電気ニッケルめっき液および電子部品の製造方法
【課題】素体の浸食や、絶縁不良の発生を抑制することができ、安定性および生産性の高い電気ニッケルめっき液およびセラミック電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るめっき液は、セラミック電子部品用の電気ニッケルめっき液であって、ニッケルイオンと、０．００５ｍｏｌ／Ｌ以上０．１ｍｏｌ／Ｌ以下の濃度のアルカリ金属イオンとを含み、ｐＨが５よりも大きく７未満であり、アンモニウムまたはアンモニアを含むイオンのイオン濃度が０．２ｍｏｌ／Ｌ以下であることを特徴とする。
【解決手段】本実施形態に係るめっき液は、セラミック電子部品用の電気ニッケルめっき液であって、ニッケルイオンと、０．００５ｍｏｌ／Ｌ以上０．１ｍｏｌ／Ｌ以下の濃度のアルカリ金属イオンとを含み、ｐＨが５よりも大きく７未満であり、アンモニウムまたはアンモニアを含むイオンのイオン濃度が０．２ｍｏｌ／Ｌ以下であることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック電子部品に好適に使用される電気ニッケルめっき液およびこのめっき液を用いた電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、サーミスタ、コンデンサ、インダクタ、ＬＴＣＣ(Low Temperature Co-fired Ceramics)、バリスタやそれらの複合体からなるセラミック電子部品の製造において、Ｎｉの電気めっきが用いられている。例えば、内部電極を備えるセラミック電子部品の表面に、銀、銅等の導電ペーストを塗布して焼成して下地電極を形成した後に、この下地電極表面に選択的に電気バレルめっきでＮｉ層およびＳｎ層からなる端子電極が形成されている。
【０００３】
このＮｉ層の電気めっきには、従来から例えばワット浴や塩化物浴が用いられている。ワット浴とは、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、ホウ酸を主成分とし、ｐＨが４〜５に調整されためっき液であり、４０〜６０℃の温度で使用されるものである。塩化物浴とは、塩化ニッケル、ホウ酸を主成分とし、ｐＨが４〜５に調整されためっき液であり、５０〜７０℃の温度で使用されるものである。
【０００４】
従来、バリスタ、サーミスタなどの半導体部品は耐薬品性が乏しく、ワット浴や塩化物浴に代表されるニッケルのめっき液により素体が大きく浸食（エッチング）されてしまうという問題があった。また、ＬＴＣＣ、チップコンデンサなどの誘電体製品でも近年の小型化、高性能化に伴い、素体の耐薬品性が乏しくなり、同様の問題が発生するようになっている。そこで、特許文献１に示すように、めっき液中にキレート剤を添加してｐＨを例えば４〜９にして素体の浸食を抑制する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１９３２８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載のめっき液を用いた場合においても、例えばコンデンサ等のセラミック電子部品では、絶縁不良が発生するという問題があった。これは、キレート剤およびめっき液の特定の成分が下地電極のフリット（ガラス成分）を溶解し、めっき液が下地電極を通って内部電極の露出している素体に達して内部電極表面の素体を溶解して、内部電極と素体との間で生ずる熱応力が開放されてクラックが発生することによるものと推定される。また、かかる不都合以外にも、一般に、電気めっきにおける通電時に分解等を生じない安定しためっき液が要求される。
【０００７】
そこで、本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、素体の浸食や、絶縁不良の発生を抑制することができ、かつ安定性の高い電気ニッケルめっき液および当該電気ニッケルめっき液を用いた電子部品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するため、本発明の電気ニッケルめっき液は、セラミック電子部品用の電気ニッケルめっき液であって、ニッケルイオンと、０．００５ｍｏｌ／Ｌ以上０．１ｍｏｌ／Ｌ以下の濃度のアルカリ金属イオンとを含み、ｐＨが５よりも大きく７未満であり、アンモニウムまたはアンモニアを含むイオンのイオン濃度が０．２ｍｏｌ／Ｌ以下であることを特徴とする。
【０００９】
上記構成の本発明では、アルカリ金属のイオン濃度が０．１ｍｏｌ／Ｌ以下に抑えられていることから、絶縁不良や素体のエッチングが抑制される。また、詳細な作用機序は未だ不明であるものの、アルカリ金属のイオン濃度が０．００５ｍｏｌ／Ｌ以上であることにより、通電によるめっき液の分解が良好に抑制されることが確認された。さらに、ｐＨを５よりも大きく７未満に調整することにより、めっき液による素体の劣化を抑制することができる。より具体的には、ｐＨを５よりも大きくすることにより、めっき液による素体のエッチングがさらに抑制され、また、ｐＨ７が未満であれば、キレート剤を添加することなくめっき液を構成することができる利点がある。またさらに、アンモニウムまたはアンモニアを含むイオンの濃度を０．２ｍｏｌ／Ｌ以下と低く抑えることにより、絶縁不良や素体の浸食が更に一層抑制される。
【００１０】
ここで、電気ニッケルめっき液の成分としては、硫酸イオンをできるだけ含まないことが好ましく、その濃度は０．０１ｍｏｌ／Ｌ以下であることが好ましい。これにより、素体の浸食がさらに抑制される。具体的には、例えば、ニッケルイオンの供給源として硫酸ニッケル以外のものを用いることが好ましく、さらに具体的には、例えば塩化ニッケルが好適に用いられる。
【００１１】
また、アンモニア以外のキレート剤をできるだけ含まないことが好ましく、その濃度が０．０５ｍｏｌ／Ｌ以下であることが好ましい。これにより、下地電極のフリットの溶解が有効に抑制され、めっき後の絶縁不良の発生が低減される。
【００１２】
さらに、ニッケルイオンの濃度は０．１ｍｏｌ／Ｌ以上、かつ１ｍｏｌ／Ｌ以下であることが好ましい。０．１ｍｏｌ／Ｌ以上とすれば、めっき電流を大きくすることが可能であり、ニッケルめっきの生産性を向上させることができる。また、１ｍｏｌ／Ｌ以下とすれば、本質的に、キレート剤を成分として含まずにｐＨを５〜７に調製することが平易となる。
【００１３】
