【課題】 耐摩耗性や疲労特性、耐食性の優れたＮｉ−Ｐめっきを施した耐摩耗性部材、およびプーリなどの軽量合金製動力伝達部品を提供する。
【解決手段】 Ｎｉ−Ｐめっき皮膜を設けた部材であって、前記Ｎｉ−Ｐ無電解めっき皮膜が、ＮＨ₄ 基：０．１〜１％を含むＮｉ合金からなるとともに、結晶子平均サイズが微細である結晶性めっき皮膜とし、めっきままの硬度が５００Ｈｖ以上、靱性が５０ｋＮ以上、めっき引張応力が５ｋｇｆ／ｍｍ² 以下である、耐摩耗性や疲労特性、耐食性の優れたＮｉ−Ｐ無電解めっき皮膜とする。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーボンディング接合用の金めっき皮膜形成用無電解金めっき液を提供する。
【解決手段】シアン化金化合物と、シュウ酸及び／又はその塩とを含有し、下地金属溶出抑制剤を含まないことを特徴とするワイヤーボンディング接合用の金めっき皮膜形成用無電解金めっき液。シアン化金化合物は金イオン濃度で０．５〜１０ｇ／Ｌ、シュウ酸及び／又はその塩は５〜５０ｇ／Ｌが好ましい。前記無電解金めっき液は、下地溶出金属の隠蔽剤を含有することが好ましく、前記隠蔽剤はエチレンジアミン四酢酸及び／又はその塩が好ましい。 （もっと読む）

【課題】被処理基板へのめっき膜の形成に当たり、被処理基板が大型のものであっても所望する領域に均一にめっき膜が形成され、まためっき液の省資源化に資する金属薄膜形成装置および金属薄膜形成方法を提供すること。
【解決手段】無電解めっき法により金属薄膜が形成される被処理基板１２の被処理面にめっき処理用の薬液からなる層を形成すべく、前記被処理基板１２の被処理面の下方にこれと間隔をおいてかつ対向して配置される前記薬液のための吐出手段２６を具備する。 （もっと読む）

【課題】 疲労寿命および耐摩耗性、密着性などの特性を保障しうる、信頼性の高いＮｉ−Ｐめっきを施した、耐摩耗性チタン材を提供することである。
【解決手段】 Ｎｉ−Ｐめっき皮膜を設けたチタン材であって、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜が、質量％で、Ｎｉ：８５％以上、Ｐ：１〜５％、ＮＨ₄ 基：０．１〜１％を含むＮｉ合金からなるとともに、Ｘ線回折法によるＮｉ−Ｐめっき皮膜組織解析における皮膜の結晶子平均サイズが１〜５ｎｍである結晶性めっき皮膜からなり、かつ前記チタン材とＮｉ−Ｐめっき皮膜との界面に、Ｎｉが９９％以上からなるＮｉまたはＮｉ合金層か、Ｐｄが９０％以上からなるＰｄまたはＰｄ合金層かの、少なくともいずれか一方が形成されており、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜のめっきままでの硬度が５００Ｈｖ以上であることとする。 （もっと読む）

【課題】 基板に対する密着性に優れた無電解銅めっき膜を形成する。
【解決手段】 下記（１）〜（４）の工程を行う。
（１）無機酸化膜を表面に有する基板１０の表面をシランカップリング剤で処理することにより、基板の表面にシランカップリング剤１２を結合させるカップリング処理工程。
（２）基板の表面に触媒金属を含有する溶液を接触させることにより、シランカップリング剤に触媒金属１４を捕捉させる第１触媒化工程。
（３）基板の表面に塩化錫溶液と塩化パラジウム溶液または錫・パラジウムコロイド溶液を接触させることにより、基板の表面のシランカップリング剤が結合していない部分にパラジウム１６を析出させる第２触媒化工程。
（４）基板の表面に微量のニッケル化合物を含有する銅めっき液を用いて無電解銅めっきを行うことにより、無電解銅めっき膜１８を形成する無電解めっき工程。 （もっと読む）

【解決すべき課題】 無電解金めっき液において、硬質金皮膜を得ることができるめっき液を提供する。
【解決手段】 コバルト化合物、ニッケル化合物および鉄化合物からなる群から選択される１種または２種以上の硬化剤およびアスコルビン酸誘導体を含んでなる、無電解金めっき液。 （もっと読む）

