【課題】本発明は、金属酸化物膜の結晶状態を容易に調製可能な金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または有機金属化合物が溶解した金属酸化物膜形成用溶液と、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材とを接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液が、金属酸化物膜の結晶状態を変化させる酸を含有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属酸化物膜の成膜性を向上させることができる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または有機金属化合物が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材に接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液が、ジケトン化合物またはケトエステル化合物を含有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

本発明は、本質的に触媒を含まない基体に金属を沈着させるための無電解法を提供し、上記方法は、（ａ）本質的に触媒を含まない基体を用意する工程、および（ｂ）上記本質的に触媒を含まない基体を無電解溶液に暴露して上記基体上に金属を沈着させる工程、ここで上記溶液は金属イオンおよび上記金属イオンを金属に還元するための還元剤を含む、を含み、上記基体の少なくとも表面が、上記溶液の温度（Ｔ２）よりも高い温度（Ｔ１）を有しまたは上記温度（Ｔ１）に加熱される。 （もっと読む）

【課題】深さの異なるビアホールの内部に、無電解めっきによって、コンタクト配線を連続的に形成でき、しかもコンタクト配線（めっき膜）が絶縁膜の表面にバンプ状に盛り上がることがないようする。
【解決手段】半導体基材上に積層した絶縁膜の内部に第１ビアホールと該第１ビアホールより深さの深い第２ビアホールを有する基板を用意し、第１ビアホール及び第２ビアホールの内部に、基板表面をめっき液に接触させた第１の無電解めっきによって、第１ビアホールがほぼ埋まるまでコンタクト配線を形成し、しかる後、基板表面と該表面に沿って流れるめっき液との相対速度を速めて第１ビアホール内に形成されたコンタクト配線の表面に成膜されるめっき膜の成長を抑制した第２の無電解めっきを行う。 （もっと読む）

本発明は、半導体基板表面に対するケミカル処理方法および装置を提供する。当該ケミカル処理方法は、ホルダー２を用いて、処理対象である半導体基板４の下面と化学溶液槽１に収容される化学溶液５の液面との間に一定の距離を有するように、半導体基板４を化学溶液５の上方に放置し、噴射装置３によって半導体基板４の下面に向け化学溶液５を噴射することで、当該下面にケミカル処理を施す方法である。当該装置は、化学溶液５を収容する化学溶液槽１と、半導体基板４を化学溶液５の上方に放置するためのホルダー２と、半導体基板４の下面に向け化学溶液５を噴射するための噴射装置３とを備える。当該方法によれば、半導体基板の一方の表面のみにケミカル処理を施すことができるとともに、他方の表面に如何なる保護も必要としない。
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【課題】密着性に優れた均一なめっき膜が形成できる線状材の銅めっき方法を提供する。
【解決手段】走行する線状材３に置換めっき液を噴射するめっき方法であって、１リットル当たり、５グラム以上のＣｕＳＯ_４・５Ｈ_２Ｏと、５グラム以上、４００グラム以下のＨ_２ＳＯ_４と、５グラム以上、４００グラム以下のＦｅＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏと、５ミリグラム以上、１０グラム以下の少なくとも１種類のノニオン系界面活性剤とを含む置換めっき液を用いる。 （もっと読む）

【課題】加熱のみで膜形成した場合に比べ、電気抵抗を大幅に低減した金属膜を得る。
【解決手段】金属コロイド粒子が金属粒子と粒子表面に配位修飾した保護剤とにより構成され、保護剤が分子中に窒素又は酸素のいずれか一方又はその双方を含む炭素骨格を有し、かつ窒素、酸素、窒素を含む原子団及び酸素を含む原子団からなる群より選ばれた１種又は２種以上をアンカーとして金属粒子表面に配位修飾した構造を有し、保護剤がハイドロキシアルキル基を分子構造に含み、金属コロイド粒子を水系又は非水系のいずれか一方の分散媒又はその双方を混合した分散媒に所定の割合で混合して分散させた金属コロイドを基材表面に塗布する工程と、基材を自然乾燥させて金属コロイド中の分散媒を除去する工程と、基材を室温〜２００℃の温度に保持しながら、濃度が、５〜２００ｇ／Ｎｍ³のオゾンを照射し、基材表面に金属膜を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】導電性に優れ、多くの電子デバイスに簡便、安価に使用できる塗布法により銅薄膜を形成できる銅薄膜形成材料およびその材料を用いて銅薄膜を形成する手法を提供すること。
【解決手段】下記式