またさらに、上記の目的を達成するため、本発明によるセラミック電子部品の製造方法は、セラミック素子の下地電極上に電気ニッケルめっきによりニッケル層を形成する工程を備え、前記工程では、ニッケルイオンと、０．００５ｍｏｌ／Ｌ以上０．１ｍｏｌ／Ｌ以下の濃度のアルカリ金属イオンとを含み、ｐＨが５よりも大きく７未満であり、アンモニウムまたはアンモニアを含むイオンのイオン濃度が０．２ｍｏｌ／Ｌ以下である電気ニッケルめっき液を用いるものである。
【００１４】
殊に、Ｚｎを含有するセラミック素体を用いる場合、本発明の効果が顕著である。Ｚｎを含む素体は、素体の耐薬品性に乏しいため、従来のめっき液による処理では素体の腐食が不都合な程度に大きくなってしまい、絶縁不良などの不具合が生じ易い場合があるのに対し、本発明によるセラミック電子部品の製造方法を用いることにより、かかる不具合を十分に抑制することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、ニッケルイオンと、所定の濃度のアルカリ金属イオンを含むめっき液を用い、かつ、めっき液中のアンモニウムまたはアンモニアを含むイオンの濃度を所定の濃度以下に抑制することにより、めっき液による素体の腐食や、絶縁不良の発生を抑制し、かつ、安定性の高い電気ニッケルめっき液を提供することができる。そして、このような電気ニッケルめっき液を用いることで、セラミック電子部品の生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】セラミック電子部品の概略構造を示す斜視図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線の断面図である。
【図３】セラミック電子部品の下地電極の外側にめっきにより端子電極が形成された構造を示す概略断面図である。
【図４】めっき液中のＮａイオン濃度と絶縁不良との関係を示す図である。
【図５】めっき液中のＮａイオン濃度と腐食距離との関係を示す図である。
【図６】クラックの部分から劈開して電極表面をＴＯＦＳＩＭＳで解析した結果を示す図である。
【図７】めっき液中のアンモニウムイオン濃度と絶縁不良との関係を示す図である。
【図８】めっき液中のアンモニウムイオン濃度と腐食距離との関係を示す図である。
【図９】めっき液中のキレート剤濃度と絶縁不良との関係を示す図である。
【図１０】めっき液中のキレート剤濃度と絶縁不良との関係を示す図である。
【図１１】めっき液中の硫酸イオン濃度と腐食距離との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、図面中、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は、図示の比率に限定されるものではない。また、以下の実施の形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明をその実施の形態のみに限定する趣旨ではない。さらに、本発明は、その要旨を逸脱しない限り、さまざまな変形が可能である。
【００１８】
＜セラミック電子部品の例＞
図１は、本発明による電気めっき処理の対象となるセラミック電子部品の一例を示す斜視図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線における断面図である。
【００１９】
セラミック電子部品１は、セラミックスからなる素体２と、素体２内に形成された複数の内部電極３とを含む積層体４を有し、換言すれば、素体２と内部電極３が積層された単位構造１０を少なくとも１つ備えたものである。より具体的には、積層体４の一方の側面に露出した端部を有する内部電極３と、積層体４の他方の側面に露出した端部を有する内部電極３とが交互に積層されている。積層体４の両側面には、それらの側面を覆うように下地電極５，５が設けられており、各下地電極５は、積層体４の一方の側面から露出した内部電極３の群、あるいは積層体４の他方の面から露出した内部電極３の群に電気的に接続されている。
【００２０】
セラミック電子部品１の素体２はセラミックス、具体的には、半導体セラミックスまたは誘電体セラミックスからなる。半導体セラミックス、および、誘電体セラミックスのいずれの場合にも、素体２にはＺｎが含まれることがある。半導体セラミックスでは、バリスタ、サーミスタなどの主成分として、また、誘電体では、焼結助剤としてＺｎが好ましく用いられる。特に後者では、ＬＴＣＣ（部品）の小型化に伴い薄層化が進み、このためにさらに焼結温度の低下が進んでおり、使用例も一段と増加している。
【００２１】
内部電極３には、素体２との間での確実なオーミック接触を可能とする観点から、例えば、Ａｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｕ、またはＡｌを主成分とする材料が用いられるが、特に材料に限定はない。
【００２２】
下地電極５は、例えば、積層体４の側面への導電性ペーストの塗布および焼成により得られる。下地電極５を形成するための導電性ペーストとしては、主として、ガラス粉末（フリット）と、有機ビヒクル（バインダー）と、金属粉末とを含むものが挙げられ、導電性ペーストの焼成により、有機ビヒクルは揮散し、最終的にガラス成分および金属成分を含む下地電極５が形成される。なお、導電性ペーストには、必要に応じて、粘度調整剤、無機結合剤、酸化剤等種々の添加剤を加えてもよい。例えば、下地電極５は、金属成分としてＡｇ、Ｃｕ、および、Ｚｎを含む。
【００２３】
図３に示すように、セラミック電子部品１の下地電極５，５の表面に、さらに、電気めっきにより端子電極７，７が形成される。これらの端子電極７，７と、例えば、配線基板上の電極とがはんだ等により接合される。各端子電極７は、例えば、下地電極５側から積層形成されたＮｉ層７ａおよびＳｎ層７ｂを含む２層構造を有する。Ｎｉ層７ａは、Ｓｎ層７ｂと下地電極５との接触を防止して、Ｓｎによる下地電極５の腐食を防止するバリアメタルとして機能するものであり、その厚さは例えば２μｍ程度である。また、Ｓｎ層７ｂは、はんだの濡れ性を向上させる機能を有するものであり、その厚さは例えば４μｍ程度とされる。
【００２４】
＜めっき液＞
本実施形態に係るめっき液は、上述したＮｉ層７ａのようなセラミック電子部品の電極の形成に好適に用いられる。以下、本実施形態に係るめっき液について説明する。
【００２５】
