【課題】 液晶ポリマー（ＬＣＰ）を基材に用いた高精細且つ高周波用途に適した配線基板用フィルム基材の作製方法を提供すること。
【解決手段】 液晶ポリマー（ＬＣＰ）からなる樹脂フィルム１１表面をカーボファンクショナルシランを用いて活性化されたＣＦシラン被膜１１１を形成し、次いで、樹脂フィルム１１上に無電解メッキ処理により金属膜１２を形成し、続いて、温度２００℃で３０分間程度の加熱処理を行い、樹脂フィルム１１と金属膜１２との密着性を高めた配線基板用フィルム基材１０を作製する。
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【課題】液冷式発電機における漏れを補修および防止するための改善された方法を提供すること。
【解決手段】ステータバー（１６）の少なくとも一部を形成する冷媒を流すための内部液体通路を備えるステータバー（１６）を封止する方法は、ステータバー（１６）の濡れた内部表面の少なくとも一部分を無電解めっきするステップを含む。 （もっと読む）

【課題】 熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を基材に用いた高精細且つ高周波用途に適した配線基板用フィルム基材を提供すること。
【解決手段】 ポリイミドまたは液晶ポリマー（ＬＣＰ）からなる樹脂フィルム１１と、樹脂フィルム１１上に塗布された有機ＳＯＧ溶液の塗布膜を硬化させたシロキサンポリマーを含むポリマー膜１２と、ポリマー膜１２を下地層としてＮｉ−Ｂ無電解メッキ液に浸漬してメッキ処理により形成された金属膜１３と、を有する配線基板用フィルム基材１０。
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【課題】
無電解ニッケルめっき表面に、還元型無電解金めっき処理を行って金を析出させるに際して、従来予め置換型無電解金めっき処理を行って無電解ニッケルめっき面に中間層としての金を析出させていたが、この際に、無電解ニッケル面に孔食などの腐食が発生し、爾後の還元型無電解金めっき処理による金めっき皮膜が密着不良となって、電気配線基板の実装処理を行うに際してワイヤーボンディングでのボンディング不良や、配線基板に部品を半田付けする際の接続不良を生ずるなどの問題があったのを解決する。
【解決手段】
電気配線基板の接続端子部分に施した無電解ニッケルめっき皮膜面に、中間めっき処理としての置換型無電解金めっき処理を施すことなく、パラジウム触媒付与処理を行い、次にこれを還元処理液に浸漬した後、常法による還元型無電解金めっき処理を行ってその表面に良好な析出状態の金めっき皮膜を生成させる。 （もっと読む）

【課題】
軸部品に対する摺動性能及び耐摩耗性能を向上させると共に、軸受芯材のマスター軸からの分離を容易にし且つ樹脂成形部に対する転写を良好にすること、マスター軸の要部に軸受芯材となるメッキ皮膜を形成する際に、マスキング処理が寸法精度を高めた状態で容易且つ確実にできること、などを主たる目的とするものである。
【解決手段】
樹脂成形部１８の軸心側に軸部品を装着する筒状の軸受芯材が一体成形され、軸受芯材は肉厚状をした外側の電鋳層３Ｂと肉薄状をした内側の無電解メッキ層３Ａによる二重メッキ層３で形成すると共に、無電解メッキ層３Ａには自己潤滑性の微粒子分散させ、軸受芯材はマスター軸１の要部に二重メッキ層３を設けたインサート軸４から、樹脂成形部１８を射出成形する際に転写してマスター軸４から分離させた樹脂製軸受部品である。 （もっと読む）

【課題】高温のリフロー炉に複数回通過させてもはんだ付け性が劣化したり、めっき皮膜に微細なクラックが発生することのないようにする。
【解決手段】セラミック素体６の表面に形成された導電部７上に２層構造のＮｉ−Ｐ皮膜８が形成され、さらに該Ｎｉ−Ｐ皮膜８の表面にＡｕ皮膜９が形成されている。そして、Ｎｉ−Ｐ皮膜８のうち、第１層１０は、Ｐ含有率が３重量％以上６重量％以下であり、第２層１１は、Ｐ含有率が６重量％を超えかつ９重量％以下であってその厚みは、０．１μｍ以上１．０μｍ以下である。
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【課題】 軟磁性裏打ち膜を無電解メッキ法により形成する際に、軟磁性裏打ち膜に磁壁が発生するのを防止できる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 垂直磁気記録媒体の製造方法は、基板１上にコバルト、ニッケル及び鉄を組成元素として含む軟磁性裏打ち膜２を無電解メッキ法により形成する工程を備える。無電解メッキ法に用いられるメッキ液は、軟磁性裏打ち膜２の組成元素のイオンとしてコバルトイオン、ニッケルイオン及び鉄イオンを含み、更に、鉄イオンのモル濃度をコバルトイオンとニッケルイオンの合計モル濃度で割った値が０．５〜１０の範囲に設定されている。 （もっと読む）

