【課題】２軸結晶配向したＣｕ層上にＮｉ又はＮｉ合金を成膜する方法として、めっきによる方法が知られている。結晶配向性の高いＮｉ層を生成するには、一般に低電流密度（１〜４Ａ／ｄｍ^２）でめっきを行う必要があるが、低電流密度ではめっき処理に要する時間が長くなって生産性が低下し、特に、長尺の金属基板をリールｔｏリールで生産する場合には、積層材である金属基板の過熱が起こり得るという問題点があった。そのため、結晶配向性を保持しつつ、電流密度を上げて生産効率を向上させることができる作製条件の確立が望まれていた。
【解決手段】上記課題を解決するため、本発明のエピタキシャル成長用基板は、２軸結晶配向したＣｕ層と、前記Ｃｕ層上に設けられた保護層とを有するエピタキシャル成長用基板であって、前記保護層のめっき歪εが１５×１０^−６以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電解銅めっき浴およびそのめっき方法を提供する。
【解決手段】１種以上の特定のピリジン化合物と１種以上のエポキシド含有化合物との反応生成物である平滑化剤を含む銅めっき浴。この浴は導電層の表面上に銅を堆積させる。このめっき浴は広範囲の電解質濃度にわたって基体表面上に実質的に平坦な銅層を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】樹脂基材に貼り付け後の銅箔の変色を生じない耐熱性に優れた粗化箔及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧延銅箔１０に粗化めっき層１１を形成し、樹脂基材と貼り合わせる粗化めっき層１１と反対側の圧延銅箔１０の表面に、ニッケルめっき層又はニッケルとコバルトの合金めっき層１４を有する防錆処理層１３を施した粗化箔において、防錆処理層１３のＳ含有量が１ｐｐｍ以上５０ｐｐｍ以下としたものである。 （もっと読む）

【課題】コストの低い金属を用いた電気接点において、十分長い摺動寿命を持つ、新たな複合材料を用いた電気接点電極、電気接点皮膜、及び導電性フィラーを提供し、及び電子装置の電気接点寿命が十分長く、低コストな電気接点構造を実現する。
【解決手段】金属塩を主成分とするめっき浴に還元剤を混合し、溶解させたもの、又は、コロイド溶液状にしたものに、必要に応じて錯化剤を添加したものをめっき浴として用い、被めっき材上に、電気めっきによりマトリックス金属と還元剤を共析させる複合めっき法で得られる、金属マトリックス中に該金属の金属酸化物を常温で還元可能な還元剤が分散されたことを特徴とする複合材料である。 （もっと読む）

【課題】電流効率の低下を抑え、高い白色度を有する電気亜鉛めっき鋼板の製造方法を提供する。
【解決手段】2-ベンゾチアゾリルチオ基を持つ有機化合物の1種又は2種以上が合計で0.01mass ppm未満の電気亜鉛めっき浴中で電気亜鉛めっき処理を行う。次いで、2-ベンゾチアゾリルチオ基を持つ有機化合物の1種又は2種以上を合計で0.01〜3 mass ppm含有する電気亜鉛めっき浴中で亜鉛付着量がめっき層全体の1〜50%となるように電気亜鉛めっき処理を行う。 （もっと読む）

【課題】耐食性と高導電性を兼ね備えたクロメートフリー化成処理皮膜付き電気亜鉛めっき鋼板の製造方法を提供する。
【解決手段】鋼板１表面に、硫酸ナトリウム、硫酸カリウム、硫酸アンモニウムおよび硫酸マグネシウムから選ばれる一種または二種以上を合計で0.75mol/L以上含有しpHが1.2以上2.5以下である硫酸酸性電気亜鉛めっき浴中で電流密度を220A/dm²以上500A/dm²以下とする電気亜鉛めっき処理２を施し電気亜鉛めっき鋼板とする。更に、上層として平均厚さ0.05μm以上1.0μm以下のクロメートフリー化成処理皮膜３を形成して電気亜鉛めっきベースクロメートフリー化成処理鋼板とする。 （もっと読む）

