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Fターム[4K022CA16]の内容

化学的被覆 (24,530) | 前処理 (4,223) | 液体浸漬、塗布 (2,196) | 無機質成分 (1,492) | アルカリ(塩)、アンモン(塩) (128)

Fターム[4K022CA16]に分類される特許

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【課題】ニッケルめっき被膜に、はんだによりパワー素子などの素子を接合した場合であっても、熱伝導性の低下が抑制されるニッケルめっき被膜を得ることができる無電解ニッケルめっき処理方法を提供する。
【解決手段】基材の処理表面を、炭素元素を含む無電解ニッケルめっき液に浸漬させて、無電解めっきにより、前記処理表面にニッケルめっき被膜を被覆する工程を少なくとも含む無電解ニッケルめっき処理方法である。無電解ニッケルめっき処理方法は、前記無電解ニッケルめっき液を、前記ニッケルめっき被膜を被覆する工程で繰り返し用いるものである。前記ニッケルめっき被膜を被覆する工程において、前記ニッケルめっき被膜中に共析する炭素量を調整しながら、前記ニッケルめっき被膜を被覆する。 (もっと読む)


【課題】基板と金属層との密着性に優れ、金属層の厚みが均一である、金属層を有する積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板10上に、ブタジエン由来の繰り返し単位を有するポリマーを含む被めっき層12を形成する被めっき層形成工程と、上記被めっき層12を熱処理する熱処理工程と、上記熱処理後の被めっき層12をアルカリ処理するアルカリ処理工程と、上記アルカリ処理後の被めっき層12にめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、上記めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層12に対してめっきを行い、上記被めっき層12上に金属層14を形成するめっき工程と、を備え、上記熱処理前の被めっき層12中におけるブタジエン由来の繰り返し単位の濃度が、10.4mmol/cm3以上である、金属層を有する積層体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】ホルムアルデヒドを含有しない無電解銅組成物の提供。
【解決手段】無電解銅および銅合金メッキ浴が開示される。該無電解浴は、ホルムアルデヒドを含んでおらず、環境に優しい。該無電解浴は、安定しており、基体に光沢のある銅または銅合金を堆積する。 (もっと読む)


【課題】アルミニウム合金製耐摩耗性部材を提供する。
【解決手段】本発明のアルミニウム合金製耐摩耗性部材は、アルミニウム合金からなる基体と、この基体の少なくとも一部の表面を被覆する被覆層とからなり、アルミニウム合金は400℃の大気圧雰囲気中に10時間保持した後に室温状態で測定した残留硬さが120Hv以上あり、被覆層はNiとNiPからなる結晶質Ni−P層であることを特徴とする。この結晶質Ni−P層は、無電解Ni−Pめっきによって基体の表面上に形成されたNi−Pめっき層を例えば300℃以上で加熱することにより得られる。また結晶質Ni−P層には、圧縮残留応力が付与されている。そしてアルミニウム合金がFeを1〜7%含むと、密着性に優れた結晶質Ni−P層が得られて好ましい。 (もっと読む)


【課題】本発明は、アルカリ水溶液に対して十分な耐性を有する被めっき層形成用組成物、および、めっきの均一性に優れた金属層を有する積層体の製造方法、を提供することを目的とする。
【解決手段】熱、酸または輻射線により疎水性から親水性に変化する官能基と、カルボキシル基、ヒドロキシル基、イソシアネート基、アルコキシシリル基、アセトキシシリル基、クロロシリル基、1級アミノ基、2級アミノ基、3級アミノ基、エポキシ基、オキセタニル基、(メタ)アクリルアミド基、アリル基、スチリル基、マレイミド基、およびシンナモイル基からなる群より選択される少なくとも一種の架橋性基とを有するポリマーを含む被めっき層形成用組成物。 (もっと読む)


