【課題】半導体集積回路デバイス基板上にフィチャーの底面そして実質的にその上に金属をもたない側壁の部分上に金属からなる輪郭をもつフュチャー内に最初の金属堆積を形成することにより銅めっきをし、銅でフィチャーを埋め込むため最初の金属堆積上に銅を無電解的に堆積するための方法。半導体集積回路デバイス基板上にフィチャー内に銅に濡れる金属からなる堆積を形成し、頂部部分表面上に銅ベースの堆積を形成し、そして銅でフィチャーを埋め込むため銅に濡れる金属からなる堆積上に銅を堆積することによって銅をめっきするための方法。 （もっと読む）

【課題】非晶質炭素膜と金属層との密着性を向上させることのできる接着方法の提供、及び、非晶質炭素膜を備える放熱部材と電極金属層との密着性が改善された半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】非晶質炭素膜の表面に、第一の金属層を形成する工程と、熱処理によって前記第一の金属層をナノ粒子化する工程と、形成した金属ナノ粒子をマスクとして、前記非晶質炭素膜の表面を局部的にエッチングする工程と、前記エッチングを施した非晶質炭素膜の表面に、第二の金属層を形成する工程と、を有することを特徴とする非晶質炭素膜と金属層との接着方法、並びに該接着方法を用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】表面粗度が大きい金属基材に対しても適用可能であり、優れた撥水性を有し、加熱されてもその優れた撥水性を維持することができる皮膜構造及びその形成方法を提供すること。
【解決手段】皮膜構造１は、金属基材１０の表面にフッ素を含有してなるフッ素系皮膜１２を有する。金属基材１０上には、金属基材１０の表面を平滑化するための表面平滑化層１１が形成されており、表面平滑化層１１上には、フッ素系皮膜１２が形成されている。表面平滑化層１１は、ＮｉＰ中にＰＴＦＥ粒子が分散されてなるＮｉＰ／ＰＴＦＥ複合めっき皮膜である。 （もっと読む）

【課題】 マグネシウム合金基板上にニッケル系の積層構造を形成する方法、該方法による表面処理マグネシウム合金物及び該方法に用いる清浄溶液と表面処理溶液を提供する。
【解決手段】 本発明は、マグネシウム合金基板（１）上にマグネシウムと所定の金属（３２）との固溶体を含む境界層と、ニッケル系の積層構造とを形成する方法に関する。前記方法により表面処理されたマグネシウム合金物、及び、前記方法に用いる清浄溶液と表面処理溶液も開示されている。 （もっと読む）

【課題】光沢性を有しかつ微細な繊維状の色彩模様を有する光輝性の構造体を提供すること。
【解決手段】（１）基体（Ａ）、
（２）その基体（Ａ）の表面上に形成された、光学干渉性繊維の切断片を含有した複合メッキ層（Ｂ）および
（３）その複合メッキ層（Ｂ）の表面上に形成されたコート層（Ｃ）
よりなる光輝性複合構造体。 （もっと読む）

【課題】導通不良防止とともに抵抗値の低減化が可能な導電性粒子の製造方法、導電性粒子及び異方性導電材料を提供する。
【解決手段】表面に突起２を有する導電性粒子１の製造方法であって、コア粒子の表面に、正又は負の電荷を帯電させたニッケルメッキ層を形成する工程１、前記ニッケルメッキ層の表面に、１分子中に官能基Ａと反応性官能基Ｂとを有するキレート剤を前記官能基Ａを介して付着させる工程２、前記ニッケルメッキ層の表面に、前記キレート剤の前記反応性官能基Ｂを介して、前記ニッケルメッキ層に帯電させた電荷と逆の電荷を帯電させた樹脂微粒子又は無機微粒子を結合させる工程３、及び、無電解メッキ法により前記樹脂微粒子又は無機微粒子と前記ニッケルメッキ層とを金属メッキで被覆する工程４を有する導電性粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】周期的な微細構造を有する金属製薄膜を提供する。
【解決手段】原子番号が２４〜４８である遷移金属、その酸化物及びその硫化物よりなる群から選ばれる金属からなり、０．０１μｍ〜１００μｍの膜厚ならびにハニカム状に整列した孔径０．０１μｍ〜１００μｍの孔を有する金属製薄膜である。また、非水溶性ポリマーからなるハニカム状多孔質体を鋳型として無電解鍍金を行うことを特徴とする、原子番号が２４〜４８である遷移金属、その酸化物及びその硫化物よりなる群から選ばれる金属からなり、０．０１μｍ〜１００μｍの膜厚ならびにハニカム状に整列した孔径０．０１μｍ〜１００μｍの貫通孔を有する金属製薄膜の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】無電解ニッケルめっき皮膜上に形成された置換型の金めっき皮膜上に更に自己触媒的に金めっき皮膜を形成する目的等に使用できる無電解金めっき液であって、パターン外析出が発生し難く、めっき浴の分解、沈殿なども生じにくい、安定性に優れた新規な自己触媒型無電解金めっき浴を提供する。
【解決手段】（i）水溶性金化合物、
（ii）錯化剤、
（iii）還元剤、並びに
（iv）第四級アンモニウム基を含む化合物及び第四級ホスホニウム基を含む化合物からなる群から選ばれた少なくとも一種の成分、
を含有する水溶液からなる自己触媒型無電解金めっき液。 （もっと読む）