【課題】銅堆積物において内部応力を軽減する銅電気めっき方法を提供する。
【解決手段】１種以上の銅イオン源、１種以上の抑制剤、および艶消し外観の銅堆積物を提供するのに充分な量の１種以上の促進剤を含む組成物と基体とを接触させめっきを行う。促進剤には３−メルカプトプロパン−１−スルホン酸、エチレンジチオジプロピルスルホン酸、ビス−（ω−スルホブチル）−ジスルフィド、メチル−（ω−スルホプロピル）−ジスルフィド、Ｎ，Ｎ−ジメチルジチオカルバミン酸（３−スルホプロピル）エステル、（Ｏ−エチルジチオカルボナト）−Ｓ−（３−スルホプロピル）−エステル、３−［（アミノ−イミノメチル）−チオール］−１−プロパンスルホン酸、３−（２−ベンジルチアゾリルチオ）−１−プロパンスルホン酸、ビス−（スルホプロピル）−ジスルフィドおよびこれらのアルカリ金属塩が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】軸体上に形成されためっき皮膜の厚さの均一性に優れる、めっき皮膜を有する軸体の製造方法および軸体上に亜鉛系めっき皮膜を形成するためのめっき液を提供する。
【解決手段】軸体８の被めっき部を内包し両端部が鉛直方向に開口する中空部を有する管状の管状部材７、前記中空部の鉛直方向上側端部の開口の上方に設けられ前記軸体を前記中空部内に保持する支持手段１、前記中空部の鉛直方向下側端部の開口から前記中空部内にめっき液を供給するめっき液噴流手段、前記中空部の鉛直方向上側端部の開口近傍に設けられ前記めっき液噴流手段により前記中空部内に供給されためっき液を前記管状部材外に排出可能にする排出構造９、および前記排出構造を通じて前記管状部材から排出されためっき液を前記めっき液噴流手段に供給する環送手段を備え、前記支持手段は前記軸体と電気的に接続可能な接点部２を備え、前記管状部材はその中空部に不溶性陽極を備える。 （もっと読む）

【課題】ビアランドパッドや回路配線の上部稜線部の丸みをなくし、上面を平坦に形成しながら、均一なめっき回路基板を作製することのできるめっき液を提供する。
【解決手段】少なくとも銅イオン、有機酸あるいは無機酸、塩素イオンを含有する酸性銅めっき基本組成に、銅めっき析出抑制剤および光沢化剤を添加した酸性電解銅めっき液に、更にホルマリンをその３６質量％水溶液として０.５〜２ｍｌ／Ｌまたはカテコールをその１１質量％水溶液として０.５〜５ｍｌ／Ｌ添加したことを特徴とする被めっき物上にレジストで形作られた配線回路部分への銅充填用酸性電解銅めっき液。 （もっと読む）

【課題】 電気銅メッキ浴において、ビアホールへの銅充填とスルホールへの均一電着性を共に良好に達成する。
【解決手段】 （Ａ）可溶性銅塩と、（Ｂ）酸又はその塩と、（Ｃ）特定のフェナントロリンジオン化合物とを含有するスズ又はスズ合金メッキ浴である。上記フェナントロリンジオン化合物を含有するため、ビアホールへの銅充填とスルホールへの均一電着性を共に良好に達成でき、ビアホールとスルホールが混在する基板に本発明の電気銅メッキ浴を適用することで、生産性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】銅または銅合金下層上での接着促進を可能にするシアン化物非含有スズ／銅浴からホワイトブロンズめっき方法を提供する。
【解決手段】銅下層を被覆する空隙抑制層上に、シアン化物非含有スズ／銅浴からホワイトブロンズが電気めっきされる。この空隙抑制金属層は１種以上の空隙抑制金属を含む。 （もっと読む）

【課題】めっき工程を用いつつ、母型を用いないで微細構造体を製造する方法およびその方法により製造された微細構造体を提供する。
【解決手段】水溶性第一スズ含有物質、水溶性銅含有物質、硫酸イオンおよびスルホン酸イオンの少なくとも一方、有機錯化剤、ならびに非イオン性界面活性剤を備える酸性のスズ系めっき液を用いて、めっき温度を６０℃以下、電流密度を１０Ａ／ｄｍ^２以下、かつ積算電流量を５００Ａｓｅｃ／ｄｍ^２以上としてめっきを行い、ほぼ薄板状の皮膜部と当該皮膜部の表面から突出し錐形状を有する複数の突起部とを備え、当該突起部について、その底面の円換算直径に対する高さの比率であるアスペクト比が０．５以上、かつ皮膜部上の密度が前記皮膜部の投影面積１ｍｍ^２あたり１００個以上であるスズ系めっき構造体を、前記突起部についての母型を用いることなく得る。 （もっと読む）

