【課題】酸性領域で用いることができ、且つ安定性に優れている非シアン無電解金めっき液及びこの非シアン無電解金めっき液を提供する。
【解決手段】シアン系化合物を含有しない非シアン無電解金めっき液において、該無電解金めっき液には、金の安定化錯化剤として、下記化４で表される化合物又はその塩が添加されていることを特徴とする非シアン無電解金めっき液。
【化４】
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【課題】基材の表面に銀鏡皮膜を形成する方法において、活性化処理液の保存安定性が良好であり且つ、活性化処理液の作成直後から長期間にわたり安定した銀鏡皮膜被形成表面に対する親水性を得ることが出来る活性化処理液を提供する。
【解決手段】基材の表面に銀鏡皮膜を形成する方法にあたり、前記基材の銀鏡皮膜被形成表面を活性化する活性化処理液が、第１スズ化合物と第２スズ化合物を含有し、第１スズ化合物と第２スズ化合物を合わせたスズ化合物の総モル量に対して第２スズ化合物が３５乃至７５モル％の範囲にあることを特徴とする活性化処理液。 （もっと読む）

【課題】ころの付着異物を効率的に除去し、ころ転走面や軌道輪の軌道面の摩耗を低減すること。
【解決手段】本ころ軸受用軌道輪は、ころ１６が転動接触する軌道面１２ａ，１４ａを有し該軌道面１２ａ，１４ａが凹凸加工され、かつ、全体に軟質金属１８の鍍金が施された後の研磨により凹部１２ｃ，１４ｃ内に軟質金属１８が埋没されている。 （もっと読む）

【課題】基材の表面に銀鏡皮膜を形成する方法において、活性化処理液を用いて得られた基材の銀鏡皮膜の腐食ムラ（斑点状ムラ）を防止する。また第２に活性化処理液の保存安定性が良好であり且つ、活性化処理液の作成直後から長期間にわたり安定した銀鏡皮膜被形成表面に対する親水性を得ることが出来る活性化処理液を提供する。
【解決手段】基材の表面に銀鏡皮膜を形成する方法にあたり、前記基材の銀鏡皮膜被形成表面を活性化する活性化処理液が、塩酸以外の酸を含有し、かつ第１スズ化合物と第２スズ化合物を含有することを特徴とする活性化処理液。 （もっと読む）

【課題】 割りスリーブに形成されためっき層の表面硬度を確保して耐磨耗性を向上させると同時に、割りスリーブを長期間にわたって使用した場合にもめっき層の表面が変色しないように耐候性を向上させることである。
【解決手段】 スリーブ本体１６と、このスリーブ本体１６の少なくとも内周面にめっき層１７が形成されてなる略円筒状の割りスリーブにおいて、前記めっき層１７を少なくとも２層で形成する。そして、下地めっき層１８を非結晶構造のめっきで形成し、表面めっき層１９を結晶構造のめっきで形成することによって、めっき表面の耐摩耗性と耐候性とを満足させる。 （もっと読む）

【課題】被めっき材の被めっき面により均一な膜厚のめっき膜を容易に形成できるようにした無電解めっき装置及び無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】被めっき材Ｗを保持する保持部１０と、めっき液２２を保持するめっき槽２４とを有し、被めっき材Ｗをめっき槽２４内のめっき液２２に接液させてめっきを行うめっき装置において、保持部１０は加熱部１４を有する。 （もっと読む）

【課題】 はんだ付けする際の加熱処理によって、ニッケル層の相転移に伴う体積の収縮に起因する最大の引張り応力を緩和する。
【解決手段】 半導体２０上に形成されているアルミニウムを主成分とするアルミニウム金属膜４２と、そのアルミニウム金属膜４２の表面を複数の領域に分割する分割絶縁層５２ｂと、アルミニウム金属膜４２の表面に形成されているとともに、分割絶縁層５２ｂの上方において結晶構造が不連続となっている境界８２Ｇを有するニッケルを主成分とするニッケル層７２を備える半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 例えば酸素や銅に対する拡散防止効果を有する必要最小限の膜厚の合金膜を、配線パターンへの依存性を軽減しつつ、基板の全域に亘ってより均一な膜厚で形成した合金膜で配線を保護する。
【解決手段】 基板上の絶縁体内に形成した配線用凹部内に配線材料を埋込んで形成した埋込み配線の周囲の少なくとも一部に、タングステンまたはモリブデンを１〜９atomic％、リンまたはボロンを３〜１２atomic％含有する合金膜を無電解めっきで形成した。 （もっと読む）

