【課題】絶縁体又は半導体の表面に、超臨界流体又は亜臨界流体を使用するとともに誘導共析現象を利用して短時間で厚いめっき層を無電解めっきで得られるようにした無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】絶縁体としてのガラス基板試料２２の表面に無電解めっきする際に、無電解めっき液１９中に金属粉末を分散させた状態で超臨界流体ないしは亜臨界流体を使用して無電解めっきを行う。そうすると、誘導共析現象を利用して短時間で均質な厚いめっき層が得られる。本発明の無電解めっき方法では、金属粉末として平均粒径は１ｎｍ以上１００μｍ以下のものを使用でき、半導体素子内の微細金属配線形成方法であるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用可能である。 （もっと読む）

【課題】パラジウムや銀などの貴金属触媒を使用せず、無電解めっきシステムと積層する金属の組み合わせの制限が緩い選択的な無電解めっき方法、パラジウムや銀などの貴金属触媒を使用することなく、下地の金属より卑な金属を無電解めっき方法により選択的に積層する方法を提供する。
【解決手段】無電解めっき液中に核体３が分散され、核体３表面に無電解めっきにより導電層１が析出中の核体３を、表面に導電体２を有する被めっき体へ間欠的に接触させることを特徴とする導電体２への選択的無電解めっき方法及び選択的活性化前処理方法である。また、無電解めっき液中に核体３が分散され、核体３表面に無電解めっきにより導電層１が析出中の核体３が分散し、攪拌しているめっき液中へ、表面に導電体２を有する被めっき体を浸漬することを特徴とする導電体２への選択的無電解めっき方法及び選択的活性化前処理方法。 （もっと読む）

【課題】貴金属触媒を使用せず、無電解めっきシステムと積層する金属の組み合わせの制限が緩い無電解めっき方法であり、パラジウムや銀などの貴金属触媒を使用することなく、下地金属上に無電解めっきにより金属を積層する方法を提供する。
【解決手段】無電解めっき液中に核体３が分散され、核体３表面に無電解めっきにより導電層１が析出中の核体３を、導電体２へ間欠的に接触させることを特徴とする導電体２への無電解めっき方法及び活性化前処理方法である。また、無電解めっき液中に核体３が分散され、核体３表面に無電解めっきにより導電層１が析出中の核体３が分散し、攪拌しているめっき液中へ、導電体２を浸漬することを特徴とする導電体２への無電解めっき方法及び活性化前処理方法。 （もっと読む）

【課題】ヘッダータンクを構成する部材の必要な部分にのみ薄くかつ均一な亜鉛付着層をする。
【解決手段】移送されているアルミニウム製ヘッダータンク(101)の外面の一部領域(34)に、無電解亜鉛めっき液(114)が含浸された軟質体(110)を接触させることによって、前記ヘッダータンク(101)の一部領域(34)に無電解亜鉛めっきを行って亜鉛付着層(103)を形成する。また、前記軟質体(110)として、外形形状が略円柱形状に形成されるとともに該略円柱形状の中心軸線を回転軸(111)として回転可能に支持された多孔質軟質体であってその外周面の一部に周方向に沿ってヘッダータンク受容凹溝(112)が形成されてなる多孔質軟質体を用い、ヘッダータンク(101)の外面の一部領域(34)を、前記多孔質軟質体(110)の受容凹溝(112)内に接触状態に嵌め込むことによって無電解亜鉛めっきを行う。 （もっと読む）

【課題】粒子が２個以上結合した連結粒子が少なく信頼性の高い導電接続ができる導電性微粒子、及び、連結粒子が少ない導電性微粒子を得ることができる導電性微粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】基材微粒子と、前記基材微粒子の表面に形成された下地金属層と、前記下地金属層の表面に形成された導電層とを有する導電性微粒子であって、シースフロー電気抵抗方式粒度分布計を用いて粒子径分布を測定した場合、平均粒子径の１．２６倍以上の粒子径を有する導電性微粒子の比率が８％以下である導電性微粒子。 （もっと読む）

