【解決手段】基材上の銅又は銅合金上に、銀、ビスマス、パラジウム、インジウム、亜鉛及びアンチモンから選ばれる１種以上の添加金属を含む錫合金めっき皮膜を形成する際、温度１０〜５０℃の低温置換錫合金めっき浴中で、上記銅又は銅合金上に下地層を形成し、次いで、温度４０〜８０℃の高温置換錫合金めっき浴中で、上記下地層上に上層を形成することにより、上記下地層と上層とからなる置換錫合金めっき皮膜を形成する。
【効果】ウィスカの生成が抑制される錫合金めっき皮膜を、鉛フリーはんだに対して良好なはんだ濡れ性、はんだ接合性を与える均一性に優れた皮膜として形成することができる。 （もっと読む）

【課題】安価な装置において、基板のパターン内部において異方性高くエッチング処理や成膜処理を行うこと。
【解決手段】パターンが形成された基板が吸着保持された処理容器内に、微少な気泡であり、負電荷を持つナノバブルを窒素ガスやＣＦ系のガスなどからなる処理ガスにより形成し、このナノバブルを純水やフッ化水素水溶液などの処理液中に分散させて、更にこの処理液に電界を加えて、ナノバブルと共に処理液をパターン内に引き込むことで、安価な装置で異方性を持つ処理を行うことができる。 （もっと読む）

【解決手段】アルミニウム又はアルミニウム合金表層に形成されているアルミニウム酸化皮膜を除去して無電解ニッケルめっき皮膜を形成する工程、無電解ニッケルめっき皮膜の表面に置換めっき又は無電解めっきにより、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ又はそれらの合金の中間めっき皮膜を形成する工程、及び中間めっき皮膜の表面に無電解銅めっき皮膜を形成する工程により、アルミニウム又はアルミニウム合金上に無電解ニッケルめっき皮膜を形成し、更に無電解銅めっき皮膜を形成する。
【効果】アルミニウム又はアルミニウム合金上に無電解ニッケルめっき皮膜を形成し、更にこの無電解ニッケルめっき皮膜上に無電解銅めっき皮膜を形成してアルミニウム又はアルミニウム合金の表面を処理する際、良好な触媒性を付与して無電解銅めっき皮膜を形成することができ、得られた無電解銅めっき皮膜が、高い密着性を有するものとなる。 （もっと読む）

【課題】ホルムアルデヒドを含まず、環境に優しい無電解銅組成物を提供する。
【解決手段】１以上の銅イオン源と、１以上のチオカルボン酸と、グリオキシル酸およびその塩と、組成物をアルカリ性に維持するための１以上のアルカリ性化合物とを含み、チオカルボン酸が、下記式を有する組成物を用いて無電解メッキを行う。 ＨＳ−（ＣＸ１）ｒ−（ＣＨＸ２）ｓ−ＣＯＯＨ（式中、Ｘ１は−Ｈまたは−ＣＯＯＨであり、Ｘ２は−Ｈまたは−ＳＨであり、ｒおよびｓは正の整数であり、ｒが０〜２、または０または１であり、ｓが１または２である）。 （もっと読む）

【課題】低張力でフィルムを搬送させても、特別な外部動力を用いずに、フィルムが液中ロールの外周面上でスリップしてフィルム表面に擦り傷が発生すること防止しながらフィルム表面に連続的にめっきを実施することができるめっき装置を提供する。
【解決手段】少なくとも１つのめっき槽と、少なくとも１つの水洗槽とを有し、該めっき槽内及び該水洗槽内にはそれぞれフィルムの搬送方向を変える液中ロールを設け、フィルムの表面に連続的にめっき処理するめっき装置であって、少なくともめっき槽の一つに設けられた液中ロールの表面に、該ロール内部に供給されためっき浴液循環液を排出して該ロールの表面とフィルムの間に液膜を形成しフィルムを浮上させる、複数の透孔が設けられためっき装置。 （もっと読む）

