【課題】少量のパラジウム使用量によっても水素気体に対する選択性が優秀であるとともに、耐久性の優れた分離膜を製造することができ、また、支持体の種類に係りなく水素気体分離膜の特性を改善することのできる水素気体分離用パラジウム合金複合膜の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）乾式スパッタリング蒸着法を用いて多孔性支持体の上部にパラジウムコーティング層を形成する段階；（ｂ）乾式スパッタリング蒸着法を用いて前記パラジウムコーティング層の上部に金属コーティング層を形成する段階；（ｃ）前記金属コーティング層を水素雰囲気下でリフローして合金層を形成する段階とを包含する。 （もっと読む）

【課題】電解メッキ工程において、安定した給電が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、有効チップ領域である第１の領域２０と、第１の領域２０の周縁を囲む第２の領域３０と、を有した半導体ウエハー１を用意する工程と、第２の領域３０に樹脂突起４０を形成する工程と、第１の領域２０及び第２の領域３０に第１の導電層５０を形成する工程であって、第１の導電層５０は樹脂突起４０の上に位置する第１の部分５１を有するように、第１の導電層５０を形成する工程と、第１の導電層５０の上にレジスト層６０を形成する工程と、少なくとも第１の導電層５０の第１の部分５１の上に位置するレジスト層６０を除去する工程と、第１の導電層５０の第１の部分５１に給電して、電解メッキにより第１の導電層５０の上に第２の導電層９０を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】凹部の側面にメッキ層を形成する場合、凹部内に存在するメッキ液の入れ替えが困難であるため、いわゆるエッジ効果により、凹部側面のうち、凹部の底部に近い部分におけるメッキ層の厚みよりも、凹部の開口部に近い部分におけるメッキ層が小さくなってしまう。
【解決手段】主面上に凹部を有する絶縁性基体と、前記凹部の側面上に配設された配線導体と、前記配線導体上に配設され、前記凹部の側面から前記凹部の中心軸に向かって（１，１，０）方向に配向したＮｉを主成分とするメッキと、を備えた配線基板とする。 （もっと読む）

【課題】過酷な環境変化を受けても、樹脂との接着強度を維持することができる基板用金属材料、基板用金属材料表面粗化処理方法および基板用金属材料製造方法を提供する。
【解決手段】基板用の金属材料であって、略球状の金属粒子７が金属板６の表面の一部または全面に３段以上積み重ねられることにより表面粗化される。前記金属粒子７が銅、ニッケル、亜鉛、コバルト、鉄、モリブデン、タングステンの中の１種類、または２種類以上の合金から形成されるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】素体の浸食や、絶縁不良の発生を抑制することができ、安定性および生産性の高い電気ニッケルめっき液およびセラミック電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るめっき液は、セラミック電子部品用の電気ニッケルめっき液であって、ニッケルイオンと、０．００５ｍｏｌ／Ｌ以上０．１ｍｏｌ／Ｌ以下の濃度のアルカリ金属イオンとを含み、ｐＨが５よりも大きく７未満であり、アンモニウムまたはアンモニアを含むイオンのイオン濃度が０．２ｍｏｌ／Ｌ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特定の感紫外線化合物を用いて設計どおりの微細金属パターンを有する基板を容易に大量生産も可能に得ることができる金属パターンを有する基板の製造方法を提供する。
【解決手段】金属薄膜２を有する基板１表面に式（Ｉ）に示す感紫外線化合物３を吸着させ、該化合物上に熱可塑性高分子４により層を設け、紫外線を照射し、得られた熱可塑性高分子層上に熱ナノインプリント法によって凹凸を形成し、熱可塑性高分子の残膜を除去し、凹み部分に電気めっきにより金属層を形成し、熱可塑性高分子層を除去し、凹み部分における金属薄膜を除去して、金属パターンを形成する。
（もっと読む）

【課題】半導体基板の一方の面側にめっき処理をおこなう際に、めっき液の汚染を防ぎ、他方の面側に不均一なめっき層が析出するのを防ぎながら、一方の面側に低いコストで安定しためっき層を形成する。
【解決手段】半導体基板に上の一方の面に電極を形成し、他方の面に電極を形成し、他方の面の電極上に硬化型樹脂を塗布し、硬化型樹脂上にフィルムを貼り付けて硬化型樹脂を硬化させる。そのあと一方の面の電極上にめっき処理行い、めっき処理後、フィルムを硬化型樹脂とともに剥離する。 （もっと読む）