本発明は、光沢度測定による絶縁性基体のエッチング工程のコントロールに関する。本方法により、引き続いて行われるメタライゼーション工程において堆積金属層の良好な接着を結果する表面粗度を得ることができる。本方法は特にプリント基板の製造に好適である。 （もっと読む）

【課題】 めっき層の密着性、ハンダの濡れ性、ハンダ強度に優れるとともに、熱放射率や熱伝導率が大きく、ハンダ付けが可能で放熱性が求められるヒートシンクに好適に適用することができる表面処理Ａｌ板、それを用いたヒートシンク、およびその表面処理Ａｌ板の製造方法を提供する。
【解決手段】 Ａｌ基板表面に置換めっきによりＺｎ層を形成させ、その上にＮｉ層とＺｎ層をめっきにより形成させ、さらにＺｎ層上に熱伝導性を向上させる層を設けて表面処理Ａｌ板を構成し、この表面処理Ａｌ板をヒートシンクに適用する。 （もっと読む）

セラミックスなどの材料からなる基体粒子の表面全体にパラジウム層が形成さたパラジウム層付粒子の周囲を、白金により被覆した白金被覆粒子からなる白金被覆粉末は、電極材料として好適である。 （もっと読む）

【課題】 プリント基板の製造プロセスを簡略化およびその製造コストの低減を可能とする技術を提供すること。
【解決手段】 プラスチックの基板６１１の上に、めっきシードとしての触媒金属を含有する有機または無機金属化合物を含む溶剤を塗布・乾燥させて金属化合物膜６１２を形成し、その所望領域に電子線などのエネルギ線６１３を照射して触媒金属を析出させる。当該照射領域への局所的なエネルギ線照射によりその照射領域のみで金属触媒析出の化学反応が生じ、触媒金属が局所的に析出してパターニングされた金属触媒膜６１４を得ることができる。また、エネルギ照射された基板６１１は、表面の溶融により触媒金属を極浅領域に取り込んだり、表面のアブレーションにより触媒金属と基板表面の接触面積が実効的に広くなったり、あるいは化学的改質により基板と触媒金属との結合状態が強固なものとなるので、固着程度が高まり金属触媒膜の剥離が生じ難くなる。 （もっと読む）

【課題】めっき形成された金属皮膜に微細なクラックが生じるのを回避することができるようにする。
【解決手段】Ｚｎ成分が含有されたセラミック素体６の表面に導電部７が形成され、無電解Ｎｉめっきにより前記導電部７上にＮｉ−Ｐ皮膜８が形成されたセラミック多層基板において、無電解Ｎｉめっきを施す前に錯化剤溶液で被めっき物を処理してＺｎ成分を溶出させ、これによりＮｉ−Ｐ皮膜８中のＺｎ元素の含有量を０．６重量％以下に制御する。このようにＺｎの溶出処理を行なうことにより、セラミック素体６の表面６″からの深さＡが少なくとも５μｍ以下の表層部６′におけるＺｎ定元素の含有量は、表層部６′以外の領域よりも少なく、かつ表層部６′におけるＺｎ元素の含有量が、セラミック素体６の内部から表面６″側へ略傾斜状に減少するように形成されている。
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カルコゲニド型メモリ・デバイスにおいて導電性相互接続部の上側に金属キャップを形成する方法が提供され、該方法は、基板１０の上側に第１導電性材料の層２１を形成する工程と、基板及び第１導電性材料の上側に絶縁層２０を堆積させる工程と、絶縁層に開口２２を形成して、第１導電性材料の少なくとも一部分を露出させる工程と、絶縁層の上側に且つ開口内に第２導電性材料３０を堆積させる工程と、第２導電性材料を部分的に除去して開口内に導電性区域を形成する工程と、開口内の導電性区域を絶縁層の上面よりも低い高さまで凹ます工程と、開口内の凹まされた導電性区域の上側に第３導電性材料のキャップ４０を形成する工程と、キャップの上側にカルコゲニド型メモリ・セル材料のスタックを堆積させる工程と、カルコゲニド型メモリ・セル材料のスタックの上側に導電性材料を堆積させる工程とを備え、第３導電性材料は、コバルト、銀、金、銅、ニッケル、パラジウム、白金、及びそれらの合金の群の中から選択される。
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【課題】めっき層の表面平滑性と密着強度に優れ、高度の耐熱性を有し、必要に応じて難燃化することができ、材料強度が顕著に優れためっき合成樹脂成形品とその製造方法を提供する。
【解決手段】ポリエステル樹脂成形品１の表面にめっき層２が形成され、照射架橋されためっきポリエステル樹脂成形品であって、ＩＳＯ１７８に従って測定した曲げ強度が１１０ＭＰａ以上、めっき層表面の算術平均粗さＲａが１μｍ以下、該樹脂成形品とめっき層との間の密着強度が２ＭＰａ以上、かつリフロー炉の２６０℃に設定したゾーンを６０秒間通過させる条件で測定した寸法変化率が長手方向及び幅方向ともに１％以下であるめっきポリエステル樹脂成形品、及びその製造方法。 （もっと読む）