本実施形態の電気ニッケルめっき液は、ニッケルイオンと、０．００５ｍｏｌ／Ｌ以上０．１ｍｏｌ／Ｌ以下の濃度のアルカリ金属イオンとを含み、ｐＨが５よりも大きく７未満であり、アンモニウムまたはアンモニアを含むイオンのイオン濃度が０．２ｍｏｌ／Ｌ以下である。
【００２６】
このうち、ニッケルイオンの濃度は０．１ｍｏｌ／Ｌ以上、１ｍｏｌ／Ｌ以下であることが好ましい。０．１ｍｏｌ／Ｌ未満の場合には、めっき時の電流値が過度に低下してしまい、ニッケルめっきの生産性が低下してしまう傾向にある。また、Ｎｉイオン濃度を１ｍｏｌ／Ｌ以下にすることにより、基本的に、キレート剤を含めることなくｐＨを５〜７に適度に調整することができる。
【００２７】
また、本実施形態では、めっき中の素体の腐食を抑制するために、めっき液のｐＨが５よりも大きく７未満に調整されている。めっき液のｐＨは、適宜のｐＨ調整剤を用いて調整することができる。
【００２８】
アルカリ金属イオンは、例えば硫酸ナトリウムのような導電性塩、クエン酸ナトリウムのようなキレート剤、水酸化ナトリウムのような適宜のｐＨ調整剤に含まれる。
【００２９】
ここで、アルカリ金属イオンの濃度は、好ましくは０．００５ｍｏｌ／Ｌ以上０．１ｍｏｌ／Ｌ以下、さらに好ましくは０．０３ｍｏｌ／Ｌ以上０．１ｍｏｌ／Ｌ以下とされる。このアルカリ金属イオンの濃度が０．００５ｍｏｌ／Ｌ以上であれば、通電によるめっき液の分解を有効に抑制することができ、また、アルカリ金属のイオンの濃度が０．１ｍｏｌ／Ｌ以下であれば、絶縁不良や素体の不都合なエッチングを抑制し易くなる。また、アルカリ金属イオンの濃度が０．０３ｍｏｌ／Ｌ以上であれば、めっき液の寿命が長くなり、より好ましい。
【００３０】
また、アンモニウムまたはアンモニアを含むイオンは、塩化アンモニウムのような導電性塩、クエン酸アンモニウムのようなキレート剤、アンモニア、ＴＭＡＨのようなｐＨ調整剤に含まれる。
【００３１】
アンモニウムまたはアンモニアを含むイオンの濃度を０．２ｍｏｌ／Ｌ以下と低くしたのは、絶縁不良や、素体の浸食を抑制するためである。
【００３２】
また、めっき液による素体の腐食を小さくするには、めっき液の温度はできるだけ低いことが好ましく、例えば室温で使用される。
【００３３】
また、めっき液中には硫酸イオンができるだけ含まれないことが好ましく、その濃度は０．１ｍｏｌ／Ｌ以下であることがより好ましい。これにより、素体の浸食がさらに抑制される。例えば、ニッケルイオンの供給源として硫酸ニッケル以外のものを用いることが好ましく、例えば塩化ニッケルが好適に用いられる。
【００３４】
さらに、アンモニア以外のキレート剤は、錯イオン生成定数が大きく、セラミックの溶解が多いので、めっき液中にできるだけ含まれないことが好ましく、その濃度が０．０５ｍｏｌ／Ｌ以下であることがより好ましい。これにより、下地電極のフリットの溶解が抑制され、めっき後の絶縁不良の発生を十分に低減することができる。
【００３５】
上述した条件を満たす電気ニッケルめっき液の一例は、塩化ニッケルと、ホウ酸と、水酸化ナトリウムとを含み、ｐＨが５よりも大きく７未満に調整されためっき液が挙げられる。このように、ニッケルイオンの供給源として硫酸ニッケルではなく塩化ニッケルを用いることにより、素体の浸食を抑制し易くなる。また、ｐＨ調整剤としてアンモニアや炭酸ニッケルではなく水酸化ナトリウムを用いることにより、通電後の分解のない安定しためっき液を形成し易くできる。このとき、水酸化ナトリウムの添加量の上限値を規定することにより、アルカリ金属のイオンの存在に起因する絶縁不良や素体の浸食がさらに抑制される。また、ホウ酸は、ｐＨの変動を抑制する緩衝剤として有効に作用（機能）する。
【００３６】
本実施形態に係るめっき液には、必要に応じて光沢剤や界面活性剤などの公知の添加剤を含んでいてもよく、その場合においても、上述した条件を満たすように添加剤の種類を選択し、またその量を調整することが好ましい。
【００３７】
本実施形態に係るめっき方法は、上述した電気ニッケルめっき液で、セラミック電子部品にニッケルを電気めっきするものである。めっき方法として、例えばバレルめっきを用いることができる。必要に応じて空気攪拌、カソード遥動、ポンプなどによるめっき液の流動の方法で攪拌することができる。
【００３８】
めっき条件としては、公知の条件を用いることができる。陽極としては、ニッケル金属が通常使用されるが、場合によっては白金めっきをしたチタン板などの不溶性電極も使用できる。浴温度は、特に制限されず、好ましくは１０℃〜３０℃である。陰極電流密度や、めっき時間等のめっき条件は、要求されるニッケル層の膜厚等に応じて当業者の適宜決定することができる。本実施形態に係るめっき方法によれば、めっき液による素体の腐食や、絶縁不良の発生が抑制される。
【００３９】
本実施形態に係るめっき液およびめっき方法は、Ｚｎを含有する素体を備えるセラミック電子部品に好ましく用いることができる。Ｚｎを含む場合には、素体の耐薬品性が乏しくなることから、本実施形態に係るめっき液の効果が一層顕著になることによる。
【００４０】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００４１】
表１に示す実験番号１−３２のめっき液を用いてセラミック電子部品に電気めっきを施した際における、めっき初期の液分解の有無、セラミック電子部品（チップ）の腐食距離、めっき後の絶縁不良率を評価した。腐食距離は、めっき後のチップを１０個抜き取り（サンプリングし）、ＳＥＭの断面観察より素体表面の腐蝕層の厚さを測定した場合の平均値を示す。絶縁不良率は、めっき後のチップを１００個抜き取って絶縁抵抗を測定した場合の絶縁不良の割合を示す。以下に、実験番号の順にその結果について考察する。なお、表１において空欄部分は０を示している。
【００４２】
【表１】
【００４３】
（実験番号１：ｐＨ調整剤としてアンモニアを使用）
チタン酸ストロンチウムを主組成とし、ＺｎＯを２％含む素体で作成した１６０８サイズのコンデンサチップ１０００個を、７００ｍＬの容量をもつバレルめっき装置を用いてめっきを行った。実験番号１の組成のめっき液（ｐＨ調整剤がアンモニア）を用いて、メディアとしてΦ０．５のスチールメディアを１２０ｍＬ添加し、攪拌用にジルコニアのΦ５メディアを９０ｍＬ添加し、バレルの回転数２０ｒｐｍで５Ａの電流を印加したが、浴電圧が上昇し、カソードからの激しい気泡の発生があり、１０分後には大量の沈殿が発生した。沈殿物の組成は水酸化ニッケルＮｉ（ＯＨ）2であった。
【００４４】
