本発明は、色素増感太陽電池（ＤＳＳＣ）の分野に関するものであり、幅広い種類の基材に適用できる対向電極の低温プラチナイズ方法に関する。 （もっと読む）

試薬溶液から固体膜を基材上に堆積するための装置は、試薬溶液内における均一反応を阻害するのに十分低い温度に保った試薬溶液の貯槽を備える。冷却した溶液は、シャワーヘッドにより、一度に、基材上に分注される。シャワーヘッドの１つが試薬溶液を微細ミストとして送達するようにネブライザーを含むのに対して、他のシャワーヘッドは試薬を流れるストリームとして送達する。基材の下に配置されたヒータは、試薬溶液からの所望の固体相の堆積が開始され得る温度に基材を昇温して保つ。各試薬溶液は、少なくとも１種の金属およびＳもしくはＳｅのいずれかまたは両方を含有する。試薬溶液の少なくとも１つは、Ｃｕを含有する。該装置およびそれに関連する使用方法は、Ｃｕ含有化合物半導体の膜を形成するために特に適する。
（もっと読む）

【課題】最終的に得られる製造コストが高く且つ基板の大きさが制限される、従来のプラズマ処理による窒化銅膜の形成方法の課題を解消する。
【解決手段】窒素ガスとアンモニアガスとから成り、アンモニアガス濃度が０．８vol％以上の混合雰囲気内に設けられたヒータブロック１８上に載置した基板１０を、ヒータブロック１８によって蟻酸銅の熱分解温度以上に加熱し、基板１０の加熱温度で蒸発する溶媒中に蟻酸銅を溶解した原料供給槽２２に貯留した蟻酸銅溶液を、基板１０の所定面に向けて噴霧して、噴霧した蟻酸銅溶液中の溶媒を蒸発し且つ蟻酸銅を熱分解して、基板１０の所定面に窒化銅膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板面内で均一な膜厚形成を実現すること
【解決手段】この半導体製造方法は、複数の基板に連続してめっき処理を施す半導体製造方法であって、１枚の基板処理に必要なｐＨ調整剤を含む所定量のめっき液を温度調節用容器に収容し、温度調節用容器に収容しためっき液を、めっき処理に必要なめっき成膜速度およびめっき液に含まれるｐＨ調整剤の濃度に応じた所定の温度に調節し、基板を１枚ずつ所定位置に保持し、めっき処理に必要なめっき成膜速度およびめっき液に含まれるｐＨ調整剤の濃度に応じたタイミングで、保持された基板１枚毎に温度調節用容器に収容され温度調節されためっき液全量を、保持された基板の処理面に吐出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】腐食性液体や腐食性気体を流すのに適した内面被覆パイプを得るためのパイプ内面の被覆方法を提供する。
【解決手段】ポリシラザンと有機溶媒とを含有する塗付液をパイプ内面にスプレーコーティングし、ポリシラザンの塗布膜を形成した後、非晶質シリカに転化することにより非晶質シリカを主成分とした塗膜を形成することを特徴とするパイプ内面の被覆方法。この被覆方法により、配管抵抗が小さく、酸やアルカリなどの腐食性液体やＳＯ_2、ＮＯ_2、Ｈ₂Ｓなどの腐食性気体への耐久性が高いパイプを安価に得ることができる。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも以下の工程：（Ａ）相応する金属の、少なくとも３個の炭素原子を有するモノ−、ジ−又はポリカルボン酸のカルボキシレート又はモノ−、ジ−又はポリカルボン酸の誘導体、アルコキシド、水酸化物、セミカルバジド、カルバメート、ヒドロキサメート、イソシアネート、アミジン、アミドラゾン、尿素誘導体、ヒドロキシルアミン、オキシム、ウレタン、アンモニア、アミン、ホスフィン、アンモニウム化合物、アジド及びそれらの混合物から成る群から選択される、少なくとも１種の金属酸化物の少なくとも１種の前駆体化合物を含有する溶液を、少なくとも１種の溶媒中で製造する工程、（Ｂ）工程（Ａ）からの溶液を基材に施与する工程及び（Ｃ）前記少なくとも１種の前駆体化合物を、少なくとも１種の半導体金属酸化物に変えるために、工程（Ｂ）からの基材を、２０〜２００℃の温度で熱処理する工程を包含し、その際、工程（Ａ）において電気的に中性の［（ＯＨ）_x（ＮＨ₃）_yＺｎ］_z（ｘ、ｙ及びｚは、互いに無関係に、０．０１〜１０である）が前駆体化合物として使用される場合、これを酸化亜鉛又は水酸化亜鉛とアンモニアとの反応によって得る、基材上に少なくとも１種の半導体金属酸化物を含有する層を製造するための方法、この方法によって得られる、少なくとも１種の半導体金属酸化物で被覆されている基材、この基材の、電子部品における使用、並びに電気的に中性の［（ＯＨ）_x（ＮＨ₃）_yＺｎ］_z（式中、ｘ、ｙ及びｚは、互いに無関係に、０．０１〜１０である）を、酸化亜鉛及び／又は水酸化亜鉛とアンモニアとの反応によって製造するための方法に関する。
（もっと読む）

