【課題】 中性且つ低温でも、金の析出速度が高く、安定性も優れた無電解金めっき液を提供すること。
【解決手段】 金塩と、下記一般式（Ｉ）で表される還元剤と、重金属塩と、を含むことを特徴とする無電解金めっき液。
【化１】


［式中、Ｒ^１は水酸基又はアミノ基を示し、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４はそれぞれ独立に水酸基、アミノ基、水素原子又はアルキル基を示す。］ （もっと読む）

【課題】銅または銅合金の被めっき物の表面に黒色めっき膜を均一に形成する。
【解決手段】銅または銅合金の被めっき物を、液温が３０℃以下の無電解めっき浴に所定時間浸漬する。この無電解めっき浴は、ニッケル塩、チオ尿素系の化合物、第二スズ化合物、キレート剤を含有する。 （もっと読む）

【課題】クロム酸−硫酸混液によるエッチング工程を含むめっき処理方法において、エッチング処理液に含まれるクロム酸に対する安定した中和作用を有し、且つ、各種の樹脂成形品に対して優れた触媒付着能力を発揮できる新規な処理剤を提供する。
【解決手段】アミン化合物を含有する水溶液からなる、クロム酸−硫酸混液によるエッチング処理の後処理剤、及び
樹脂成形品に対してクロム酸−硫酸混液を用いてエッチング処理を行った後、該樹脂成形品を上記後処理剤に接触させ、その後、触媒付与及び無電解めっきを行い、更に、必要に応じて電気めっきを行うことを特徴とする樹脂成形品に対するめっき方法。 （もっと読む）

【課題】プリント回路基板に要求される半田付け性およびワイヤボンディング性を満足させることが可能なプリント回路基板のメッキ層形成方法を提供する。
【解決手段】半導体表面実装のためのワイヤボンディング部１２、１３および外部部品との接続のための半田付け部を含み、一定の回路パターンが形成されたプリント回路基板を用意する段階と、プリント回路基板のワイヤボンディング部１２、１３および半田付け部を除いた部分にフォトソルダレジスト層１４を形成する段階と、ワイヤボンディング部１２、１３および半田付け部に無電解パラジウムまたはパラジウム合金メッキ層１５を形成する段階と、パラジウムまたはパラジウム合金メッキ層１５上に、水溶性金化合物を含む置換型浸漬金メッキ液を接触させて無電解金または金合金メッキ層１６を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】色調および耐磨耗性に優れた無電解ニッケル黒色めっき膜を提供すること。
【解決手段】無電解ニッケル黒色めっき膜の形成方法。硫黄含有化合物を含む無電解ニッケルめっき浴に被めっき物を所定時間浸漬してめっき膜を形成し、前記めっき膜に黒色化処理を施し、前記めっき膜を黒色保持処理に付し、次いで、前記黒色保持処理後のめっき膜を１００〜３００℃の範囲の温度で熱処理する。Ｘ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角２θ＝４６〜４９°に回折ピークを有する無電解ニッケル黒色めっき膜。 （もっと読む）

【課題】 無電解スズの有機スルホン酸メッキ浴において、優れたハンダ濡れ性のスズ皮膜を得る。
【解決手段】 可溶性第一スズ塩と有機スルホン酸とチオ尿素類を含有する無電解スズメッキ浴において、上記有機スルホン酸として、(Ａ)アルカンスルホン酸と(Ｂ)アルカノールスルホン酸の各アニオン部分を含有し、さらに(Ｃ)カルボン酸と(Ｄ)次亜リン酸類とを含有し、成分(Ａ)（アニオン換算）が０.５０モル／Ｌ以上、成分(Ｂ)（アニオン換算）が１.０モル／Ｌ以上、成分(Ｃ)（アニオン換算）が０.２モル／Ｌ以上、成分(Ｄ)が０.７５モル／Ｌ以上含有される無電解スズメッキ浴である。成分(Ａ)〜(Ｄ)の各種酸が所定濃度以上で含まれて有機一体的な相乗作用が働くため、ハンダ濡れ性の向上並びに良好なフィレットの形成に効果的に寄与する。 （もっと読む）

【課題】セラミックグリーンシート上に電極パターンを薄く形成することができるとともに、生産性が高く、高品質の積層電子部品を得ることができる無電解めっき膜形成方法、及び、無電解めっきのための触媒パターン形成装置を提供する。
【解決手段】触媒溶液３２、４２を含浸させた転写材３１、４１をセラミックグリーンシート１に接触させて、同シート１上に、触媒溶液３２、４２による触媒パターン３２０、４２０を形成する。その後、触媒パターン３２０、４２０に無電解めっきを施す。転写装置３、４は、支持体３０、４０と、転写材３１、４１とを含み、支持体３０、４０は転写材３１、４１を支持し、転写材３１、４１は触媒溶液３２、４２に対する保液性を有する。 （もっと読む）