【課題】より微細で信頼性の高い微細パターンを容易に形成可能な選択的無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】基板１の表面を塩化スズ（II）で増感処理する工程と、増感処理された基板に紫外線４をパターン照射し、紫外線の露光部における基板の増感を抑制する工程と、紫外線の露光部に形成されるスズ吸着層２ａを除去する工程と、紫外線の非露光部に残留したスズ吸着層２を塩化パラジウム（II）で活性化処理する工程と、活性化処理された基板を還元処理する工程とを経た後に、還元処理された金属パラジウムの触媒核５を有するスズ吸着層２上に金属の無電解めっき膜６を形成する。 （もっと読む）

【課題】導電性材料の製造方法において、透明性と導電性が共に高く、かつ生産性の良い導電性材料が得られるための製造方法を提供する。
【解決手段】支持体上に少なくとも１層のハロゲン化銀乳剤層を含有する導電性材料前駆体を用いて製造する導電性材料の製造方法において、該導電性材料前駆体を酵素含有処理液で処理することを特徴とする導電性材料の製造方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】無電解ニッケルめっき被膜／無電解パラジウムめっき被膜／置換金めっき被膜の３層めっき被膜端子において、取り扱いが簡単な置換金めっきのみで金被膜を形成し、汎用性の高い無電解ニッケル−リンを使用しても、ワイヤーボンディング接合及びはんだボール接合の両方において優れた接合強度を有し、ランニング特性にも優れた無電解パラジウムめっき液を提供することができる。
【解決手段】少なくとも、成分（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）
（ａ）パラジウム塩有機錯体
（ｂ）スルフィド基を有するモノカルボン酸又はその塩
（ｃ）次亜リン酸又はその塩
を含有することを特徴とする無電解パラジウムめっき液により課題を解決した。 （もっと読む）

硫酸銅又は塩化銅を主成分とし、ホルムアルデヒド、２価のコバルトイオン及びグリオキシル酸のうちから選ばれる１種以上の還元剤を含有するとともに、分子量６０以上１０００以下の例えば下記一般式（１）又は一般式（２）で表されるイオウ系有機化合物及び分子量２００以上２００００以下のオキシアルキレングリコールを含むことを特徴とする無電解銅めっき液である。アスペクト比の高い微細な溝及び孔の中に空隙を生じることなくめっき膜を堆積させることができる。Ｘ^１−Ｌ^１−（Ｓ）ｎ−Ｌ^２−Ｘ^２ （１）Ｘ^１−Ｌ^１−（Ｓ）ｎ−Ｈ （２）［式中、ｎは整数、Ｘ^１及びＸ^２はそれぞれ独立に水素原子、ＳＯ_３Ｍ基またはＰＯ_３Ｍ基（Ｍは水素原子、アルカリ金属原子またはアミノ基を示す）、Ｌ^１及びＬ^２はそれぞれ独立に低級アルキル基又は低級アルコキシ基を示す。］
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めっき膜の密着性を向上させるのに好適な無電解銅めっき液、また、さらに低温で均一なめっきが可能となる無電解銅めっき液を提供する。無電解銅めっき液中に水溶性窒素含有ポリマーを含むことを特徴とする無電解銅めっき液であり、さらに前記無電解銅めっき液中に還元剤としてグリオキシル酸、及びホスフィン酸を含有することが好ましい。また、前記水溶性窒素含有ポリマーとしては、ポリアクリルアミドまたはポリエチレンイミンが好ましく、その重量平均分子量（Ｍｗ）が１００，０００以上、かつＭｗ／Ｍｎが１０．０以下であることが好ましい。 （もっと読む）

めっき反応が起こりにくい半導体ウェハー等の鏡面上等で無電解銅めっきを行う際に、より低温で均一なめっきが可能となる無電解銅めっき液を提供することを目的とする。還元剤として第一の還元剤とともに、第二の還元剤として次亜リン酸または次亜リン酸塩を使用し、さらに銅析出抑制用安定剤を同時に使用することを特徴とする無電解銅めっき液。第一の還元剤としては、ホルマリン、グリオキシル酸等が挙げられ、次亜リン酸塩としては、次亜リン酸ナトリウム、次亜リン酸カリウム、次亜リン酸アンモニウム等が挙げられる。銅析出抑制用安定剤としては２，２’−ビピリジル、イミダゾール、ニコチン酸、チオ尿素、２−メルカプトベンゾチアゾール、シアン化ナトリウム、チオグリコール酸等が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】無電解銅めっき廃液を従来よりも簡単な設備で容易に処理し得る無電解銅めっき廃液の処理方法を提供する。
【解決手段】陽極１６と陰極１４とが配置された電解槽１０内に貯留した、キレート剤を含有する無電解銅めっき廃液１２ａを電解処理する際に、少なくとも陽極１６として導電性ダイヤモンド電極を用い、陽極１６と陰極１４との間に直流電流を流して、陽極１６側でキレート剤を電解酸化すると共に、廃液１２ａ中の銅イオンを陰極１４側に金属銅として析出することを特徴とする。 （もっと読む）