【課題】非貫通スル−ホ−ルを有するプリント配線板の無電解めっき方法において、従来、振動させたり、揺動させたりしてめっきをしていたが、貫通スルーホールや非貫通スル−ホ−ル中に発生した水素気泡を完全に取り除くことは困難で、そのためにスルーホール内にめっき液の供給が十分行われるとはいえず、その部分のスルーホール内に目的のめっきが形成されなかった。
【解決手段】 本発明は、めっき液に浸漬した前記プリント配線板に振動を与えながら無電解めっきする際に、合わせて流量に強弱をもたせたバブリングを前記プリント配線板の下方から加えることを特徴とするプリント配線板のめっき方法を提供することである。 （もっと読む）

【課題】深さの異なるビアホールの内部に、無電解めっきによって、コンタクト配線を連続的に形成でき、しかもコンタクト配線（めっき膜）が絶縁膜の表面にバンプ状に盛り上がることがないようする。
【解決手段】半導体基材上に積層した絶縁膜の内部に第１ビアホールと該第１ビアホールより深さの深い第２ビアホールを有する基板を用意し、第１ビアホール及び第２ビアホールの内部に、基板表面をめっき液に接触させた第１の無電解めっきによって、第１ビアホールがほぼ埋まるまでコンタクト配線を形成し、しかる後、基板表面と該表面に沿って流れるめっき液との相対速度を速めて第１ビアホール内に形成されたコンタクト配線の表面に成膜されるめっき膜の成長を抑制した第２の無電解めっきを行う。 （もっと読む）

【課題】 水と加圧二酸化炭素とを含む混合溶液を用いて所定の処理を行う際に、より効率よく且つ安定して所定の処理が行える容器を提供する。
【解決手段】 非ポリマー材料で形成された被処理体を水及び加圧二酸化炭素を含む混合溶液で処理するために用いられる容器であって、金属製の容器本体と、容器本体の内壁表面に形成され且つ混合溶液に対して不活性である膜とを備える容器を用いることにより、被処理体に対して、より効率よく且つ安定して所定の処理を施すことができる。 （もっと読む）

【課題】例えば半導体ウェーハ等の基板の表面に露出した金属表面に磁性膜、特に合金磁性膜を選択的かつ容易に成膜することができるようにする。
【解決手段】基板の表面に露出した金属表面に磁性膜を選択的に成膜する磁性膜成膜装置であって、磁性膜成膜装置２２は、めっき槽４０内のめっき液３８に表面を接触させて配置した基板Ｗの周囲に該基板Ｗと平行な磁場を発生させる磁場発生装置３４を有する無電解めっき装置３６からなる。 （もっと読む）

【課題】ガスタービンエンジン内のタービン部品用のコーティングに関する。
【解決手段】コーティング４０３及びコーティング４０３の形成方法が開示される。この方法は、エンジンの運転中に燃焼ガス流の外部にあって冷却用空気に暴露される金属表面を有するガスタービンエンジンタービン部品の表面を被覆する段階を含んでいる。セラミック金属酸化物前駆体を含むゲル形成溶液を用意する。ゲル形成溶液を第一の予選択温度で第一の予選択時間にわたり加熱してゲルを形成する。次いで、ゲルを金属表面に堆積させる。その後、ゲルを第一の予選択温度より高い第二の予選択温度で焼成することで、ジルコニア、ハフニア及びこれらの組合せからなる群から選択されるセラミック金属酸化物を含むセラミック耐食性コーティング４０３を形成する。セラミック耐食性コーティング４０３は約１２７μｍ以下の厚さを有するとともに、約１０００°Ｆを超える温度で密着性を保つ。 （もっと読む）