【目的】高分子繊維材料の強度(強力)を低下させずに密着性を向上させ、これにより、めっき皮膜の導電性の低下を防止するともに、導電性のバラツキを減少させることができる高分子繊維材料のめっき方法等を提供すること。
【解決手段】本発明に係るめっき方法は、(1)高分子繊維材料をラジカル処理するラジカル処理工程と、(2)ラジカル処理工程を経た高分子繊維材料Aをカチオン系界面活性剤溶液に浸漬するカチオン処理工程と、(3)カチオン処理工程を経た高分子繊維材料BをPdとSnのコロイド溶液に浸漬するSn−Pd触媒浸漬工程と、(4)Sn−Pd触媒浸漬工程を経た高分子繊維材料Cを酸溶液に浸漬するアクセレーター処理工程とを備える。更に、Sn−Pd処理工程を経た高分子繊維材料Dを無電解めっき又は電気めっきするめっき工程を備えるとよい。 (もっと読む)


【課題】湿式処理によって成膜した酸化金属膜を備え、光照射、水素ガスおよび気圧を測定可能であるセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかるセンサは、3つ以上の反応基を有する付加重合性化合物と、酸性基を有する付加重合性化合物と、親水性官能基を有する付加重合化合物と、を含有する下地組成物を用いて有機膜を形成する有機膜形成工程と、上記酸性基を金属(M1)塩にする金属塩生成工程と、金属(M2)イオン水溶液で処理することによって、上記酸性基の金属(M1)塩を、金属(M2)塩とする金属固定工程と、上記金属(M2)イオンを還元して上記有機膜表面に金属膜を形成する還元工程と、上記金属膜を酸化する酸化工程と、を含む方法によって製造された酸化金属膜を備え、光、水素ガスおよび気圧を検出可能である。 (もっと読む)


【課題】 回路となる部分にのみ密着性の強い無電解めっき層を選択的に形成し、他の非回路となる部分を粗化しない。
【解決手段】 波長が193〜400nmのレーザービーム2を、合成樹脂の基体1の回路となる部分11に選択的に照射し、パラジウムイオン触媒を吸着させた後に還元剤によって金属パラジウムに還元する。次いで回路となる部分11に無電解めっき層3を成形する。回路となる部分11は表面改質されているためイオン触媒が強固に定着し、無電解めっき層3が強く密着する。レーザービーム2を照射されない非回路となる部分12にはイオン触媒が吸着しないため、無電解めっき層3が成形されない。 (もっと読む)


【課題】近年の電子機器の急激な進歩や発展に伴って、異方性導電材料として用いられる導電性粒子の接続抵抗の更なる低減が求められてきているのに対し、導通不良防止とともに抵抗値の低減化が可能な導電性粒子及び異方性導電材料を提供する。
【解決手段】基材粒子と、前記基材粒子の表面に形成されたニッケル又はニッケル合金を含有する導電層とからなる導電性粒子であって、前記導電層は、表面に塊状微粒子の凝集体からなる突起を有する導電性粒子。 (もっと読む)


【課題】プリント回路基板のような電子部品の製造として要求される、必要な安定性、活性、及び誘電表面に対する吸着性に優れる、電子部品の製造に用いられる非導電性基板の無電解めっき用触媒を提供する。
【解決手段】0.5から100ppmのゼロ価金属、安定剤化合物及び水を含み、パラジウム、銀、コバルト、ニッケル、金、銅及びルテニウムから選択される組成物とゼロ価金属形成に必要な還元剤の添加を含むめっき用触媒製造方法。 (もっと読む)


【課題】 回路となる部分にのみ密着性の強い無電解めっき層を選択的に形成し、他の非回路となる部分を粗化しない。
【解決手段】 波長が405〜1064nmのレーザービーム2を、合成樹脂の基体1の回路となる部分11に選択的に照射し、パラジウムのイオン触媒を吸着させた後に還元剤によって金属パラジウムに還元する。次いで回路となる部分11に無電解めっき層3を成形する。回路となる部分11は表面改質されると共に粗化されているためイオン触媒が強固に定着し、無電解めっき層3が強く密着する。レーザービーム2を照射されない非回路となる部分12にはイオン触媒が吸着しないため、無電解めっき層3が成形されない。 (もっと読む)


