均分子量が上記下限以上であると、熱硬化時に揮発成分が少なくなり、高温環境下で封止剤の硬化物の厚みが減少しにくくなる。数平均分子量が上記上限以下であると、粘度調節が容易である。上記第１のオルガノポリシロキサンの数平均分子量（Ｍｎ）は、第１のオルガノポリシロキサン全体での数平均分子量である。
【０１２０】
上記第２のオルガノポリシロキサンの数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは５００以上、より好ましくは８００以上、更に好ましくは１０００以上、好ましくは５００００以下、より好ましくは１５０００以下である。数平均分子量が上記下限以上であると、熱硬化時に揮発成分が少なくなり、高温環境下で封止剤の硬化物の厚みが減少しにくくなる。数平均分子量が上記上限以下であると、粘度調節が容易である。
【０１２１】
上記数平均分子量（Ｍｎ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて、ポリスチレンを標準物質して求めた値である。上記数平均分子量（Ｍｎ）は、Ｗａｔｅｒｓ社製の測定装置（カラム：昭和電工社製 Ｓｈｏｄｅｘ ＧＰＣ ＬＦ−８０４（長さ３００ｍｍ）を２本、測定温度：４０℃、流速：１ｍＬ／分、溶媒：テトラヒドロフラン、標準物質：ポリスチレン）を用いて測定された値を意味する。
【０１２２】
上記第１オルガノポリシロキサンＡの絶対分子量は好ましくは２５０００以上、更に好ましくは３００００以上、好ましくは８００００以下、より好ましくは６００００以下である。絶対分子量が上記下限以上であると封止剤表面のべたつきを大きく低減でき、上記上限以下であると封止剤としての適正な粘度を維持することが容易である。
【０１２３】
上記第１オルガノポリシロキサンＢの絶対分子量は好ましくは３５００以上、より好ましくは５０００以上、好ましくは８０００以下、より好ましくは７０００以下である。絶対分子量が上記下限以上であると封止剤表面のべたつきを大きく低減でき、上記上限以下であると封止剤としての適正な粘度を維持することが容易である。
【０１２４】
上記絶対分子量は上記数平均分子量（Ｍｎ）と同じ装置に多角度光散乱検出器（商品名「ｍｉｎｉ ＤＡＷＮ Ｔｒｉｓｔａｒ」、Ｗｙａｔｔ社製）を取り付けて測定された値を意味する。
【０１２５】
上記第１，第２のオルガノポリシロキサンを合成する方法としては特に限定されず、アルコキシシラン化合物を加水分解し縮合反応させる方法、及びクロロシラン化合物を加水分解し縮合させる方法が挙げられる。なかでも、反応の制御の観点からアルコキシシラン化合物を加水分解し縮合させる方法が好ましい。
【０１２６】
アルコキシシラン化合物を加水分解し縮合させる方法としては、例えば、アルコキシシラン化合物を、水と酸性触媒又は塩基性触媒との存在下で反応させる方法が挙げられる。また、ジシロキサン化合物を加水分解して用いてもよい。
【０１２７】
上記第１のオルガノポリシロキサンにアルケニル基を導入するための有機珪素化合物としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、メトキシジメチルビニルシラン、ビニルジメチルエトキシシラン及び１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。
【０１２８】
上記第２のオルガノポリシロキサンに珪素原子に結合した水素原子を導入するための有機珪素化合物としては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、及び１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。
【０１２９】
上記第１，第２のオルガノポリシロキサンを得るために用いることができる他の有機珪素化合物としては、例えば、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、イソプロピル（メチル）ジメトキシシラン、シクロヘキシル（メチル）ジメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン及びオクチルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【０１３０】
上記第１，第２のオルガノポリシロキサンに必要に応じてアリール基を導入するための有機珪素化合物としては、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、メチル（フェニル）ジメトキシシラン、及びフェニルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【０１３１】
上記酸性触媒としては、例えば、無機酸、有機酸、無機酸の酸無水物及びその誘導体、並びに有機酸の酸無水物及びその誘導体が挙げられる。
【０１３２】
上記無機酸としては、例えば、塩酸、リン酸、ホウ酸及び炭酸が挙げられる。上記有機酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フマル酸、マレイン酸及びオレイン酸が挙げられる。
【０１３３】
上記塩基性触媒としては、例えば、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属のアルコキシド及びアルカリ金属のシラノール化合物が挙げられる。
【０１３４】
上記アルカリ金属の水酸化物としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び水酸化セシウムが挙げられる。上記アルカリ金属のアルコキシドとしては、例えば、ナトリウム−ｔ−ブトキシド、カリウム−ｔ−ブトキシド及びセシウム−ｔ−ブトキシドが挙げられる。
【０１３５】
上記アルカリ金属のシラノール化合物としては、例えば、ナトリウムシラノレート化合物、カリウムシラノレート化合物及びセシウムシラノレート化合物が挙げられる。なかでも、カリウム系触媒又はセシウム系触媒が好ましい。
【０１３６】
（ヒドロシリル化反応用触媒）
本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれているヒドロシリル化反応用触媒は、上記第１のオルガノポリシロキサン中の珪素原子に結合したアルケニル基と、上記第２のオルガノポリシロキサン中の珪素原子に結合した水素原子とをヒドロシリル化反応させる触媒である。
【０１３７】
上記ヒドロシリル化反応用触媒として、ヒドロシリル化反応を進行させる各種の触媒を用いることができる。上記ヒドロシリル化反応用触媒は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１３８】
上記ヒドロシリル化反応用触媒としては、例えば、白金系触媒、ロジウム系触媒及びパラジウム系触媒等が挙げられる。封止剤の透明性が高くなるため、白金系触媒が好ましい。
【０１３９】
上記白金系触媒としては、白金粉末、塩化白金酸、白金−アルケニルシロキサン錯体、白金−オレフィン錯体及び白金−カルボニル錯体が挙げられる。特に、白金−アルケニルシロキサン錯体又は白金−オレフィン錯体が好ましい。
【０１４０】
上記白金−アルケニルシロキサン錯体におけるアルケニルシロキサンとしては、例えば、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、及び１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。上記白金−オレフィン錯体におけるオレフィンとしては、例えば、アリルエーテル及び１，６−ヘプタジエン等が挙げられる。
【０１４１】
上記白金−アルケニルシロキサン錯体及び白金−オレフィン錯体の安定性が向上するため、上記白金−アルケニルシロキサン錯体又は白金−オレフィン錯体に、アルケニルシロキサン、オルガノシロキサンオリゴマー、アリルエーテル又はオレフィンを添加することが好ましい。上記アルケニルシロキサンは、好ましくは１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンである。上記オルガノシロキサンオリゴマーは、好ましくはジメチルシロキサンオリゴマーである。上記オレフィンは、好ましくは１，６−ヘプタジエンである。
【０１４２】