【課題】 無電解めっき方法を可能にするための触媒層を、パラジウムを用いることなく、安価で、簡易な工程により形成することができる。
【解決手段】 錫化合物を含む錫化合物水溶液に基材を接触させる錫処理工程と、錫処理工程の後、銅化合物を含む銅化合物水溶液に基材１を接触させる銅処理工程と、銅処理工程の後、基材１を希硫酸に接触させる希硫酸処理工程と、希硫酸処理工程の後、基材１を銅めっき液に接触させて銅めっき膜２を形成するめっき処理工程と、めっき処理工程の後、基材１を、実質的に酸素および水素を含まない雰囲気内において加熱する熱処理工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】細孔とセル径を制御可能とし、大面積基板に対して適用可能で、低コスト且つ簡易な装置によるナノ構造体を得る方法、及び該ナノ構造体を鋳型として金属ナノ構造体を得る方法及び金属ナノ構造体の提供。
【解決手段】アルミニウム等の基体２を陽極酸化し、細孔拡大処理により孔径を拡大させたアルミナ皮膜３からなる多孔質酸化皮膜ナノ構造体１を鋳型とし、金属Ｍ２よりも酸化還元電位の低い金属Ｍ３のイオンを含む溶液に超音波をかけながら鋳型を浸漬して鋳型に金属イオンＭ３を担持させる工程、金属Ｍ２のイオンを含む溶液に超音波をかけながら金属イオンＭ３を担持した鋳型を浸漬して鋳型に金属Ｍ２のコロイドを担持させる工程、金属Ｍ１のイオン、還元剤及び平滑化剤を含む溶液に金属Ｍ２のコロイドを担持した鋳型を浸漬する無電解めっき工程、及び、酸化皮膜３を選択的にエッチング除去する工程とを含む方法により金属ナノ構造体４を得る。 （もっと読む）

【解決手段】パラジウム化合物と、錯化剤としてアンモニア及びアミン化合物から選ばれる少なくとも１種と、還元剤として次亜リン酸及び次亜リン酸塩から選ばれる少なくとも１種と、不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物、不飽和カルボン酸塩及び不飽和カルボン酸誘導体から選ばれる不飽和カルボン酸化合物を少なくとも１種とを含有する無電解パラジウムめっき浴。
【効果】本発明の無電解パラジウムめっき浴は、浴安定性が高く、浴の分解が起こりにくく、従来の無電解パラジウムめっき浴に比べて浴寿命が長い。しかも、長時間使用してもめっき皮膜特性への影響もなく、優れたはんだ接合特性及びワイヤボンディング特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 環境汚染となるクロム酸や過マンガン酸等を使用せず、異物の混入がなく、更にめっき密着性に優れた導電性無電解めっき粉体を製造し得る方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の導電性無電解めっき粉体の製造方法では、半導体化合物の光触媒作用を利用して芯材粉体の表面を親水化処理し、次いで該親水化処理した芯材粉体の表面に、無電解めっきにより金属皮膜を形成する。親水化処理は、基材４の表面に半導体化合物を含む被覆層５を設けてなる部材６を、芯材粉体が懸濁した液体中に浸漬させた状態下に、被覆層５に光を照射することで行う。 （もっと読む）

【課題】 連続処理可能であり、より短時間で効率よく金属錯体等の改質材料を熱可塑性樹脂に浸透させることができる成形品の製造方法を提供する。
【解決手段】 改質材料を溶解した高圧流体を熱可塑性樹脂に浸透させることと、改質材料が浸透した熱可塑性樹脂をフィルム状に連続的に成形することとを含む熱可塑性樹脂製成形品の製造方法を提供することにより、連続処理可能であり、より短時間で効率よく金属錯体等の改質材料を熱可塑性樹脂に浸透させることができる。 （もっと読む）

【課題】 特に、従来に比べて、基板と金属膜間の密着性を向上させることが可能な金属膜を有する基板およびその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 基板１と金属膜５との間に単分子膜２が形成され、このとき、単分子膜２が基板１にシロキサン結合を介して強固に結合するとともに、金属との親和力の強いピロリル基と前記金属膜５とが結合することで、基板１と金属膜５間の密着性が従来に比べて優れたものとなる。本実施の形態では、従来のように、基板１の表面に凹凸加工がなされていないため、例えば配線パターンに加工された前記金属膜５は、所望の形状に、高精度に、微細加工されたものになっている。 （もっと読む）

