【課題】ニッケルめっきされたリードフレームへの成形物の密着性を促進させる。
【解決手段】ニッケルおよびニッケル合金層のエッチング方法を開示する。本発明のエッチング組成物は、無機酸と、複素環式窒素化合物とを含む。さらに、本発明のエッチング方法は、ニッケルまたはニッケル合金層のアノードエッチングを含むことができる。本発明の方法は、半導体パッケージングの製造において使用することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子への銅拡散バリア性を有する金属と銅配線部を無電解めっきの触媒作用をする金属との合金からなるスパッタリングターゲットを窒素ガス雰囲気でスパッタ成膜することにより、成膜中のバリア性材料、触媒性材料及び窒素含有量を調整して銅シード層を形成する工程からなり、無電解銅めっき性、銅拡散防止バリア性及びめっき膜の耐酸化性を備えた、銅拡散防止用バリア膜、同バリア膜の形成方法、ダマシン銅配線用シード層の形成方法及びダマシン銅配線を形成した半導体ウェハーの提供。
【解決手段】タンタル又はチタンから選択した１成分以上の金属元素、無電解めっきに対する触媒能を持つ白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウムから選択した１成分以上の金属元素及び前記タンタル又はチタンとの窒化物の形態で含有する窒素からなる銅拡散防止用バリア膜。
【採用図面】なし （もっと読む）

【課題】開口部を有する基板に導電膜パターンを無電解めっきする際に良好なめっきを形成する方法及び装置を提供する。
【解決手段】めっき液Ｑ１を液建てするめっき槽５０と、めっき槽５０の外側に配置された外槽６０と、外層６０とめっき槽５０との間に所定の温度とした熱媒体を流通させてめっき槽５０の温度を制御する温度制御手段７０とを備え、めっき槽５０のめっき液Ｑ１と接する接液部が、凹凸部を有してなるフィン形状となっている無電解めっき装置１００を用いてめっき処理する。 （もっと読む）

【課題】 ポリマー表面に無電解メッキ皮膜を形成する際、メッキ膜の密着性を確保するために、例えば、酸化剤を用いたエッチング等の環境負荷の大きい前処理を行い、表面を粗化する必要がある。また、脱脂、洗浄等の工程が必要となるため、製造時間、コストにも影響する。
【解決手段】 酸に溶解する無機材料が分散したポリマーに高圧二酸化炭素を含む流体を接触させることにより、無機材料がポリマー表面より抽出され、ポリマー表面近傍に多数のアンカー状の孔が開く。このアンカー状の孔にメッキ金属がくい込んで強固に付着し、ポリマーとメッキ界面の接触面積が大きくなるので、密着性良好なメッキ面が得られる。 （もっと読む）

【課題】無電解ニッケルめっき皮膜上に直接かつ、置換パラジウムめっき処理等の処理をすることなく密着性良好で、めっき厚バラツキの少ない純パラジウムめっき皮膜が形成可能な無電解パラジウムめっき液を提供する。
【解決手段】第１錯化剤と、第２錯化剤と、リン酸又はリン酸塩と、硫酸又は硫酸塩と、ギ酸又はギ酸塩からなり、前記第１錯化剤は、エチレンジアミンを配位子とした有機パラジウム錯体であり、第２錯化剤は、カルボキシル基を有するキレート剤又はその塩及び／又は水溶性脂肪族有機酸又はその塩であることを特徴とする無電解パラジウムめっき液。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ダマシン銅配線等において、配線幅１３０ｎｍ以下の超微細配線を欠陥なく埋め込むことができ、めっき膜の密着性が好適で、さらに低温で均一なめっきが可能となる無電解銅めっき液を提供することを目的とする。
【解決手段】 動粘度が１．５ｃＳｔ以上２００ｃＳｔ以下、好ましくは５ｃＳｔ以上１００ｃＳｔ以下である無電解銅めっき液。この無電解銅めっき液を用いて無電解銅めっき膜を形成するダマシン銅配線形成方法、及びこのダマシン銅配線形成方法により配線幅１３０ｎｍ以下のトレンチ・ビアに対してダマシン銅配線を形成した半導体ウェハー。 （もっと読む）