ここで、Ｒ^１〜Ｒ^５は水素原子またはハロゲン原子または炭素数１〜１５の炭化水素基または炭素数１〜１０のハロゲン化炭化水素基または炭素数１〜１０のエーテル基である。Ｒ^１〜Ｒ^５は互いに同一でも異なっても良い、
で表される化合物と溶剤を含有する銅薄膜形成材料。 （もっと読む）

【課題】例えば半導体ウェーハ等の基板の表面に露出した金属表面に磁性膜、特に合金磁性膜を選択的かつ容易に成膜することができるようにする。
【解決手段】基板の表面に露出した金属表面に磁性膜を選択的に成膜する磁性膜成膜装置であって、磁性膜成膜装置２２は、めっき槽４０内のめっき液３８に表面を接触させて配置した基板Ｗの周囲に該基板Ｗと平行な磁場を発生させる磁場発生装置３４を有する無電解めっき装置３６からなる。 （もっと読む）

湿潤化流体で基材を湿潤させる予備ステップ-a_p-、及び湿潤化の終了の最大６０秒後に、緩和フェーズと交互に行う一連の発射フェーズによって、即ち(i)発射フェーズの継続時間Ｄｐおよび緩和フェーズの継続時間Drを、各金属について固有の金属化定数kから調整することによって、また(ii)発射流量を調整することによって、金属化を発射し始めることを含む。金属化発射は、周期的な走査を実行するために、基材に対して発射手段を変位させることによって動的に実行され、Dpは、問題となる表面単位が、その間エアロゾルの連続発射を受ける継続時間に相当し、Drは、部品が、その間発射を受けない継続時間に相当する。発射手段は、出発点(O)と到着点(A)との間の軌道T_OAに沿って発射変位速度V_OAで移動し、次に発射なし変位速度V_AOで軌道T_AOに沿って点(O)に戻る。発射手段および前記発射手段を変位させるシステムを制御するコンピューティングおよび制御ユニット(UCC)は、プロセスを自動化するのに使用される。
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【課題】パーティクル発生が抑制され、優れた耐食性および耐久性を有するセラミックコーティング部材を提供する。また、複雑な形状の基材や大型の基材にパーティクル発生が少なく耐食性および耐久性に優れたセラミック膜を容易に形成することを可能とするセラミックコーティング部材の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックコーティング部材は、基材表面に、純度が９８％以上、膜厚が０．０５μｍ以上１０μｍ以下、平均粒径が５０ｎｍ以下のセラミック膜が形成された構造を有する。セラミック膜は、基材の表面に、金属アルコキシド，有機金属錯体，酸化物ナノ粒子または非酸化物ナノ粒子の少なくとも一種以上を含む溶液を用いて塗布膜を湿式成膜し、この塗布膜を乾燥し、３００℃以上１０００℃以下の温度で熱処理することにより、形成する。 （もっと読む）

