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Fターム[4K018AA40]の内容

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Fターム[4K018AA40]に分類される特許

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【課題】
金属マトリックス中に金属被覆ダイヤモンド粒子を含有してなる複合ヒートシンク材において、熱伝導性の改良されたヒートシンク材を提供すること。
【解決手段】
本発明のヒートシンク材は次の各工程を経て製造される:
1. 整粒されたダイヤモンド粒子の全表面に、パイロゾル法によって金属炭化物層を形成することによって被覆ダイヤモンド粒子を得る工程、
2. 前記被覆ダイヤモンド粒子とマトリックス金属材の粉末とを密に混合して混合粉とし、焼結反応容器内に充填する工程、
3. 前記混合粉を還元性雰囲気中で加熱することによって酸素を除去する工程
4. 前記反応容器をマトリックス金属材の融点以上の加熱温度及び100MPa以上の焼結圧力に供し、該金属材を溶融して被覆ダイヤモンド粒子間の空隙に流入・充填し、金属炭化物層を介してダイヤモンド粒子及び金属材を一体化させる工程。 (もっと読む)


【課題】 耐酸性及び軟性に優れた 鉛フリーはんだ合金、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 Sn−Zn系 鉛フリーはんだ合金に、Agを1〜5重量%添加させ、Ag−Zn合金相であるガンマ(γ)及びエプシロン(ε)相の分率を5〜20体積%に形成することで、前記 鉛フリーはんだ合金の軟性だけではなく前記合金の耐酸性を大幅に改善させる。 (もっと読む)


【課題】安いコストでポーラスメタルを製造することを可能にする、ポーラスメタルの製造方法を提供する。
【解決手段】所定の配合比とした、金属11又は合金と、スペーサー12とを混合する工程と、摩擦及び圧力により、混合した金属11又は合金とスペーサー12とを焼結する工程と、その後、スペーサー12を除去して、金属11又は合金から成るポーラスメタル13を残す工程とを有して、ポーラスメタル13を製造する。 (もっと読む)


【課題】簡素化した製造工程でも低酸素の焼結Mo合金スパッタリングターゲット材を得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】(Ti、Nb、Ta)の群から選択される1種または2種以上の金属元素Mを0.5〜60原子%含有し、残部がMoおよび不可避的不純物からなるMo合金スパッタリングターゲット材の製造方法であって、Mo原料粉末と平均粒径200μm以下の水素化した前記金属元素Mの粉末とを混合処理した混合粉末を加圧容器に充填し、次いで該加圧容器を加熱しながら減圧脱気処理をした後、熱間静水圧プレスで加圧焼結してMo合金焼結体を作製する焼結Mo合金スパッタリングターゲット材の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】従来のブロンズ法に代表される拡散法に替わる、珪化バナジウム及び珪化バナジウム線材の簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】酸化バナジウム、珪素及びアルミニウムを含有する原料粉末をテルミット反応に供することを特徴とする、V3+xSi(但し、xは−1.33≦x≦21)で示される珪化バナジウムの製造方法、並びに、当該珪化バナジウムを粉砕した後、金属製パイプに充填して伸線加工することを特徴とする、珪化バナジウム線材の製造方法。 (もっと読む)


【課題】金属複合超微粒子の製造において、反応性を向上させて収率良く金属複合超微粒子を製造することのできる金属複合超微粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】無機金属塩と高級アルコールとを加熱して反応させることにより、金属複合超微粒子を製造する方法において、上記無機金属塩および高級アルコールの加熱反応中に副生する水分を留去しながら反応させることを特徴とする金属複合超微粒子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】カーボンナノチューブなどを製造してから金属素材と混合する手段として金属に付着させるためにフェノール系のバインダを入れ混錬させてMIM方法やHIPで熱を上げとばしていた製造法が従来の製造方法として行われている、又、出来上がったCNTを特殊な界面活性剤に溶かして金属粉と混ぜ水素で満たした容器で加熱したりしている。
【解決手段】マイクロ、ナノ、ピコ構造炭素材料を混合したい金属やセラミックス、希土類などにじかに有機炭素液を介在させ金属触媒方法、アーク方法、CVD方法で炭素膜を形成してMIMやHIP法で炭素入機能性金属を製造する方法。フェノール系のバインダや特殊な界面活性剤が不要なため工程も少なくコストも大幅に安くなる。 (もっと読む)


