【課題】 安定してアスペクト比が１以上の平面コイルを製造可能な製造方法を提供すること。
【解決手段】 この製造方法は、渦巻状にパターン形成されている下地導体層を少なくとも一方の面に有する絶縁基板を準備する準備工程（Ｓ０１〜Ｓ０７）と、絶縁基板をめっき液に浸漬させ、下地導体層に電解めっきを施してコイル導体を形成する形成工程（Ｓ０８）と、を備え、めっき液は、ポリマー及びブライトナーを含む硫酸銅系めっき液であり、形成工程において、めっき液におけるブライトナーの濃度が４〜２５ｍｌ／ｌとなるように管理する。 （もっと読む）

【課題】同一のサイズ及び形状の複数枚のウェーハに電解めっきを施す際には、再使用可能であり、他方、ウェーハのサイズ等が変更されても容易に対応でき、且つウェーハの電解めっきを施す一面側の電流密度を可及的に均一とし得る電解めっき用治具を提案する。
【解決手段】電解めっき用治具が、基板１２ａ，１２ｂ，１２ｃが積層されて形成された、両面が金属層から成る多層基板１２であって、多層基板１２に形成されたウェーハ収容孔１４には、ウェーハを収容したとき、前記ウェーハの電解めっき用バスラインが周縁に形成された一面側と当接して前記ウェーハを支承するように、前記ウェーハ収容孔１４の内壁面に沿って内方に突出する鍔部１６が形成され、且つ鍔部１６の一面側に形成された、前記電解めっき用バスラインと当接する複数のパッド１８，１８・・の各々が、多層基板１２の両面を形成する金属層に電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線溝等の凹部が形成された基板に電解めっき銅膜を形成した後、熱処理による銅の再結晶や歪みの緩和等の効果が大きく、歪により、銅、下地のバリア膜、Ｌｏｗ−ｋ材等の絶縁材の相互間に剥離が生じないめっき膜形成方法を提供すること。
【解決手段】配線溝等の凹部が形成された基板にめっき工程によりめっき膜を形成するめっき膜形成方法であって、前記めっき工程に先んじて、前記基板の最表面をめっき抑制剤で覆うめっき抑制剤付着工程を行うことを特徴とする。このように基板の最表面をめっき抑制剤で覆う処理をめっきの前処理として基板に対して行なうことによって、基板に形成された配線用溝（トレンチ）やビアホール等の凹部内面に選択的にめっきが行なわれるため、適切な時点でめっきを終了した場合には基板全体に渡って平坦性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ピンホールなどの欠陥が少ない良好なめっきを効率的に行うことができるめっき方法及びめっき装置を提供する。
【解決手段】めっき槽６１では、ＣＯ２及び無電解めっき液を含むめっき分散体を用いて無電解めっきを行う。この無電解めっきにより、めっき槽６１内の基体としての基体管の内側表面又は外側表面に、第１金属膜としてのＰｄ膜が形成されると、制御部８０は、ＣＯ２及び無電解めっき液を含むめっき分散体の供給を停止し、電源６２のスイッチをオンにする。これにより、ＣＯ２及び電解めっき液を含むめっき分散体が供給され、電極に電圧が印加されて、めっき槽６１内において電解めっきを行う。この電解めっきにより、無電解めっきにより形成された第１金属膜のＰｄ膜の上に、第２金属膜のＰｄ膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の配線若しくはバンプ、又は、磁気ヘッド基板の磁極部等の金属膜パターンを所望のパターンどおりに得ることができる金属膜パターンの形成方法をを提供する。
【解決手段】 基板上に所定のパターンでレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、この基板の少なくともレジストパターンが形成されている面を、水に対しオゾンが１ｐｐｍ以上３０ｐｐｍ以下含有されたオゾン水に接触させるオゾン水処理工程と、この基板のレジストが形成された面側に金属をめっきするめっき工程と、この基板からレジストパターンを除去するレジストパターン除去工程とを有する金属膜パターンの形成方法により、上記課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】１ＧＨｚを超える高周波帯域特性を向上させるとともに、素体と内部電極との境界部分におけるマイクロクラックを抑制し特性劣化を抑制した電子部品の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】内部電極６を埋設した誘電体材料からなる素体８の端部に外部電極２０を形成する外部電極形成工程を有し、この外部電極形成工程では、素体８に下地電極層１０を形成し、ｐＨ８〜１０のアルカリ性めっき液１２中において、下地電極層１０にＮｉ電極層１４とＳｎ電極層１６とからなるめっき電極層１８を形成し、下地電極層１０とめっき電極層１８とからなる外部電極２０を形成する構成である。 （もっと読む）