これは、めっき液の過電圧が大きく水素が発生しやすい組成となっており、通電後にカソードから水素が発生し、これによりｐＨが上昇して水酸化ニッケルＮｉ（ＯＨ）2が生成したものと推測される。
【００４５】
（実験番号２：ｐＨ調整剤として炭酸ニッケルを使用）
次に、実験番号１のｐＨ調整剤を炭酸ニッケルに変更して同様の実験を行なったが（実験番号２）、その結果は実験番号１の場合と同様であった。このように、ｐＨ調整剤として炭酸ニッケルを使用した場合にも通電後にめっき液が分解してしまった。
【００４６】
（実験番号３−１５）
そこで、ｐＨ調整剤の一部を水酸化ナトリウムに置き換えて実験を行なった（実験番号２−５）。これらの結果から、アルカリ金属のイオン濃度が０．００５ｍｏｌ／Ｌ以上であれば通電直後のめっき液の分解は発生しないことが判明した。さらに、ｐＨ調整剤として炭酸ニッケルを添加せずに、塩化ナトリウムを添加してアルカリイオン濃度の有効な上限を調べた（実験番号６−１５）。その結果、アルカリ金属イオン濃度が高くなるにつれて腐食距離が増加し、０．１ｍｏｌ／Ｌを超えるとめっき後の絶縁不良が発生することが判明した。Ｎａイオン濃度と絶縁不良および腐蝕距離との関係を、それぞれ図４および図５に示す。Ｎａイオン濃度が０．１ｍｏｌ／Ｌを超えたところで絶縁不良および腐蝕距離共に増加していることが確認された。
【００４７】
また、絶縁不良チップの断面を解析したところ、電極間にクラックが発生していることが確認された。またクラックの部分から劈開した電極表面を飛行時間型二次イオン質量分析装置（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）で解析した結果を図６に示す。図６には、クラックが発生した部分（Crack area）と、クラックの発生していない部分（Flesh area）における解析結果を上下に併記してある。図６に示す結果から、クラックの原因はめっき液中のナトリウムイオンがめっき中に端子電極の周辺に移動して高アルカリ領域を形成し、この液が下地電極のボイドを通って内部電極が露出している素体面に達し、その結果、素体が溶解されてしまい、内部電極と素体の間に発生している熱応力が解放されてクラックが発生すると推定される。ただし、作用はこれに限定されない。
【００４８】
（実験番号１６−２１）
次に、実験番号６のめっき液に塩化アンモニウムを添加して、アンモニウムイオン濃度と素体の腐食および絶縁不良の関係を調べた（実験番号１６−２１）。なお、実験番号１６のめっき液は、実験番号６のめっき液と同じものである。塩化アンモニウム量の増加とともに絶縁不良および腐蝕距離が増加していることが判明した。アンモニウムイオン濃度と絶縁不良および腐蝕距離との関係を、それぞれ図７および図８に示す。アンモニウムイオン濃度が０．２ｍｏｌ／Ｌを超えたところで、絶縁不良および腐蝕距離共に増加していることが確認された。
【００４９】
（実験番号２２−２７）
次に、実験番号６のめっき液にキレート剤としてクエン酸アンモニウムを添加して、キレート剤の濃度と素体の腐食および絶縁不良の関係を調べた（実験番号２２−２７）。なお、実験番号２２のめっき液は、実験番号６のめっき液と同じものである。クエン酸アンモニウム量の増加とともに絶縁不良および腐蝕距離が増加していることが理解される。キレートイオン濃度と絶縁不良および腐蝕距離との関係を、それぞれ図９および図１０に示す。キレートイオン濃度が０．０５ｍｏＬ／Ｌを超えたところで絶縁不良が増加していることが確認された。
【００５０】
（実験番号２８−３２）
次に、実験番号６のめっき液に硫酸ニッケルを添加して、硫酸イオンと素体の腐食および絶縁不良の関係を調べた（実験番号２８〜３２）。なお、実験番号２８のめっき液は、実験番号６のめっき液と同じものである。ここでは、めっき液中のＮｉイオン濃度が不変になるように塩化Ｎｉ量を調整した。これらの結果より、硫酸Ｎｉ量の増加とともに腐蝕距離が増加していることが判明した。硫酸イオン濃度と腐蝕距離の関係を図１１に示す。硫酸イオン濃度が０．１ｍｏｌ／Ｌを超えたところで腐蝕距離が増加していることが確認された。
【００５１】
上述した実施例に示すように、めっき液中に含まれる素体および電極のフリット（ガラス成分）の溶解を促進するカチオン（アルカリ金属、アンモニウムイオン）、アニオン（硫酸イオン）、およびキレート剤が少ないので、めっき後の素体の浸食が小さく、絶縁不良の発生を大幅に低減することができることが確認された。また、めっき液中にアルカリ金属イオンを適量含むことにより、安定性かつ生産性の高いめっき液を提供することができることも判明した。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明は、サーミスタ、コンデンサ、インダクタ、ＬＴＣＣ(Low Temperature Co-fired Ceramics)、バリスタ、それらの複合部品からなるセラミック電子部品のめっき処理に広く利用することができる。
【符号の説明】
【００５３】
１，９…セラミック電子部品、２…素体、３…内部電極、４…積層体（焼結体）、５…下地電極、７…端子電極、７ａ…Ｎｉ層、７ｂ…Ｓｎ層、１０…単位構造。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック電子部品に好適に使用される電気ニッケルめっき液およびこのめっき液を用いた電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、サーミスタ、コンデンサ、インダクタ、ＬＴＣＣ(Low Temperature Co-fired Ceramics)、バリスタやそれらの複合体からなるセラミック電子部品の製造において、Ｎｉの電気めっきが用いられている。例えば、内部電極を備えるセラミック電子部品の表面に、銀、銅等の導電ペーストを塗布して焼成して下地電極を形成した後に、この下地電極表面に選択的に電気バレルめっきでＮｉ層およびＳｎ層からなる端子電極が形成されている。
【０００３】
このＮｉ層の電気めっきには、従来から例えばワット浴や塩化物浴が用いられている。ワット浴とは、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、ホウ酸を主成分とし、ｐＨが４〜５に調整されためっき液であり、４０〜６０℃の温度で使用されるものである。塩化物浴とは、塩化ニッケル、ホウ酸を主成分とし、ｐＨが４〜５に調整されためっき液であり、５０〜７０℃の温度で使用されるものである。
【０００４】