【課題】優れた性能を有するパラジウム−銀合金皮膜を形成できる、無電解パラジウム−銀合金めっき液を提供する。
【解決手段】
（ｉ）水溶性パラジウム化合物、
（ii）水溶性銀化合物、
（iii）アンモニア、モノメチルアミン、モノエチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン及びモノエタノールアミンからなる群から選ばれた少なくとも一種の成分、
（iv）一般式：
【化１】


（式中：ｎは１〜５の整数であり、Ｒは水素原子又は−ＣＨ₂−ＣＨ₂−ＮＨ₂である）で表されるエチレンジアミン類、
（ｖ）水溶性アルデヒド化合物、並びに
（vi）周期律表第四周期の遷移元素を含む水溶性化合物、
を含有する水溶液からなる無電解パラジウム−銀合金めっき液。 （もっと読む）

【課題】 ガス混合物からＨ_２、Ｎ_２、Ｏ_２又はＣＯ_２として市場で重要なガスをガス分離することを許容するシステムの提供。
【解決手段】 この課題は、層系を含有するガス分離システムにおいて、
− μｍの域の平均ポロシティーを有する貫通開放孔のある機械的に安定な基体層、並びに
− 該基体層の少なくとも一方の側に配置された、１ｎｍよりも小さい平均孔直径を有するＴｉＯ_２および／またはＺｒＯ_２を包含する貫通孔の多孔質機能層
を特徴とする、上記ガス分離システムによって解決される。 （もっと読む）

本発明は、活性化剤溶液と銅シード表面上に銅をメッキするのを容易とするための銅シード面の活性化方法を目的とする。活性化剤溶液は、前駆体溶液を少なくとも約９５℃に加熱し、そしてその温度に少なくとも約３０分間維持することにより調製され、ここで、前駆体溶液は、水、塩化物イオン、錫（ＩＩ）イオンおよび、錫（ＩＩ）イオンの錫（ＩＶ）イオンへの酸化を実質的に防止する酸化防止剤からなる。 （もっと読む）

【課題】 ＩＴＯ膜と金属膜との密着性、かつ、直線性に優れ、更に高精細化が可能な積層型の電極や配線に適用しうる導電性パターン材料、及びその製造方法を提供すること。
また、断線や短絡のない積層型の電極を構成する導電性パターン材料を複合電極として備え、高精細化が可能なＰＤＰを提供すること。
【解決手段】 基板上にパターン状に設けられたＩＴＯ膜表面に、グラフトポリマーを直接結合させて、該グラフトポリマーに導電性材料を付着させてなることを特徴とする導電性パターン材料。
基板上にＩＴＯ膜を設ける工程と、該ＩＴＯ膜表面にグラフトポリマーを直接結合させる工程と、該グラフトポリマーに導電性材料を付着させる工程と、
を有し、前記グラフトポリマーを直接結合させる工程の前又は後に、前記ＩＴＯ膜をパターニングする工程を有することを特徴とする導電性パターン材料の製造方法、該製造方法により得られた導電性パターン材料を適用したＰＤＰ。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクトな構造体を、安価にかつ容易に形成する。
【解決手段】 下地基板１２上に高アスペクト構造体１１を形成する構造体の形成方法であって、下地基板１２上に、中央導電部１３ａ及び中央導電部１３ａを囲う外周導電部１３ｂを形成し、これら中央導電部１３ａ及び外周導電部１３ｂに無電解界めっきによってめっき２３を析出させ、その後、外周導電部１３ｂに析出しためっき２３を除去することを特徴とする。 （もっと読む）