上記ヒドロシリル化反応用触媒は、白金アルケニル錯体を含有することが好ましい。上記白金系触媒は、白金アルケニル錯体とリン化合物との混合物であることが好ましい。すなわち、上記白金系触媒は、白金アルケニル錯体とリン化合物とを含有することが好ましい。上記白金アルケニル錯体は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１４３】
特定の上記第１，第２のオルガノポリシロキサンと、白金アルケニル錯体及びリン化合物の混合物である白金系触媒との併用とにより、封止剤のガスバリア性がより一層高くなる。さらに、硬化した封止剤にクラックが生じ難くなり、かつ封止剤はハウジング材等から剥離し難くなる。
【０１４４】
また、従来の光半導体装置用封止剤では、プリント基板等に実装する際のリフロー工程で封止剤が変色し、光度が低下するという問題がある。これに対して、特定の上記第１，第２のオルガノポリシロキサンと、白金アルケニル錯体及びリン化合物の混合物である白金系触媒との併用により、リフロー工程などの過酷な条件に晒されても、封止剤が変色し難くなる。また、白金アルケニル錯体とリン化合物との混合物である白金系触媒の使用により、封止剤の透明性を高くすることもできる。
【０１４５】
上記リン化合物としては、トリフェニルフォスフィン、トリシクロヘキシルフォスフィン及びトリエチルフォスフィン等が挙げられる。過酷な条件に晒されてもより一層変色し難い封止剤を得る観点からは、上記リン化合物は、トリフェニルフォスフィンであることが好ましい。
【０１４６】
封止剤中で、上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量は、金属原子（金属原子が白金元素である場合には白金元素）の重量単位で０．０１ｐｐｍ以上、１０００ｐｐｍ以下であることが好ましい。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量が０．０１ｐｐｍ以上であると、封止剤を十分に硬化させることが容易であり、更に封止剤のガスバリア性がより一層高くなる。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量が１０００ｐｐｍ以下であると、封止剤の着色の問題が生じ難い。封止剤中で上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量は、金属原子の重量単位で、より好ましくは１ｐｐｍ以上、より好ましくは５００ｐｐｍ以下である。
【０１４７】
白金アルケニル錯体とリン化合物との混合物である白金系触媒を用いる場合には、該白金系触媒は、白金元素と上記リン化合物とを重量比で、０．１：９９．９〜９９．９〜０．１で含むことが好ましく、１：９９〜２０：８０で含むことがより好ましい。
【０１４８】
（酸化珪素粒子）
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、酸化珪素粒子をさらに含むことが好ましい。この酸化珪素粒子の使用により、封止剤の硬化物の耐熱性及び耐光性を損なうことなく、硬化前の封止剤の粘度を適当な範囲に調整できる。従って、封止剤の取り扱い性を高めることができる。また、上記酸化珪素粒子は、有機珪素化合物により表面処理されていることが好ましい。この表面処理により、酸化珪素粒子の分散性が非常に高くなり、硬化前の封止剤の温度上昇による粘度の低下をより一層抑制できる。
【０１４９】
上記酸化珪素粒子の一次粒子径は、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは８ｎｍ以上、好ましくは２００ｎｍ以下、より好ましくは１５０ｎｍ以下である。上記酸化珪素粒子の一次粒子径が上記下限以上であると、酸化珪素粒子の分散性がより一層高くなり、封止剤の硬化物の透明性がより一層高くなる。上記酸化珪素粒子の一次粒子径が上記上限以下であると、２５℃における粘度の上昇効果を充分に得ることができ、かつ温度上昇における粘度の低下を抑制できる。
【０１５０】
上記酸化珪素粒子の一次粒子径は、以下のようにして測定される。光半導体装置用封止剤の硬化物を透過型電子顕微鏡（商品名「ＪＥＭ−２１００」、日本電子社製）を用いて観察する。視野中の１００個の酸化珪素粒子の一次粒子の大きさをそれぞれ測定し、測定値の平均値を一次粒子径とする。上記一次粒子径は、上記酸化珪素粒子が球形である場合には酸化珪素粒子の直径の平均値を意味し、非球形である場合には酸化珪素粒子の長径の平均値を意味する。
【０１５１】
上記酸化珪素粒子のＢＥＴ比表面積は、好ましくは３０ｍ２／ｇ以上、好まししくは４００ｍ２／ｇ以下である。上記酸化珪素粒子のＢＥＴ比表面積が上記下限以上であると、封止剤の２５℃における粘度を好適な範囲に制御でき、温度上昇における粘度の低下を抑制できる。上記酸化珪素粒子のＢＥＴ比表面積が上記上限以下であると、酸化珪素粒子の凝集が生じ難くなり、酸化珪素粒子の分散性がより一層高くなり、更に封止剤の硬化物の透明性がより一層高くなる。
【０１５２】
上記酸化珪素粒子としては特に限定されず、例えば、フュームドシリカ、溶融シリカ等の乾式法で製造されたシリカ、並びにコロイダルシリカ、ゾルゲルシリカ、沈殿シリカ等の湿式法で製造されたシリカ等が挙げられる。なかでも、揮発成分が少なく、かつ透明性がより一層高い封止剤を得る観点からは、上記酸化珪素粒子として、フュームドシリカが好適に用いられる。
【０１５３】
上記フュームドシリカとしては、例えば、Ａｅｒｏｓｉｌ ５０（比表面積：５０ｍ２／ｇ）、Ａｅｒｏｓｉｌ ９０（比表面積：９０ｍ２／ｇ）、Ａｅｒｏｓｉｌ １３０（比表面積：１３０ｍ２／ｇ）、Ａｅｒｏｓｉｌ ２００（比表面積：２００ｍ２／ｇ）、Ａｅｒｏｓｉｌ ３００（比表面積：３００ｍ２／ｇ）、及びＡｅｒｏｓｉｌ ３８０（比表面積：３８０ｍ２／ｇ）（いずれも日本アエロジル社製）等が挙げられる。
【０１５４】
上記有機珪素化合物としては特に限定されず、例えば、アルキル基を有するシラン系化合物、ジメチルシロキサン等のシロキサン骨格を有する珪素系化合物、アミノ基を有する珪素系化合物、（メタ）アクリロイル基を有する珪素系化合物、及びエポキシ基を有する珪素系化合物等が挙げられる。上記「（メタ）アクリロイル基」は、アクリロイル基とメタクリロイル基とを意味する。
【０１５５】
酸化珪素粒子の分散性をさらに一層高める観点からは、酸化珪素粒子は、ジメチルシリル基を有する有機ケイ素化合物、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物及びポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物からなる群から選択された少なくとも１種により表面処理されていることが好ましい。上記酸化珪素粒子を表面処理するための上記有機珪素化合物は、ジメチルシリル基を有する有機ケイ素化合物、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物及びポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物からなる群から選択された少なくとも１種であることが好ましい。
【０１５６】
有機珪素化合物により表面処理する方法の一例として、ジメチルシリル基を有する有機ケイ素化合物又はトリメチルシリル基を有する有機珪素化合物を用いる場合には、例えば、ジクロロジメチルシラン、ジメチルジメトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルシリルクロライド及びトリメチルメトキシシラン等を用いて、酸化珪素粒子を表面処理する方法が挙げられる。ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物を用いる場合には、ポリジメチルシロキサン基の末端にシラノール基を有する化合物及び環状シロキサン等を用いて、酸化珪素粒子を表面処理する方法が挙げられる。
【０１５７】
上記ジメチルシリル基を有する有機ケイ素化合物により表面処理された酸化ケイ素粒子の市販品としては、Ｒ９７４（比表面積：１７０ｍ２／ｇ）、及びＲ９６４（比表面積：２５０ｍ２／ｇ）（いずれも日本アエロジル社製）等が挙げられる。
【０１５８】
上記トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子の市販品としては、ＲＸ２００（比表面積：１４０ｍ２／ｇ）、及びＲ８２００（比表面積：１４０ｍ２／ｇ）（いずれも日本アエロジル社製）等が挙げられる。