金属シード層と無電解ニッケル皮膜層とを有するアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）構造及びその製造方法が開示される。ＵＢＭ構造は半導体基板と、少なくとも１つの最終金属層と、パッシベーション層と、金属シード層と、メタライゼーション層とを具える。少なくとも１つの最終金属層はハードウェア基板の少なくとも一部分の上に形成される。パッシベーション層も半導体基板の少なくとも一部の上に形成される。また、パッシベーション層は複数の開口を含む。更に、パッシベーション層は非導電性材料から形成される。少なくとも１つの最終金属は複数の開口により露出される。金属シード層はパッシベーション層の上に形成され、複数の開口を被覆する。メタライゼーション層は前記金属シード層の上に形成される。メタライゼーション層は無電解堆積により形成される。
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【課題】プリント配線板やフレキシブル配線板等の銅回路、パッケージ基板等の半導体実装基板等の銅系素材で形成された表面に直接、はんだ接合端子等に耐熱性や耐リフロー性に優れた良好な電子部品の無電解金めっき方法及び電子部品を提供する。
【解決手段】銅または銅合金系素材からなる被めっき部分を持った電子部品に、置換金めっき皮膜を形成し、更にその上に還元剤を含む無電解金めっき液により無電解金めっきを施す、電子部品の無電解金めっき方法において、前記無電解金めっき液の還元剤が、一般式（１）で表されるフェニル化合物系還元剤である、電子部品の無電解金めっき方法。


［式中、Ｒ１は水酸基、スルホン基又はアミノ基を示し、Ｒ２，Ｒ３及びＲ４はそれぞれに独立に水酸基、スルホン基又はアミノ基、水素原子又はアルキル基を示す。］ （もっと読む）

【課題】ソルダーレジストや下地ニッケルに腐食を生じさせることなく、配線基板に半田接合性やワイヤーボンディング特性が良好な金めっき皮膜を形成できる安全性の高い置換金めっき液を提供する。
【解決手段】金イオンとして０．５−５ｇ／Ｌの水溶性亜硫酸金化合物と、５−２００ｇ／Ｌの亜硫酸及び／又はその塩と、５−５０ｇ／Ｌの水溶性ポリアミノポリカルボン酸及び／又はその塩とを含有し、エチレンジアミン及びタリウムを含まない無電解金めっき液。 （もっと読む）

【課題】メッキ層表面にピンホールやクラックが発生することや、メッキ層自体が剥離してしまうことを抑制することで、成形体の品質を高める。
【解決手段】この射出成形型には、ＺｒＯ_２を含有する基材と、基材上に形成され、Ｎｉの含有率が８５ｗｔ％以上となるように、Ｎｉ及びＰを含有する第１メッキ層と、第１メッキ層上に形成され、Ｐの含有率が１ｗｔ％以上、１５ｗｔ％以下、Ｃｕの含有率が２５ｗｔ％以上、６０ｗｔ％以下、残りの主成分がＮｉであるように、Ｎｉ、Ｐ及びＣｕを含有する第２メッキ層とが備えられている。 （もっと読む）

