【課題】添加剤の消耗量を抑え、効率的にめっき液を使用することでランニングコストと環境負荷の低減を同時に実現することができ、また、高品質のめっき処理を行うことができるめっき装置を提供する。
【解決手段】めっき液４５を保持するめっき槽５０と、カソードに接続された基板Ｗを少なくともめっき液４５中で保持するヘッド部４７と、めっき槽５０の内部に配置されるアノード４８と、めっき液４５をめっき槽５０に供給するめっき液噴出ノズル５３とを備える。めっき液４５の電気伝導率よりも小さい電気伝導率の高抵抗要素３２４を基板Ｗとアノード４８との間に配置する。めっき液噴出ノズル５３は、めっき処理に先立って高抵抗要素３２４にめっき液４５を供給する。 （もっと読む）

【課題】 被表面処理物の表面を電気化学的な方法により均一に処理することができる電気化学的表面処理装置を提供すること。
【解決手段】 メッキ槽１０１中に、被表面処理部材である陰極１０５と、陰極１０５との間に所定の電圧が印加される対極の陽極１０６と、が配置され、陰極１０５と陽極１０６との間に設けられた円筒状の遮蔽部材１０２は、２個の電極間の電気力線を遮る電気力線遮蔽手段として作用し、攪拌子１０４の回転により、メッキ液１０３の金属イオンが陰極１０５に均一に供給される。 （もっと読む）

【課題】ピンホールなどの欠陥が少ない良好なめっきを効率的に行うことができるめっき方法及びめっき装置を提供する。
【解決手段】めっき槽６１では、ＣＯ２及び無電解めっき液を含むめっき分散体を用いて無電解めっきを行う。この無電解めっきにより、めっき槽６１内の基体としての基体管の内側表面又は外側表面に、第１金属膜としてのＰｄ膜が形成されると、制御部８０は、ＣＯ２及び無電解めっき液を含むめっき分散体の供給を停止し、電源６２のスイッチをオンにする。これにより、ＣＯ２及び電解めっき液を含むめっき分散体が供給され、電極に電圧が印加されて、めっき槽６１内において電解めっきを行う。この電解めっきにより、無電解めっきにより形成された第１金属膜のＰｄ膜の上に、第２金属膜のＰｄ膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】被処理物の表面での液流の流速のばらつきをなくするとともに、被処理物の表面での液流を所望の流速に制御することができる浸漬処理装置を提供する。
【解決手段】めっき液で満たされ、被めっき材１０が浸漬されるめっき槽２２と、被めっき材１０の側方に配設され、被めっき材１０に対向する陽イオン交換膜４２を有し、電解液で満たされた陽極室４０と、陽極室４０内にめっき液から分離されるように設けられ、陽イオン交換膜４２を介して被めっき材１０に対向する不溶性陽極４８と、被めっき材１０と陽極室４０との間に、めっき槽２２の下方から上方に向かって流れるめっき液の流れを形成する吹き出しユニット５２とを有する。 （もっと読む）

【課題】この発明は、例えば、コレクタ面にコレクタ電極を形成する場合において、ウエハの反りを抑制することができ、別途余分な部材を設けること無く、また完成品の素子動作を阻害すること無く、当該コレクタ電極を形成することができる、実用性のある半導体装置の製造方法等を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法では、まず、アノード電極２に対向して、めっき液４にスイッチング半導体素子５のコレクタ面を浸漬させる。次に、エミッタ電極５ａに対して高電位となる電圧をゲート電極５ｂに印加し、スイッチング半導体素子５を導通状態にする。そして、当該導通状態において、エミッタ電極５ａに対して高電位となる電圧をアノード電極２に印加することにより、めっき液４とスイッチング半導体素子５に電流を流す。 （もっと読む）

【課題】 比較的簡単な構成で、例えアスペクト比が高く、深さが深いビアホール等にあっても、金属膜を内部にボイドを発生させることなく確実に埋込むことができるようにする。
【解決手段】 第１めっき液を該第１めっき液にアノードを浸漬させて保持する第１めっき槽１７０ａと、第１めっき液より金属濃度の低い第２めっき液を該第２めっき液にアノードを浸漬させて保持する第２めっき槽１７０ｂと、第１めっき槽１７０ａと第２めっき槽１７０ｂとの間を移動自在で、被めっき材を該被めっき材に通電可能に保持するホルダ１６０を有し、ホルダ１６０で保持した被めっき材を第１めっき槽１７０ａ内の第１めっき液に接触させて行う第１めっき処理と、第２めっき槽１７０ｂ内の第２めっき液に接触させて行う第２めっき処理を順次繰返す。 （もっと読む）