【０１５９】
上記ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子の市販品としては、ＲＹ２００（比表面積：１２０ｍ２／ｇ）（日本アエロジル社製）等が挙げられる。
【０１６０】
上記有機珪素化合物により酸化珪素粒子を表面処理する方法は特に限定されない。この方法としては、例えば、ミキサー中に酸化珪素粒子を添加し、攪拌しながら有機珪素化合物を添加する乾式法、酸化珪素粒子のスラリー中に有機珪素化合物を添加するスラリー法、並びに、酸化珪素粒子の乾燥後に有機珪素化合物をスプレー付与するスプレー法などの直接処理法等が挙げられる。上記乾式法で用いられるミキサーとしては、ヘンシェルミキサー及びＶ型ミキサー等が挙げられる。上記乾式法では、有機珪素化合物は、直接、又は、アルコール水溶液、有機溶媒溶液若しくは水溶液として添加される。
【０１６１】
上記有機珪素化合物により表面処理されている酸化珪素粒子を得るために、光半導体装置用封止剤を調製する際に、酸化珪素粒子と上記第１，第２のオルガノポリシロキサン等のマトリクス樹脂との混合時に、有機珪素化合物を直接添加するインテグレルブレンド法等を用いてもよい。
【０１６２】
上記第１のオルガノポリシロキサンと上記第２のオルガノポリシロキサンとの合計１００重量部に対して、上記酸化珪素粒子の含有量は好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは０．５重量部以上、更に好ましくは１重量部以上、好ましくは４０重量部以下、更に好ましくは３５重量部以下、特に好ましくは２０重量部以下である。上記酸化珪素粒子の含有量が上記下限以上であると、硬化時の粘度低下を抑制することが可能になる。上記酸化珪素粒子の含有量が上記上限以下であると、封止剤の粘度をより一層適正な範囲に制御でき、かつ封止剤の透明性をより一層高めることができる。
【０１６３】
（蛍光体）
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、蛍光体をさらに含んでいてもよい。封止剤が予め蛍光体を含んでいても、該蛍光体は沈降し難い。
【０１６４】
また、本発明に係る光半導体装置用封止剤は、蛍光体を含んでいなくてもよい。この場合には、封止剤は、使用時に蛍光体が添加されて、用いられ得る。封止剤に蛍光体が添加されても、添加された蛍光体は沈降し難い。
【０１６５】
上記蛍光体は、光半導体装置用封止剤を用いて封止する発光素子が発する光を吸収し、蛍光を発生することによって、最終的に所望の色の光を得ることができるように作用する。上記蛍光体は、発光素子が発する光によって励起され、蛍光を発し、発光素子が発する光と蛍光体が発する蛍光との組み合わせによって、所望の色の光を得ることができる。
【０１６６】
例えば、発光素子として紫外線ＬＥＤチップを使用して最終的に白色光を得ることを目的とする場合には、青色蛍光体、赤色蛍光体及び緑色蛍光体を組み合わせて用いることが好ましい。発光素子として青色ＬＥＤチップを使用して最終的に白色光を得ることを目的とする場合には、緑色蛍光体及び赤色蛍光体を組み合わせて用いるか、又は、黄色蛍光体を用いることが好ましい。上記蛍光体は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１６７】
上記青色蛍光体としては特に限定されず、例えば、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、（Ｂａ、Ｓｒ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ、（Ｓｒ、Ｂａ）３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ等が挙げられる。
【０１６８】
上記赤色蛍光体としては特に限定されず、例えば、（Ｓｒ、Ｃａ）Ｓ：Ｅｕ、（Ｃａ、Ｓｒ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ２：Ｅｕ、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、ＬｉＷ２Ｏ８：（Ｅｕ、Ｓｍ）、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂｓ、Ｍｇ）１０（ＰＯ４）８Ｃｌ２：（Ｅｕ、Ｍｎ）、Ｂａ３ＭｇＳｉ２Ｏ８：（Ｅｕ、Ｍｎ）等が挙げられる。
【０１６９】
上記緑色蛍光体としては特に限定されず、例えば、Ｙ３（Ａｌ、Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ、Ｃａ３Ｓｃ２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ、ＳｒＳｉＯＮ：Ｅｕ、ＺｎＳ：（Ｃｕ、Ａｌ）、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７（Ｅｕ、Ｍｎ）、ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ等が挙げられる。
【０１７０】
上記黄色蛍光体としては特に限定されず、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ、Ｇｄ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、Ｔｂ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、ＣａＧａ２Ｓ４：Ｅｕ、Ｓｒ２ＳｉＯ４：Ｅｕ等が挙げられる。
【０１７１】
さらに、上記蛍光体としては、有機蛍光体であるペリレン系化合物等が挙げられる。
【０１７２】
上記蛍光体の体積平均粒径は、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは２μｍ以上、好ましくは３０μｍ以下、より好ましくは２５μｍ以下である。
【０１７３】
所望の色の光を得るように、上記蛍光体の含有量は適宜調整でき、特に限定されない。本発明に係る光半導体装置用封止剤１００重量部に対して、上記蛍光体の含有量は、０．１重量部以上、４０重量部以下であることが好ましい。光半導体装置用封止剤の蛍光体を除く全成分１００重量部に対して、上記蛍光体の含有量は０．１重量部以上、４０重量部以下であることが好ましい。
【０１７４】
（カップリング剤）
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、接着性を付与するために、カップリング剤をさらに含んでいてもよい。
【０１７５】
上記カップリング剤としては特に限定されず、例えば、シランカップリング剤等が挙げられる。該シランカップリング剤としては、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、及びＮ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。カップリング剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１７６】
（他の成分）
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、必要に応じて、分散剤、酸化防止剤、消泡剤、着色剤、変性剤、レベリング剤、光拡散剤、熱伝導性フィラー又は難燃剤等の添加剤をさらに含んでいてもよい。
【０１７７】
なお、上記第１のオルガノポリシロキサンと、上記第２のオルガノポリシロキサンと、上記ヒドロシリル化反応用触媒とは、これらを１種又は２種以上含む液を別々に調製しておき、使用直前に複数の液を混合して、本発明に係る光半導体装置用封止剤を調製してもよい。例えば、上記第１のオルガノポリシロキサン及びヒドロシリル化反応用触媒を含むＡ液と、第２のオルガノポリシロキサンを含むＢ液とを別々に調製しておき、使用直前にＡ液とＢ液を混合して、本発明に係る光半導体装置用封止剤を調製してもよい。酸化珪素粒子又は蛍光体を用いる場合には、酸化珪素粒子と蛍光体とはそれぞれ、Ａ液に添加してもよく、Ｂ液に添加してもよい。このように上記第１のオルガノポリシロキサン及び上記ヒドロシリル化反応用触媒と上記第２のオルガノポリシロキサンとを別々に、第１の液と第２の液との２液にすることによって保存安定性を向上させることができる。