【課題】ファインピッチ化を実現するハンダ用ペーストに好適な微細なハンダ粉末であって、リフロー時の溶融拡散性が良く、ハンダバンプ形成時の組成制御が容易であり、濡れ性に優れた、ハンダ粉末及びこの粉末を用いたハンダ用ペーストを提供する。
【解決手段】中心核11と中心核11を被覆する被覆層13で構成される平均粒径5μm以下のハンダ粉末10において、中心核11が銀と錫との金属間化合物からなり、被覆層13が錫からなり、中心核11と被覆層13の間に、中心核11の少なくとも一部を被覆するように銅と錫との金属間化合物からなる中間層12が介在することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】有機溶媒などを用いることなく簡易な方法で、所望の微細孔、特にナノメータオーダの微細孔を有する金属多孔質体を提供する。
【解決手段】平均粒子径が5nm以上量子効果による融点降下の開始点における粒径以下である第1の金属粒子を準備する。次いで、前記第1の金属粒子を、前記第1の金属粒子の第1の融点よりも低い第2の融点の第2の金属で被覆し、前記第1の金属粒子の表面に前記第2の金属からなる被膜を形成する。次いで、前記被膜を含む前記第1の金属粒子を加熱して前記被膜を溶解させ、得られた溶解物を介して前記第1の金属粒子を結合し、金属多孔質体を製造する。 (もっと読む)


【課題】 高い精度で熱膨張が制御可能な金属基複合材料を実現する。
【解決手段】 本発明のある態様においては、少なくともある温度範囲で負の熱膨張を示す逆ペロフスカイト型マンガン窒化物の粉末と、金属相となる組成の単体金属または金属合金の粉末とを混合した混合粉を密閉状態において加熱することにより、金属相と逆ペロフスカイト型マンガン窒化物とが焼結により複合化されている熱膨張制御金属複合材料が提供される。また、熱膨張制御金属複合材料の製造方法も提供される。 (もっと読む)


【課題】この発明の真空バルブ用接点の製造方法は、内部のポアが少なく密度の高い真空バルブ用接点を得る。
【解決手段】この発明に係る真空バルブ用接点の製造方法は、圧粉体を成形する圧粉体成形工程と、この圧粉体を焼結して板状のCrスケルトン1を形成するスケルトン形成工程と、このCrスケルトン1を板厚中央部で二分割に切断して切断面を形成する分割切断工程と、前記切断面の中央部にCu板2を載置する載置工程と、Cu板2を加熱して溶融したCuをCrスケルトン1の内部に浸透させる溶浸工程とを備えたものである。 (もっと読む)


【課題】構造体を構成する、マイクロ粒子とナノ粒子の比率として表記される「組成」が、作製される構造体の膜厚方向、底面側から表面側へと変化している「傾斜組成」を示す「傾斜構造」の形成方法を提供する。
【解決手段】マイクロ粒子とナノ粒子を溶媒中に分散した分散液を基材上に塗布し、静置後、乾燥処理を施すことで、前記マイクロ粒子を分散液中で沈降させることにより、下層部にマイクロ粒子の層を形成し、上層部にナノ粒子の層を形成する傾斜構造の形成方法;及びその方法に使用する為の分散液であって、平均粒子径が1μm以上のマイクロ粒子と平均粒子径が1nm〜100nmのナノ粒子を溶媒中に分散した分散液。 (もっと読む)


【課題】Tiを含むハーフホイスラー材料の熱電変換特性等を再現性よく高めることによって、高性能の熱電変換材料を提供する。
【解決手段】{(Ti1-p-qZrpHfq1-bbx(Ni1-ccy(X1-dd100-x-y(0.30≦p≦0.45、0.25≦q≦0.35、30≦x≦35原子%、30≦y≦35原子%)で表される組成を有し、MgAgAs型結晶相を主相とする母合金を1000〜1350℃の範囲の温度で熱処理し、熱処理を施した母合金を粉砕して合金粉末を作製し、この合金粉末を焼結することにより作製された熱電変換材料であって、Tiと元素Xの総量が80原子%以上のTi−X相の存在比率が0.01〜9.1%の範囲であり、Ti−X相の結晶粒径が10μm以下である。 (もっと読む)