従来、バリスタ、サーミスタなどの半導体部品は耐薬品性が乏しく、ワット浴や塩化物浴に代表されるニッケルのめっき液により素体が大きく浸食（エッチング）されてしまうという問題があった。また、ＬＴＣＣ、チップコンデンサなどの誘電体製品でも近年の小型化、高性能化に伴い、素体の耐薬品性が乏しくなり、同様の問題が発生するようになっている。そこで、特許文献１に示すように、めっき液中にキレート剤を添加してｐＨを例えば４〜９にして素体の浸食を抑制する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１９３２８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載のめっき液を用いた場合においても、例えばコンデンサ等のセラミック電子部品では、絶縁不良が発生するという問題があった。これは、キレート剤およびめっき液の特定の成分が下地電極のフリット（ガラス成分）を溶解し、めっき液が下地電極を通って内部電極の露出している素体に達して内部電極表面の素体を溶解して、内部電極と素体との間で生ずる熱応力が開放されてクラックが発生することによるものと推定される。また、かかる不都合以外にも、一般に、電気めっきにおける通電時に分解等を生じない安定しためっき液が要求される。
【０００７】
そこで、本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、素体の浸食や、絶縁不良の発生を抑制することができ、かつ安定性の高い電気ニッケルめっき液および当該電気ニッケルめっき液を用いた電子部品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するため、本発明の電気ニッケルめっき液は、セラミック電子部品用の電気ニッケルめっき液であって、ニッケルイオンと、０．００５ｍｏｌ／Ｌ以上０．１ｍｏｌ／Ｌ以下の濃度のアルカリ金属イオンとを含み、ｐＨが５よりも大きく７未満であり、アンモニウムまたはアンモニアを含むイオンのイオン濃度が０．２ｍｏｌ／Ｌ以下であることを特徴とする。
【０００９】
上記構成の本発明では、アルカリ金属のイオン濃度が０．１ｍｏｌ／Ｌ以下に抑えられていることから、絶縁不良や素体のエッチングが抑制される。また、詳細な作用機序は未だ不明であるものの、アルカリ金属のイオン濃度が０．００５ｍｏｌ／Ｌ以上であることにより、通電によるめっき液の分解が良好に抑制されることが確認された。さらに、ｐＨを５よりも大きく７未満に調整することにより、めっき液による素体の劣化を抑制することができる。より具体的には、ｐＨを５よりも大きくすることにより、めっき液による素体のエッチングがさらに抑制され、また、ｐＨ７が未満であれば、キレート剤を添加することなくめっき液を構成することができる利点がある。またさらに、アンモニウムまたはアンモニアを含むイオンの濃度を０．２ｍｏｌ／Ｌ以下と低く抑えることにより、絶縁不良や素体の浸食が更に一層抑制される。
【００１０】
ここで、電気ニッケルめっき液の成分としては、硫酸イオンをできるだけ含まないことが好ましく、その濃度は０．０１ｍｏｌ／Ｌ以下であることが好ましい。これにより、素体の浸食がさらに抑制される。具体的には、例えば、ニッケルイオンの供給源として硫酸ニッケル以外のものを用いることが好ましく、さらに具体的には、例えば塩化ニッケルが好適に用いられる。
【００１１】
また、アンモニア以外のキレート剤をできるだけ含まないことが好ましく、その濃度が０．０５ｍｏｌ／Ｌ以下であることが好ましい。これにより、下地電極のフリットの溶解が有効に抑制され、めっき後の絶縁不良の発生が低減される。
【００１２】
さらに、ニッケルイオンの濃度は０．１ｍｏｌ／Ｌ以上、かつ１ｍｏｌ／Ｌ以下であることが好ましい。０．１ｍｏｌ／Ｌ以上とすれば、めっき電流を大きくすることが可能であり、ニッケルめっきの生産性を向上させることができる。また、１ｍｏｌ／Ｌ以下とすれば、本質的に、キレート剤を成分として含まずにｐＨを５〜７に調製することが平易となる。
【００１３】
またさらに、上記の目的を達成するため、本発明によるセラミック電子部品の製造方法は、セラミック素子の下地電極上に電気ニッケルめっきによりニッケル層を形成する工程を備え、前記工程では、ニッケルイオンと、０．００５ｍｏｌ／Ｌ以上０．１ｍｏｌ／Ｌ以下の濃度のアルカリ金属イオンとを含み、ｐＨが５よりも大きく７未満であり、アンモニウムまたはアンモニアを含むイオンのイオン濃度が０．２ｍｏｌ／Ｌ以下である電気ニッケルめっき液を用いるものである。
【００１４】
殊に、Ｚｎを含有するセラミック素体を用いる場合、本発明の効果が顕著である。Ｚｎを含む素体は、素体の耐薬品性に乏しいため、従来のめっき液による処理では素体の腐食が不都合な程度に大きくなってしまい、絶縁不良などの不具合が生じ易い場合があるのに対し、本発明によるセラミック電子部品の製造方法を用いることにより、かかる不具合を十分に抑制することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、ニッケルイオンと、所定の濃度のアルカリ金属イオンを含むめっき液を用い、かつ、めっき液中のアンモニウムまたはアンモニアを含むイオンの濃度を所定の濃度以下に抑制することにより、めっき液による素体の腐食や、絶縁不良の発生を抑制し、かつ、安定性の高い電気ニッケルめっき液を提供することができる。そして、このような電気ニッケルめっき液を用いることで、セラミック電子部品の生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】セラミック電子部品の概略構造を示す斜視図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線の断面図である。
【図３】セラミック電子部品の下地電極の外側にめっきにより端子電極が形成された構造を示す概略断面図である。
【図４】めっき液中のＮａイオン濃度と絶縁不良との関係を示す図である。
【図５】めっき液中のＮａイオン濃度と腐食距離との関係を示す図である。
【図６】クラックの部分から劈開して電極表面をＴＯＦＳＩＭＳで解析した結果を示す図である。
【図７】めっき液中のアンモニウムイオン濃度と絶縁不良との関係を示す図である。
【図８】めっき液中のアンモニウムイオン濃度と腐食距離との関係を示す図である。
【図９】めっき液中のキレート剤濃度と絶縁不良との関係を示す図である。