【０１７８】
（光半導体装置用封止剤の詳細及び用途）
本発明に係る光半導体装置用封止剤の硬化温度は特に限定されない。光半導体装置用封止剤の硬化温度は、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１００℃以上、好ましくは１８０℃以下、より好ましくは１５０℃以下である。硬化温度が上記下限以上であると、封止剤の硬化が充分に進行する。硬化温度が上記上限以下であると、パッケージの熱劣化が起こり難い。
【０１７９】
硬化方式として、特に限定されないが、ステップキュア方式を用いることが好ましい。ステップキュア方式は、一旦低温で仮硬化させておき、その後に高温で硬化させる方法である。ステップキュア方式の使用により、封止剤の硬化収縮が抑えられる。
【０１８０】
本発明に係る光半導体装置用封止剤の製造方法としては特に限定されず、例えば、ホモディスパー、ホモミキサー、万能ミキサー、プラネタリウムミキサー、ニーダー、三本ロール又はビーズミル等の混合機を用いて、常温又は加温下で、上記第１のオルガノポリシロキサン、上記第２のオルガノポリシロキサン、上記ヒドロシリル化反応用触媒、及び必要に応じて配合される他の成分を混合する方法等が挙げられる。
【０１８１】
上記発光素子としては、半導体を用いた発光素子であれば特に限定されず、例えば、上記発光素子が発光ダイオードである場合、例えば、基板上にＬＥＤ形式用半導体材料を積層した構造が挙げられる。この場合、半導体材料としては、例えば、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＡｌＮ、及びＳｉＣ等が挙げられる。
【０１８２】
上記基板の材料としては、例えば、サファイア、スピネル、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ、及びＧａＮ単結晶等が挙げられる。また、必要に応じ基板と半導体材料との間にバッファー層が形成されていてもよい。上記バッファー層の材料としては、例えば、ＧａＮ及びＡｌＮ等が挙げられる。
【０１８３】
本発明に係る光半導体装置としては、具体的には、例えば、発光ダイオード装置、半導体レーザー装置及びフォトカプラ等が挙げられる。このような光半導体装置は、例えば、液晶ディスプレイ等のバックライト、照明、各種センサー、プリンター及びコピー機等の光源、車両用計測器光源、信号灯、表示灯、表示装置、面状発光体の光源、ディスプレイ、装飾、各種ライト並びにスイッチング素子等に好適に用いられる。
【０１８４】
本発明に係る光半導体装置では、本発明に係る光半導体装置用封止剤の硬化物により、光半導体により形成された発光素子が封止されている。本発明に係る光半導体装置では、ＬＥＤなどの光半導体により形成された発光素子を封止するように、光半導体装置用封止剤の硬化物が配置されている。このため、発光素子を封止している光半導体装置用封止剤の硬化物にクラックが生じ難く、パッケージからの剥離が生じ難く、かつ封止剤の光透過性、耐熱性、耐候性及びガスバリア性を高めることができる。
【０１８５】
（光半導体装置の実施形態）
図１は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を示す正面断面図である。
【０１８６】
本実施形態の光半導体装置１は、ハウジング２を有する。ハウジング２内にＬＥＤからなる光半導体素子３が実装されている。この光半導体素子３の周囲を、ハウジング２の光反射性を有する内面２ａが取り囲んでいる。本実施形態では、光半導体により形成された発光素子として、光半導体素子３が用いられている。
【０１８７】
内面２ａは、内面２ａの径が開口端に向かうにつれて大きくなるように形成されている。従って、光半導体素子３から発せられた光のうち、内面２ａに到達した光が内面２ａにより反射され、光半導体素子３の前方側に進行する。光半導体素子３を封止するように、内面２ａで囲まれた領域内には、光半導体装置用封止剤４が充填されている。
【０１８８】
なお、図１に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、光半導体装置の実装構造等には適宜変形され得る。
【０１８９】
以下に、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。
【０１９０】
（合成例１）第１のオルガノポリシロキサンＡの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン４８６ｇ、及び１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン１．２ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム２．２ｇを水１４４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸２．４ｇを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ａ）を得た。
【０１９１】
得られたポリマー（Ａ）の絶対分子量は５９３００であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ａ）は、下記の平均組成式（Ａ１）を有していた。
【０１９２】
（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．９９（ＶｉＭｅＳｉＯ１／２）０．００４ …式（Ａ１）
【０１９３】
上記式（Ａ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｖｉはビニル基を示す。
【０１９４】
得られたポリマー（Ａ）のメチル基の含有比率は９９モル％であった。
【０１９５】
なお、合成例１及び後述の合成例で得られた各ポリマーの絶対分子量は、１０ｍｇにテトラヒドロフラン１ｍＬを加え、溶解するまで攪拌し、多角度光散乱検出器（商品名「ｍｉｎｉ ＤＡＷＮ Ｔｒｉｓｔａｒ」、Ｗｙａｔｔ社製）を取り付けたＧＰＣ測定により測定した。ＧＰＣ測定では、Ｗａｔｅｒｓ社製の測定装置（カラム：昭和電工社製 Ｓｈｏｄｅｘ ＧＰＣ ＬＦ−８０４（長さ３００ｍｍ）×２本、測定温度：４０℃、流速：１ｍＬ／ｍｉｎ、溶媒：テトラヒドロフラン、標準物質：ポリスチレン）を用いた。
【０１９６】
（合成例２）第１のオルガノポリシロキサンＡの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン４５６ｇ、ジフェニルジメトキシシラン４８．８ｇ、及び１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン２．２ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム２．２ｇを水１４４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸２．４ｇを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｂ）を得た。
【０１９７】
得られたポリマーの絶対分子量は３８５００であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｂ）は、下記の平均組成式（Ｂ１）を有していた。
【０１９８】
（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．９５（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．０４５（ＶｉＭｅＳｉＯ１／２）０．００８ …式（Ｂ１）
【０１９９】
上記式（Ｂ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。
【０２００】
得られたポリマー（Ｂ）のメチル基の含有比率は９０モル％、フェニル基の含有比率は９モル％であった。
【０２０１】