【課題】 水と加圧二酸化炭素とを含む混合溶液を用いて所定の処理を行う際に、より効率よく且つ安定して所定の処理が行える容器を提供する。
【解決手段】 非ポリマー材料で形成された被処理体を水及び加圧二酸化炭素を含む混合溶液で処理するために用いられる容器であって、金属製の容器本体と、容器本体の内壁表面に形成され且つ混合溶液に対して不活性である膜とを備える容器を用いることにより、被処理体に対して、より効率よく且つ安定して所定の処理を施すことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、被めっき物に対し、ナノメートルレベルの平滑さを有するめっき被膜を実現することを可能にする無電解めっき用膜状触媒組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】被めっき表面に金属ガラスからなる平滑な薄膜状の触媒層を形成する。この膜状の金属ガラスからなる触媒層は、無電解めっき反応において、従来の純金属の単結晶粒子と同等以上の触媒活性を示す。また、この触媒層は、従来の純金属の単結晶粒子と異なり、均一性が高く粒界が存在しないため、ナノメートルレベルの平滑さを備えるめっきを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】欠陥孔内を被覆して厚さが均一で表面性状に優れる金属層を形成することが可能な金属化フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁体１の表面に金属層４が形成された金属化フィルムの製造方法であって、絶縁体１の表面に乾式めっき法により下地金属膜４を形成する工程と、絶縁体の１下地金属膜４を形成した面に有機モノマー含有液を接触させ、下地金属膜４の欠陥孔内の絶縁体１表面に導電性有機ポリマー皮膜を選択的に形成することにより、欠陥孔内を被覆する工程とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パラジウム皮膜上に直接析出が可能であり、プリント配線板の導体回路の表面処理に特に有用な還元析出型の無電解金めっき液を提供する。
【解決手段】水溶性金化合物、還元剤及び錯化剤を含有する水溶液からなる無電解金めっき液であって、還元剤として、ホルムアルデヒド重亜硫酸類、ロンガリット及びヒドラジン類からなる群から選ばれた少なくとも一種の化合物を含有することを特徴とする、パラジウム皮膜上に直接金めっき皮膜を形成するために用いる還元析出型無電解金めっき液、並びにプリント配線板の導体部分に、無電解ニッケルめっき皮膜、無電解パラジウムめっき皮膜及び上記還元析出型無電解金めっき液を用いて形成された無電解金めっき皮膜が順次形成されてなるプリント配線板。 （もっと読む）

【解決手段】アルミニウム又はアルミニウム合金表層に形成されているアルミニウム酸化皮膜を除去して無電解ニッケルめっき皮膜を形成する工程、無電解ニッケルめっき皮膜の表面に置換めっき又は無電解めっきにより、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ又はそれらの合金の中間めっき皮膜を形成する工程、及び中間めっき皮膜の表面に無電解銅めっき皮膜を形成する工程により、アルミニウム又はアルミニウム合金上に無電解ニッケルめっき皮膜を形成し、更に無電解銅めっき皮膜を形成する。
【効果】アルミニウム又はアルミニウム合金上に無電解ニッケルめっき皮膜を形成し、更にこの無電解ニッケルめっき皮膜上に無電解銅めっき皮膜を形成してアルミニウム又はアルミニウム合金の表面を処理する際、良好な触媒性を付与して無電解銅めっき皮膜を形成することができ、得られた無電解銅めっき皮膜が、高い密着性を有するものとなる。 （もっと読む）

【課題】砥粒の脱落を防止し、しかも寿命が長い電着ダイヤモンド工具を提供する。
【解決手段】電着ダイヤモンド工具は、基材１１の表面に多数のダイヤモンド粒子１４が電解ニッケル皮膜１５によって固着され、さらに該電解ニッケル皮膜１５を覆って無電解ニッケル皮膜１６が形成されていることを特徴とする。また、熱処理して、無電解ニッケル皮膜１６の硬度が電解ニッケル皮膜１５の硬度よりも高くなるように調整すると好適である。 （もっと読む）

【課題】銅または銅合金からなる低抵抗の銅配線の表面に、置換めっきによる触媒付与を行うことなく、無電解めっきによる配線保護膜を選択的に形成する。
【解決手段】基板Ｗに形成した銅または銅合金配線９の基板表面側の界面の全てが、次亜リン酸を還元剤として用いる無電解蓋めっきの際の触媒を含有する、めっきで形成された触媒含有銅合金からなる触媒含有膜１２で選択的に覆われており、触媒含有膜１２の基板表面側の界面の全てが、次亜リン酸を還元剤とした無電解蓋めっきで形成された配線保護膜１０で選択的に覆われている。 （もっと読む）