耐用年数を改善し、生産コストを低減し、プロセス性能を高めた信頼性およびコスト効率の高い電池または電気化学キャパシタ電極構造を形成するための方法および装置を提示する。一実施形態では、電池または電気化学セル用の三次元多孔質電極を形成するための方法が提供される。この方法は、拡散律速蒸着プロセスによって第１の電流密度で基板の上に柱状金属層を蒸着することと、第１の電流密度より大きな第２の電流密度で柱状金属層の上に三次元金属多孔質樹枝状構造を蒸着することとを含む。
（もっと読む）

【課題】 フラットパネルディスプレイ基板及びフォトマスク基板等の電子材料基板の表面の平坦性を損ねることなく適度なエッチング性を付与し、また界面活性剤を用いて基板表面から脱離したパーティクルの分散性を高めることで、優れたパーティクルの除去性を実現し、これにより、製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にするフラットパネルディスプレイ基板及びフォトマスク基板等の電子材料用洗浄剤を提供する。
【解決手段】 界面活性剤（Ａ）を含有してなる電子材料用洗浄剤であって、有効成分濃度０．０１〜１５重量％における２５℃でのｐＨ及び酸化還元電位（Ｖ）［単位はｍＶ、ｖｓＳＨＥ］が下記数式（１）を満たすことを特徴とする電子材料用洗浄剤。
Ｖ ≦ −３８．７×ｐＨ＋５５０ （１） （もっと読む）

【課題】導体膜を有する配線基板において、導体膜の表面に傾斜や凹凸を設けることなく、導体膜に発生する膨れやピンホールの発生を適切に防止する配線基板を提供する。
【解決手段】表面に、導体よりなる下地層１１、銅よりなる銅層１２、１３、金よりなる金層１４を順次積層して形成してなる導体膜１０を有する配線基板１であって、銅層１２、１３は、下地層１１の側から銅メッキよりなる第１の層１２、銅メッキよりなる第２の層１３を順次形成してなるものであり、第１の層１２の内部には、下地層１１と第１の層１２との間に発生するガスを抜くためのガス抜き通路１５が、第１の層１２における下地層１１側の面から第２の層１３側の面まで形成されており、ガス抜き通路１５は、第１の層１２における第２の層１３側の面にて、第２の層１３によって閉塞されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ボイドによって発生した電極連結性の不良を改善することのできる無収縮セラミック基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の無収縮セラミック基板の製造方法は、ビア電極部１１０が形成されたセラミック積層体１００を設ける段階と、セラミック積層体１００を焼成する段階と、前記焼成する段階で発生したボイドをメッキ物質で充填してメッキ部１５０を形成するようにメッキ工程を行う段階とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複雑な工程を用いることなく、歩留まりの低下を防止して、基板に形成されたスルーホールをメッキ金属で充填するスルーホールフィリング方法を提供する。
【解決手段】スルーホールフィリング方法が、第１の主面１ａを陰極とし、対向する第１の対向電極を陽極として、低電流密度の電流を通電し、第２の主面１ｂを陰極とし、対向する第２の対向電極を陽極として、高電流密度の電流を通電し、給電用金属膜３上にメッキ金属を析出させ、スルーホール２の第２の主面１ｂ側の開口を塞ぐ工程と、第２の主面１ｂを陽極とし、対向する第２の対向電極を陰極として、電流を通電し、第２の主面１ｂ上のメッキ金属を溶出させ、第１の主面１ａを陰極とし、対向する第１の対向電極を陽極として、電流を通電し、スルーホール２の開口内の第１の主面１ａの側に形成された凹部をメッキ金属４で充填する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】耐腐食性が向上した銅‐亜鉛合金めっき層を形成することができ、かつ、目的組成を有する均一で光沢のある銅‐亜鉛合金めっき層が幅広い電流密度で得ることができる銅‐亜鉛合金電気めっき浴を提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロリン酸イオンとを含有する銅‐亜鉛合金めっき浴において、浴中に含まれる銅イオンおよび亜鉛イオンの総容積モル濃度Ｍ（ｍｏｌ／Ｌ）と添加するピロリン酸イオンの容積モル濃度Ｐ（ｍｏｌ／Ｌ）の比（Ｐ／Ｍ）が２．０〜３．２の範囲である。総容積モル濃度Ｍ（ｍｏｌ／Ｌ）は０．０３〜０．５０（ｍｏｌ／Ｌ）の範囲であることが好ましく、また、ｐＨは５〜１０の範囲であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】密着性を向上させることができる高分子繊維材料のめっき方法等を提供すること。
【解決手段】高分子繊維材料のめっき方法は、（１）高分子繊維材料の表面を親水化又は活性化するプラズマ処理工程と、（２）高分子繊維材料の表面をカチオン化するカチオン処理工程と、（３）ＰｄとＳｎのコロイド溶液に浸漬する第一Ｓｎ−Ｐｄ触媒浸漬工程と、（４）高分子繊維材料にＰｄのみを吸着・結合させる第一アクセレーター処理工程と、（５）高分子繊維材料を１２０℃〜１８０℃に所定時間保持する熱処理工程と、（６）ＰｄとＳｎのコロイド溶液に浸漬する第二Ｓｎ−Ｐｄ触媒浸漬工程と、（７）高分子繊維材料にＰｄのみを吸着させる第二アクセレーター処理工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、加工精度の高い凸状部を低コストで形成することができる電解加工装置、電解加工方法、および構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】電源と、電解加工液を収納する電解槽と、前記電解槽の内部に設けられ、被加工物を載置する載置台と、軸方向の一方の端面を前記載置台に対向させて設けられた電解部と、前記電解部と前記載置台との少なくともいずれかを移動させる移動手段と、を備え、前記電解部の前記軸方向と略直交する方向の面上には、絶縁性を有する絶縁部が設けられていること、を特徴とする電解加工装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】素体の浸食や、絶縁不良の発生を抑制することができ、めっきされる部分にのみ効率よくニッケルめっきを施すことができるめっき液およびめっき方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るめっき液は、セラミック電子部品用の電気ニッケルめっき液であって、ニッケルイオンと、０．３ｍｏｌ／Ｌ以下のアンモニウムイオンとを含み、ｐＨが５より高く７未満であり、アルカリ金属のイオン濃度が０．０３ｍｏｌ／Ｌ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、錯化剤を含有せず、電気錫めっきを行う場合、特にバレルめっき法を用いて電気錫めっきを行う場合にカップリングレートが極めて小さく、かつはんだぬれ性の良好なめっき液及びめっき方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、（Ａ）第一錫イオン、（Ｂ）酸、（Ｃ）Ｎ，Ｎ−ジポリオキシアルキレン−Ｎ−アルキルアミン、アミンオキシドまたはこれらの混合物及び（Ｄ）固着防止剤を含有し、ｐＨ１以下のチップ部品用電気錫めっき液を提供する。 （もっと読む）