（合成例３）第１のオルガノポリシロキサンＡの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン４５７ｇ、ジフェニルジメトキシシラン４８．８ｇ、及び１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン１．２ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム２．２ｇを水１４４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸２．４ｇを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｃ）を得た。
【０２０２】
得られたポリマーの絶対分子量は５８７００であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｃ）は、下記の平均組成式（Ｃ１）を有していた。
【０２０３】
（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．９５（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．０４５（ＶｉＭｅＳｉＯ１／２）０．００４ …式（Ｃ１）
上記式（Ｃ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。
【０２０４】
得られたポリマー（Ｃ）のメチル基の含有比率は９０モル％、フェニル基の含有比率は９モル％であった。
【０２０５】
（合成例４）第１のオルガノポリシロキサンＡの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン４５８ｇ、ジフェニルジメトキシシラン４８．８ｇ、及び１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン０．６ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム２．２ｇを水１４４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸２．４ｇを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｄ）を得た。
【０２０６】
得られたポリマーの絶対分子量は８３４００であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｄ）は、下記の平均組成式（Ｄ１）を有していた。
【０２０７】
（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．９５（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．０４５（ＶｉＭｅＳｉＯ１／２）０．００２ …式（Ｄ１）
上記式（Ｄ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。
【０２０８】
得られたポリマー（Ｄ）のメチル基の含有比率は９０モル％、フェニル基の含有比率は９モル％であった。
【０２０９】
（合成例５）第１のオルガノポリシロキサンＢの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン４８７ｇ、及び１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン１４．８ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム２．２ｇを水１４４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸２．４ｇを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｅ）を得た。
【０２１０】
得られたポリマーの絶対分子量は５８３０であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｅ）は、下記の平均組成式（Ｅ１）を有していた。
【０２１１】
（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．９８（ＶｉＭｅＳｉＯ１／２）０．０２２ …式（Ｅ１）
【０２１２】
上記式（Ｅ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｖｉはビニル基を示す。
【０２１３】
得られたポリマー（Ｅ）のメチル基の含有比率は９８モル％であった。
【０２１４】
（合成例６）第１のオルガノポリシロキサンＢの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン４５４ｇ、ジフェニルジメトキシシラン４８．８ｇ、及び１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン１６．３ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム２．２ｇを水１４４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸２．４ｇを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｆ）を得た。
【０２１５】
得られたポリマー（Ｆ）の絶対分子量は３８２０であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｆ）は、下記の平均組成式（Ｆ１）を有していた。
【０２１６】
（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．９３（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．０４５（ＶｉＭｅＳｉＯ１／２）０．０２５ …式（Ｆ１）
【０２１７】
上記式（Ｆ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。
【０２１８】
得られたポリマー（Ｆ）のメチル基の含有比率は８８モル％、フェニル基の含有比率は９モル％であった。
【０２１９】
（合成例７）第１のオルガノポリシロキサンＢの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン４５１ｇ、ジフェニルジメトキシシラン４８．８ｇ、及び１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン１４．８ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム２．２ｇを水１４４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸２．４ｇを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｇ）を得た。
【０２２０】
得られたポリマー（Ｇ）の絶対分子量は５７６０であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｇ）は、下記の平均組成式（Ｇ１）を有していた。
【０２２１】
（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．９３（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．０５（ＶｉＭｅＳｉＯ１／２）０．０２１ …式（Ｇ１）
【０２２２】
上記式（Ｇ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。
【０２２３】
得られたポリマー（Ｇ）のメチル基の含有比率は８９モル％、フェニル基の含有比率は９モル％であった。
【０２２４】
（合成例８）第１のオルガノポリシロキサンＢの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン４５４ｇ、ジフェニルジメトキシシラン４８．８ｇ、及び１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン１１．８ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム２．２ｇを水１４４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸２．４ｇを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｈ）を得た。
