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Fターム[4K022DB19]の内容

化学的被覆 (24,530) | 被覆手段 (3,746) | 液の供給 (272) | スプレー、霧化 (83)

Fターム[4K022DB19]に分類される特許

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【課題】 成膜性や耐久性、信頼性に優れたプラズマ処理装置用部材を提供する。
【解決手段】 基材上に、純度98%以上であるセラミックス膜を有している。セラミックス膜は、膜を構成している粒子の粒子径が50nm以下であり、膜からの放出水分量が1019分子/cm以下である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ソフト溶液プロセスにより膜欠陥部の少ない金属酸化物膜を成膜できる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、スプレー装置により、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を液滴化した後、上記金属酸化物膜形成用溶液の液滴を金属酸化物膜形成温度以上に加熱した基材に接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を形成する金属酸化物膜の製造方法であって、上記基材はアースされ、かつ、上記金属酸化物膜よりも導電性が高いものであり、さらに上記液滴を帯電させた状態で上記基材に接触させることを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより上記課題を解決するものである。 (もっと読む)


【課題】本発明は、基材の形態に関わらず、透明性、緻密性、密着性等に優れた金属酸化物膜を得ることができる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、スプレー装置により、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を霧化し、霧化された上記金属酸化物膜形成用溶液と金属酸化物膜形成温度以上の温度以上に加熱した基材とを接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を形成する金属酸化物膜の製造方法であって、上記基材を上記金属酸化物膜が形成される成膜面側から加熱することを特徴とする、金属酸化物膜の製造方法を提供することにより上記課題を解決するものである。 (もっと読む)


【課題】 基板上における原料溶液の液滴の化学反応の進行を十分なものとして均質な膜質で低抵抗な導電性膜を形成することができ、また基板の面内の温度分布を抑えて導電性膜の膜質にバラツキが生じるのを防ぐことができる導電性膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜の形成方法は、加熱された基板3の上面に原料溶液の微粒子をスプレーすることにより基板3の上面に導電性膜を形成するスプレー熱分解法による導電性膜の形成方法において、スプレーされた原料溶液の微粒子が基板3の上面の近傍で原料溶液の微粒子の粒径分布を5〜50μmかつ平均粒径を10〜30μmとする。 (もっと読む)


【課題】 被処理物の形状により製品品質が低下することを抑止する。
【解決手段】 被処理物2の表面に銀鏡処理を施すための薬液を被処理物2に向けて噴出する薬液噴出手段3A、3Bと、被処理物2を回転させる回転手段5とを設けてある銀鏡薄膜形成設備において、薬液噴出手段3A、3Bによる薬液噴出で被処理物に付着する薬液を回転手段5による被処理物回転での遠心作用により被処理物2から飛散させる構成にするとともに、この飛散薬液の飛散域P1に位置して飛散薬液を受け止める薬液受止体10Aを設け、この薬液受止体10Aを、飛散薬液を受け止める作用位置と被処理物2の経路及びその経路の直上方から外れた待避位置とに切替移動させる受止体移動手段10を設ける。 (もっと読む)


【課題】 薬液混合率や銀鏡反応速度などの銀鏡反応条件の変化に原因して、銀鏡薄膜に厚みムラや色ムラなどの不良が生じることを抑制する。
【解決手段】 混合により銀鏡反応を発現する表面銀鏡処理用の複数種の薬液A、Bを被処理物2の表面又はその近傍で反応させる状態で被処理物2に向けて噴出する薬液噴出手段3A、3Bと、この薬液噴出手段3A、3Bによる被処理物2に向けた薬液噴出に並行して被処理物2を回転させる回転手段5とを設けてある銀鏡薄膜形成設備において、回転手段5を、薬液噴出手段3による薬液噴出で被処理物2に付着する反応済み薬液を被処理物2から離脱飛散可能な回転速度で被処理物2を回転させる構成にする。 (もっと読む)


【課題】 めっき液を高品質に保つことが可能な無電解めっき装置を提供すること。
【解決手段】基板の表面にめっき液を供給して無電解めっきを施す無電解めっき装置は、基板を支持する支持部と、基板の表面に供給されるめっき液を貯留するめっき液貯留部と、めっき液貯留部からのめっき液を、支持部に支持された基板の表面に導くめっき液供給管と、めっき液供給管内を流通するめっき液の温度を調節するめっき液温調機構と、めっき液供給管による基板の表面へのめっき液の供給が停止された際に、めっき液供給管内のめっき液を前記めっき液貯留部に向けて吸引する吸引機構とを具備する。 (もっと読む)