【課題】樹脂基体のデザイン性に優れた修飾や、鍍金によって形成される実装基板などの基体表面上に選択的な機能性紋様を直接に形成する方法に関し、特に実装基板において、文様が精緻になると数ミクロンの劣化でも信頼性に影響するアンダーカットの防止を図り、また、鍍金した金属の殆どを除去する方法でなく微少面積の回路パターンのみ形成することによるコスト低減、省資源を図った機能性文様の形成方法を提供する。
【解決手段】下地調整工程、紋様形成工程、修飾表面積層工程などを経て、基体1表面上に選択的な機能性紋様を形成する方法において、当該紋様形成工程がA.当該基体1表面に当該基体と反応する高粘性反応液2を用いて当該機能性紋様を付与する界面活性付与過程、B.一定時間保持して当該基体表面の活性度を調整する活性化調整過程の2過程を経ることで、全面に表面修飾層を形成した後鍍金を行い、機能性紋様を得る。 (もっと読む)


【課題】触媒層に対するアルカリ処理の処理深さにかかわらず、析出物が層状になるまで、めっき液による触媒の離脱を生じさせずに析出処理を行うことが可能なめっき処理装置を提供する。
【解決手段】上流から下流にプラスチック基板(被処理物)110を搬送しながら、めっき液を用いてプラスチック基板110の被処理面上にめっき層114を形成するめっき処理槽(めっき処理装置)10であって、搬送部9と、初期析出部7と、を備えている。搬送部9は、被処理物を上流側から下流側へ搬送する。初期析出部7は、当該めっき処理装置の上流側に備えられ、めっき処理による析出物が被処理面上において層状になるまでの析出処理を行う。 (もっと読む)


【課題】インクジェット記録装置上における放置回復性に優れ、かつエッチング耐性が高く、得られるパターン形状の精度を向上することができる金属膜材料の製造方法、及びこれを用いた金属膜材料を提供すること。
【解決手段】インクジェット法によるインク付与工程と、インク組成物に露光、又は加熱の少なくともいずれかを行い、硬化膜を形成する硬化膜形成工程と、硬化膜にめっき触媒、又はその前駆体を付与する触媒付与工程と、めっき触媒、又はその前駆体にめっきを行うめっき処理工程とを含み、インク組成物は、シアノ基、アルキルオキシ基、アミノ基、ピリジン残基、ピロリドン残基、イミダゾール残基、アルキルスルファニル基、又は環状エーテル残基、を有する第1のモノマーと、多官能性を有する第2のモノマーと、重合開始剤とを含み、前記インク組成物中におけるモノマーの合計含有量が85質量%以上である金属膜材料の製造方法を用いる。 (もっと読む)


【課題】金属材料を被めっき部分として含む被処理物に無電解めっき皮膜を形成するための新規な活性化処理方法を提供する。
【解決手段】下記(1)及び(2)に記載の二段階の工程で処理することを特徴とする、無電解めっきの前処理方法:(1)(i)パラジウム化合物、並びに(ii)アルカリ金属、アルカリ土類金属のハロゲン化物、、アルカリ金属、アルカリ土類金属の硫酸塩からなる群から選ばれた少なくとも一種を含有する水溶液に接触させる第一活性化処理工程:(2)(i)パラジウム化合物、(ii)アルカリ金属、アルカリ土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属、アルカリ土類金属の硫酸塩からなる群から選ばれた少なくとも一種の成分、並びにポリアミンの架橋化物からなる群から選ばれた少なくとも一種を含有する水溶液からなる活性化液に、第一活性化処理工程で処理された被処理物を接触させる第二活性化処理工程。 (もっと読む)