【０２２５】
得られたポリマー（Ｈ）の絶対分子量は７６５０であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｈ）は、下記の平均組成式（Ｈ１）を有していた。
【０２２６】
（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．９４（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．０４５（ＶｉＭｅＳｉＯ１／２）０．０１７ …式（Ｈ１）
【０２２７】
上記式（Ｈ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。
【０２２８】
得られたポリマー（Ｈ）のメチル基の含有比率は８９モル％、フェニル基の含有比率は９モル％であった。
【０２２９】
（合成例９）第２のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン９０．２ｇ、メチルトリメトキシシラン２１７ｇ、ビニルトリメトキシシラン３１ｇ、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン４０ｇ、及びトリメチルメトキシシラン１６ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸２．０ｇと水１３４ｇの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｉ）を得た。
【０２３０】
得られたポリマー（Ｉ）の絶対分子量は３４２０であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｉ）は、下記の平均組成式（Ｉ１）を有していた。
【０２３１】
（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．２５（ＭｅＳｉＯ３／２）０．５２（ＶｉＳｉＯ３／２）０．０７（ＨＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．１０（Ｍｅ３ＳｉＯ１／２）０．０６ …式（Ｉ１）
【０２３２】
上記式（Ｉ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｖｉはビニル基を示す。
【０２３３】
得られたポリマー（Ｉ）のメチル基の含有比率は９０モル％であった。
【０２３４】
（合成例１０）第２のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン７２ｇ、メチルトリメトキシシラン２１７ｇ、ジフェニルジメトキシシラン４９ｇ、ビニルトリメトキシシラン３１ｇ、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン４０ｇ、及びトリメチルメトキシシラン１６ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸２．０ｇと水１３４ｇの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｊ）を得た。
【０２３５】
得られたポリマー（Ｊ）の絶対分子量は３３９０であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｊ）は、下記の平均組成式（Ｊ１）を有していた。
【０２３６】
（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．２１（ＭｅＳｉＯ３／２）０．５３（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．０４（ＶｉＳｉＯ３／２）０．０７（ＨＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．１０（Ｍｅ３ＳｉＯ１／２）０．０５ …式（Ｊ１）
【０２３７】
上記式（Ｊ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。
【０２３８】
得られたポリマー（Ｊ）のメチル基の含有比率は８２モル％、フェニル基の含有比率は８モル％であった。
【０２３９】
（実施例１）
ポリマーＢ（２ｇ）、ポリマーＦ（８ｇ）、ポリマーＪ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２４０】
（実施例２）
ポリマーＢ（５ｇ）、ポリマーＦ（５ｇ）、ポリマーＪ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２４１】
（実施例３）
ポリマーＢ（８ｇ）、ポリマーＦ（２ｇ）、ポリマーＪ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２４２】
（実施例４）
ポリマーＣ（２ｇ）、ポリマーＧ（８ｇ）、ポリマーＪ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２４３】
（実施例５）
ポリマーＣ（５ｇ）、ポリマーＧ（５ｇ）、ポリマーＪ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２４４】
（実施例６）
ポリマーＣ（８ｇ）、ポリマーＧ（２ｇ）、ポリマーＪ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２４５】
（実施例７）
ポリマーＤ（２ｇ）、ポリマーＨ（８ｇ）、ポリマーＪ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２４６】
（実施例８）
ポリマーＤ（５ｇ）、ポリマーＨ（５ｇ）、ポリマーＪ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２４７】
（実施例９）
ポリマーＤ（８ｇ）、ポリマーＨ（２ｇ）、ポリマーＪ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２４８】
（実施例１０）
ポリマーＡ（２ｇ）、ポリマーＥ（８ｇ）、ポリマーＩ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２４９】
（実施例１１）
ポリマーＡ（５ｇ）、ポリマーＥ（５ｇ）、ポリマーＩ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２５０】
（実施例１２）
ポリマーＡ（８ｇ）、ポリマーＥ（２ｇ）、ポリマーＩ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２５１】
（比較例１）
ポリマーＡ（１０ｇ）、ポリマーＩ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２５２】
（比較例２）
ポリマーＥ（１０ｇ）、ポリマーＩ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２５３】
（比較例３）
ポリマーＣ（１０ｇ）、ポリマーＪ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２５４】
（比較例４）
ポリマーＧ（１０ｇ）、ポリマーＪ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２５５】
（評価）
（光半導体装置の作製）
銀めっきされたリード電極付きポリフタルアミド製ハウジング材に、ダイボンド材によって主発光ピークが４６０ｎｍの発光素子が実装されており、発光素子とリード電極とが金ワイヤーで接続されている構造において、得られた光半導体装置用封止剤を注入し、１５０℃で２時間加熱して硬化させ、光半導体装置を作製した。この光半導体装置を用いて、下記の項目について評価を実施した。
【０２５６】
（通電試験）
得られた光半導体装置について、２３℃の温度下、光度測定装置（「ＯＬ７７０」、オプトロニックラボラトリーズ社製）を用いて発光素子に２０ｍＡの電流を流した時の光度を測定した（以下、「初期光度」と称する）。
【０２５７】
