タリウム等の重金属イオンを含まなくても実用上十分な析出速度を有し、まためっき液の安定性にも優れた無電解金めっき液を提供することを目的とする。 金塩として非シアン系金塩、金の錯化剤として亜硫酸およびチオ硫酸のアルカリ金属塩又はアンモニウム塩、還元剤としての下記一般式で表されるヒドロキシアルキルスルホン酸又はその塩と、アミン化合物とを含有することを特徴とする無電解金めっき液。 【化１】（上記式中、Ｒは水素、カルボキシ基、又は置換基を有していてもよいフェニル基、トリル基、ナフチル基、飽和または不飽和アルキル基、アセチル基、アセトニル基、ピリジル基、及びフリル基のいずれかを表わし、Ｘは水素、Ｎａ、Ｋ、及びＮＨ_４のいずれかを表わし、ｎは０〜４の整数である。）
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本発明は、複合表面の特定の領域を導電性膜で選択的にコーティングするための方法、マイクロ電子機器の配線を製造するための方法、集積回路を製造するための方法およびプロセスおよび、特に、金属配線の回路網の形成に関する。本発明はさらに、マイクロシステムおよびコネクタを製造するための方法およびプロセスに関する。 （もっと読む）

配線基板の半田接続用の端子である銅のランド部（４ｂ）上に、無電解Ｎｉ−Ｐめっき層（１３ａ）を形成し、その上に無電解Ｐｄめっき層（１３ｂ）を形成し、その上に無電解Ａｕめっき層を形成する。無電解Ｎｉ−Ｐめっき層（１３ａ）上に無電解Ｐｄめっき層（１３ｂ）を形成する工程では、下地の無電解Ｎｉ−Ｐめっき層（１３ａ）から無電解Ｐｄめっき液中へのニッケルの溶出量が５×１０^−６ｋｇ／ｍ^２以下となるようにする。無電解Ｎｉ−Ｐめっき層（１３ａ）と無電解Ｐｄめっき層（１３ｂ）の界面には、１０ｎｍ以上のボイドは形成されない。その後、配線基板に半導体チップを搭載し、ワイヤボンディングを行い、樹脂封止し、配線基板のランド部（４ｂ）に半田ボールを接続して、半導体装置を製造する。 （もっと読む）

レーザによりパターン化された基板上に金属を無電解メッキする方法。基板上に熱画像形成層および触媒層がともに被着される。レーザ・ビームで露光すると、熱画像形成層において十分なレベルの放射が熱に変換され、それによって、隣接する触媒層の露光領域が不活性になる。次いで、レーザによりパターン化された基板を反応溶液に暴露し、それによって、触媒層の非露光領域上で金属被膜の成長が開始される。
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本発明は金属メッキ装置と金属メッキ方法とを提供する。特に自己触媒（すなわち無電解）メッキに適しており、メッキ対象基板を収容し、メッキ液を循環させる加圧密閉容器を利用する。密閉容器内の温度と圧力は厳密に制御される。
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洗浄する為に１以上の処理溶液を用いて多層を無電解で堆積させ、その後、単一処理セルを用いて導電性表面上に不連続の又は種々の組成をもつ金属膜を無電解で堆積させるための方法及び装置。プロセスは、導電性表面上での酸化物の形成を最小限にするために、洗浄ステップと無電解堆積プロセスステップの間、導電性表面を酸素にさらすのを最小限にするか防止することによるインサイチュ洗浄ステップを含んでいる。一態様においては、１以上の処理溶液に用いられる化学成分は、種々の化学成分の相互作用が、相互作用流体のそれぞれの望ましい特性が急激に変化しないように選ばれる。連続無電解堆積プロセスは、以下の元素、すなわちコバルト、タングステン、リン又はホウ素の少なくとも２つを含む第一層と、以下の元素、すなわちコバルト、ホウ素又はリンの少なくとも２つを含む第二層とを形成するために用いることができる。 （もっと読む）

【課題】無電解堆積システムを提供する。
【解決手段】システムは処理メインフレームと、そのメインフレーム上の少なくとも１つの基板洗浄部と、そのメインフレーム上に位置する無電解堆積部を含む。無電解堆積部は、環境が制御された処理筐体と、基板の表面を洗浄及び活性化するために配置された第１処理部と、基板表面に層を無電解で堆積するために配置された第２処理部と、第１処理部と第２処理部の間で基板を搬送するために位置する基板搬送シャトルを含む。システムは、メインフレーム上に位置し処理筐体の内部にアクセスするために配置された基板搬送ロボットも含む。システムは、処理筐体に搭載された基板へ噴霧プロセスを使用することにより、プロセス流体を搬送するように配置された流体搬送システムも含む。