【課題】基材上に耐久性ハードコーティングを形成するためのスリップ剤、それを用いて耐久性ハードコーティングを施された成形体、並びに、それを用いた、腐食性非鉄金属の溶融、太陽電池用シリコンの処理、更にアルミニウム鋳造方法を提供すること。
【解決手段】基材表面への耐久性ハードコーティング剤を調製するのに用いるスリップ剤であり、a)窒化ケイ素粒子、並びにb)ゾル−ゲル工程により調製されるナノサイズの固体粒子及び/又はナノサイズの固体粒子の前駆体を含有するバインダー、を含有するスリップ剤。更に、前記スリップ剤による耐久性ハードコーティングが施された基材を構成要素として含む成形体。 (もっと読む)


【課題】薬液の回収効率を向上させた成膜装置を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜装置は、スプレー熱分解法により被処理体の一面上に薄膜を形成する成膜装置であって、前記被処理体を載置する支持手段と、前記被処理体の一面に向けて、前記薄膜の原料溶液からなる薬液ミストを噴霧する吐出手段と、成膜に利用されなかった薬液ミストの熱を奪うための冷却手段と、前記被処理体の近傍に導入部を配してなる排気手段と、を少なくとも備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】Cu配線への無電解めっき膜の選択析出性を向上することにより、配線間リークの低減等を図り、信頼性の高い半導体装置を得ることができる無電解めっき膜の形成方法及び形成装置を提供する。
【解決手段】加熱機構10によりウエハ7に形成されたCu配線のみを加熱する。次にノズル9から無電解めっき液を吐出し、Cu配線上に無電解めっき膜を形成する。加熱されたCu配線上では無電解めっき膜の形成が進行し、Cu配線上以外の部分では無電解めっき膜の形成は抑制される。その結果、無電解めっき膜のCu配線上への選択析出性を向上することができる。 (もっと読む)


【課題】 最小限の欠陥しかない均一な層を堆積することのできる一体型無電界堆積装置を提供する。
【解決手段】 無電界堆積システム及び無電界堆積ステーションが提供される。このシステムは、処理メインフレームと、メインフレームに位置された少なくとも1つの基板洗浄ステーションと、メインフレームに位置された無電界堆積ステーションとを備えている。無電界堆積ステーションは、環境的に制御される処理エンクロージャーと、基板の面を洗浄し活性化するように構成された第1処理ステーションと、基板の面に層を無電界堆積するように構成された第2処理ステーションと、第1及び第2の処理ステーション間で基板を移送するように位置された基板シャトルとを備えている。また、無電界堆積ステーションは、汚染のない均一な無電界堆積プロセスを遂行するために種々の流体配送及び基板温度制御装置も備えている。 (もっと読む)


【課題】被処理基板へのめっき膜の形成に当たり、被処理基板が大型のものであっても所望する領域に均一にめっき膜が形成され、まためっき液の省資源化に資する金属薄膜形成装置および金属薄膜形成方法を提供すること。
【解決手段】無電解めっき法により金属薄膜が形成される被処理基板12の被処理面にめっき処理用の薬液からなる層を形成すべく、前記被処理基板12の被処理面の下方にこれと間隔をおいてかつ対向して配置される前記薬液のための吐出手段26を具備する。 (もっと読む)


【課題】 基材表面上に金属酸化物膜を形成する金属酸化物膜の製造方法であって、基材が複雑な構造部を有する場合においても、簡便なプロセスで均一な金属酸化物膜を得ることが可能であり、さらに結晶性に優れた金属酸化物膜を得ることができる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】 本発明は、基材表面に、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を接触させることにより金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記基材表面と上記金属酸化物膜形成用溶液とを接触させる際に、光を照射することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、透明性、緻密性、密着性等に優れた金属酸化物膜を得ることができる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】 本発明は、スプレー装置により、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を霧化し、霧化された上記金属酸化物膜形成用溶液と、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材とを接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記スプレー装置が、上記金属酸化物膜形成用溶液を霧化するためにエアーを使用しない方式の装置であることを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 (もっと読む)


