本発明は、触媒前駆体樹脂組成物及びこれを利用した透光性電磁波遮蔽材の製造方法に係り、より詳しくは、（ａ）反応性低重合体；（ｂ）反応性単量体；（ｃ）光重合開始剤；（ｄ）非電着性メッキ用触媒前駆物質；及び（ｅ）溶媒を含む触媒前駆体樹脂組成物及びこれを利用した透光性電磁波遮蔽材の製造方法に関するものである。
本発明の触媒前駆体樹脂組成物は基材との接着性に優れた紫外線硬化型樹脂を含んでいて、電磁波遮蔽材の製造時に別途の前処理作業が必要でなく、電磁波遮蔽材の製造が容易である。 （もっと読む）

【課題】優れた性能を有するパラジウム−銀合金皮膜を形成できる、無電解パラジウム−銀合金めっき液を提供する。
【解決手段】
（ｉ）水溶性パラジウム化合物、
（ii）水溶性銀化合物、
（iii）アンモニア、モノメチルアミン、モノエチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン及びモノエタノールアミンからなる群から選ばれた少なくとも一種の成分、
（iv）一般式：
【化１】


（式中：ｎは１〜５の整数であり、Ｒは水素原子又は−ＣＨ₂−ＣＨ₂−ＮＨ₂である）で表されるエチレンジアミン類、
（ｖ）水溶性アルデヒド化合物、並びに
（vi）周期律表第四周期の遷移元素を含む水溶性化合物、
を含有する水溶液からなる無電解パラジウム−銀合金めっき液。 （もっと読む）

充てん物を含むポリマーマトリクス複合体から作られる製品表面の電気的接続性を改善する方法は、以下の工程を含む：室温よりも高い第一処理温度まで製品の表面を加熱する工程；表面のポリマーの除去と充てん物の除去を酸素ラジカルにより行う表面の第一プラズマ処理工程；プラズマ処理した当該製品の表面を第一処理温度よりも低い第二処理温度まで冷却する工程；表面の活性化を酸素ラジカルにより行う第一プラズマ処理によって生成された表面の第二プラズマ処理工程；第二プラズマ処理により生成された表面上でメタライゼーションを蒸着する工程。 （もっと読む）

【課題】 ＩＴＯ膜と金属膜との密着性、かつ、直線性に優れ、更に高精細化が可能な積層型の電極や配線に適用しうる導電性パターン材料、及びその製造方法を提供すること。
また、断線や短絡のない積層型の電極を構成する導電性パターン材料を複合電極として備え、高精細化が可能なＰＤＰを提供すること。
【解決手段】 基板上にパターン状に設けられたＩＴＯ膜表面に、グラフトポリマーを直接結合させて、該グラフトポリマーに導電性材料を付着させてなることを特徴とする導電性パターン材料。
基板上にＩＴＯ膜を設ける工程と、該ＩＴＯ膜表面にグラフトポリマーを直接結合させる工程と、該グラフトポリマーに導電性材料を付着させる工程と、
を有し、前記グラフトポリマーを直接結合させる工程の前又は後に、前記ＩＴＯ膜をパターニングする工程を有することを特徴とする導電性パターン材料の製造方法、該製造方法により得られた導電性パターン材料を適用したＰＤＰ。 （もっと読む）

本発明は、活性化剤溶液と銅シード表面上に銅をメッキするのを容易とするための銅シード面の活性化方法を目的とする。活性化剤溶液は、前駆体溶液を少なくとも約９５℃に加熱し、そしてその温度に少なくとも約３０分間維持することにより調製され、ここで、前駆体溶液は、水、塩化物イオン、錫（ＩＩ）イオンおよび、錫（ＩＩ）イオンの錫（ＩＶ）イオンへの酸化を実質的に防止する酸化防止剤からなる。 （もっと読む）

【課題】微細回路の具現の際、高信頼性を有し、絶縁材との接着効果に優れており、高速対応用低プロファイル資材として活用可能な光触媒を用いるプリント基板の無電解鍍金方法を提供する。
【解決手段】ｐＨ２〜７のナノＴｉＯ_２ゾル溶液を用意し、前記ＴｉＯ_２ゾル溶液を基板の表面にコートした後、紫外線を照射して活性化層を形成させ、少なくとも１種の金属塩、少なくとも１種の還元剤、及び少なくとも１種の有機酸を含む無電解金属溶液を用意し、前記基板の活性化層上に前記金属鍍金溶液を接触させて無電解金属鍍金層を形成させることを含んでなる光触媒を用いるプリント基板の無電解鍍金方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 安価で取り扱いやすい湿式法で、非導電性物質表面を実質的に平滑のまま密着性良く触媒を担持することができ、しかも環境負荷の少ない無電解めっきの前処理方法を提供すること。
【解決手段】 無電解めっきにおける触媒核と化学結合をすることが可能な基を有する化合物（Ａ）を、水素結合によって非導電性物質表面に吸着させることを特徴とする無電解めっきの前処理方法。 （もっと読む）