【課題】電気メッキされたＣｏＰｔＰ材料は垂直磁気特性を高め、超小型電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスの使用において有益である。
【解決手段】９４−９８重量％のＣｏ，０−１重量％のＰｔ及び２−４重量％のＰの組成を有するコバルト（Ｃｏ），プラチナ（Ｐｔ）及びリン（Ｐ）から構成される材料。材料はセ氏１００乃至５００度の温度でアニーリングされる。材料は適当な電気化学浴中で基板を電気メッキすることにより形成される。電気メッキされたＣｏＰｔＰ材料は基板に層を形成する。 （もっと読む）

【課題】軟磁気特性が良好で、飽和磁束密度が大きい軟磁性膜を安定して製造する。
【解決手段】方向が交互に切り替わるめっき電流を用いて電気めっきを行って、主要元素が鉄およびニッケルである合金よりなる軟磁性膜を製造する。この軟磁性膜において、合金に含まれる鉄およびニッケルの合計に対する鉄の割合とニッケルの割合をそれぞれａ重量％、（１００−ａ）重量％と表したときに、ａは８０以上１００未満である。また、軟磁性膜の飽和磁束密度は、２．０Ｔ以上である。また、合金に含まれる鉄およびニッケルの合計を１００重量％としたとき、合金に含まれる鉄およびニッケル以外の元素の割合は、１．３重量％以下である。 （もっと読む）

本発明は、絶縁性基体上への金属付着のための粘度調整可能な感光性分散液に関し、該感光性分散液は、光照射下に酸化−還元特性を与える顔料、金属塩、該金属塩の封鎖剤、液状膜形成性高分子配合物、塩基性化合物、有機溶媒および水を組み合せて含む。本発明はまた前記分散液の使用に関する。 （もっと読む）

本発明は、Ｈｖ値が６０以上の合金層又は単体金属層を下層とし、Ｈｖ値が４０以下の合金層又は単体金属層を上層とすることを特徴とし、鉛を実質的に含有しないめっき皮膜である。このめっき皮膜は人体及び環境に無害で、摺動特性に優れている。
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【課題】 例えデザインルールが厳しくなっても、十分な密着性を有する配線材料を電解めっきによって基板の全面に均一に形成して、信頼性の高い埋込み配線を形成できるようにする。
【解決手段】 絶縁膜内に配線用凹部を形成した基板表面に、配線材料成膜用の電解めっき液に対して不溶性の導電膜を形成し、前記導電膜をシード膜として、電解めっき法により該導電膜の表面に配線材料を前記配線用凹部内に埋込みつつ成膜し、前記導電膜の表面に成膜した余剰の配線材料を除去して前記配線用凹部内に埋込んだ配線材料で配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】 屈曲可能で、寸法安定性、回路形成性、導体引き剥がし強度などに優れる金属めっき基板、それを用いてなるフレキシブルプリント配線板と多層プリント配線板を提供する。
【解決手段】 繊維基材に、硬化物の弾性率が５００〜７０００ＭＰａ（ＡＳＴＭ Ｄ−８８２に準じて測定）である接着剤組成物を含浸させてなる熱硬化型接着シートの少なくとも片面にめっき皮膜を形成し、該接着シートを加熱硬化させてなる金属めっき基板、この金属めっき基板を用いてなるフレキシブルプリント配線板、及び前記金属めっき基板を用いて得られた内層回路板に、回路を形成した各層を接着シートを介して一体的に接合してなる多層プリント配線板である。 （もっと読む）

【課題】メッキ液中に添加剤を均一に分散または溶解させることが可能な電解メッキ装置およびこれを用いた電解メッキ方法を提供する。
【解決手段】メッキ液を満たした状態で、基板Ｗの被処理面に電解メッキ処理を行う電解メッキ槽１１と、電解メッキ槽１１にメッキ液Ｍを供給するメッキ液供給管２２と、メッキ液供給管２２に接続されるとともに、メッキ液供給管２２にメッキ液Ｍの主成分となる電解質溶液を供給する電解質溶液供給部２３と、メッキ液供給管２２の電解メッキ槽１１と電解質溶液供給部２３との間の位置に接続されるとともに、メッキ液供給管２２に添加剤を供給する添加剤供給部２４とを備え、メッキ液供給管２２には、添加剤供給部２４と接続される位置またはこの位置よりも電解メッキ槽１１側に、電解質溶液Ｅと添加剤Ａ、Ｂ、Ｃとを混合してメッキ液Ｍを調製する混合機構３１が設けられている電解メッキ装置およびこれを用いた電解メッキ方法である。 （もっと読む）