【解決手段】アルミニウム又はアルミニウム合金表面の酸化皮膜を除去するための除去液であって、銀イオン及び/又は銅イオンと、該銀イオン及び/又は銅イオンの可溶化剤と、水酸化第4級アンモニウム化合物とを含有し、pHが10〜13.5であることを特徴とするアルミニウム酸化皮膜用除去液。
【効果】本発明の除去液は、アルミニウム又はアルミニウム合金の表面に、その侵食を可及的に抑制しつつ、除去液に含まれる銀及び/又は銅化合物に由来する銀及び/又は銅を置換析出することができ、しかも、この銀や銅の置換析出物はアルミニウム又はアルミニウム合金の表面を殆ど侵食することなく低温で、迅速に溶解除去することが可能であるため、アルミニウム又はアルミニウム合金の厚みが非常に薄い場合であっても、アルミニウム又はアルミニウム合金を確実に残存させつつその表面を活性化することができる。 (もっと読む)


【課題】無電解めっき処理において確実にめっきを析出し、樹脂基材の基材表面にオゾンガス処理を短時間かつ安価に行うことができるオゾンガス処理方法を提供する。
【解決手段】樹脂基材の基材表面にオゾンガスを接触させることにより、前記基材表面にオゾンガス処理を行う方法であって、前記オゾンガスを生成するオゾンガス生成工程S12と、該生成されたオゾンガスを加湿するオゾンガス加湿工程S13と、該加湿されたオゾンガスに前記樹脂基材の基材表面を曝露するオゾンガス曝露工程S14と、を少なくとも含む。 (もっと読む)


【課題】めっき皮膜に良好な密着性及び導電性を備えさせることができる高分子繊維のめっき液並びにこれを用いた高分子繊維のめっき方法及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高分子繊維のめっき液は、(1)導電性皮膜として形成される金属を含有する成分としてCuSO・5HOを所定量と、(2)キレート剤としてEDTA−4Naを所定量と、(3)pH調整剤としてNaOHを所定量と、(4)還元剤としてHCHOを所定量と、(5)界面活性剤としてノニオン系界面活性剤又はポリエチレングリコールを所定量と、(6)分解抑制剤としてKCN、0−フェナントロリン、ネオクプロイン又は2,2−ビピリジルを所定量と、(7)添加剤としてNiSO4・6HO、CoSO・7HO、ZnSO・7HO、SnSO、及び、NaSn・3HOから選ばれるいずれか一種又は二種以上を所定量とからなる。 (もっと読む)


【課題】n型半導体とp型半導体が混在する半導体ウエハ上へ、ニッケル又はニッケル合金の無電解めっきを行うための前処理液ろ提供する。
【解決手段】該前処理液は過酸化水素水とアンモニア水及び/又は水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)からなる水溶液である無電解めっきの前処理液で、FETなどのソース、ドレイン電極など、n型半導体とp型半導体が混在するトランジスタ電極を形成する際に、シリコン基板表面の不純物を効果的に除去するか又は低減して活性化させることができ、さらにこのようなシリコン基板がn型半導体とp型半導体が混在する場合に、この洗浄液による処理を行った後、後続の無電解Ni又はNi合金めっきに適合でき、均一な無電解めっきを行うことができる。 (もっと読む)


【課題】 経済性の高い湿式法により、ポリイミド上に金属導体層を積層した2層FCCLを製造する方法を提供すること。
【解決手段】 アルカリ改質処理、触媒付与処理および無電解めっきよりなるポリイミドの金属化方法において、アルカリ改質処理の前、アルカリ改質処理と触媒付与処理の間、触媒付与処理と無電解めっきの間のいずれかの段階において、被処理ポリイミドを酸性フッ化物溶液で処理することを特徴とする金属皮膜形成方法。 (もっと読む)


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