超小型電子デバイスの製造において金属基材の基板上にＣｏまたはＣｏ合金を析出するための無電解めっきの方法および組成物であって、Ｃｏイオンの供給源、基板上へ析出イオンを金属に還元する還元剤、およびオキシム基剤の化合物安定剤を用いるものである。 （もっと読む）

【課題】 フレーク状アルミニウム粉末等の顔料より安価で、化学的により安定な新規顔料の提案を課題とする。
【解決手段】基板表面に離型剤層を設ける工程、離型剤層表面に触媒を付与し活性化する工程、所望の無電解めっき液と接触させて厚さ0.01〜0.5μｍの無電解めっき被膜を生成させる工程、無電解めっき皮膜付きの基板を溶媒と接触させて離型剤を溶解除去して前記無電解めっき被膜と基板とを分離する工程、分離した無電解めっき被膜を粉砕して径が1〜300μｍの顔料用フレーク状金属粉を得る工程からなる方法により顔料用フレーク状金属粉を得る。 （もっと読む）

【課題】 置換銀メッキにおいて、変色及び色調ムラを防止し、均質で美麗な光沢の銀メッキ皮膜を得る。
【解決手段】 可溶性銀塩と、チオ尿素類などの含イオウ化合物からなる錯化剤とを含有する置換銀メッキ浴において、塩素含有化合物及び臭素含有化合物の少なくとも一種を含有する置換銀メッキ浴である。置換銀浴に塩素含有化合物などを含有するため、銀皮膜の変色が有効に防止される。また、乳酸、ギ酸、アスパラギン酸などのアミノ基含有化合物又はカルボキシル基含有化合物をさらに添加すると、皮膜の変色を防止できるとともに、メッキむらが改善され、均質で光沢のある銀白色のメッキ皮膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】
金めっき浴槽やフィルター等に金が析出しにくく、下地の無電解ニッケルめっき被膜の局所的な侵食を起こすことも、下地ニッケルめっき被膜を酸化させることもなく、優れたはんだ接合強度が得られるＥＮＩＧ用の置換型無電解金めっき液を提供すること。
【解決手段】
少なくとも、水溶性金塩、分子内に窒素原子を３個以上有するヘテロ環化合物及び緩衝剤を含有する無電解金めっき液であって、その２５℃における酸化還元電位が、−１５０ｍＶ〜＋５０ｍＶの範囲にあることを特徴とする置換型無電解金めっき液により課題を解決した。 （もっと読む）

本発明は、金属の導電体、例えば、紙のような、基体上に電子部品としての銅の導電体のパターンを生産するための方法に関する。前記の方法は、印刷又は同様の機械を使用する大規模な大量生産のために紙上に金属の導電体を生産することに特に適切なものである。その方法において、無電解めっきは、少なくとも二つのステップで実行されるが、ここで溶液は、その金属の出発原料若しくは還元剤の一方で作られるか、又は、他方のものは、その基体におけるそれの継続的な適用が後に続いた、気体又は蒸気の形態で存在するものである。 （もっと読む）

本発明は、半導体工業における型ＮｉＭ−Ｒ（但し、ＭはＭｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｃｒであり、ＲはＢ、Ｐであるものとする）の無電解メッキされた三成分系ニッケル含有金属合金の使用に関する。殊に、本発明は、半導体構造素子中での銅の拡散およびエレクトロマイグレーションを阻止するための、バリヤー材料としてかまたは選択的なケーシング材料としての前記のメッキされた三成分系のニッケル含有金属合金の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】 密着性に優れた無電解めっき被膜を無機酸化物の表面に精度良く部分めっきする。
【解決手段】 被めっき物１の表面に光反応層２を形成する光反応層形成工程と、光反応層２を紫外線ＵＶで選択的に露光する露光工程と、光反応層２の露光部分を被めっき物１の表面から除去する除去工程と、被めっき物１の光反応層２が除去された部分に触媒４を付与する触媒付与工程と、被めっき物１の触媒４が付与された部分に無電解めっき被膜５を形成する無電解めっき工程とを含む。 （もっと読む）