Fターム[4K023CB28]の内容

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環外に炭素−炭素二重結合を含むもの (12)
環外に炭素−炭素三重結合を含むもの

Fターム[4K023CB28]に分類される特許

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【課題】 カドミウムめっき、又はカドミウム−チタン合金めっきと同等以上の耐食性を有し、有害物質であるカドミウムを一切含有しないめっき層が実現され、めっき層を保護する保護層には有害物質である6価のクロムを一切含まない皮膜層が使用でき、高強度鋼に適用する際には、水素脆化の発生が確実に抑えることができるめっきが可能な亜鉛−ニッケル合金めっき液、及び亜鉛−ニッケル合金のめっき方法を提供する。
【解決手段】溶液中に亜鉛イオン、ニッケルイオン、ナトリウムイオン、水酸イオンが含む亜鉛−ニッケル合金めっき液において、水溶性カチオンポリマーが溶液1リットル中100mgを越えないように維持する。 (もっと読む)


【課題】電気特性の低下を十分に抑制できるセラミックス電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】Zn、Fe、Co及びMnからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属原子の酸化物を含むセラミックス電子部品素体の表面に導電層を形成する工程、導電層上に、めっき液を用いて、ニッケルめっき層5を形成する工程を経てセラミック電子部品100を製造するセラミック電子部品の製造方法であって、めっき液が、ニッケル塩と、ニッケルイオンと錯体を形成するアミン化合物とを含み、pHが6〜12であるセラミックス電子部品の製造方法。 (もっと読む)


【課題】環境負荷が低く、耐薬品性を備えた粗化表面処理銅箔の製造方法を提供する。
【解決手段】銅電解液中に下記の化学構造の化合物を添加する表面処理銅箔の製造方法。


(式中、Rは炭素数2以下のアルキル基、Rはアミノ基、フェニルアゾ基のいずれかである。) (もっと読む)


【課題】空気や水と接触した場合にも爆発の危険性がなく、高電流密度部分においてもデンドライド析出が発生せず、低電流密度部分まで着き回り性の良い均一なめっき皮膜が得られ、かつクロメート処理なしでも高い耐食性を有するめっき皮膜を得ることができる電気Al−Zr合金めっき浴の提供。
【解決手段】(A)アルミニウムハロゲン化物、(B)N−アルキルピリジニウムハライド類等からなる群より選ばれる1種又は2種以上の化合物及び(C)ジルコニウムハロゲン化物を含み、(A)化合物と(B)化合物とのモル比が1:1〜3:1であり、さらに(D)芳香族有機溶媒、(E)スチレン系ポリマーなどのポリマーから選ばれる1種又は2種以上の有機重合体及び(F)脂肪族アルデヒド等から選ばれた光沢剤などの、1種又は2種以上の添加剤を含む電気Al−Zr合金めっき浴。 (もっと読む)


【課題】作業環境や廃液処理に問題を有する毒性の強いシアン等を含まず、化学的安定性に優れ、容易に取り扱うことができ、良好な膜質の金メッキ膜を効率的に形成することができる金メッキ液と、この金メッキ液を用いる金メッキ方法を提供する。
【解決手段】金錯イオン、水、および親プロトン性溶媒を含有してなり、親プロトン性溶媒の含有量が65〜90重量%である金メッキ液。この金メッキ液を用いた金メッキ方法。親プロトン性溶媒の含有量を65〜90重量%とすると、メッキの前駆体である金イオンが安定になるので、良質な金メッキ膜が得られる。 (もっと読む)


【課題】本発明は基板に銀あるいは銀合金層を堆積するためのシアン化物を使用しない電解質組成と前記シアン化物を使用しない電解質組成の助けでこのような層を堆積する方法に関する。本発明に従う電解質組成は少なくとも1つの銀イオン源、スルホン酸および/あるいはスルホン酸の誘導体、湿潤剤およびヒダントインからなる。このような電解質組成から本発明に従う方法の手段によって堆積される銀あるいは銀合金層は曇っていてそして延性がある。 (もっと読む)


【課題】熱処理法や加熱法を用いないで、めっき膜を強化することのできる複合めっき技術を提供することを課題とする。
【解決手段】めっき液を(水+硫酸ニッケル+塩化ニッケル+ほう酸+光沢剤+界面活性剤+カーボンナノファイバ+SiC微粒子)とした。
【効果】硬質微粒子を添加したことにより、所望の機械的性質を得ることができる。硬質微粒子を添加することでカーボンナノファイバの添加量を大幅に減少させることができる。カーボンナノファイバの添加量が少なければ、めっき膜の平滑性を維持することができる。 (もっと読む)


基体表面上に亜鉛合金層を析出するための、シアン化物を含有しない水性アルカリ性浴について記載した。上記浴は、光沢剤としてカチオン性ピリジニウム化合物および錯化剤としてポリアミンを含有する。上記電解質浴は、光沢のある、均一な亜鉛合金被覆の電気めっきに適する。 (もっと読む)


【課題】非シアンの酸性のめっき浴を用いて、パターンめっきにおけるレジストの溶解がなくかつ密着性の良好な銀めっきを施す方法を提供する。
【解決手段】非シアンの酸性の銀めっき浴(A)を用いて銀めっきを行う銀めっき方法において、当該の銀めっき工程に先立って、非シアンの酸性のストライク浴(B)を用いてストライクめっきする工程を含む銀めっき方法。 (もっと読む)


【課題】 強度、導電率、曲げ加工性に優れた銅条又は銅箔の製造方法を提供する。
【解決手段】 めっき添加剤を含むめっき浴を用いた電解により平均結晶粒径0.3μm以下の電解銅条又は電解銅箔を製造し、電解銅条又は電解銅箔を冷間圧延した後、熱処理を行わないか又は熱処理を行う。 (もっと読む)