【課題】コバルト合金の無電解堆積を行なう。
【解決手段】 銅表面の上にコバルト合金層を無電解堆積させるためのシステム及び方法は、低ｐＨによって特徴付けられる溶液を含む。この溶液は、例えば、コバルト（II）塩と、少なくとも２つのアミン基を含む錯化剤と、ｐＨを７．０未満に調整するように構成されるｐＨ調整剤と、還元剤とを含んでよい。幾つかの実施形態では、コバルト合金は、集積回路において、銅表面と誘電体との間の接合特性及び銅拡散特性を助長するように構成される。 （もっと読む）

【課題】低張力でフィルムを搬送させても、特別な外部動力を用いずに、フィルムが液中ローラーの外周面上でスリップしてフィルム表面に擦り傷が発生すること防止しながらフィルム表面に連続的にめっきを実施することができるめっき装置を提供する。
【解決手段】少なくとも１つのめっき槽と、少なくとも１つの水洗槽とを有し、該めっき槽内及び該水洗槽内にはそれぞれフィルムの搬送方向を変える液中ローラーを設け、フィルムの表面に連続的にめっき処理するめっき装置であって、少なくともめっき槽の一つに設けられた液中ローラーの側面又は軸に固着され、めっき浴液の循環液の吹き付けにより回転し、該液中ローラーの回転を補助する回転補助駆動手段を設け、該液中ローラーの回転速度とフィルムの搬送速度を同調させるよう構成しためっき装置。 （もっと読む）

【課題】金属層を含む微細な構造体を簡便に製造できる製造方法および該製造方法により製造される構造体を提供する。
【解決手段】少なくとも、基材１上に設けられた鋳型１１の表面に、無電解めっきにより形成される金属層を含む被覆膜２１を形成する工程と、前記被覆膜２１の一部または全部を残したまま、前記鋳型１１の一部または全部を除去する工程とを行うことにより、前記基材１上に構造体を形成する。または、少なくとも、基材上に設けられた鋳型の表面に、無電解めっきにより形成される金属層を含む被覆膜を形成する工程と、前記被覆膜の一部を除去する工程とを行うことにより、前記基材上に構造体を形成する。 （もっと読む）

【解決手段】水溶性金化合物、錯化剤、ホルムアルデヒド重亜硫酸塩付加物、及びＲ₁−ＮＨ−Ｃ₂Ｈ₄−ＮＨ−Ｒ₂又はＲ₃−（ＣＨ₂−ＮＨ−Ｃ₂Ｈ₄−ＮＨ−ＣＨ₂）_n−Ｒ₄（Ｒ₁〜Ｒ₄は−ＯＨ、−ＣＨ₃、−ＣＨ₂ＯＨ、−Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ、−ＣＨ₂Ｎ（ＣＨ₃）₂、−ＣＨ₂ＮＨ（ＣＨ₂ＯＨ）、−ＣＨ₂ＮＨ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）、−Ｃ₂Ｈ₄ＮＨ（ＣＨ₂ＯＨ）、−Ｃ₂Ｈ₄ＮＨ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）、−ＣＨ₂Ｎ（ＣＨ₂ＯＨ）₂、−ＣＨ₂Ｎ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）₂、−Ｃ₂Ｈ₄Ｎ（ＣＨ₂ＯＨ）₂又は−Ｃ₂Ｈ₄Ｎ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）₂、ｎは１〜４の整数）で表されるアミン化合物を含有する無電解金めっき浴。
【効果】ニッケル表面の粒界侵食が進行することによる外観不良を引き起こさず、良好な皮膜外観の金めっき皮膜を形成することができる。 （もっと読む）