次いで、発光素子に２０ｍＡの電流を流した状態で光半導体装置を８５℃及び相対湿度８５ＲＨ％雰囲気下のチャンバー内に入れて、５００時間放置した。５００時間後、２３℃の温度下、光度測定装置（「ＯＬ７７０」、オプトロニックラボラトリーズ社製）を用いて発光素子に２０ｍＡの電流を流した時の光度を測定し、初期光度対する光度の低下率を算出した。光度の低下率が５％未満の場合を「○○」、５〜１０％未満の場合を「○」、１０〜２０％未満の場合を「△」、３０％以上の場合を「×」と判定した。
【０２５８】
（変色）
通電試験後のサンプルにおいて、通電試験前のサンプルから変色しているか否かを目視で観察した。
【０２５９】
通電試験前後のサンプル間で、変色が見られない場合を「○」、わずかに変色が見られる場合を「△」、著しい変色が見られる場合を「×」と判定した。
【０２６０】
（ガス腐食試験）
得られた光半導体装置を、４０℃及び相対湿度９０％ＲＨ雰囲気下のチャンバー内に入れ、硫化水素ガスの濃度が５ｐｐｍ、二酸化硫黄ガスの濃度が１５ｐｐｍとなるようにチャンバー内にガスを充填した。ガスの充填から、２４時間後、４８時間後、９６時間後、１６８時間後及び５００時間後にそれぞれ、銀めっきされたリード電極を目視で観察した。
【０２６１】
銀めっきに変色が見られない場合を「○○」、銀めっきに茶褐色に変色した箇所が少しみられる場合を「○」、銀めっきのほとんどすべてが茶色に変色した場合を「△」、銀めっきのほとんどすべてが黒色に変色した場合を「×」と判定した。
【０２６２】
（熱衝撃試験）
得られた光半導体装置を、液槽式熱衝撃試験機（「ＴＳＢ−５１」、ＥＳＰＥＣ社製）を用いて、−５０℃で５分間保持した後、１３５℃まで昇温し、１３５℃で５分間保持した後−５０℃まで降温する過程を１サイクルとする冷熱サイクル試験を実施した。５００サイクル後、１０００サイクル及び１５００サイクル後にそれぞれ２０個のサンプルを取り出した。
【０２６３】
実体顕微鏡（「ＳＭＺ−１０」、ニコン社製）にてサンプルを観察した。２０個のサンプルの光半導体装置用封止剤にそれぞれクラックが生じているか否か、又は光半導体装置用封止剤がパッケージ又は電極から剥離しているか否かを観察し、クラック又は剥離が生じたサンプルの数（ＮＧ数）を数えた。
【０２６４】
（光半導体装置用封止剤の硬化物の表面の粘着性（べたつき）の評価）
得られた光半導体装置を、２３℃及び５０ＲＨ％の雰囲気下で２４時間放置した。２４時間放置した後直ちに、光半導体装置用封止剤の硬化物の表面の粘着性（べたつき）を、硬化物に指を接触させて確認した。指を接触させた場合に粘着性（べたつき）をほとんど感じない場合には、粘着性なしとして「○」と評価し、指の表面が粘着性（べたつき）を感じた場合には、粘着性ありとして「×」と評価した。
【０２６５】
結果を下記の表１に示す。下記の表１において、重量比（Ａ：Ｂ）は、第１のオルガノポリシロキサン全体における重量比（第１のオルガノポリシロキサンＡ：第１のオルガノポリシロキサンＢ）を示す。
【０２６６】
【表１】
【符号の説明】
【０２６７】
１…光半導体装置
２…ハウジング
２ａ…内面
３…光半導体素子
４…光半導体装置用封止剤
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表され、かつ珪素原子に結合したアルケニル基を有する第１のオルガノポリシロキサン（但し、珪素原子に結合した水素原子を有するオルガノポリシロキサンを除く）と、
下記式（５１）で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有する第２のオルガノポリシロキサンと、
ヒドロシリル化反応用触媒とを含み、
前記第１のオルガノポリシロキサンが、珪素原子に結合したアリール基を有さないか又は珪素原子に結合したアリール基を有し、前記第１のオルガノポリシロキサンが珪素原子に結合したアリール基を有する場合には、前記第１のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｘ）より求められる珪素原子に結合したアリール基の含有比率が２０モル％以下であり、
前記第２のオルガノポリシロキサンが、珪素原子に結合したアリール基を有さないか又は珪素原子に結合したアリール基を有し、前記第２のオルガノポリシロキサンが珪素原子に結合したアリール基を有する場合には、前記第２のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｘ）より求められる珪素原子に結合したアリール基の含有比率が２０モル％以下であり、
前記第１のオルガノポリシロキサン全体における絶対分子量が２００００以上、１０００００以下である第１のオルガノポリシロキサンと絶対分子量が２０００以上、１００００以下である第１のオルガノポリシロキサンとの重量比が、１０：９０〜９０：１０である、光半導体装置用封止剤。
【化１】
前記式（１）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．３０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．７０〜１．０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．１０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、アルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。
【化２】
上記式（５１）中、ｐ、ｑ及びｒは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１０〜０．４０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１０〜０．５０及びｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．２０〜０．８０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個が水素原子を表し、水素原子以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。
珪素原子に結合したアリール基の含有比率（モル％）＝（前記第１のオルガノポリシロキサン又は前記第２のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合したアリール基の平均個数×アリール基の分子量／前記第１のオルガノポリシロキサン又は前記第２のオルガノポリシロキサンの数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｘ）
【請求項２】
前記第１のオルガノポリシロキサンが、珪素原子に結合したメチル基を有し、
前記式（１）中、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、アルケニル基及びメチル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数２〜８の炭化水素基を表し、
前記第２のオルガノポリシロキサンが、珪素原子に結合したメチル基を有し、
前記式（５１）中、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個が珪素原子を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、珪素原子及びメチル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数２〜８の炭化水素基を表す、請求項１に記載の光半導体装置用封止剤。
【請求項３】
前記第１のオルガノポリシロキサン及び前記第２のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｙ）より求められる珪素原子に結合したメチル基の含有比率がそれぞれ、８０モル％以上である、請求項２に記載の光半導体装置用封止剤。
珪素原子に結合したメチル基の含有比率（モル％）＝（前記第１のオルガノポリシロキサン又は前記第２のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合したメチル基の平均個数×メチル基の分子量／前記第１のオルガノポリシロキサン又は前記第２のオルガノポリシロキサンの数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｙ）