【課題】 同一の処理液を使用して、膜厚方向に膜質の異なる金属膜を連続して成膜できるようにする。
【解決手段】 表面の配線用凹部に埋込み配線を形成した基板を用意し、基板の表面に処理液に接触させつつ、基板の表面に対する処理液の相対的な流動状態を変化させて、配線の表面に膜厚方向に膜質の異なる金属膜を連続的に成膜する。 （もっと読む）

【課題】 無電解金めっき液の経時安定性を確保するために、その金めっき液中のシアンイオンの存在量を簡便に、かつ迅速に把握して、必要なシアンイオンの補給時期、補給量を決定する方法を提供し、また、その方法を利用して無電解金めっき液を安定化する方法を提供する。
【解決手段】 めっき液中の遊離シアンイオンの濃度低下により分解性の無電解金めっき液の安定化方法であって、無電解金めっき液の安定度を該めっき液の酸化還元電位をＯＲＰ計により検出することにより評価し、その安定度に基づきシアンイオンの補給時期、および補給量を決定し、無電解金めっき液にシアンイオンを補給することを特徴とする無電解金めっき液の安定化方法。
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【課題】貴金属触媒を用いる必要がなくて前処理工程数が少なく、コーティング皮膜の導電性に優れており、パターン形成も可能で、金属コーティングするための処理液の寿命の長い金属コーティング方法を提供する。
【解決手段】混合工程Ｓ１として３−アミノプロピルトリメトキシシランのアセトン溶液を用意する。次に、シリコン処理工程Ｓ２として、ＰＥＴフィルムを混合工程Ｓ１で得られた溶液中に浸漬した後、引き上げて乾燥させる。さらに、照射工程Ｓ３として、紫外線照射を行う。次に、修飾工程Ｓ４として、メルカプトプロピルトリメトキシシランのトルエン溶液中浸漬した後、乾燥させる。そして、パターン形成工程Ｓ５として、フォトマスクを載せ、紫外線照射を行う。最後に金属析出工程Ｓ６として、無電解銅めっき液中に浸漬した後、引き上げ、水洗及び乾燥を行い、銅パターン形成ＰＥＴフィルムを得る。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクトな構造体を、安価にかつ容易に形成する。
【解決手段】 下地基板１２上に高アスペクト構造体１１を形成する構造体の形成方法であって、下地基板１２上に、中央導電部１３ａ及び中央導電部１３ａを囲う外周導電部１３ｂを形成し、これら中央導電部１３ａ及び外周導電部１３ｂに無電解界めっきによってめっき２３を析出させ、その後、外周導電部１３ｂに析出しためっき２３を除去することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、基板にめっき処理を行ったり、基板を処理液に浸漬させて処理を行ったりするのに好適な基板処理装置に関する。本発明の処理装置（１）は、基板（Ｗ）の出し入れを行うロード・アンロードエリア（１００）と、基板を洗浄する洗浄エリア（２００）と、基板のめっき処理を行うめっき処理エリア（３００）とを有し、ロード・アンロードエリア（１００）には、ドライ仕様の複数のハンド（１３７，１３９）を有する基板搬送ロボット（１３０）と、基板収納カセットを搭載するロードポート（１１０）と、基板をフェースアップからフェースダウンに切換るドライ仕様の反転機（１５０）が配置されている。
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【課題】ウエハ上の汚染の低減，及び処理費用の削減を測りつつ，その表面への流の供給,除去を効率良く行う装置並びに方法を提供する。
【解決手段】 多数の実施形態の１つとして、基板を処理するための方法と該方法に使用する近接型プロキシミティプロセスヘッドが開示される。該方法は、第１の流体メニスカスと、該第１の流体メニスカスを少なくとも部分的に取り囲む第２の流体メニスカスと、を生成する工程を含み、第１の流体メニスカスおよび第２の流体メニスカスは、基板の表面上に生成される。 （もっと読む）