【課題】簡易な方法で、所望の微細孔、特にナノメータオーダの微細孔を有する金属多孔質体を提供する。
【解決手段】平均粒子径が50nm〜1μmの範囲内にある第1の金属粒子と、第2の金属材料を含有する金属粒子の平均粒子径が5nm〜500nmの範囲内にあり、第1の金属粒子の平均粒子径以下である第2の金属粒子とを準備する。次いで、前記第1の金属粒子及び前記第2の金属粒子を混合して混合物を得るとともに、前記第2の金属粒子を溶融させ、得られた溶融物によって前記第1の金属粒子を結合し、金属多孔質体を製造する。 (もっと読む)


【課題】熱膨張率が小さく、かつ熱伝導率が大きいCr−Cu合金を用いて、製造プロセスが簡略で、経済的で生産性が高く、高精度の半導体用放熱部品および半導体用ケース,半導体用キャリア,パッケージを提供する。
【解決手段】粉末冶金法を適用して製造したCr−Cu合金に加工を施して得たCr−Cu合金板を冷間プレス加工した成形体であり、かつCr含有量が30質量%超え80質量%以下で残部がCuおよび不可避的不純物からなり、不可避的不純物がO:0.15質量%以下,N:0.1質量%以下,C:0.1質量%以下,Al:0.05質量%以下,Si:0.10質量%以下である半導体用放熱部品である。 (もっと読む)


【課題】生産効率の向上及び作業員の負担減を図る。
【解決手段】巻出装置の下流側に設置され、基材表面に被覆材を供給する被覆材供給装置と、被覆材供給装置の下流側に設置され、一対のプレスロール間に基材を挿通させながら基材表面に被覆材を連続的に圧着させる圧着装置と、圧着装置の上流側の基材搬送速度を計測する第1の速度計測器と、圧着装置の下流側の基材搬送速度を計測する第2の速度計測器と、圧着装置から送出されるシート材の厚さを計測する厚さ計測器と、第1の速度計測器、第2の速度計測器及び厚さ計測器から得られる各計測結果に基づいて基材に圧着された被覆材の膜厚を算出する膜厚算出装置とを具備する。 (もっと読む)


【課題】熱電材料を構成する元素のいずれもが地球上に存在する割合の多い元素であり、軽量、無毒な従来のp型熱電材料より高性能のp型熱電材料を提供する。
【解決手段】p型熱電材料は、CaMgSiの結晶構造を有し、かつ単相であり、化学組成は原子%でSiが33.3%で一定、Caが33.3±x%であり、Mgが残りの量を含有する。但し、0≦x≦2である。Ca、Mg及びSiはいずれもが地球上に存在する割合の多い元素である。p型熱電材料は、Ca、Mg及びSiの割合が原子%で表した組成割合となるように、Ca原料、Mg原料及びSi原料の粉末を所定の割合で混合し、メカニカルアロイング処理を施した後、焼結することにより製造される。 (もっと読む)


【課題】摩擦材とバックプレートとが強固に接合された摩擦部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属及びセラミックスを含む摩擦材10が金属製のバックプレート20に接合された摩擦部材1であって、摩擦材10とバックプレート20とは焼結により接合されており、摩擦材においてバックプレート側の端部近傍部11では、金属の濃度がバックプレートに向かって徐々に増加している。この摩擦部材1の製造方法は、金属粉末とセラミックス粉末とを所定の第一割合で混合した混合粉末、及び、金属粉末とセラミックス粉末との割合が第一割合とは異なる複数種類の混合粉末を、金属粉末の割合が漸次変化するように積層し、粉末積層体30を得る積層工程と、粉末積層体において金属粉末の割合が最も高い層をバックプレートと当接させた状態で、粉末積層体とバックプレートとを加圧しながら焼結させて接合する焼成工程とを具備する。 (もっと読む)


【課題】エタノール中で低摩擦・低摩耗を示し、摺動部材として用いるのに適した低摩擦合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】αFeSi2単相、又は、αFeSi2相とFeSi相あるいはαFeSi2相とSi相の2相、又は、αFeSi2相とFeSi相と Si相の3相から構成され、合金中のFeとSiの原子比が35:65から20:80までの範囲内であり、純度90%以上のエタノール中においてSi3N4からなる部材相手に低摩擦を示すαFeSi2基低摩擦合金であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高放電容量及び高率放電性能を有する複合水素吸蔵合金及びそれを用いてなるニッケル水素蓄電池を提供する。
【解決手段】I相を有する水素吸蔵合金とAB型の結晶相を有する水素吸蔵合金とを含有する複合水素吸蔵合金。 (もっと読む)


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