【課題】基板温度を目標温度まで到達させる時間を短縮し、熱効率を向上させた透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る透明導電膜の形成方法は、一主面上に金属を含む絶縁性の酸化膜を配してなり、ガラスから構成される基板を用い、前記基板に熱処理を施し、該基板の他主面上に透明導電膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属光沢があり、装飾性に富むとともに、人体への影響を考慮して安全性が高く、かつ検針機が作動することのないボタンを提供する。
【解決手段】ボタンの基材の表面に、少なくとも無電解めっきの前処理をする工程と、銀鏡用めっき液を吹き付けて銀鏡皮膜を形成する工程と、銀鏡皮膜上にトップコート層を設ける工程を経て得ることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多孔度が段階的または連続的に変化した金属酸化物膜を、簡便な方法により得ることができる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、金属元素の異なる２種類以上の金属源を用い、上記２種類以上の金属源の金属源モル分率が異なる金属酸化物膜形成用溶液を、上記金属源モル分率を変化させつつ、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材に接触させることにより、上記基材上に、多孔度が変化した金属酸化物膜を形成することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】大気圧で熱処理した場合に比べて、電気抵抗を大幅に低減した金属膜を得る。
【解決手段】金属コロイド粒子が金属粒子と粒子表面に配位修飾した保護剤とにより構成され、保護剤が分子中に窒素又は酸素のいずれか一方又はその双方を含む炭素骨格を有し、かつ窒素、酸素、窒素を含む原子団及び酸素を含む原子団からなる群より選ばれた１種又は２種以上をアンカーとして金属粒子表面に配位修飾した構造を有し、保護剤がハイドロキシアルキル基を分子構造に含み、金属コロイド粒子を水系又は非水系のいずれか一方の分散媒又はその双方を混合した分散媒に所定の割合で混合して分散させた金属コロイドを基材表面に塗布する工程と、塗布した金属コロイド中の分散媒を自然乾燥により除去する工程と、基材を１．０×１０³Ｐａ以下の真空雰囲気下、２００℃以下で熱処理することにより、基材表面に金属膜を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】基材上に、ポリシラザンから生成されるシリカ膜を短時間で形成できる方法を提供する。
【解決手段】基材上に、ポリシラザンを含有するポリシラザン膜を形成した後、レーザ光またはマイクロ波を照射して前記ポリシラザンをシリカに転化させる工程を有するシリカ膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電気特性を劣化させることなく、高品質の配線保護膜を配線の表面に効率よく形成できるようにする。
【解決手段】絶縁膜の内部に表面を露出させた埋込み配線を形成し乾燥させた基板を用意し、基板の表面に薬液によるめっき前処理を行いめっき前処理終了後、直ちに無電解めっきを行って前記配線の露出表面に配線保護膜を選択的に形成する。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき溶液中の金属溶液及び還元剤溶液の濃度を測定する方法が開示されている。
【解決手段】ラマン分光器法を用いて、混合した後の無電解めっき溶液中の各溶液の濃度を測定する。溶液をめっき浴に提供する前に各溶液の濃度を測定することにより、個々の溶液の濃度を調整して、各溶液の目標濃度を得ることができる。更に、各溶液は他の溶液と混合する前にラマン分光法を用いて個々に分析することができる。混合前の個々の溶液のラマン分光法測定値に基づいて、各溶液を形成する個々の成分を混合前に調整して目標の成分濃度を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】経時的な増粘を防止し、保存安定性が高い金属膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】金属化合物と、樹脂成分とを含有する金属膜形成用組成物において、樹脂成分としてカルボキシル基を含有していない水溶性ポリマー、又は５０ｍｇ／ｇ以下の酸価を有する水溶性ポリマーの少なくともどちらか一種の水溶性ポリマーを用いた。 （もっと読む）

【課題】ニッケルめっき皮膜上に置換析出型の金めっき皮膜を形成する際に用いる活性化液であって、安定したハンダ接合強度やワイヤーボンディング接続強度を有する置換型金めっき皮膜を形成することが可能であり、しかも安定性が良好で、長期間連続して使用可能な新規な処理剤を提供する。
【解決手段】(i) ニッケルイオンの錯化剤、
(ii)チオ尿素、チオ尿素誘導体、イソチオ尿素、イソチオ尿素誘導体及びこれらの塩からなる群から選ばれた少なくとも一種からなる酸化防止剤、
(iii) ヒドラジン及びヒドラジン誘導体からなる群より選ばれる少なくとも１種の成分、
(iv) アミノ基及びイミノ基からなる群より選ばれる含窒素基を２個以上含み、置換基を有することのあるエチレン基を該含窒素基の窒素原子間に有する化合物、並びに
(v)ニッケルと金の間の酸化還元電位を有する金属元素を含む化合物、
を含有する水溶液からなる置換析出型金めっきの前処理用活性化組成物。 （もっと読む）