【課題】超音波により篩網を微振動させるものにおいて、直径寸法が大きい篩網を用いた場合でも非常に微細な対象物を分離することができるようにする。
【解決手段】振動篩装置Ｍは、篩網２２を有する分離枠２０とこの分離枠２０を振動させる振動付与手段と、前記篩網２２に超音波による微振動を発生させる超音波発生装置３１とを備えている。分離枠２０は、環状フレーム２１と、前記環状フレーム２１に設けられ多数の金属製の線材を編み込んで形成された素材網に無電解ニッケルめっき処理を施すことにより構成された篩網２２とを有している。 （もっと読む）

【課題】シリカ、酸化鉄その他の微粒子を含む気体を取り扱う回転機械において、気体中に含まれる微粒子の付着を効果的に抑制すること。
【解決手段】この動翼２３は、蒸気タービンに用いられる。動翼２３は、その表面に設けられる金属の中間めっき皮膜１１と、この中間めっき皮膜１１の表面に設けられるフッ素樹脂含有めっき皮膜１２とを含む。フッ素樹脂含有めっき皮膜１２は、フッ素樹脂粒子１３ＰがＮｉ基の金属からなるめっきマトリックス１３Ｍに含有され、かつフッ素樹脂粒子１３Ｐの一部は、めっきマトリックス１３Ｍの表面から露出している。 （もっと読む）

【課題】 めっき斑等の欠陥の発生を抑えつつ、金型本体の外周面の凹凸パターン上に比較的薄いニッケルめっき層を均一に形成できるニッケルめっき金型の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】 外周面に凹凸パターンが形成された円筒形の金型本体３をめっき槽３１内のニッケルめっき液に浸漬して、金型本体３の外周面にニッケルめっき処理を施すニッケルめっき金型の製造方法において、金型本体３の中心軸を略水平にし、金型本体３の中心軸を回転軸として金型本体３を周速１．５〜５ｍ／分で回転させるとともに、金型本体３の外周面に沿って、金型本体３の回転方向と略同方向のニッケルめっき液の流れを形成する。 （もっと読む）

【課題】鉛イオンが含まれない無電解ニッケルめっき液を使用する場合であってもブリッジの発生を十分防止できる無電解ニッケルめっき用前処理液、無電解ニッケルめっきの前処理方法、無電解ニッケルめっき方法、並びに、プリント配線板及び半導体チップ搭載用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】無電解ニッケルめっき用前処理液として、特定の脂肪族チオール化合物、およびジスルフィド化合物から選択される少なくとも１種の硫黄化合物と、有機溶剤とを含み、前処理液中の上記硫黄化合物の合計含有量が０．０００５〜１０ｇ／Ｌであり、且つ、前処理液中の有機溶剤の合計含有量Ｘ（ｍＬ／Ｌ）と前処理液中の上記硫黄化合物の合計含有量Ｙ（ｇ／Ｌ）との比（Ｘ／Ｙ）が８００００以下のものである前処理液を用い、該前処理液を銅配線を有する半導体チップ搭載用基板表面に接触させた後、銅配線上に無電解ニッケルめっきを施す。 （もっと読む）

【課題】 疲労寿命および耐摩耗性、密着性などの特性を保障しうる、信頼性の高いＮｉ−Ｐめっきを施した、耐摩耗性チタン材を提供することである。
【解決手段】 Ｎｉ−Ｐめっき皮膜を設けたチタン材であって、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜が、質量％で、Ｎｉ：８５％以上、Ｐ：１〜５％、ＮＨ₄ 基：０．１〜１％を含むＮｉ合金からなるとともに、Ｘ線回折法によるＮｉ−Ｐめっき皮膜組織解析における皮膜の結晶子平均サイズが１〜５ｎｍである結晶性めっき皮膜からなり、かつ前記チタン材とＮｉ−Ｐめっき皮膜との界面に、Ｎｉが９９％以上からなるＮｉまたはＮｉ合金層か、Ｐｄが９０％以上からなるＰｄまたはＰｄ合金層かの、少なくともいずれか一方が形成されており、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜のめっきままでの硬度が５００Ｈｖ以上であることとする。 （もっと読む）

