【課題】レジストパターンとめっきベースとの密着性を良好にでき、めっきパターンの断面形状を正確に形成できるめっき方法および磁極形成方法を提供する。
【解決手段】めっきベース１１上に、分子接着剤であるアルコキシシリルプロピルアミノトリアジンジチオールを溶剤に溶解した溶液を塗布した後、溶剤を揮発させて分子接着剤層１５を形成する工程と、分子接着剤層１５を介してめっきベース１１上にレジスト３０を塗布し、レジスト３０を所定のパターンに露光現像してめっきベース１１の一部を露出させる工程と、めっきベース１１の露出部上に分子接着剤層１５を介してめっきする工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、それぞれが少なくとも一面に導電性材料を備えるシリコン含有ガラス質基板を準備するステップと、電解槽内に存在する電解液を通して各基板の少なくとも一部を連続的に搬送するステップと、電解槽を通した基板の搬送中に導電性材料を陰極として接続し、搬送中に導電性材料上に電解液からの材料を電着するステップと、を含み、搬送中に基板がコンベヤー要素から懸架され基板が搬送方向に延在することを特徴とする太陽電池の製造方法を提供する。本発明は、さらに太陽電池製造装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】セラミックス部品の本体の機械的、化学的特性は維持しつつ、その表面にのみ持続的な低摩擦性摺動層、すなわち自己潤滑性皮膜を有するセラミックス構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス構造体の所定の表面に高融点金属法により密着性に優れた金属皮膜を形成し、前記金属皮膜上にめっき法により中間保護層としてニッケルめっき層を形成し、前記中間保護層上にめっき法によりニッケル・二硫化モリブデン共析物皮膜層を形成して、セラミック構造体の表面に密着性に優れた自己潤滑性皮膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】(ｉ)爆発の危険性がなく、(ii)安全に取り扱うことができ、(iii)平滑で、低電流密度部分まで着き回り性の良い均一なめっき皮膜が得られ、(iv)高い耐食性のめっき皮膜を得ることができる電気Ａｌ又はＡｌ合金めっき浴を提供すること。
【解決手段】(Ａ)アルミニウムハロゲン化物、(Ｂ)Ｎ−アルキルピリジニウムハライド類、Ｎ−アルキルイミダゾリウムハライド類、Ｎ，Ｎ’−アルキルイミダゾリウムハライド類、Ｎ−アルキルピラゾリウムハライド類、Ｎ，Ｎ’−アルキルピラゾリウムハライド類、Ｎ−アルキルピロリジニウムハライド類及びＮ，Ｎ−アルキルピロリジニウムハライド類からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物、(Ｃ)高沸点芳香族炭化水素溶媒を含む電気Ａｌ又はＡｌ合金めっき浴であって、(Ａ)アルミニウムハロゲン化物と(Ｂ)化合物とのモル比が１：１〜３：１であり、引火点が５０℃以上である、電気Ａｌ又はＡｌ合金めっき浴。 （もっと読む）

【課題】密着性がよく、錆が発生し難いめっきパターン部材及び電磁波シールド材を提供する。
【解決手段】基材１と、基材１上に設けられた樹脂層２と、樹脂層２上に所定のパターンで設けられた被めっき層３と、被めっき層３上に設けられためっき層４と、めっき層４を隙間無く覆うように設けられた後処理層５とを有し、被めっき層３の下にある樹脂層２は、被めっき層３が設けられていない部分Ｂの厚さＴ_Ｂよりも厚い山形状又は丘形状からなり、被めっき層３は、樹脂層２の中腹より上に形成されているように構成される。 （もっと読む）

【課題】シアン化合物を使用することなく、目的組成を有する均一で光沢のある合金層を、従来よりも高い電流密度であっても形成することができ、生産性に優れた銅−亜鉛合金電気めっき浴を提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロりん酸アルカリ金属塩と、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種とを含有し、アミノ酸またはその塩の濃度が０．０８ｍｏｌ／Ｌ〜０．２２ｍｏｌ／Ｌである銅−亜鉛合金電気めっき浴である。アミノ酸またはその塩としてはヒスチジンまたはその塩を好適に用いることができる。本発明の銅−亜鉛合金電気めっき浴のｐＨは、好適には１０．５〜１２の範囲である。 （もっと読む）