【解決手段】水溶性金化合物、錯化剤、アルデヒド化合物、及びＲ₁−ＮＨ−Ｃ₂Ｈ₄−ＮＨ−Ｒ₂又はＲ₃−（ＣＨ₂−ＮＨ−Ｃ₂Ｈ₄−ＮＨ−ＣＨ₂）_n−Ｒ₄（Ｒ₁〜Ｒ₄は−ＯＨ、−ＣＨ₃、−ＣＨ₂ＯＨ、−Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ、−ＣＨ₂Ｎ（ＣＨ₃）₂、−ＣＨ₂ＮＨ（ＣＨ₂ＯＨ）、−ＣＨ₂ＮＨ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）、−Ｃ₂Ｈ₄ＮＨ（ＣＨ₂ＯＨ）、−Ｃ₂Ｈ₄ＮＨ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）、−ＣＨ₂Ｎ（ＣＨ₂ＯＨ）₂、−ＣＨ₂Ｎ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）₂、−Ｃ₂Ｈ₄Ｎ（ＣＨ₂ＯＨ）₂又は−Ｃ₂Ｈ₄Ｎ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）₂、ｎは１〜４の整数）で表されるアミン化合物を含有する無電解金めっき浴。
【効果】めっき処理を施す下地金属が侵食されず、安定した析出速度で無電解金めっき処理することができ、析出速度が速く、置換・還元タイプであるので、１液でめっき皮膜の厚膜化が可能であり、皮膜の色が劣化することなく金特有のレモンイエロー色が保たれ、外観も良好である。 （もっと読む）

【課題】フォトクロミックな金属酸化物前駆体溶液を用いた新規な金属酸化物薄膜の製造方法とその表面微構造を紫外線照射により制御する方法を提供する。
【解決手段】フォトクロミズムを示す金属酸化物前駆体溶液を原料として用い、薄膜作製プロセスに紫外線照射の過程を加えることで、焼成後の金属酸化物薄膜の表面微構造を簡便に制御する方法、該方法による表面微構造を制御した金属酸化物薄膜の製造方法、及びその表面微構造を制御した金属酸化物薄膜。
【効果】光化学反応を積極的に取り入れて調製したフォトクロミックな金属酸化物前駆体溶液を用いて、薄膜作製プロセス中において紫外線照射の効果を利用した、新規な金属酸化物薄膜の表面微構造制御技術を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 特別な設備や装置を用いずに、安価で、かつ簡易な工程で、金属ナノ粒子付着
基材を製造する方法を提供する。
【解決手段】
基材を、加水分解触媒の存在下に、キレート形成性官能基含有シランカップリング剤、
金属ナノ粒子形成性金属塩および還元剤と接触させることにより、基材上にキレート形成
性官能基含有シランカップリング剤を介して金属ナノ粒子の点在物または層状物を形成す
ることを特徴とする金属ナノ粒子付着基材の製造方法である。 （もっと読む）

本発明は、０．０１〜２０ｇ／Ｌの銀イオンまたは銀錯体イオン、０．１〜１５０ｇ／Ｌのアミン錯化剤、０．１〜１５０ｇ／Ｌのアミノ酸錯化剤、および０．１〜１５０ｇ／Ｌのポリヒドロキシ酸錯化剤を含む弱アルカリ性の化学銀めっき溶液に関する。本発明において提供する弱アルカリ性の化学銀めっき溶液は、国内および国外の両方で現在一般的に用いられている酸性の化学銀めっきプロセスに存在する欠点を克服することが出来る。これらの欠点としては、銅ワイヤの消耗および腐食、側面の腐食、ブラインドホール内に銀めっきをすることの困難性、はんだボールの孔隙および溶接の低い強度が挙げられる。前記銀めっき溶液によってめっきされた銀層は、高い腐食耐性、低い接触抵抗、エレクトロマイグレーションが無いこと、高い溶接強度などの特性を有し、めっき片が溶接された場合に、はんだ中に気泡が発生しない。
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【課題】半導体集積回路デバイス基板上にフィチャーの底面そして実質的にその上に金属をもたない側壁の部分上に金属からなる輪郭をもつフュチャー内に最初の金属堆積を形成することにより銅めっきをし、銅でフィチャーを埋め込むため最初の金属堆積上に銅を無電解的に堆積するための方法。半導体集積回路デバイス基板上にフィチャー内に銅に濡れる金属からなる堆積を形成し、頂部部分表面上に銅ベースの堆積を形成し、そして銅でフィチャーを埋め込むため銅に濡れる金属からなる堆積上に銅を堆積することによって銅をめっきするための方法。 （もっと読む）