硫酸銅又は塩化銅を主成分とし、ホルムアルデヒド、２価のコバルトイオン及びグリオキシル酸のうちから選ばれる１種以上の還元剤を含有するとともに、分子量６０以上１０００以下の例えば下記一般式（１）又は一般式（２）で表されるイオウ系有機化合物及び分子量２００以上２００００以下のオキシアルキレングリコールを含むことを特徴とする無電解銅めっき液である。アスペクト比の高い微細な溝及び孔の中に空隙を生じることなくめっき膜を堆積させることができる。Ｘ^１−Ｌ^１−（Ｓ）ｎ−Ｌ^２−Ｘ^２ （１）Ｘ^１−Ｌ^１−（Ｓ）ｎ−Ｈ （２）［式中、ｎは整数、Ｘ^１及びＸ^２はそれぞれ独立に水素原子、ＳＯ_３Ｍ基またはＰＯ_３Ｍ基（Ｍは水素原子、アルカリ金属原子またはアミノ基を示す）、Ｌ^１及びＬ^２はそれぞれ独立に低級アルキル基又は低級アルコキシ基を示す。］
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【課題】突起の強度が高く、導電性粒子を相対向する回路基板等の間に挟んで圧着しても突起がつぶれにくいため、導電性粒子と回路基板等とは点接触しかすることができず、接続抵抗の低減効果が不充分であったという従来の問題に鑑み、導通不良防止とともに抵抗値の低減化が可能な導電性粒子、導電性粒子の製造方法及び異方性導電材料を提供する。
【解決手段】基材粒子、前記基材粒子の表面に形成されたニッケル層、及び、前記ニッケル層の表面に形成された突起を有する金層からなる導電性粒子。 （もっと読む）

【課題】 酸化膜を形成しやすい材料を用いて配線形成する場合でも、メッキによる金属膜を十分に積層する。
【解決手段】 第１導電膜２ａと、メッキにより第１導電膜２ａ上に成膜された第２導電膜４とを有する膜パターン７を基板１上に形成する。第１導電膜２ａに対してエッチングを行う工程と、第１導電膜２ａに対してメッキ処理の触媒を付与する工程とを、第２導電膜４をメッキ形成する前に同一工程で実施する。 （もっと読む）

【課題】 基材表面上に金属酸化物膜を形成する金属酸化物膜の製造方法であって、基材が複雑な構造部を有する場合においても、簡便なプロセスで均一な金属酸化物膜を得ることが可能な金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】 本発明は、基材表面に、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を接触させることにより金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液が酸化剤を含有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 簡単なプロセスで必要な部分のみに金属層を析出させるめっき方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るめっき方法は，
基板１０の上方に界面活性剤層２８を形成する工程と、
基板１０を透過する光２４を、光源２６と界面活性剤層２８との間に配置されたマスク３２を介して照射し、界面活性剤層２８をパターニングする工程と、
界面活性剤層２８の上方に触媒層を形成する工程と、
触媒層の上方に金属層を析出させる工程と、を含み、
光２４は，基板１０に対して界面活性剤層２８が形成された側とは反対側から照射される。 （もっと読む）

毒性が低く、中性付近で使用でき、はんだ密着性及び被膜密着性が良好な非シアン系置換型無電解金めっき液を提供する。 非シアン系水溶性金化合物、及びピロ亜硫酸化合物を含有することを特徴とする無電解金めっき液。該めっき液は、さらに亜硫酸化合物、アミノカルボン酸化合物を含有していてもよい。ピロ亜硫酸化合物としては、ピロ亜硫酸、又はそのアルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウム塩等を用いることができる。
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【課題】 ガラス基板表面に対して付着や水素結合の状態にあるシランカップリング剤を脱水縮合反応により化学結合させることにより、密着性の優れた無電解めっき膜を形成することが可能なガラス基板へのめっき方法及びそれを用いた磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】 ガラス基板表面に、少なくとも、シランカップリング剤溶液を用いて密着層を形成する密着層形成処理Ｓ２、触媒層形成処理Ｓ３、触媒活性化処理Ｓ４、及び前記密着層のシランカップリング剤をガラス基板表面に化学結合させる乾燥処理Ｓ７を順次施した後に、無電解めっきＳ８を施す。 （もっと読む）