【課題】シアン化合物を使用することなく、銅−亜鉛合金めっき層の表面のやけを抑制し、目的組成を有する均一で光沢のある合金層を、従来よりも高い電流密度であっても形成することができ、生産性に優れた銅−亜鉛合金電気めっき浴を提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロりん酸アルカリ金属塩と、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種と、ポリエーテルとを含有する銅−亜鉛合金電気めっき浴である。好適にはポリエーテルの分子量は１００〜５０００、質量濃度が１００ｐｐｍ〜５％の範囲である。さらに、アミノ酸またはその塩として、ヒスチジンまたはその塩を好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】ＬＣＤドライバ等の半導体製品では約１５〜２０μｍの金バンプ(Bump)電極形成のためのバンプ・メッキ工程がある。このバンプ・メッキ工程は、所定のメッキ液を用いて電気めっきにより行われるが、量産工程において間歇的にバンプ電極上に突起が発生するという問題がある。
【解決手段】本願発明は金バンプ・メッキ工程の開始前に、被処理ウエハごとに、メッキカップを正立させた状態でメッキ液を循環させながら撹拌して、析出物を効率よく溶解・排出させる工程を追加することによって、金バンプ電極上に突起が異常成長することを防止するものである。 （もっと読む）

【課題】多孔質体内部におけるめっき皮膜の形成を抑制しつつ、多孔質体の表面をめっきする。
【解決手段】板状多孔質体の表面にめっき被膜を形成する多孔質体のめっき方法は、板状多孔質体１０が有する細孔により板状多孔質体１０の表面に形成される開口部を塞ぐように、板状多孔質体１０の一方の面上にマスク１２を配置する第１の工程（Ｂ）と、一方の面にマスク１２を配置した多孔質体１０を、めっき浴に浸漬してめっき処理する第２の工程（Ｃ）と、めっき処理した多孔質体１０から、マスク１２を除去する第３の工程（Ｄ）と、を備える。 （もっと読む）

熱画像形成方法によってベース基体上にパターニングされた触媒層を含むパターニングされた基体を提供するステップの後、めっきして金属パターンを提供するステップを含む、高い伝導性の金属パターンの製造方法が開示される。提供される金属パターンは、電磁妨害遮蔽デバイスおよびタッチパッドセンサーを含む電気デバイスに好適である。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサなどのチップ状電子部品の外部電極を形成するときのめっき処理の生産性を高めながらめっき不良を低減することを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために、残留磁性を有しない底面２と陰極電極７を有する側面３と備えためっき浴槽１の底面２の下側に磁気可変部４を配設し、めっき液１８が充填されていないめっき浴槽１の底面２にニッケル等の磁性体を含有したチップ状電子部品１５を配置して磁気可変部４に磁気を発生させた後、めっき液１８を充填させてから磁気可変部４に磁気をなくして、めっき浴槽１を回転させてめっき浴槽１の側面３にチップ状電子部品１５を配置させ電解めっき処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ノーシアンタイプのめっき浴で製造した銅−錫合金めっき皮膜の欠点（めっき皮膜厚が２μｍ以上になると、連続的衝撃に対して非常に早い段階でめっき皮膜が磨耗し、あるいは剥離する）を解消する、及び経時による変色の問題を改善する装飾用、服飾用の用途に適した銅−錫合金めっきの提供。
【解決手段】少なくともη―Ｃｕ_6.26Ｓｎ₅相を有する銅―錫合金めっきであって、Ｘ線回折によるη―Ｃｕ_6.26Ｓｎ₅の（１０１）面に相当する２θピーク積分強度Ｉ₍₁₀₁₎とη―Ｃｕ_6.26Ｓｎ₅の（１１０）面に相当する２θピーク積分強度Ｉ₍₁₁₀₎との強度比［Ｉ₍₁₁₀₎／Ｉ₍₁₀₁₎］が、0.9以上２０以下であり、さらに好ましくはβ―Ｓｎ相を有し、Ｘ線回折によるβ−Ｓｎの（２１１）面に相当する２θピーク積分強度Ｉ₍₂₁₁₎とβ−Ｓｎの（１０１）面に相当する２θピーク積分強度Ｉ₍₁₀₁₎との強度比［Ｉ₍₁₀₁₎／Ｉ₍₂₁₁₎］が、1.0以上２０以下である銅―錫合金めっき。 （もっと読む）

【課題】ガラス、セラミックス等の非導電性材料表面に対しても適用可能なめっき皮膜の形成方法であって、簡単な処理工程によって優れた密着性を有する金属皮膜を形成でき、しかも、厚膜化が容易な方法を提供する。
【解決手段】下記（１）〜（４）の工程を含む電気銅めっき方法：
（１）亜鉛イオン、硝酸イオン及びアミンボラン化合物を含み、亜鉛イオン濃度が０．０３〜０．２モル／Ｌであって、硝酸イオンのモル濃度が亜鉛イオンのモル濃度の１〜３倍の範囲内にある水溶液からなる酸化亜鉛膜形成用組成物を被処理物に接触させて、酸化亜鉛膜を形成する工程、
（２）触媒金属を含有するｐＨ３．５以上の水溶液からなる触媒付与液に接触させて触媒を付与する工程、
（３）無電解めっき皮膜を形成する工程、
（４）酢酸銅、導電性塩及び塩化物イオンを含有する水溶液からなる電気銅めっき液を用いて電気銅めっき皮膜を形成する工程。 （もっと読む）