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他の還元剤をも含む無電解メッキ液又は金属含有溶液を処理する方法。本方法は、アノード、カソード及び該アノードと該カソードとを分離する水素イオン透過性膜を含む反応容器を準備すること、金属含有液体をアノードと接触させること、陰極電解液をカソードと接触させること、アノード及びカソードに電流を流して存在する還元剤を酸化すること、使用済み陰極電解液及び部分的処理済み液体を電極から、場合によっては反応容器から別個の貯槽に取り出すことを含む。部分的処理済み液体及び陽極電解液を、それぞれカソード及びアノードと接触させ、再びアノード及びカソードに電流を流して、金属イオンの過半数をカソード上にメッキさせる。還元剤を酸化する工程及び金属イオンをメッキする工程は、順番を変えてもよい。
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本発明は、基本的に、金属パラジウム膜又は合金パラジウム膜が多孔性基質支持体の外側表面上に実質的に存在し、当該支持体の孔管にはほとんど若しくは全く存在しない金属パラジウム複合膜又は合金パラジウム複合膜に関し、且つその製造方法に関する。当該方法は、多孔性基質をパラジウム溶液でメッキして複合膜を形成する前に孔隙充填剤で当該多孔性基質を処理する工程を含む。
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【課題】 材料成長のための方法および装置を提供する。
【解決手段】 無電解メッキ液に曝されるウエハの表面を選択的に加熱するための方法および装置が提供される。放射エネルギ源による選択的加熱は、ウエハ表面と無電解メッキ液との間の境界において温度上昇を引き起こす。この温度上昇は、ウエハ表面においてメッキ反応を生じさせる。したがって、ウエハ表面には、適切に定められた放射エネルギ源によってウエハ表面の温度を変動させることによって開始され且つ制御される無電解メッキ反応を通じて材料が成長される。また、ウエハ表面に近接する上方の位置に平面部材を配することによって、平面部材とウエハ表面との間に無電解メッキ液を閉じ込めることもできる。メッキ反応を通じて成長される材料は、平面部材の平面性に適合する平坦化層を形成する。 （もっと読む）

軌道面を有する少なくとも一つの軌道輪と転動要素を備えたころがり軸受。二硫化水素を含む環境での耐疲労特性を改善するために、ころがり軸受の関連部分がニッケル−隣コーティングを施されている。 （もっと読む）

本発明は、第一固体層（first solid layer）上に第二層(second layer)を形成するための化学反応を活性化することのできる第一固体層を基板の表面に形成する方法を提供する。この方法は基板の表面と、硬化性組成物及び第二層形成の化学反応のための活性化剤を含む第一液を接触させ、そして硬化性組成物を硬化させて基板の表面へのその材料の付着度を増し、それにより基板の表面に第一固体層を形成して付着させ、第二流体(second fluid)と接触させた後に第二層の形成の化学反応を活性化させうることを含む。 （もっと読む）

加工物３０上にニッケル鉄を無電解析出させる方法及びその組成物を提供する。加工物３０上にニッケル鉄を無電解析出させる際に用いられる析出液は、ニッケルイオン源、第一鉄源、錯化剤、還元剤及びｐＨ調節剤を含む。その析出液は、アルカリ金属イオンを実質的には含まない。磁気エレクトロニクス装置で使用されるフラックス集中システムの作製方法は、加工物３０を提供するステップと、加工物３０上に絶縁材料層３４を形成するステップとによって開始される。溝３６が絶縁層３４に形成され、バリア層４０が溝内に析出される。ニッケル鉄クラッド層４６がバリア層４０上に析出される。ニッケル鉄クラッド層の析出後、溝付近の絶縁材料層３４は、原子約１×１０^１１個／ｃｍ^２未満のアルカリ金属イオン濃度を有する。
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本発明は、第一層の上に第二固体層形成化学反応を活性化するのに適した第一層を基板表面に形成する方法を提供する。その方法は、基板上に第一固体層を形成する第一液を基板と接触させるステップを含み、その第一液は第二固体層形成化学反応のための活性剤を含み、前記方法は、第一固体層が基板に付着し、そして第二固体層形成化学反応のための一又は二以上の試薬を含む第二液に浸透するように、第一液が選択されることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般的には、メッキ溶液の組成物、メッキ溶液を混合する方法及びメッキ溶液でキャッピング層を堆積させる方法を提供する。本明細書に記載されるメッキ溶液は、導電性特徴部上にキャッピング層を堆積させるために無電解堆積溶液として用いることができる。メッキ溶液はむしろ希釈溶液であり、導電性特徴部上で自己開始する強力な還元剤を含有する。メッキ溶液は、粒子を含まないキャッピング層を堆積させつつ導電層のためのインサイチュ洗浄プロセスを提供することができる。一実施形態においては、脱イオン水と、第１錯化剤を含む調整緩衝溶液、コバルト源と第２錯化剤を含むコバルト含有溶液、次亜リン酸塩源とボラン還元剤を含む緩衝化還元溶液とを合わせることを含む無電解堆積溶液を形成する方法が提供される。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般的に、流体処理プラットフォームを提供する。該プラットフォームは基板搬送ロボットを有するメインフレームと、該メインフレーム上の少なくとも１つの基板洗浄セルと、少なくとも１つの処理エンクロージャとを含む。該処理エンクロージャは、処理エンクロージャの内部と流体連通状態に位置決めされたガス供給源と、エンクロージャ内に位置決めされた第一流体処理セルと、第一流体処理セル内での処理のために基板を支持するように位置決めされた第一基板ヘッドアセンブリと、エンクロージャ内に位置決めされた第二流体処理セルと、第二流体処理セル内での処理のために基板を支持するように位置決めされた第二ヘッドアセンブリと、第一および第二流体処理セルの間に位置決めされ、流体処理セルとメインフレームロボットとの間で基板を移送するように構成された基板シャトルとを含む。 （もっと読む）