無電解堆積システムが提供される。該システムは、処理メインフレームと、該メインフレーム上に位置決めされた少なくとも1つの洗浄ステーションと、該メインフレーム上に位置決めされた無電解堆積ステーションとを含む。該無電解堆積ステーションは、環境的に制御された処理エンクロージャと、基板の表面を洗浄及び活性化するように構成された第1の処理ステーションと、該基板の表面に層を無電解堆積するように構成された第2の処理ステーションと、該第1の処理ステーションと第2の処理ステーションとの間で基板を移送するように位置決めされた基板移送シャトルとを含む。また、該システムは、該メインフレーム上に位置決めされ、かつ該処理エンクロージャの内部にアクセスするように構成された基板移送ロボットも含む。また、該システムは、噴射プロセスにより、該処理エンクロージャ内に載置された基板に処理流体を送出するように構成されている流体送出システムも含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、従来のスプレー熱分解法による熱分解成膜と比較して、より低い基材加熱温度で金属酸化物膜を得ることが可能な金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液と、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基板とを接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液が、酸化剤および還元剤の少なくとも一方を含有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


【解決手段】 R−T−M−B(RはYを含む希土類元素の少なくとも一種、TはFe又はFe及びCo、MはTi、Nb、Al、V、Mn、Sn、Ca、Mg、Pb、Sb、Zn、Si、Zr、Cr、Ni、Cu、Ga、Mo、W、Taから選ばれる少なくとも一種の元素であり、各元素の含有量が5質量%≦R≦40質量%、50質量%≦T≦90質量%、0質量%≦M≦8質量%、0.2質量%≦B≦8質量%)で表記される希土類永久磁石の表面に、Al、Mg、Ca、Zn、Si、Mn及びこれらの合金から選ばれる少なくとも一種のフレーク状微粉末と、Al、Zr、Si、Tiの中から選ばれる少なくとも一種の金属ゾルとを含む処理液による処理膜を加熱することにより得られるフレーク状微粉末/金属酸化物の複合皮膜を形成してなる耐食性希土類磁石。
【効果】 本発明によれば、耐熱性を有する耐食性希土類磁石を安価に提供でき、産業上その利用価値は極めて高い。 (もっと読む)


基板と、パターニングされた導電性金属相とを備えていて、その導電性金属相が、還元可能な可溶性金属塩と、還元触媒と、還元剤の組み合わせの逐次的インクジェット噴射または同時インクジェット噴射によって基板上に選択的に堆積された物品。層構造を有する基板上では、その選択的に堆積された導電性金属相が、基板の微細構造と絡み合う。このような物品の形成方法も提示する。この方法の特別な一実施態様では、基板表面への導電相の選択的堆積は、まず最初に、還元可能な可溶性金属塩と還元触媒を含む組成物を所定の領域にジェット噴射した後、還元可能な金属塩と還元剤を含む組成物をその同じ所定の領域にジェット噴射することを含む。 (もっと読む)


【課題】 高アスペスト比の微細配線であっても、シード層を確実に補強して、ボイドのない健全な配線を形成できるようにする。
【解決手段】 配線用の微細窪みを形成した基板の表面にシード層を形成し、シード層を第1のめっき液による無電解めっきによって補強し、しかる後、第2のめっき液によるパルスまたはPRパルスを用いた電解めっきによってシード層を更に補強し、第3のめっき液を用いて前記微細窪みの内部に電解めっきにより導電体を埋め込む。 (もっと読む)


【課題】光沢に優れ、変色、ムラのない銀皮膜を形成することが可能な、スプレー塗布用等として有用な2液性無電解銀めっき液を提供する。
【解決手段】(i)銀化合物及びアンモニアを含む銀含有水溶液、並びに
(ii)還元剤を含む還元剤含有水溶液
の2液からなり、
更に、一般式:R12N(CH2CH2NR3n4(式中、R1、R2、R3及びR4は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、アルコシキ基又はエポキシ基である。nは、1〜4の整数である。)で表されるエチレンアミン類が、銀含有水溶液及び還元剤含有水溶液のいずれか一方又は両方に含まれていることを特徴とする、2液性無電解銀めっき液。 (もっと読む)


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