【課題】ダマシンプロセスに適した溝や孔への優先的なメッキ膜形成を実現する。
【解決手段】半導体基板と少なくとも前記半導体基板に形成された導電層を有する被処理基板と、メッキ液を含む第１の含浸体１１１１及び電解液を含む第２の含浸体１１１４が設けられたメッキヘッド１１１０とを用意し、第１の含浸体１１１１に陽極１１１２の電位を与えると共に、第２の含浸体１１１４に陰極１１１５の電位を与えた状態で、第１及び第２の含浸体１１１１，１１１４を導電層に対向させ、導電層の少なくとも一部にメッキ層を形成するために、メッキヘッド１１１０を導電層に対して相対的に移動させる。 （もっと読む）

【課題】めっき処理する際に微細孔の内側に残存する気泡に阻害されることなく、微細孔の内側にめっきを設けることができるめっき形成方法およびめっき処理装置を提供する。
【解決手段】本発明のめっき形成方法は、被処理体１０ａの微細孔の内側にめっきを形成する方法であって、前記被処理体１０ａに対する表面張力が前記めっきを施すために用いられる溶液Ａ１６よりも小さい溶液Ｂ１７に前記被処理体１０ａを浸漬する工程と、前記被処理体１０ａをめっき浴に浸漬させて前記微細孔の内側に溶液Ａ１６を充填する工程と、を順に有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の検査・解析医療用磁気デバイスの製造する方法のようにスパッタ装置やドライエッチング装置などの真空系装置を使用すると、コスト、大量生産の面で不利であった。そこでスパッタ装置やドライエッチング装置などの真空系装置を使用せず、湿式プロセスのみで安価で大量に生産可能な方法を提供する。
【解決手段】ガラス、セラミックあるいは樹脂基板の上に磁性膜を形成する製造工程を電気めっき、無電解めっき等の湿式プロセスのみとした。 （もっと読む）

【課題】導電性微細物に効率よく電解めっき膜を形成することができる、電解めっき膜形成微細物の製造方法およびそれに用いる製造装置を提供する。
【解決手段】電解めっき液５に導電性微細物６を分散させた混合液を循環流路に流して循環させるとともに、その循環流路の一部に上記混合液の流れる方向に沿って設けられた、対向する陽極３１と陰極３２の間に電圧を印加することにより、上記導電性微細物６が上記陰極３２に接触した際に、その導電性微細物６に電解めっき膜が形成されるようにした。 （もっと読む）

【課題】高品質のめっき皮膜を得ることが可能なめっき液、めっき方法及びそのめっき方法によってめっき皮膜が形成された物品を提供する。
【解決手段】めっき液が、硫酸イオン、硝酸イオン、過塩素酸イオン、メタクリル酸イオン、スルファミン酸イオン、クエン酸イオンおよびガリウム酸イオンからなる群から選ばれる一種以上の陰イオンとガリウムイオンとを有し、塩素イオン濃度が１０ｐｐｍ以下であること、および／または、ガリウムイオンおよびキレート剤を有し、該キレート剤の濃度はガリウムに対するモル濃度の比率（キレート剤のモル濃度／浴中ガリウムイオンのモル濃度）として０．１〜５であって、めっき液のｐＨが３から１０の範囲であることにより好適なガリウムめっき皮膜が得られる。また、めっき液が、ガリウムイオンとスズイオンとをガリウム／スズのモル比として０．３〜１５の範囲で有し、ｐＨが１０以上１４以下であることにより好適なガリウム合金めっき皮膜が得られる。 （もっと読む）

負極および正極を備えたメンブラン電極アセンブリを有する、燃料電池に使用される電極を製造するためのプロセスを開示した。該プロセスは、以下の工程からなる：（ｉ）電極基体を準備する工程、ならびに（ｉｉ）該電極基体をメッキ浴からの金属層で被覆する工程、ただし前記金属はＡｇ、Ａｕ、Ｐｄおよびこれらの合金から選択される。 （もっと読む）

【課題】電気特性の低下を十分に抑制できるセラミックス電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＭｎからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属原子の酸化物を含むセラミックス電子部品素体の表面に導電層を形成する工程、導電層上に、めっき液を用いて、ニッケルめっき層５を形成する工程を経てセラミック電子部品１００を製造するセラミック電子部品の製造方法であって、めっき液が、ニッケル塩と、ニッケルイオンと錯体を形成するアミン化合物とを含み、ｐＨが６〜１２であるセラミックス電子部品の製造方法。 （もっと読む）