均一なめっき膜厚み、ウェハ裏面へのめっき析出防止および後工程への汚染防止を低コストで可能にしうる半導体ウェハのめっき方法を提供する。本発明は、半導体ウェハのＡｌ電極上に接続用端子をダイレクト形成する際に、ウェハ裏面を絶縁物で覆った状態で無電解めっき処理することを特徴とする半導体ウェハのめっき方法に関する。この絶縁物としては、製品の構成部品であるガラス基板であるのが好適である。 さらに、腐食性媒体に対する耐腐食性を向上させた半導体式センサを提供する。本発明は、半導体基板に、腐食性媒体の物理量もしくは化学成分を検出する構造部および電気量変換素子を有し、かつ検出した電気信号の外部導出端子であるパッド部を有する半導体式センサにおいて、該パッド部が貴金属で保護された半導体式センサに関する。
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【課題】無電解めっきにおいて部分的金属不着部のある被めっき物形成方法、それを利用した電解めっき膜形成方法、被めっき物、電解めっき膜を提供する。
【解決手段】液体状態の合成樹脂に、その合成樹脂を硬化させる硬化剤と水に溶解する水溶性物質とを混合して、その混合物を成形して固化させて基材を形成する。そしてその基材のめっき処理を施す被めっき面の少なくとも一部領域を削って合成樹脂に内包された水溶性物質を基材の被めっき面に露出させ、基材を無電解めっき液に浸漬させて、被めっき面に露出した水溶性物質を無電解めっき液に溶解させながら、被めっき面の被めっき面に露出した水溶性物質に対応する以外の領域に無電解めっき膜を形成する。さらにその無電解めっき膜に、電解めっき処理を施して、空孔を有する電解めっき膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ころの付着異物を効率的に除去し、ころ転走面や軌道輪の軌道面の摩耗を低減すること。
【解決手段】本ころ軸受用軌道輪は、ころ１６が転動接触する軌道面１２ａ，１４ａを有し該軌道面１２ａ，１４ａが凹凸加工され、かつ、全体に軟質金属１８の鍍金が施された後の研磨により凹部１２ｃ，１４ｃ内に軟質金属１８が埋没されている。 （もっと読む）

【課題】 例えば半導体デバイスの製造工程において無電解めっき処理をおこなうにあたって、無電解めっき液には電子の供給源である還元剤が含まれていて特に加熱して使用する場合には、液中にて金属が析出し不安定な状態になることから、これを回避して無電解めっき液の状態の安定化を図り、基板の表面に対して安定しためっき処理をすること。
【解決手段】 無電解めっき液を金属塩が含まれる第１の薬液と還元剤が含まれる第２の薬液に分け、各薬液供給路においてその合流点の近傍に薬液用開閉手段を設けると共に、合流した後の無電解めっき液の供給路における吐出口の近傍にめっき液用開閉手段を設け、これら開閉手段により挟まれる供給路内のめっき液を、概ね１回のめっき処理に必要な吐出量に対応させ、一の基板のめっき処理が開始され、次の基板の処理が開始されるまでの間だけ両薬液が混合されるようにする。 （もっと読む）

【課題】基材の表面に銀鏡皮膜を形成する方法において、活性化処理液を用いて得られた基材の銀鏡皮膜の腐食ムラ（斑点状ムラ）を防止する。また第２に活性化処理液の保存安定性が良好であり且つ、活性化処理液の作成直後から長期間にわたり安定した銀鏡皮膜被形成表面に対する親水性を得ることが出来る活性化処理液を提供する。
【解決手段】基材の表面に銀鏡皮膜を形成する方法にあたり、前記基材の銀鏡皮膜被形成表面を活性化する活性化処理液が、塩酸以外の酸を含有し、かつ第１スズ化合物と第２スズ化合物を含有することを特徴とする活性化処理液。 （もっと読む）

マイクロ電子機器の製造における金属基材の基板上にＣｏ、Ｎｉまたはその合金を沈積するための無電解メッキ方法とそのための組成物が開示され、該組成物は、ＣｏとＮｉイオンからなる群から選択される沈積イオン源、沈積イオンを基板上に金属へ還元する還元剤およびヒドラジン基材のレベリング剤からなる。 （もっと読む）