【課題】無電解鍍金で均一な鍍金膜を形成する。
【解決手段】基板表面処理装置は、ウエハ基板１３の周囲に配置した複数の支持冶具１２によってウエハ基板１３を支持し、支持冶具１２によって支持されたウエハ基板１３を鍍金溶液中で回転軸１６を中心に回転するカセットケース１００を備えている。そして、カセットケース１００の円板１０ａ,１０ｂの外周に形成されたスリット１１ａ,１１ｂに支持冶具１２の端を嵌合し、支持冶具１２に形成されている溝部１２ａに複数のウエハ基板１３を並列に支持することを特徴としている。これにより、基板表面処理装置は、無電解鍍金で均一な鍍金膜を形成し、且つウエハ基板１３に対するダメージを抑え、鍍金とその前後の処理を一括して行うことができる。 （もっと読む）

【課題】亜臨界流体又は超臨界流体を使用し、半導体層の表面に形成された絶縁膜上に誘導共析現象を利用して短時間で均一な金属被膜を無電解めっきで得られるようにした無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】金属基体試料２２の表面に無電解めっきする際に、無電解めっき液１９中に金属粉末を分散させた状態で超臨界流体ないしは亜臨界流体を使用して無電解めっきを行う。そうすると、誘導共析現象を利用して短時間で均質な厚いめっき層が得られる。本発明の無電解めっき方法では、金属粉末として平均粒径は１ｎｍ以上１００μｍ以下のものを使用でき、半導体素子内の微細金属配線形成方法であるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用可能である。 （もっと読む）

【課題】噴流発生機構を装置本体と分離して設けなくとも簡単な工夫でめっき液中に容易に噴流を発生させることができ、これによりめっき液を撹拌することができるめっき装置を提供する。
【解決手段】被めっき物を収容する筒状の装置本体１と、該装置本体１に連結された蛇腹形状の伸縮部材２と、該伸縮部材２の下端に装着された台座３とを備えている。そして、装置本体１及び伸縮部材２が互いに流通自在となるように連通しており、これら装置本体１及び伸縮部材２にめっき液５を満たす。この状態でシリンダ部４を駆動させると伸縮部材２が伸縮し、その結果装置本体１は上下方向に往復運動し、これによりめっき液には噴流が発生する。 （もっと読む）

【課題】ニッケルめっき皮膜上に置換析出型の金めっき皮膜を形成する際に用いる活性化液であって、安定したハンダ接合強度やワイヤーボンディング接続強度を有する置換型金めっき皮膜を形成することが可能であり、しかも安定性が良好で、長期間連続して使用可能な新規な処理剤を提供する。
【解決手段】(i) ニッケルイオンの錯化剤、
(ii)チオ尿素、チオ尿素誘導体、イソチオ尿素、イソチオ尿素誘導体及びこれらの塩からなる群から選ばれた少なくとも一種からなる酸化防止剤、
(iii) ヒドラジン及びヒドラジン誘導体からなる群より選ばれる少なくとも１種の成分、
(iv) アミノ基及びイミノ基からなる群より選ばれる含窒素基を２個以上含み、置換基を有することのあるエチレン基を該含窒素基の窒素原子間に有する化合物、並びに
(v)ニッケルと金の間の酸化還元電位を有する金属元素を含む化合物、
を含有する水溶液からなる置換析出型金めっきの前処理用活性化組成物。 （もっと読む）

【課題】Pｄ活性化処理を行わずとも、被めっき金属微粒子を無電解めっき法によりめっき用金属にて良好にめっきする方法を提供することを課題とするものである。
【解決手段】被めっき金属微粒子は、まず第三工程においてその表面が清浄化処理されて、機械油、手垢、グリスなどの油脂類、あるいは軽度に脆化した酸化物や水酸化物などが除去され、ついで第一工程において高温度の大気中での加熱や酸化力のある酸水溶液などで酸化処理されてその表面に均一な酸化膜が形成され、最後に第二工程において所望のめっき用金属を自己触媒析出する無電解めっき液に浸漬して無電解めっきされる。 （もっと読む）