【課題】薄膜基板を通常の厚い基板と同様に取り扱うことができる薄膜基板の保持方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】保持材４と薄膜ウェハＷ_２とを薄膜ウェハＷ_２の外周に沿うように設けられた接着層３を介在させて接着し、薄膜ウェハＷ_２を保持材４に固定する。保持材４には、薄膜ウェハＷ_２と保持材４との間の空間に連通した開口４ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】外部電極上に形成された金属皮膜の酸化を防止すると共に、はんだ爆ぜや電気特性の劣化を回避することができる電子部品を提供する。
【解決手段】セラミック素体１の表面に外部電極３ａ、３ｂが形成され、該外部電極３ａ、３ｂの表面にニッケル皮膜４ａ、４ｂが形成され、該ニッケル皮膜４ａ、４ｂの表面に酸化防止膜５ａ、５ｂが形成され、さらに酸化防止膜５ａ、５ｂの表面にスズ皮膜６ａ、６ｂが形成されている。また、酸化防止膜５ａ、５ｂは、ニッケルやスズ等の金属に吸着するための極性基と水分を撥水してニッケル皮膜４ａ、４ｂやスズ皮膜５ａ、５ｂへの水分の浸入を防止する撥水基とを有する有機材料で形成されている。
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【課題】ホウ酸を含まなくとも電子部品の電気特性を損なうことがなく、かつはんだ濡れ性の低下を招くことのないニッケルめっき浴を実現する。
【解決手段】ニッケルめっき浴が、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、及びスルファミン酸ニッケルの中から選択された少なくとも１種のニッケル化合物と、ホウ酸の代替物質としてグルコン酸等のオキシモノカルボン酸、リンゴ酸等のオキシジカルボン酸、グルコヘプトノラクトン等のラクトン化合物、及びこれらの塩の中から選択された少なくとも１種を含有し、水素イオン指数ｐＨが２〜７に調製されている。
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【課題】 撥水性を有するメッキ層１５を備えたメッキ製品１０の新たな製造方法を提供すること。
【解決手段】 ここで開示される方法は、セラミック微粒子を用意する工程と、該セラミック微粒子の表面に疎水性有機化合物層を形成して、撥水性付与粒子１３を得る工程と、該撥水性付与粒子をメッキ液に分散させる工程と、該撥水性付与粒子が分散したメッキ液を用いて基材１１上にメッキ層を形成する工程とを備える。好ましくは、メッキ層の形成を電気メッキ処理によって行う。好ましくは、疎水性有機化合物層を単分子層に形成する。 （もっと読む）

【課題】 焼成温度を低くして微粒子をセラミックス基材に強固に接合し、該微粒子をめっき触媒核として無電解めっきもしくは電解めっき処理により、基材の表面を粗化することなく、高密着性の金属皮膜を安価に形成可能なセラミックス基材表面への金属皮膜形成方法及び金属化処理セラミックス基材を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 セラミックス基材表面に金属皮膜を形成するにあたって、（１）貴金属成分で構成される微粒子と、セラミックスと親和性の高い成分で構成される微粒子を２種類以上混合したものをセラミックス基材表面に付与する工程、（２）２００〜５００℃での加熱処理により前記微粒子を基材表面に強固に固定化する工程、そして（３）固定化された前記微粒子をシード層として、セラミックス基材表面に金属皮膜を析出させる工程、からなる。 （もっと読む）

【課題】物理的堆積方法での被覆が不可能である複雑な形状のＳｉベース基材に保護被覆を効果的に被覆させる。
【解決手段】
一体型ベーンリングおよびブレード一体型ロータなどの複雑な形状を有するＳｉベース基材に、溶解塗装、化学蒸着法および物理蒸着法で導電層を堆積させ、その上に電気泳動堆積法（ＥＰＤ）により保護被覆として少なくとも１層のバリヤ層を堆積させる。化学蒸着法により、絶縁層を基材と導電層との間に塗布してもよい。この絶縁層は、ケイ素ベース基材のケイ素と、導電層およびこの導電層の上に堆積されるボンディングコートなどのあらゆる層との間に起こり得る化学反応を抑制するという利点がある。バリヤ層を堆積する前に、化学蒸着法および電気泳動堆積法でボンディングコートを絶縁層に堆積させてもよい。 （もっと読む）

【課題】小型の電子部品にめっきを施す場合にも、電子部品どうしが着合してしまうくっつき不良や、めっき膜の均一性の低下などの発生を抑制、防止して、歩留まりよく良好なめっきを施すことが可能な電子部品のめっき方法および該めっき方法を用いた電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品（積層セラミックコンデンサ）１０が、長さ（Ｌ）０．６mm以下、幅（Ｗ）０．３mm以下、高さ（Ｔ）０．３mm以下の、略直方体形状を有するものである場合に、通電用メディア１１として、直径が電子部品１０の最短辺寸法の０．９〜１．１倍の略球形の通電用メディアを用いる。
また、略球形ほぐし用絶縁性粒体（撹拌用メディア）１２をさらに添加して振動めっきを行う。 （もっと読む）