【課題】浴の均一電着性に有意な影響を及ぼさずに、すなわち、浴が効果的にブラインドバイアおよびスルーホールを充填しつつ、平滑な銅堆積物を生成する、ＰＣＢの製造に使用される銅電気めっき浴における使用のための平滑化剤及びそれを使用しためっき方法を提供する。
【解決手段】１種以上の特定のシクロジアザ化合物と１種以上のエポキシド含有化合物との反応生成物である平滑化剤を含む銅めっき浴が提供され、この浴は導電層の表面上に銅を堆積させる。このめっき浴は様々な銅濃度にわたって基体表面上に実質的に平坦な銅層を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】高い耐久性と高い水素発生触媒能を有するアルカリ水電解用電極の製造方法を提供する。
【解決手段】硫酸ニッケル・六水和物を２５〜５０ｇ／Ｌ、タングステン酸ナトリウム・二水和物を３０〜１００ｇ／Ｌ、チオ尿素を１５〜８０ｇ／Ｌ、クエン酸・無水物又はクエン酸ナトリウム・二水和物を６０〜１２０ｇ／Ｌ、及び応力緩和剤を添加剤として含み、ｐＨ３〜６のニッケル−タングステン−硫黄合金めっき液を用いて、基材１上にアモルファス状又は微結晶状のＮｉ−Ｗ−Ｓ合金膜２を形成する方法によって上記課題を解決する。このとき、応力緩和剤がスルホサリチル酸であり、Ｎｉ−Ｗ−Ｓ合金膜が、Ｗ：３質量％以上１５質量％以下、Ｓ：１５質量％以上３０質量％以下、Ｎ：残部、及び不可避不純物を含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 プリント基板などの微細凹部に空隙（ボイド）や窪みを発生させないで良好に銅フィリングする。
【解決手段】 アミド類、アミノ酸類より選ばれた電着促進剤を含有せず、スルフィド類、メルカプタン類より選ばれた光沢剤を含有した予備処理液に被メッキ物を浸漬した後（予備吸着の後）、或いは、当該予備吸着に代えて予備メッキした後、電着促進剤及び光沢剤を含有する銅メッキ液で被メッキ物に電気銅メッキを施すことにより、プリント基板などの微細凹部に良好な銅フィリングを達成できる。 （もっと読む）

【課題】 プリント基板などの微細凹部に空隙や窪みを発生させないで良好に銅フィリングする。
【解決手段】 カルボン酸類、環状エステル類より選ばれた電着促進剤を含有せず、スルフィド類、メルカプタン類より選ばれた光沢剤を含有した予備処理液に被メッキ物を浸漬した後（予備吸着の後）、或いは、当該予備吸着に代えて予備メッキした後、電着促進剤及び光沢剤を含有する銅メッキ液で被メッキ物に電気銅メッキを施すことにより、プリント基板などの微細凹部に良好な銅フィリングを達成できる。 （もっと読む）

【課題】優れた耐食性を基材に付与するのみならず、摺動部材としても使用し得る亜鉛合金めっき部材およびその亜鉛合金めっきを製造するためのめっき液を提供する。
【解決手段】金属系表面を有する基材と、質量％で、２％以上８％以下のＮｉおよび０．１％以上３％以下のＭｏを含有し、残部がＺｎおよび不純物からなる化学組成を有し、硬度が１５０Ｈｖ以上３５０Ｈｖ以下であって、厚さが０．１μｍ以上３０μｍ以下である、前記基材上に設けられた亜鉛合金めっき皮膜とを備える亜鉛合金めっき部材。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても溝や穴に電解銅メッキによって銅を良好に埋め込むことができる銅メッキ光沢剤と銅メッキ抑制剤を必須の有効成分として含有する半導体用電解銅メッキ浴、及び該電解銅メッキ浴を用いた半導体用電解銅メッキ方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（２）で表わされる銅メッキ光沢剤を０．１〜１００質量ＰＰＭと、ポリエチレングリコールなどの抑制剤を含有してなることを特徴とする半導体用電解銅メッキ浴および該めっき浴を用いる半導体の電解銅めっき方法。


（式中、Ｒ^１及びＲ^２は、水素原子又はメチル基を示し、Ｒ^１及びＲ^２がともに水素原子となるものは除く。Ｍは、リチウム、ナトリウム及びカリウムから選ばれる原子又はアンモニウムもしくは１価の有機アンモニウム基を示す。） （もっと読む）

【課題】 各種のメッキ浴において、水への溶解性と消泡性を両立できるとともに、メッキ液の管理を容易にする。
【解決手段】 Ｃ₂〜Ｃ₄アルキレンより選ばれたオキシアルキレン鎖を有し、当該オキシアルキレン鎖に３位の窒素原子を介してイミダゾール環が結合するとともに、イミダゾール環が末端に位置する新規のイミダゾール環結合型オキシアルキレン化合物を各種メッキ浴に使用すると、従来のノニオン性界面活性剤に比べて、末端へのイミダゾール環基の導入によって水溶性を良好に保持しながら、発泡性を顕著に低減できる。ノニオン界面活性剤の分子中にイミダゾール環基が存在する当該化合物を例えば銅メッキ浴に用いると、界面活性剤の作用とレベリング作用を兼備でき、メッキ液を簡便に管理できる。 （もっと読む）

【課題】 微細配線への加工性を高めた銅めっき被膜を形成する銅電気めっき法の提供とこの銅電気めっき方法を銅めっき被膜の成膜に用いた金属化樹脂フィルムの提供を目的とする。
【解決手段】 銅めっき液に通電して銅めっき被膜を形成する銅電気めっき方法において、銅めっき液への通電時の電流密度を、銅めっき被膜の厚みが２．５μｍになるまでは、０．５Ａ／ｄｍ^２以下として銅めっきを行うと共に、銅めっき液は構成原子に硫黄原子を有する有機化合物を８重量ｐｐｍ〜３０重量ｐｐｍ含むことを特徴とするものである。 （もっと読む）