【課題】 樹脂素材のめっきにおいて、樹脂とめっき金属層との密着強度を向上させるとともに、めっき処理に要するコスト削減を達成する。
【解決手段】 樹脂素材に対してめっき皮膜を樹脂めっき方法において、樹脂素材をオゾン溶液で処理する工程と、銀、コバルト、ニッケル、ルテニウム、セリウム、鉄、マンガン、ロジウム触媒から選択される金属触媒の１種以上を吸着させる工程とを含むことを特徴とする樹脂めっき方法。 （もっと読む）

中間の半導体デバイス構造の上にニッケルを選択的にめっきする方法。この方法は、少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と少なくとも一つのタングステンの構造を有する中間の半導体デバイス構造を用意することを含む。アルミニウムまたは銅の構造とタングステンの構造のうちの一方はニッケルめっきされ、他方はめっきされないまま残る。アルミニウムまたは銅の構造またはタングステンの構造は、最初にニッケルめっきに対して活性化されてもよい。次いで、この活性化したアルミニウムまたは銅の構造または活性化したタングステンの構造は、無電解ニッケルめっき溶液の中に中間の半導体デバイス構造を浸漬することによってニッケルめっきされてもよい。めっきされていないアルミニウムまたは銅の構造またはめっきされていないタングステンの構造は、このめっきされていない構造を活性化し、そしてこの活性化した構造をニッケルめっきすることによって、後にニッケルめっきされてもよい。中間の半導体デバイス構造と同じく、アルミニウムまたは銅の構造とタングステンの構造をニッケルで同時にめっきする方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】 先鋭化ファイバーのような線的な構造あるいは立体的な微細加工に対して無電解により再現性よく金属コーティングを行うことができるようにする。
【解決手段】 触媒金属としてパラジウムを酸素含有アルゴン環境下でスパッタにより被めっき物の表面に付与する。 （もっと読む）

【課題】 フィラー物質の表面を改質し、スルーホール壁面にボイドが生じない無電解銅メッキプロセスを持つプリント基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】 多層フレキシブルプリント基板のスルーホールに、無電解メッキを施して層間接続用金属導体を形成するプリント基板の製造方法において、前処理となるコンディショニング工程を、アミン系界面活性剤を主成分とする水溶液に被処理物を浸漬する第１コンディショニング工程と、ジオール類を主成分とする水溶液に被処理物を浸漬する第２コンディショニング工程との２段階で行なうことを特徴とする、プリント基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ガラス材料からなる基体上に１μｍ以上の厚い膜であっても密着性良く均一に無電解めっき法でめっき膜を形成することが可能なガラス基体へのめっき方法を提供する。
【解決手段】 ガラス材料からなる基体の表面に、少なくとも、基体表面のシラノール基を２倍以上に増加させる希酸水溶液によるガラス活性化処理Ｓ２、シランカップリング剤処理Ｓ３、Ｐｄ触媒化処理Ｓ４、Ｐｄ結合化処理Ｓ５を順次施した後、無電解めっきＳ６によりめっき膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 界面活性剤の疎水性を電気化学的に増大させることにより界面活性を低下させることを利用した新規な薄膜製造法を提供すること。
【解決手段】 本発明による薄膜の製造方法は、界面活性剤を用いて疎水性物質を水中へ溶解または微粒子として分散させた後、該界面活性剤を還元することにより該疎水性物質を該水中の基板表面に付着させるに際し、該還元により該界面活性剤の疎水性を増大させ、よって該基板表面の近傍において該疎水性物質を脱溶解または脱分散させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高い導電性及び密着性を有し、且つ導電性素材の保持性及びその持続性に優れた導電膜の製造方法、及び該導電膜の製造方法により得られた導電膜を提供すること。
【解決手段】 基材上に、無電解メッキ触媒又はその前駆体と相互作用しうる官能基及び架橋性官能基を有するグラフトポリマーを直接結合させる工程と、該グラフトポリマーに無電解メッキ触媒又はその前駆体を付与して無電解メッキ触媒含有層を形成する工程と、該無電解メッキ触媒含有層にエネルギーを付与することにより、該無電解メッキ触媒含有層中に架橋構造を形成する工程と、無電解メッキを行う工程と、を有することを特徴とする導電膜の製造方法、及び、該導電膜の製造方法により得られた導電膜である。 （もっと読む）