【図１０】めっき液中のキレート剤濃度と絶縁不良との関係を示す図である。
【図１１】めっき液中の硫酸イオン濃度と腐食距離との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、図面中、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は、図示の比率に限定されるものではない。また、以下の実施の形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明をその実施の形態のみに限定する趣旨ではない。さらに、本発明は、その要旨を逸脱しない限り、さまざまな変形が可能である。
【００１８】
＜セラミック電子部品の例＞
図１は、本発明による電気めっき処理の対象となるセラミック電子部品の一例を示す斜視図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線における断面図である。
【００１９】
セラミック電子部品１は、セラミックスからなる素体２と、素体２内に形成された複数の内部電極３とを含む積層体４を有し、換言すれば、素体２と内部電極３が積層された単位構造１０を少なくとも１つ備えたものである。より具体的には、積層体４の一方の側面に露出した端部を有する内部電極３と、積層体４の他方の側面に露出した端部を有する内部電極３とが交互に積層されている。積層体４の両側面には、それらの側面を覆うように下地電極５，５が設けられており、各下地電極５は、積層体４の一方の側面から露出した内部電極３の群、あるいは積層体４の他方の面から露出した内部電極３の群に電気的に接続されている。
【００２０】
セラミック電子部品１の素体２はセラミックス、具体的には、半導体セラミックスまたは誘電体セラミックスからなる。半導体セラミックス、および、誘電体セラミックスのいずれの場合にも、素体２にはＺｎが含まれることがある。半導体セラミックスでは、バリスタ、サーミスタなどの主成分として、また、誘電体では、焼結助剤としてＺｎが好ましく用いられる。特に後者では、ＬＴＣＣ（部品）の小型化に伴い薄層化が進み、このためにさらに焼結温度の低下が進んでおり、使用例も一段と増加している。
【００２１】
内部電極３には、素体２との間での確実なオーミック接触を可能とする観点から、例えば、Ａｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｕ、またはＡｌを主成分とする材料が用いられるが、特に材料に限定はない。
【００２２】
下地電極５は、例えば、積層体４の側面への導電性ペーストの塗布および焼成により得られる。下地電極５を形成するための導電性ペーストとしては、主として、ガラス粉末（フリット）と、有機ビヒクル（バインダー）と、金属粉末とを含むものが挙げられ、導電性ペーストの焼成により、有機ビヒクルは揮散し、最終的にガラス成分および金属成分を含む下地電極５が形成される。なお、導電性ペーストには、必要に応じて、粘度調整剤、無機結合剤、酸化剤等種々の添加剤を加えてもよい。例えば、下地電極５は、金属成分としてＡｇ、Ｃｕ、および、Ｚｎを含む。
【００２３】
図３に示すように、セラミック電子部品１の下地電極５，５の表面に、さらに、電気めっきにより端子電極７，７が形成される。これらの端子電極７，７と、例えば、配線基板上の電極とがはんだ等により接合される。各端子電極７は、例えば、下地電極５側から積層形成されたＮｉ層７ａおよびＳｎ層７ｂを含む２層構造を有する。Ｎｉ層７ａは、Ｓｎ層７ｂと下地電極５との接触を防止して、Ｓｎによる下地電極５の腐食を防止するバリアメタルとして機能するものであり、その厚さは例えば２μｍ程度である。また、Ｓｎ層７ｂは、はんだの濡れ性を向上させる機能を有するものであり、その厚さは例えば４μｍ程度とされる。
【００２４】
＜めっき液＞
本実施形態に係るめっき液は、上述したＮｉ層７ａのようなセラミック電子部品の電極の形成に好適に用いられる。以下、本実施形態に係るめっき液について説明する。
【００２５】
本実施形態の電気ニッケルめっき液は、ニッケルイオンと、０．００５ｍｏｌ／Ｌ以上０．１ｍｏｌ／Ｌ以下の濃度のアルカリ金属イオンとを含み、ｐＨが５よりも大きく７未満であり、アンモニウムまたはアンモニアを含むイオンのイオン濃度が０．２ｍｏｌ／Ｌ以下である。
【００２６】
このうち、ニッケルイオンの濃度は０．１ｍｏｌ／Ｌ以上、１ｍｏｌ／Ｌ以下であることが好ましい。０．１ｍｏｌ／Ｌ未満の場合には、めっき時の電流値が過度に低下してしまい、ニッケルめっきの生産性が低下してしまう傾向にある。また、Ｎｉイオン濃度を１ｍｏｌ／Ｌ以下にすることにより、基本的に、キレート剤を含めることなくｐＨを５〜７に適度に調整することができる。
【００２７】
また、本実施形態では、めっき中の素体の腐食を抑制するために、めっき液のｐＨが５よりも大きく７未満に調整されている。めっき液のｐＨは、適宜のｐＨ調整剤を用いて調整することができる。
【００２８】
アルカリ金属イオンは、例えば硫酸ナトリウムのような導電性塩、クエン酸ナトリウムのようなキレート剤、水酸化ナトリウムのような適宜のｐＨ調整剤に含まれる。
【００２９】
ここで、アルカリ金属イオンの濃度は、好ましくは０．００５ｍｏｌ／Ｌ以上０．１ｍｏｌ／Ｌ以下、さらに好ましくは０．０３ｍｏｌ／Ｌ以上０．１ｍｏｌ／Ｌ以下とされる。このアルカリ金属イオンの濃度が０．００５ｍｏｌ／Ｌ以上であれば、通電によるめっき液の分解を有効に抑制することができ、また、アルカリ金属のイオンの濃度が０．１ｍｏｌ／Ｌ以下であれば、絶縁不良や素体の不都合なエッチングを抑制し易くなる。また、アルカリ金属イオンの濃度が０．０３ｍｏｌ／Ｌ以上であれば、めっき液の寿命が長くなり、より好ましい。
【００３０】
また、アンモニウムまたはアンモニアを含むイオンは、塩化アンモニウムのような導電性塩、クエン酸アンモニウムのようなキレート剤、アンモニア、ＴＭＡＨのようなｐＨ調整剤に含まれる。
【００３１】
アンモニウムまたはアンモニアを含むイオンの濃度を０．２ｍｏｌ／Ｌ以下と低くしたのは、絶縁不良や、素体の浸食を抑制するためである。
【００３２】
また、めっき液による素体の腐食を小さくするには、めっき液の温度はできるだけ低いことが好ましく、例えば室温で使用される。
【００３３】
また、めっき液中には硫酸イオンができるだけ含まれないことが好ましく、その濃度は０．１ｍｏｌ／Ｌ以下であることがより好ましい。これにより、素体の浸食がさらに抑制される。例えば、ニッケルイオンの供給源として硫酸ニッケル以外のものを用いることが好ましく、例えば塩化ニッケルが好適に用いられる。