【課題】 様々な種類のポリマー部材の表面に、安価で、高密着強度を有する無電解メッキ膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】 表面内部に金属微粒子が含浸したポリマー部材を用意することと、ポリマー部材に高圧二酸化炭素を接触させてポリマー部材の表面近傍を膨潤させることと、ポリマー部材の表面近傍を膨潤させた状態で、高圧二酸化炭素を含み且つメッキ反応が起こる状態にある無電解メッキ液をポリマー部材に接触させて、ポリマー部材にメッキ膜を形成することとを含むメッキ膜の形成方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【解決手段】ケイ素化合物系低誘電率材料からなる基材上に、無電解めっきにより形成されたバリア層を介して無電解銅めっき層が積層された積層構造であって、上記バリア層が、有機シラン化合物の単分子層、及び該単分子層の上記バリア層側の端部を修飾するパラジウム触媒を介して上記基材上に形成され、かつ該基材側から無電解ＮｉＢめっき層と無電解ＣｏＷＰめっき層とで構成されている積層構造。
【効果】ケイ素化合物系低誘電率材料上に、簡単な工程で密着性の良好なバリア層、配線層等に適用される無電解銅めっき層を全てウエットプロセスにて形成することができ、ケイ素化合物系低誘電率材料からなる基材、バリア層、及び配線層等の無電解銅めっき層が、相互に強固に密着した積層構造を得ることができる。また、この積層構造は、超ＬＳＩの銅配線、特に、従来に比べて更に狭小化されたトレンチに形成される銅配線の形成構造として好適である。 （もっと読む）

【課題】高い安定性と一定した共析量を得ることができる新規な無電解ニッケル合金めっき液を提供する。
【解決手段】
（１）水溶性ニッケル塩、
（２）錯化剤、
（３）還元剤、並びに
（４）特定のポルフィリン錯体、及び特定のフタロシアニン錯体からなる群から選ばれた少なくとも一種の成分、
を含有することを特徴とする無電解ニッケル合金めっき液。 （もっと読む）

【課題】無機材料との複合化を効率良く行うことが出来る多分岐ポリイミドを用いた無電解めっき促進用多分岐ポリイミド、及び無電解めっき促進用多分岐ポリイミドを無電解メッキして得られる、金属とポリイミドの密着性が良好である金属被覆多分岐ポリイミド及びその簡便な製造法を提供する。
【解決手段】テトラカルボン酸ニ無水物と、トリアミンを含むジアミンとを反応させて得られる多分岐ポリイミドのアミノ基に、無電解めっき触媒前駆物質を吸着させることを特徴とする無電解めっき促進用多分岐ポリイミドである。 （もっと読む）

【課題】高い導電性を有し、経時的な導電性の変化が少なく、かつ、圧縮荷重をかけても樹脂微粒子から被覆層が剥離、破壊されない耐圧縮性に優れた信頼性の高い導電性微粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂微粒子と前記樹脂微粒子の表面に形成された金属被覆層とからなる導電性微粒子を製造する方法であって、少なくとも、還元剤としてホウ素化合物及び次亜リン酸化合物を用いる無電解ニッケルメッキ工程を有することを特徴とする導電性微粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 銀めっき付き繊維材料において、銀めっき膜は、薄くしても、抗菌性や防臭性、導電性や電磁波遮蔽性などの性能を維持する。
【解決手段】 繊維、繊維束や糸などの繊維材料は、外周面に銅めっき又は銅合金めっきを付着して外周面を銅めっき膜又は銅合金めっき膜で覆い、その銅めっき膜又は銅合金めっき膜の外周面に銀めっきを付着して銅めっき膜又は銅合金めっき膜の外周面を銀めっき膜で覆い、銀めっき膜の内周面に銅又は銅合金めっき膜を積層している。この銀めっき付き繊維材料を製造する場合は、繊維材料に、銅又は銅合金の無電解めっきを施し、その後、銀の無電解めっきを施す。 （もっと読む）