【課題】本発明は、表面平滑性に優れたアルミニウム酸化物膜を有する積層体の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、アルミニウム源を含有し、かつ、分極率の値の差が５以下である状態の溶媒を含有するアルミニウム酸化物膜形成用溶液を、アルミニウム酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材に接触させることにより、上記基材上にアルミニウム酸化物膜を形成することを特徴とする積層体の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】前駆体溶液に各々の組成部分が均一に混合される薄膜製造システムを提供する。
【解決手段】薄膜製造システム１０は、前駆体溶液２００を製造する前駆体溶液製造装置１１及び前記前駆体溶液を基板の表面に導入して薄膜を形成する薄膜堆積装置１２を備え、前記前駆体溶液製造装置１１は、吸収塔１１２と、該吸収塔に連通される液体貯蓄缶１１１及び気化装置１１０を備え、前記液体貯蓄缶は、膜めっき溶液を貯蓄し且つ前記吸収塔に前記膜めっき溶液を提供し、前記気化装置は、添加剤溶液を気化させ且つ前記吸収塔に気化された添加剤溶液を提供し、前記吸収塔は、前記膜めっき溶液に前記気化された添加剤溶液を吸収させて前駆体溶液を形成する。 （もっと読む）

【課題】種々の部材の高性能化に寄与できる積層体を提供する。
【解決手段】ニッケル源である硝酸ニッケルを含有し、かつ、溶媒としてニッケル酸化物の単結晶２を形成可能な単結晶形成可能溶媒である水、メタノール、エタノールまたはアセトンとジケトン類またはケトエステル類とを含有するニッケル酸化物膜３形成用溶液を、ニッケル酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材１に接触させることにより、前記基材上にニッケル酸化物膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノメーターサイズの三次元連結孔を有する多孔質アルミニウム酸化物膜を有する積層体を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基材と、上記基材上に形成され、平均細孔径５００ｎｍ以下の三次元連結孔を有する多孔質アルミニウム酸化物膜と、を有することを特徴とする積層体を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多孔質基材の孔部を金属酸化物で効率良く埋めることができ、表面平滑性および緻密性等に優れた金属酸化物膜を形成することができる積層体の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または有機金属化合物が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した多孔質基材に噴射することにより、上記多孔質基材上に金属酸化物膜を形成する積層体の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液の噴射方向を、上記多孔質基材側に向け、かつ、上記多孔質基材表面の法線方向に対して傾けることを特徴とする積層体の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 簡便で安価な塗布法によりルテニウム膜を形成するための組成物およびこの組成物を用いて塗布によりルテニウム膜を形成する方法の提供。
【解決手段】
テトラ（μ−トリフルオロアセタト）ジ（アセトン）ジルテニウム、テトラ（μ−ペンタフルオロプロピオナト）ジ（アセトン）ジルテニウムの如きルテニウム化合物と、溶媒とを含むことを特徴とするルテニウム膜形成用組成物、ならびに基体上に、該ルテニウム膜形成用組成物を塗布し、次いで加熱及び／又は光照射することにより、前記基体上にルテニウム膜を形成することを特徴とする、ルテニウム膜形成方法。 （もっと読む）

本発明の目的は、たとえば基材を無電解金属被覆するため、基材（ポリマー）に特定の物性、特に表面ナノ細孔質を与えることを可能とし、かつスルホクロム酸での酸洗いによる表面処理を完全に置き換える、表面処理プロセスを提供することである。この目的を達成するため、本発明の表面処理は、基材表面に対するハイブリッドＵＶ／コロナ処理と、これに続く無電解金属被覆処理とを含む。本発明はまた、これらのプロセスを実行するための装置に関する。
（もっと読む）