【００３４】
さらに、アンモニア以外のキレート剤は、錯イオン生成定数が大きく、セラミックの溶解が多いので、めっき液中にできるだけ含まれないことが好ましく、その濃度が０．０５ｍｏｌ／Ｌ以下であることがより好ましい。これにより、下地電極のフリットの溶解が抑制され、めっき後の絶縁不良の発生を十分に低減することができる。
【００３５】
上述した条件を満たす電気ニッケルめっき液の一例は、塩化ニッケルと、ホウ酸と、水酸化ナトリウムとを含み、ｐＨが５よりも大きく７未満に調整されためっき液が挙げられる。このように、ニッケルイオンの供給源として硫酸ニッケルではなく塩化ニッケルを用いることにより、素体の浸食を抑制し易くなる。また、ｐＨ調整剤としてアンモニアや炭酸ニッケルではなく水酸化ナトリウムを用いることにより、通電後の分解のない安定しためっき液を形成し易くできる。このとき、水酸化ナトリウムの添加量の上限値を規定することにより、アルカリ金属のイオンの存在に起因する絶縁不良や素体の浸食がさらに抑制される。また、ホウ酸は、ｐＨの変動を抑制する緩衝剤として有効に作用（機能）する。
【００３６】
本実施形態に係るめっき液には、必要に応じて光沢剤や界面活性剤などの公知の添加剤を含んでいてもよく、その場合においても、上述した条件を満たすように添加剤の種類を選択し、またその量を調整することが好ましい。
【００３７】
本実施形態に係るめっき方法は、上述した電気ニッケルめっき液で、セラミック電子部品にニッケルを電気めっきするものである。めっき方法として、例えばバレルめっきを用いることができる。必要に応じて空気攪拌、カソード遥動、ポンプなどによるめっき液の流動の方法で攪拌することができる。
【００３８】
めっき条件としては、公知の条件を用いることができる。陽極としては、ニッケル金属が通常使用されるが、場合によっては白金めっきをしたチタン板などの不溶性電極も使用できる。浴温度は、特に制限されず、好ましくは１０℃〜３０℃である。陰極電流密度や、めっき時間等のめっき条件は、要求されるニッケル層の膜厚等に応じて当業者の適宜決定することができる。本実施形態に係るめっき方法によれば、めっき液による素体の腐食や、絶縁不良の発生が抑制される。
【００３９】
本実施形態に係るめっき液およびめっき方法は、Ｚｎを含有する素体を備えるセラミック電子部品に好ましく用いることができる。Ｚｎを含む場合には、素体の耐薬品性が乏しくなることから、本実施形態に係るめっき液の効果が一層顕著になることによる。
【００４０】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００４１】
表１に示す実験番号１−３２のめっき液を用いてセラミック電子部品に電気めっきを施した際における、めっき初期の液分解の有無、セラミック電子部品（チップ）の腐食距離、めっき後の絶縁不良率を評価した。腐食距離は、めっき後のチップを１０個抜き取り（サンプリングし）、ＳＥＭの断面観察より素体表面の腐蝕層の厚さを測定した場合の平均値を示す。絶縁不良率は、めっき後のチップを１００個抜き取って絶縁抵抗を測定した場合の絶縁不良の割合を示す。以下に、実験番号の順にその結果について考察する。なお、表１において空欄部分は０を示している。
【００４２】
【表１】
【００４３】
（実験番号１：ｐＨ調整剤としてアンモニアを使用）
チタン酸ストロンチウムを主組成とし、ＺｎＯを２％含む素体で作成した１６０８サイズのコンデンサチップ１０００個を、７００ｍＬの容量をもつバレルめっき装置を用いてめっきを行った。実験番号１の組成のめっき液（ｐＨ調整剤がアンモニア）を用いて、メディアとしてΦ０．５のスチールメディアを１２０ｍＬ添加し、攪拌用にジルコニアのΦ５メディアを９０ｍＬ添加し、バレルの回転数２０ｒｐｍで５Ａの電流を印加したが、浴電圧が上昇し、カソードからの激しい気泡の発生があり、１０分後には大量の沈殿が発生した。沈殿物の組成は水酸化ニッケルＮｉ（ＯＨ）2であった。
【００４４】
これは、めっき液の過電圧が大きく水素が発生しやすい組成となっており、通電後にカソードから水素が発生し、これによりｐＨが上昇して水酸化ニッケルＮｉ（ＯＨ）2が生成したものと推測される。
【００４５】
（実験番号２：ｐＨ調整剤として炭酸ニッケルを使用）
次に、実験番号１のｐＨ調整剤を炭酸ニッケルに変更して同様の実験を行なったが（実験番号２）、その結果は実験番号１の場合と同様であった。このように、ｐＨ調整剤として炭酸ニッケルを使用した場合にも通電後にめっき液が分解してしまった。
【００４６】
（実験番号３−１５）
そこで、ｐＨ調整剤の一部を水酸化ナトリウムに置き換えて実験を行なった（実験番号２−５）。これらの結果から、アルカリ金属のイオン濃度が０．００５ｍｏｌ／Ｌ以上であれば通電直後のめっき液の分解は発生しないことが判明した。さらに、ｐＨ調整剤として炭酸ニッケルを添加せずに、塩化ナトリウムを添加してアルカリイオン濃度の有効な上限を調べた（実験番号６−１５）。その結果、アルカリ金属イオン濃度が高くなるにつれて腐食距離が増加し、０．１ｍｏｌ／Ｌを超えるとめっき後の絶縁不良が発生することが判明した。Ｎａイオン濃度と絶縁不良および腐蝕距離との関係を、それぞれ図４および図５に示す。Ｎａイオン濃度が０．１ｍｏｌ／Ｌを超えたところで絶縁不良および腐蝕距離共に増加していることが確認された。
【００４７】
また、絶縁不良チップの断面を解析したところ、電極間にクラックが発生していることが確認された。またクラックの部分から劈開した電極表面を飛行時間型二次イオン質量分析装置（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）で解析した結果を図６に示す。図６には、クラックが発生した部分（Crack area）と、クラックの発生していない部分（Flesh area）における解析結果を上下に併記してある。図６に示す結果から、クラックの原因はめっき液中のナトリウムイオンがめっき中に端子電極の周辺に移動して高アルカリ領域を形成し、この液が下地電極のボイドを通って内部電極が露出している素体面に達し、その結果、素体が溶解されてしまい、内部電極と素体の間に発生している熱応力が解放されてクラックが発生すると推定される。ただし、作用はこれに限定されない。
【００４８】
（実験番号１６−２１）