【課題】 2つの工程を含む電解銅めっき方法を提案する。方法は、非常に狭い場所のめっきに特に適する。
【解決手段】 第1工程は、硫黄含有有機化合物、好ましくは、1つ又は複数のアルカンスルホン酸エステル基及び/又はアルカンスルホン酸を含む抗抑制剤を含む前処理溶液を含む。第2工程は、アルカンスルホン酸に基づく電解銅めっき溶液を含む。 (もっと読む)


【課題】生成するアルミニウムめっき膜への水分の影響を抑制し、未析のないアルミニウムめっき膜を得ることのできるジメチルスルホンを溶媒とした電解アルミニウムめっき液を提供することである。また、L字型あるいは凹型断面形状のある試料へのアルミニウムめっき膜の付き回り性を改善することのできるジメチルスルホンを溶媒とした電解アルミニウムめっき液を提供することである。
【解決手段】ジメチルスルホンとアルミニウムハロゲン化物からなる非水溶媒系電解アルミニウムめっき液に、2,2’-ビピリジル構造を基本骨格に持つ有機化合物またはその誘導体を加えることで、めっき液中の水分の電気分解がアルミニウムめっき膜へ及ぼす影響を抑制し、さらにめっき膜の付き回り性を改善することができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、印刷シリンダー上に銅層を形成するための改良された銅めっき浴、及びその使用方法に関する。
【解決手段】銅めっき浴は、a)銅イオン源、b)メタンスルホネートイオン源、c)塩化物イオン源、d)式:R‐S‐R’‐SO‐X、又はX‐OS‐R’‐S‐R‐S‐R’‐SO‐Xを有する有機硫黄化合物(式中、Rはアルキル、ヒドロキシアルキル、又はアルキルエーテル、R’はC‐Cアルキル基、及びXはカチオンである)、及びe)ポリエーテル化合物を含む。銅めっき浴は、安定した硬度を有し、及び高速めっき中に自己アニーリングしないめっき被覆物を作製する。 (もっと読む)


【課題】従来市場に供給されてきた低プロファイル電解銅箔と比べて、更に低プロファイルで光沢のある電解銅箔を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するために、電解銅箔は厚さによらずに析出面側の表面粗さ(Rzjis)は1.0μm未満の超低プロファイルであり、且つ、当該析出面の光沢度[Gs(60°)]は400以上である電解銅箔とする。そしてこの電解銅箔は3−メルカプト−1−プロパンスルホン酸及び/又はビス(3−スルホプロピル)ジスルフィドと環状構造を持つ4級アンモニウム塩重合体と塩素とを添加して得られた硫酸系銅電解液を用い電解して得る。 (もっと読む)


【課題】 マスク材開口部のめっき時の拡がりを抑制し、設計寸法と大差ない寸法のバンプや配線を形成できる非シアン系電解金めっき浴を提供する。
【解決手段】 金源としての亜硫酸金アルカリ塩または亜硫酸金アンモニウムと、スタビライザとしての水溶性アミンと、結晶調整剤と、伝導塩としての亜硫酸塩および硫酸塩と、緩衝剤と、ポリアルキレングリコール及び/または両性界面活性剤とを含有するバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。ポリアルキレングリコールの配合量は0.1mg〜10g/Lが好ましく、両性界面活性剤の配合量は0.1mg〜1g/Lとすることが好ましい。両性界面活性剤としては、カルボキシベタイン系を好ましく使用できる。 (もっと読む)


【課題】電気めっきによって基材表面を金属でコーティングする方法の提供。
【解決手段】電気めっき法によって基材表面を銅でコーティングする方法であって、コーティング対象の前記表面に電気的なバイアスをかけることなく、この表面を電気めっき用浴に接触させる工程;前記表面にバイアスをかけている間に、被膜を形成する工程;前記表面に電気的なバイアスをかけながら、前記表面を電気めっき用浴と分離する工程を含み、前記電気めっき用浴は、溶媒中の溶液に、0.4〜40mMの濃度の銅イオン源;ならびに少なくとも1種の銅錯化剤を含むことを特徴とする方法。 (もっと読む)


Sn2+イオン源、Agイオン源、チオ尿素化合物及び/或いは第4級アンモニウム塩の界面活性剤を含む電解メッキ浴にバンプ下冶金構造を曝し、Sn−Ag合金をバンプ下冶金構造に沈着させるため、外部から電子を電解浴に供給することからなる、マイクロ電子デバイス製造におけるバンプ下冶金構造上にハンダ・バンプを形成するためのプロセス。 (もっと読む)


【課題】建浴後の劣化が殆どなく、微細な溝や穴に対して銅の埋め込み性の良い電解銅メッキ用添加剤、それを用いた電解銅メッキ浴、及び電解銅メッキ方法の提供。
【解決手段】一般式(1)で表される化合物の使用:


(式中、R及びRは水素又は一般式(2)


で表される芳香族基、Mはアルカリ金属、アンモニウムまたは1価の有機アンモニウム、Aはベンゼン環又はナフタレン環、Rはアルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基を表す) (もっと読む)


陽極と陰極とを備えた、亜鉛合金を基板に被着させるためのアルカリ電気めっき浴であって、陽極領域と陰極領域とがろ過膜によって互に分離されているアルカリ電気めっき浴が提供される。 (もっと読む)


被覆される基板を少なくともスズおよび銅のイオン、アルキルスルホン酸と湿潤剤を含む酸性電解質中でめっきするブロンズの電着の方法、ならびに該電解質の調製方法。 (もっと読む)


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