【解決手段】水溶性金化合物、錯化剤、アルデヒド化合物、及びＲ₁−ＮＨ−Ｃ₂Ｈ₄−ＮＨ−Ｒ₂又はＲ₃−（ＣＨ₂−ＮＨ−Ｃ₂Ｈ₄−ＮＨ−ＣＨ₂）_n−Ｒ₄（Ｒ₁〜Ｒ₄は−ＯＨ、−ＣＨ₃、−ＣＨ₂ＯＨ、−Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ、−ＣＨ₂Ｎ（ＣＨ₃）₂、−ＣＨ₂ＮＨ（ＣＨ₂ＯＨ）、−ＣＨ₂ＮＨ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）、−Ｃ₂Ｈ₄ＮＨ（ＣＨ₂ＯＨ）、−Ｃ₂Ｈ₄ＮＨ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）、−ＣＨ₂Ｎ（ＣＨ₂ＯＨ）₂、−ＣＨ₂Ｎ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）₂、−Ｃ₂Ｈ₄Ｎ（ＣＨ₂ＯＨ）₂又は−Ｃ₂Ｈ₄Ｎ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）₂、ｎは１〜４の整数）で表されるアミン化合物を含有する無電解金めっき浴。
【効果】めっき処理を施す下地金属が侵食されず、安定した析出速度で無電解金めっき処理することができ、析出速度が速く、置換・還元タイプであるので、１液でめっき皮膜の厚膜化が可能であり、皮膜の色が劣化することなく金特有のレモンイエロー色が保たれ、外観も良好である。 （もっと読む）

【解決手段】水溶性金化合物、錯化剤、ホルムアルデヒド重亜硫酸塩付加物、及びＲ₁−ＮＨ−Ｃ₂Ｈ₄−ＮＨ−Ｒ₂又はＲ₃−（ＣＨ₂−ＮＨ−Ｃ₂Ｈ₄−ＮＨ−ＣＨ₂）_n−Ｒ₄（Ｒ₁〜Ｒ₄は−ＯＨ、−ＣＨ₃、−ＣＨ₂ＯＨ、−Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ、−ＣＨ₂Ｎ（ＣＨ₃）₂、−ＣＨ₂ＮＨ（ＣＨ₂ＯＨ）、−ＣＨ₂ＮＨ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）、−Ｃ₂Ｈ₄ＮＨ（ＣＨ₂ＯＨ）、−Ｃ₂Ｈ₄ＮＨ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）、−ＣＨ₂Ｎ（ＣＨ₂ＯＨ）₂、−ＣＨ₂Ｎ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）₂、−Ｃ₂Ｈ₄Ｎ（ＣＨ₂ＯＨ）₂又は−Ｃ₂Ｈ₄Ｎ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）₂、ｎは１〜４の整数）で表されるアミン化合物を含有する無電解金めっき浴。
【効果】ニッケル表面の粒界侵食が進行することによる外観不良を引き起こさず、良好な皮膜外観の金めっき皮膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】広い表面積を持つ矩形平板状のガラス基板の表面に、均一な膜厚の金属膜を一連の動作で成膜できるようにする。
【解決手段】ロードステージ１４に搬入されたガラス基板を該ガラス基板の端面間で挟持して保持する基板ホルダ１６と、ガラス基板を保持した基板ホルダ１６を把持して搬送するトランスポータ５８と、基板ホルダ１６で保持したままガラス基板をめっき液に浸漬させてガラス基板の表面にめっきを行うめっき槽３２と、基板ホルダ１６で保持しためっき後のガラス基板の表面を基板ホルダで保持したまま洗浄する後洗浄槽３４，３８と、洗浄後のガラス基板を基板ホルダ１６から取出し一方向に走行させながら乾燥させ、乾燥後のガラス基板をアンロードステージ５６に受渡す乾燥ステージ５４を有する。 （もっと読む）