【請求項４】
前記式（１）中、（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、Ｒ１がアルケニル基を表し、Ｒ２及びＲ３がアルケニル基又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す構造単位を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
【請求項５】
前記第２のオルガノポリシロキサンが、珪素原子に結合したビニル基を有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
【請求項６】
光半導体素子と、
前記光半導体素子を封止するように設けられた請求項１〜５のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤とを備える、光半導体装置。
【請求項１】
下記式（１）で表され、かつ珪素原子に結合したアルケニル基を有する第１のオルガノポリシロキサン（但し、珪素原子に結合した水素原子を有するオルガノポリシロキサンを除く）と、
下記式（５１）で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有する第２のオルガノポリシロキサンと、
ヒドロシリル化反応用触媒とを含み、
前記第１のオルガノポリシロキサンが、珪素原子に結合したアリール基を有さないか又は珪素原子に結合したアリール基を有し、前記第１のオルガノポリシロキサンが珪素原子に結合したアリール基を有する場合には、前記第１のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｘ）より求められる珪素原子に結合したアリール基の含有比率が２０モル％以下であり、
前記第２のオルガノポリシロキサンが、珪素原子に結合したアリール基を有さないか又は珪素原子に結合したアリール基を有し、前記第２のオルガノポリシロキサンが珪素原子に結合したアリール基を有する場合には、前記第２のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｘ）より求められる珪素原子に結合したアリール基の含有比率が２０モル％以下であり、
前記第１のオルガノポリシロキサン全体における絶対分子量が２００００以上、１０００００以下である第１のオルガノポリシロキサンと絶対分子量が２０００以上、１００００以下である第１のオルガノポリシロキサンとの重量比が、１０：９０〜９０：１０である、光半導体装置用封止剤。
【化１】
前記式（１）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．３０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．７０〜１．０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．１０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、アルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。
【化２】
上記式（５１）中、ｐ、ｑ及びｒは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１０〜０．４０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１０〜０．５０及びｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．２０〜０．８０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個が水素原子を表し、水素原子以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。
珪素原子に結合したアリール基の含有比率（モル％）＝（前記第１のオルガノポリシロキサン又は前記第２のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合したアリール基の平均個数×アリール基の分子量／前記第１のオルガノポリシロキサン又は前記第２のオルガノポリシロキサンの数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｘ）
【請求項２】
前記第１のオルガノポリシロキサンが、珪素原子に結合したメチル基を有し、
前記式（１）中、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、アルケニル基及びメチル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数２〜８の炭化水素基を表し、
前記第２のオルガノポリシロキサンが、珪素原子に結合したメチル基を有し、
前記式（５１）中、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個が珪素原子を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、珪素原子及びメチル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数２〜８の炭化水素基を表す、請求項１に記載の光半導体装置用封止剤。
【請求項３】
前記第１のオルガノポリシロキサン及び前記第２のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｙ）より求められる珪素原子に結合したメチル基の含有比率がそれぞれ、８０モル％以上である、請求項２に記載の光半導体装置用封止剤。
珪素原子に結合したメチル基の含有比率（モル％）＝（前記第１のオルガノポリシロキサン又は前記第２のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合したメチル基の平均個数×メチル基の分子量／前記第１のオルガノポリシロキサン又は前記第２のオルガノポリシロキサンの数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｙ）
【請求項４】
前記式（１）中、（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、Ｒ１がアルケニル基を表し、Ｒ２及びＲ３がアルケニル基又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す構造単位を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
【請求項５】
前記第２のオルガノポリシロキサンが、珪素原子に結合したビニル基を有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
【請求項６】
光半導体素子と、
前記光半導体素子を封止するように設けられた請求項１〜５のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤とを備える、光半導体装置。
【図１】
【公開番号】特開２０１３−１８９００（Ｐ２０１３−１８９００Ａ）
【公開日】平成２５年１月３１日（２０１３．１．３１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１５４５１１（Ｐ２０１１−１５４５１１）
【出願日】平成２３年７月１３日（２０１１．７．１３）
【出願人】（０００００２１７４）積水化学工業株式会社 (5,781)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月３１日（２０１３．１．３１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年７月１３日（２０１１．７．１３）
【出願人】（０００００２１７４）積水化学工業株式会社 (5,781)
【Ｆターム（参考）】
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