本発明の第１主題は、１つ又はそれ以上の酸化還元溶液を基材上にスプレーすることにより、非電解的に基材の表面を金属被覆する方法である。本発明の方法は、工業化可能であり、自動化可能であり、クリーンであり、多層基材に適用可能であり、固着性や装飾的外観に関しても最適である。この目的を達成するため、本発明は、次のステップを含む。ａ）金属被覆の前に基材の表面張力を減少させるための物理的処理あるいは化学的処理、ｂ）１つ又はそれ以上の酸化還元溶液を１つまたそれ以上のエアロゾルの形でスプレーすることにより、ステップａ）において処理された基材表面の非電解的金属被覆処理、ｃ）金属被覆された基材表面上の保護膜の形成処理。本発明の他の主題は、本発明の方法を実現する小型機器、及び得られる製品であり、特に、化粧用の中空ガラスのフラスコ、家庭電化製品や飛行機のための部品、導電性トラックや無線周波数用アンテナ、電磁気スクリーニングのためのコーティングなどの電子部品である。 （もっと読む）

【課題】形成されためっき面の外観不良が発生しないフィルムキャリアテープの製造方法とその製造に用いられる無電解スズめっき装置を提供する。
【解決手段】無電解スズめっき装置は、フィルムキャリアテープ２に無電解スズめっきを施すめっき槽１と、該めっき槽１のめっき液面より上に配置された液切り治具１１とシャワー装置１０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】基板の面内で均一な膜厚を有するめっき処理膜を形成すること
【解決手段】この半導体装置の製造装置は、基板を回転可能に保持する保持機構と、基板上の被処理面にめっき処理を施すための処理液を供給するノズルと、保持機構に保持された基板を被処理面に沿った向きで回転させる基板回転機構と、保持機構に保持された基板上の被処理面と対向する位置で、ノズルを被処理面に沿った方向に移動させるノズル移動機構と、ノズルによる処理液の供給およびノズル移動機構によるノズルの移動動作を制御する制御部とを具備する。 （もっと読む）

【課題】比較的簡易な構成で、炭素繊維複合材の複合材表面に銀鏡反応を利用した銀鏡層を形成可能であり、かつ複合材表面との密着性に優れたレジャー用品に応用可能な銀鏡層形成方法、及び銀鏡層を有する炭素繊維複合材を提供することを課題とする。
【解決手段】銀鏡層形成方法は、アンダーコート層構築工程、第一塩化スズ溶液噴霧工程、第一塩化スズ溶液除去工程、硝酸銀溶液噴霧工程、銀鏡層形成工程、未反応溶液除去工程、銀鏡反応抑制工程、リンス液除去工程、エアーブロー工程、乾燥工程、及びトップコート層構築工程を具備し、これによって形成された複合材２は、アンダーコート層５、銀鏡層３、及びトップコート層７を有し、トップコート層７によって銀鏡層３が強固に密着されている。 （もっと読む）

本発明は、半導体デバイスの製造プロセス中のパターン化もしくは構造化されたＳｉＯ₂層またはＳｉＯ₂ラインの生成に有用であり、インクジェット処理での塗布に適した組成物に関する。また、本発明は、これらの新たな組成物を利用する、半導体デバイス製造の改良プロセスに関する。 （もっと読む）

【課題】加熱雰囲気温度の均一性の影響を受け易く、基材面に薄膜で且つ均斉な銅膜を形成することが困難であるという、蟻酸銅又はその化合物を熱分解する従来の銅膜の形成方法での課題を解決する。
【解決手段】所定温度に加熱されている基板１０を、前記加熱温度で不活性な不活性ガス雰囲気内に載置して、基板１０の表面に向けて前記加熱温度で蒸発する溶媒中に蟻酸銅を溶解した蟻酸銅溶液をノズル２０から噴霧し、前記加熱温度下で噴霧された蟻酸銅溶液中の溶媒を蒸発すると共に、前記蟻酸銅を熱分解して、基板１０の一面側に薄膜の銅膜を形成した後、前記銅膜の表面に形成される酸化膜を還元する還元剤を含有する還元剤溶液を、前記不活性ガス雰囲気内で加熱されている基板１０にノズル２０から噴霧することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶性や結晶構造の結晶状態が、段階的または連続的に変化した金属酸化物膜を、簡便な方法により得ることができる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または有機金属化合物が溶解し、かつ、金属酸化物膜の結晶状態を変化させる酸の濃度が異なる金属酸化物膜形成用溶液を、上記酸の濃度を変化させつつ、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材に接触させることにより、上記基材上に、結晶状態が段階的または連続的に変化した金属酸化物膜を形成することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）