【課題】配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。
【解決手段】めっき法を用いてＣｕ配線２０を形成する際、まず第１の電流密度の条件で第１の平均粒径を有する第１の金属膜を形成し、次いで、第１の電流密度よりも高い第２の電流密度の条件で第１の平均粒径よりも大きい第２の平均粒径を有する第２の金属膜を形成する。その後、第１，第２の金属膜の上部に所定元素を導入し、導入後、第１，第２の金属膜上にキャップ膜を形成する。
【選択図】図５
（もっと読む）

【課題】セラミック基板上に金属パターンをメッキする際にセラミック基板に生じ得る化学的な被害を最小化する方法を提供する。
【解決手段】基板１０１上にシード層１０２を形成する段階と、上記シード層１０２上に熱可塑性樹脂からなりオープン領域を備えるパターン層１０３を形成する段階と、上記オープン領域を通して上記シード層１０２上にメッキ層１０４を形成する段階と、上記パターン層１０３に熱を加えて上記パターン層１０３を除去する段階とを含むメッキ層の形成方法。十分なメッキ厚さを確保しながらメッキ過程で基板、特に、セラミック基板に生じ得る化学的な被害を最少化することが出来る。 （もっと読む）

【課題】基板表面へのめっき液の供給を増加できて高電流密度に対応でき、短時間で厚く均一なめっき膜厚が得られる電解めっき装置及び電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】吸着プレート１０及びめっき槽本体５０からなるめっき槽と、めっき液中に浸漬されるアノード３０と、めっき液中に浸漬されアノード３０の面に対向した位置に設置される半導体基板Ｗと、半導体基板Ｗとアノード３０間に電流を供給する電源装置８０と、めっき槽にめっき液を供給するめっき配管６１−１，２，７３−１〜６とを具備する。半導体基板Ｗとアノード３０との間に半導体基板Ｗ側のめっき液とアノード３０側のめっき液とを分離する隔壁７０を設ける。めっき配管７３−１〜６によって隔壁７０と半導体基板Ｗとの間に半導体基板Ｗの表面と略平行方向のめっき液を通過させる。隔壁７０の半導体基板Ｗに対向する面に凹凸形状（Ｖ溝７１）を形成する。 （もっと読む）