無電解堆積プロセス中の基板の温度を制御する方法及び装置。該装置は、流体配分部材より高い位置で基板を支持するように構成された堆積セルを含む。加熱された流体が該流体拡散部材から供給され、該基板の裏側に接触し、それによって該基板を加熱する。該加熱流体は、該基板の表面の全域で一定温度を維持するように構成されたアパーチャーから供給される。該方法は、該基板の表面の全域で一定の処理温度を生じるように構成されている構成で、加熱流体を拡散部材を介して該基板の裏側に向かって流すステップを含む。 （もっと読む）

基板の表面に向けて電磁放射を方向付けて、該基板の該表面上の部材から反射された該電磁放射の強度の変化を１つ以上の波長で検出することによって無電解堆積プロセスをコントロールするための装置および方法。一実施形態において、該基板が検出機構に対して移動されると、無電解堆積プロセスステップの検出された終了が測定される。別の実施形態において、多数の検出ポイントが、該基板の該表面にわたる該堆積プロセスの状態を監視するために使用される。一実施形態において、該検出機構は該基板上で無電解堆積流体に浸される。一実施形態において、コントローラは、記憶されたプロセス値、異なる時間に収集されたデータの比較、および種々の算出された時間依存データを使用して無電解堆積プロセスを監視、記憶および／またはコントロールするために使用される。 （もっと読む）

【課題】シアン化物を含まない浸漬めっき溶液、およびアルミニウムまたはアルミニウム合金基板の表面にシアン化物を用いずに亜鉛合金の保護コーティングを形成する方法に関する。
【解決手段】本発明は、ｐＨが約３．５〜約６．５であり、亜鉛イオン、ニッケルおよび／またはコバルトイオン、フッ化物イオンを含む、非シアン化物で水性で酸性の浸漬めっき溶液を提供する。１つの実施形態においては、本発明の浸漬めっき溶液は、１つ以上の窒素原子、１つ以上の硫黄原子、あるいは硫黄原子および窒素原子の両方を含む少なくとも１つの抑制剤とをさらに含む。本発明は、さらに、アルミニウム基板またはアルミニウム合金基板を、本発明の非シアン化物で水性で酸性の浸漬めっき溶液に浸漬し、アルミニウム基板またはアルミニウム合金基板の表面に亜鉛合金の保護コーティングを形成する方法に関する。任意で、亜鉛合金をコーティングされたアルミニウム基板またはアルミニウム合金基板は、無電解または電解金属めっき溶液を用いてめっきされる。 （もっと読む）

本発明は、集積回路のメッキ方法を提供する。活性化プレートが、少なくとも一つの集積回路に隣接して配置される。集積回路は、接着パッド金属からなる複数の接着パッドを備え、また、活性化プレートも前記接着パッド金属からなる。無電解ニッケル層は、接着パッド及び活性化プレート上にメッキされ、金層は、接着パッド及び活性化プレート上の無電解ニッケル層を覆うようにメッキされる。活性化プレートを用いてメッキされた接着パッドを有する集積回路、ならびに集積回路をメッキするシステムについても開示されている。
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