次に、実験番号６のめっき液に塩化アンモニウムを添加して、アンモニウムイオン濃度と素体の腐食および絶縁不良の関係を調べた（実験番号１６−２１）。なお、実験番号１６のめっき液は、実験番号６のめっき液と同じものである。塩化アンモニウム量の増加とともに絶縁不良および腐蝕距離が増加していることが判明した。アンモニウムイオン濃度と絶縁不良および腐蝕距離との関係を、それぞれ図７および図８に示す。アンモニウムイオン濃度が０．２ｍｏｌ／Ｌを超えたところで、絶縁不良および腐蝕距離共に増加していることが確認された。
【００４９】
（実験番号２２−２７）
次に、実験番号６のめっき液にキレート剤としてクエン酸アンモニウムを添加して、キレート剤の濃度と素体の腐食および絶縁不良の関係を調べた（実験番号２２−２７）。なお、実験番号２２のめっき液は、実験番号６のめっき液と同じものである。クエン酸アンモニウム量の増加とともに絶縁不良および腐蝕距離が増加していることが理解される。キレートイオン濃度と絶縁不良および腐蝕距離との関係を、それぞれ図９および図１０に示す。キレートイオン濃度が０．０５ｍｏＬ／Ｌを超えたところで絶縁不良が増加していることが確認された。
【００５０】
（実験番号２８−３２）
次に、実験番号６のめっき液に硫酸ニッケルを添加して、硫酸イオンと素体の腐食および絶縁不良の関係を調べた（実験番号２８〜３２）。なお、実験番号２８のめっき液は、実験番号６のめっき液と同じものである。ここでは、めっき液中のＮｉイオン濃度が不変になるように塩化Ｎｉ量を調整した。これらの結果より、硫酸Ｎｉ量の増加とともに腐蝕距離が増加していることが判明した。硫酸イオン濃度と腐蝕距離の関係を図１１に示す。硫酸イオン濃度が０．１ｍｏｌ／Ｌを超えたところで腐蝕距離が増加していることが確認された。
【００５１】
上述した実施例に示すように、めっき液中に含まれる素体および電極のフリット（ガラス成分）の溶解を促進するカチオン（アルカリ金属、アンモニウムイオン）、アニオン（硫酸イオン）、およびキレート剤が少ないので、めっき後の素体の浸食が小さく、絶縁不良の発生を大幅に低減することができることが確認された。また、めっき液中にアルカリ金属イオンを適量含むことにより、安定性かつ生産性の高いめっき液を提供することができることも判明した。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明は、サーミスタ、コンデンサ、インダクタ、ＬＴＣＣ(Low Temperature Co-fired Ceramics)、バリスタ、それらの複合部品からなるセラミック電子部品のめっき処理に広く利用することができる。
【符号の説明】
【００５３】
１，９…セラミック電子部品、２…素体、３…内部電極、４…積層体（焼結体）、５…下地電極、７…端子電極、７ａ…Ｎｉ層、７ｂ…Ｓｎ層、１０…単位構造。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック電子部品用の電気ニッケルめっき液であって、
ニッケルイオンと、
０．００５ｍｏｌ／Ｌ以上０．１ｍｏｌ／Ｌ以下の濃度のアルカリ金属イオンとを含み、
ｐＨが５よりも大きく７未満であり、アンモニウムまたはアンモニアを含むイオンのイオン濃度が０．２ｍｏｌ／Ｌ以下であることを特徴とする、
電気ニッケルめっき液。
【請求項２】
硫酸イオンの濃度が０．１ｍｏｌ／Ｌ以下である、
請求項１に記載の電気ニッケルめっき液。
【請求項３】
アンモニア以外のキレート剤の濃度が０．０５ｍｏｌ／Ｌ以下である、
請求項１または２に記載の電気ニッケルめっき液。
【請求項４】
セラミック素子の下地電極上に電気ニッケルめっきによりニッケル層を形成する工程を備え、
前記工程では、ニッケルイオンと、０．００５ｍｏｌ／Ｌ以上０．１ｍｏｌ／Ｌ以下の濃度のアルカリ金属イオンとを含み、ｐＨが５よりも大きく７未満であり、アンモニウムまたはアンモニアを含むイオンのイオン濃度が０．２ｍｏｌ／Ｌ以下である電気ニッケルめっき液を用いる、
セラミック電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記セラミック素体は、Ｚｎを含有する、
請求項４に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項１】
セラミック電子部品用の電気ニッケルめっき液であって、
ニッケルイオンと、
０．００５ｍｏｌ／Ｌ以上０．１ｍｏｌ／Ｌ以下の濃度のアルカリ金属イオンとを含み、
ｐＨが５よりも大きく７未満であり、アンモニウムまたはアンモニアを含むイオンのイオン濃度が０．２ｍｏｌ／Ｌ以下であることを特徴とする、
電気ニッケルめっき液。
【請求項２】
硫酸イオンの濃度が０．１ｍｏｌ／Ｌ以下である、
請求項１に記載の電気ニッケルめっき液。
【請求項３】
アンモニア以外のキレート剤の濃度が０．０５ｍｏｌ／Ｌ以下である、
請求項１または２に記載の電気ニッケルめっき液。
【請求項４】
セラミック素子の下地電極上に電気ニッケルめっきによりニッケル層を形成する工程を備え、
前記工程では、ニッケルイオンと、０．００５ｍｏｌ／Ｌ以上０．１ｍｏｌ／Ｌ以下の濃度のアルカリ金属イオンとを含み、ｐＨが５よりも大きく７未満であり、アンモニウムまたはアンモニアを含むイオンのイオン濃度が０．２ｍｏｌ／Ｌ以下である電気ニッケルめっき液を用いる、
セラミック電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記セラミック素体は、Ｚｎを含有する、
請求項４に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１０−２０９４２７（Ｐ２０１０−２０９４２７Ａ）
【公開日】平成２２年９月２４日（２０１０．９．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−５８３４１（Ｐ２００９−５８３４１）
【出願日】平成２１年３月１１日（２００９．３．１１）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年９月２４日（２０１０．９．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月１１日（２００９．３．１１）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
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