【課題】真空中での処理を行うことを必要とせず、生産効率ならびに加工自由度を向上させた３次元金属微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】任意の立体形状を備えた３次元金属微細構造体の製造方法において、光硬化性樹脂に対して短パルスレーザー光を照射して２光子吸収微細造形法により３次元微細構造を備えたポリマー構造体を形成する第１の工程と、上記第１の工程により形成されたポリマー構造体に無電解めっきにより金属膜を形成する第２の工程とを有する３次元金属微細構造体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】鉛イオンが含まれない無電解ニッケルめっき液を使用する場合であってもブリッジの発生を十分防止できる無電解ニッケルめっき用前処理液、無電解ニッケルめっきの前処理方法、無電解ニッケルめっき方法、並びに、プリント配線板及び半導体チップ搭載用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】無電解ニッケルめっき用前処理液として、特定の脂肪族チオール化合物、およびジスルフィド化合物から選択される少なくとも１種の硫黄化合物と、有機溶剤とを含み、前処理液中の上記硫黄化合物の合計含有量が０．０００５〜１０ｇ／Ｌであり、且つ、前処理液中の有機溶剤の合計含有量Ｘ（ｍＬ／Ｌ）と前処理液中の上記硫黄化合物の合計含有量Ｙ（ｇ／Ｌ）との比（Ｘ／Ｙ）が８００００以下のものである前処理液を用い、該前処理液を銅配線を有する半導体チップ搭載用基板表面に接触させた後、銅配線上に無電解ニッケルめっきを施す。 （もっと読む）

【課題】 めっき層と不導体表面とが強固に密着しており、平滑なめっき層を得ることができて、めっき耐久性や装飾性のより高いめっき被膜が形成された製品を得ることができる無電解銅めっき被膜形成方法を提供する。
【解決手段】
無電解銅めっき液に、通常の使用量の10倍程度の濃度である50mg/l〜10g/lとなるように１価の銅の安定剤を添加し、又は、通常の使用量の10倍程度の濃度である0.01〜0.1mol/lとなるようにアミン系の錯化剤を添加し、ｐＨ11〜13、温度20〜70℃で無電解銅めっきを行う無電解銅めっき被膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】プリント基板などの銅電極の上に、選択的に直接無電解ニッケルめっき膜の形成が可能な無電解ニッケルめっき浴およびそれを用いた無電解めっき方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】酢酸ニッケルを主成分とする金属供給源としてのニッケル塩と、還元剤としてのヒドラジンと、錯化剤としてのＥＤＴＡおよび乳酸と、ｐＨ緩衝剤としてのホウ酸とからなる無電解めっき浴とし、絶縁樹脂１の表面に銅電極２が形成された被めっき物を無電解めっきすることにより、高純度ニッケルめっき膜４を形成する。 （もっと読む）

【課題】 めっき液の変質を抑制して、特性及び信頼性を損なうことのないめっき膜を形成することができるようにする。
【解決手段】 めっき液貯槽３０２内のめっき液をめっき槽２００に供給するめっき液供給管３０８とめっき槽２００内のめっき液をめっき液貯槽３０２に戻すめっき液回収管３１０を有するめっき液循環系３５０と、めっき液循環系３５０全体におけるめっき液の液温の低下を抑制する保温部２７２ａ，２７２ｂ，３５２，３５６とを有する。 （もっと読む）

【課題】 浴中での銀イオンの安定性が改善され、十分な錯化力が得られるとともに、生産コストを低減できる、実用性に優れたシアン化物非含有銀系メッキ浴を提供することにある。
【解決手段】 本発明のシアン化物非含有銀系メッキ浴は、銀塩を含む可溶性塩と、下記一般式（Ｉ）等でそれぞれ示される化合物からなる群より選ばれた１種以上のスルフィド
系化合物とを含有する。
一般式（Ｉ）：
【化１】


（式中、ｎは２〜４の整数を表す。Ｒ₁及びＲ₂は同一又は異なって、Ｃ₁〜₃アルキル又は水酸基が置換してもよいＣ₂〜₆アルキレン基を表す。Ｍは、水素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウム又は有機アミンを表す。）で示される化合物。 （もっと読む）

【課題】高周波導電性を犠牲にすることなくガラス基板と無電解銅めっき膜との密着性を高める方法を提供する。
【解決手段】平滑な表面を有するガラス基板１を無電解銅めっき浴中に浸漬してガラス基板１の片面に無電解銅めっき膜４を形成する。次いで、ガラス基板１側にマイナス電極１１、無電解銅めっき膜４側にプラス電極１２を押し付けて各電極１１，１２間に電圧を印加し、無電解銅めっき膜４を加熱する （もっと読む）