【課題】 被めっき物である金属微粉末をめっき浴中で均一に安定して分散させ、且つ気泡を発生さ・付着させない無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】 金属粉末表面に無電解めっき浴を用いて導電性の高い金属をめっきするにあたり、めっき浴を層流にて高速攪拌できる泡レスタイプ・超高速ミキサーを用い、１，０００〜１０，０００ｒｐｍの条件下で撹拌しながらめっきする方法を採用する。撹拌手段としては、泡レスタイプの高速ミキサーが利用できる。 （もっと読む）

【課題】多孔質基材上にその形状と表面積を損なうことなく金属を担持させ、当該金属を粒状もしくは針状にして表面積をさらに大きくした金属−多孔質基材複合材料を得る。
【解決手段】金属Ｍ_２よりも酸化還元電位の低い金属Ｍ_３のイオンを含む溶液に超音波をかけながら多孔質基材を浸漬して多孔質基材に金属イオンＭ_３を担持させる工程と、金属イオンＭ_３を担持した多孔質基材を純水あるいは希薄酸溶液に浸漬する工程と、金属Ｍ_２のイオンを含む溶液に超音波をかけながら金属イオンＭ_３を担持した多孔質基材を浸漬して多孔質基材に金属Ｍ_２のコロイドを担持させる工程と、金属イオンＭ_２のコロイドを担持した多孔質基材を純水あるいは希薄酸溶液に浸漬する工程と、金属Ｍ_１のイオン及び還元剤を含み平滑化剤の濃度を５０ｐｐｍ以下とした溶液に金属Ｍ_２のコロイドを担持した多孔質基材を浸漬する無電解めっき工程とを含むようにする。 （もっと読む）

本発明は、半導体ウェーハの表面に設けられたトレンチやビヤホール、レジスト開口部にめっき膜を形成したり、半導体ウェーハの表面にパッケージの電極等と電気的に接続するバンプを形成したりするのに使用されるめっき装置に関する。めっき装置（１７０）は、めっき液（１８８）を保持するめっき槽（１８６）と、被めっき材を保持して該被めっき材の被めっき面をめっき槽（１８６）内のめっき液（１８８）に接触させるホルダ（１６０）と、めっき槽の内部に配置され、ホルダで保持した被めっき材の被めっき面に向けてめっき液を噴射してめっき槽（１８６）内にめっき液（１８８）を供給する複数のめっき液噴射ノズル（２２２）を有するリング状のノズル配管（２２０）を備えている。
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【課題】被加工物が容器本体の回転中心の底面に滞留したり、容器本体の底面に張り付くのを防止して良好な撹拌状態を得ることができるようにする。
【解決手段】回転可能な有底筒状の容器本体１が傾斜状に配された撹拌容器において、回転中心には回転軸２が設けられると共に、該回転軸２には容器本体１の底部１ａに固着された突起物３が連接されている。そして、突起物３の底面積が、容器本体１の底面積に対し面積比率で７５％以上とされている。また、突起物と容器本体の内壁面とのなす角度が９０°以下のときは、突起物３の底面積が、容器本体１の底面積に対し面積比率で９０％以下とされている。
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【課題】 精密な表面加工を可能にする軽量でかつ研磨性能に優れた安価な磁性砥粒及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 活性炭粒子上に磁性を有する含ニッケル無電解めっき層が形成されている磁性砥粒により、上記課題を解決した。この磁性砥粒は、活性炭粒子をＮｉＳＯ_４／ピコリン酸溶液に浸漬した後、この活性炭粒子を不活性雰囲気下にて加熱乾燥して、活性炭粒子に付着したピコリン酸とニッケルのキレート化アニオンをニッケル金属に還元すると共にピコリン酸を炭化させて、活性炭粒子上にニッケル金属元素を形成して、活性炭粒子の活性化を行い、次いで、含ニッケル無電解めっきを行うことにより製造できる。 （もっと読む）