中間の半導体デバイス構造の上にニッケルを選択的にめっきする方法。この方法は、少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と少なくとも一つのタングステンの構造を有する中間の半導体デバイス構造を用意することを含む。アルミニウムまたは銅の構造とタングステンの構造のうちの一方はニッケルめっきされ、他方はめっきされないまま残る。アルミニウムまたは銅の構造またはタングステンの構造は、最初にニッケルめっきに対して活性化されてもよい。次いで、この活性化したアルミニウムまたは銅の構造または活性化したタングステンの構造は、無電解ニッケルめっき溶液の中に中間の半導体デバイス構造を浸漬することによってニッケルめっきされてもよい。めっきされていないアルミニウムまたは銅の構造またはめっきされていないタングステンの構造は、このめっきされていない構造を活性化し、そしてこの活性化した構造をニッケルめっきすることによって、後にニッケルめっきされてもよい。中間の半導体デバイス構造と同じく、アルミニウムまたは銅の構造とタングステンの構造をニッケルで同時にめっきする方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、感光性樹脂で作製したレジストパターンの凹部に酸化銀と還元剤の混合物を充填して、埋め込み法によって導電性画像を作製する方法において、高温で処理することなく、それによりレジストの薬品処理性を変えることもなく、耐熱性の低い支持体でも適用可能で、レジストの浸食による画像の形成不能も避けられる、導電性画像作製方法を提供するものである。
【解決手段】酸化銀の還元剤として感光性樹脂に対し非浸食性のものを用いる。特に、グリセリン、還元糖、ポリエチレングリコールが好適である。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜に形成された凹部に埋め込んだ銅配線の表面をパラジウム置換めっきするにあたり、銅配線の表面がエッチングされることを抑え、良好な電気特性を長期に亘り維持可能な半導体装置を製造すること。
【解決手段】 絶縁膜例えばＳｉＯＣ膜２１をエッチングすることにより形成した凹部２００に銅を埋め込んで銅配線２５を形成した後、カルボキシル基を有する有機酸溶液にパラジウムを溶かしてなる置換めっき液を用いて前記凹部２００に埋め込まれた銅配線２５の表面をパラジウム置換めっきする。そしてパラジウム膜２６が形成された銅配線２５の表面に無電解めっき液を用いて密着層２７を形成する構成とする。この場合、有機酸を選択したことにより、パラジウム置換めっき時に銅配線２５がエッチングさせることを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 溶融亜鉛めっき処理又は電気亜鉛めっき処理と、ゾルゲル法による表面処理とを組み合わせ、両処理の利点を相乗的に発揮させる表面処理方法であって、ゾル溶液の管理が極めて容易であり、また処理コストが低い鋼材に高耐候性を付与する表面処理方法を提供するとともに、それによって処理された高耐候性鋼材を提供する。
【解決手段】 鋼材表面に亜鉛めっき層を形成した後、該亜鉛めっき層の上に、ゾルゲル法によってＳｉ、Ａｌ又はＴｉの酸化物で形成されたセラミックスコーティング層を形成する表面処理方法であって、Ｓｉ、Ａｌ又はＴｉのアルコキシドを出発原料とし、この原料に水と塩基性触媒の水溶液を添加しながら攪拌し、ｐＨ９以上のアルカリ領域のゾル溶液を調製し、そのゾル溶液を鋼材表面に付着させてゲル化し、それを乾燥処理して前記セラミックスコーティング層を形成してなる。 （もっと読む）

金属酸化物層は、表面を前駆体溶液に高温で晒すことにより構造の金属又はセラミック表面上にｉｎ ｓｉｔｕで堆積させることができる。前駆体溶液は、有機金属、酸化剤、界面活性剤、キレート剤、及び水を含む。前駆体溶液は構造に注入され、所定期間に亘り所定の温度、ｐＨレベル、及び圧力に維持される。ｉｎ ｓｉｔｕで堆積させて得られる金属酸化物層は、構造内部の表面に永久的に結合し、且つ堆積後の熱処理を必要としない。
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【課題】 界面活性剤の疎水性を電気化学的に増大させることにより界面活性を低下させることを利用した新規な薄膜製造法を提供すること。
【解決手段】 本発明による薄膜の製造方法は、界面活性剤を用いて疎水性物質を水中へ溶解または微粒子として分散させた後、該界面活性剤を還元することにより該疎水性物質を該水中の基板表面に付着させるに際し、該還元により該界面活性剤の疎水性を増大させ、よって該基板表面の近傍において該疎水性物質を脱溶解または脱分散させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 効果的に厚付けメッキのできる無電解スズメッキ浴を開発する。
【解決手段】 ベース酸として次亜リン酸を１.３モル／Ｌ以上含有し、次亜リン酸以外の無機酸又は有機酸を含有しないか、或は、ベース酸として次亜リン酸及び補助酸を含有し、次亜リン酸の含有量が１.３モル／Ｌ以上であり、補助酸の含有量が０.５モル／Ｌ以下である無電解スズメッキ浴である。有機スルホン酸などに代えて、ベース酸の主体を次亜リン酸に切り替えるため、メッキ速度が速く、効果的な厚付けメッキができる。また、スズ皮膜のレベリング性も充分に確保できる。 （もっと読む）