本発明は、半導体ウェーハの表面に設けられたトレンチやビヤホール、レジスト開口部にめっき膜を形成したり、半導体ウェーハの表面にパッケージの電極等と電気的に接続するバンプを形成したりするのに使用されるめっき装置に関する。めっき装置（１７０）は、めっき液（１８８）を保持するめっき槽（１８６）と、被めっき材を保持して該被めっき材の被めっき面をめっき槽（１８６）内のめっき液（１８８）に接触させるホルダ（１６０）と、めっき槽の内部に配置され、ホルダで保持した被めっき材の被めっき面に向けてめっき液を噴射してめっき槽（１８６）内にめっき液（１８８）を供給する複数のめっき液噴射ノズル（２２２）を有するリング状のノズル配管（２２０）を備えている。
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【課題】１ＧＨｚを超える高周波帯域特性を向上させるとともに、素体と内部電極との境界部分におけるマイクロクラックを抑制し特性劣化を抑制した電子部品の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】内部電極６を埋設した誘電体材料からなる素体８の端部に外部電極２０を形成する外部電極形成工程を有し、この外部電極形成工程では、素体８に下地電極層１０を形成し、ｐＨ８〜１０のアルカリ性めっき液１２中において、下地電極層１０にＮｉ電極層１４とＳｎ電極層１６とからなるめっき電極層１８を形成し、下地電極層１０とめっき電極層１８とからなる外部電極２０を形成する構成である。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ウィスカの発生防止と良好なはんだ付性（低融点）を両立させるとともに、微摺動摩耗等の不都合を伴うことなく薄くかつ均一な厚みを有するＳｎ合金薄膜を形成する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、基材上にＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を形成する方法であって、この方法は、該基材をめっき浴に浸漬し、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を該基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、このめっき浴は、少なくともＳｎ化合物と、Ａｇ化合物と、Ｃｕ化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含み、該無機系キレート剤は、該Ａｇ化合物１質量部に対して１質量部以上３００質量部以下の比率で配合され、該有機系キレート剤は、該Ｃｕ化合物１質量部に対して１質量部以上２００質量部以下の比率で配合されることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】被めっき物上の導電部以外の部位へのめっき成長を極力抑制することができ、かつ良好なはんだ濡れ性を確保することができるニッケルめっき浴を実現する。
【解決手段】ニッケルめっき浴が、硫酸ニッケル等の硫酸系ニッケル塩と塩化ニッケル等のハロゲン化合物とホウ酸等のｐＨ緩衝剤とを含有し、ｐＨが２．２〜５．５に調整され、かつニッケルイオンｘとハロゲンイオンｙとのモル濃度比ｘ／ｙが０．５＜ｘ／ｙ≦１．０とされている。このニッケルめっき浴を使用して製造された積層セラミックコンデンサは、外部電極６ａ、６ｂ上に優先的にニッケル皮膜７ａ、７ｂが析出し、セラミック素体１上へのめっき成長が極力抑制される。
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【課題】 めっき浴中に新たな成分を添加することなく、明度を高めることができる電気亜鉛めっき鋼板の製造方法を提供する。
【解決手段】 複数のめっき槽で鋼板に複数回電気亜鉛めっきをして亜鉛めっき付着量が１０〜４０ｇ／ｍ²の電気亜鉛めっき鋼板を製造する際に、少なくとも１槽以上のめっき槽で鋼板電気亜鉛めっきを施す前段めっき工程、および、少なくとも１槽以上のめっき槽で鋼板電気亜鉛めっきを施す後段めっき工程を有し、さらに前記前段めっき工程と前記後段めっき工程の間に、少なくとも１槽以上のめっき槽で鋼板を亜鉛めっき液へ無通電で浸漬通板させる浸漬工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 酸性電気銅メッキ浴において、先ず、均一電着性に優れ、次いで、高いビアフィリング能力を発揮する。
【解決手段】 可溶性銅塩及びベース酸を含有する電気銅メッキ浴において、ベース酸がグリコール酸、乳酸、クエン酸、リンゴ酸、グルコン酸、グルコヘプトン酸よりなる群から選ばれたオキシカルボン酸又はその塩の少なくとも一種である電気銅メッキ浴である。また、これらの特定オキシカルボン酸と有機スルホン酸の混合酸、或は、イセチオン酸などの特定の有機スルホン酸をベース酸としても良い。特定の有機酸をベース酸にする銅メッキ浴であるため、従来の硫酸銅浴などに比して素地表面への均一電着性に優れる。さらには、高いビアフィリング能力も有するため、ビアホールとスルーホールの混在する基板にも良好に適用できる。 （もっと読む）

【課題】 電気メッキ工程でニッケル／非磁性層構造の多層金属テープを製造、既存の工程に比べて磁気ヒステリシス損失が極めて抑制され、二軸配向性に優れた低磁気ヒステリシス損失の二軸配向性多層金属テープ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の製造方法は、単結晶又はそれに近い配向性を有する負極と、高純度ニッケル板より構成された正極とよりなる電気メッキ浴槽で負極を回転させて、表面に二軸集合組織を有するニッケル金属層を形成させる段階と、前記負極の表面に形成されたニッケル金属層を水洗槽で洗浄する段階と、前記洗浄されたニッケル金属層を非磁性金属メッキ浴よりなるメッキ槽で負極を回転させて、その表面に非磁性金属層を形成させ、ニッケル／非磁性金属層を製造する段階と、前記ニッケル／非磁性金属層よりなる金属テープを剥離して巻き取る段階とで構成される。 （もっと読む）

【課題】 フェースダウン方式の噴流めっき装置において、操作性を損なうことなく、ブラックフィルム等に起因する微小な固形異物による、めっき品質の低下を防止する。
【解決手段】 フェースダウン方式のめっき装置において、半導体ウェハ１と陽極電極５との間に、隔壁７が設けられており、陽極電極５と半導体ウェハ１とが隔壁７により隔離され、めっき処理槽１００が被めっき基板室と陽極電極室とに区分されている。 （もっと読む）

【課題】陽極管理の容易化によるコストダウンと、メッキ液の循環性改善による高速処理化を図る。
【解決手段】外周面に陽極２１を露出させた固定ドラム２０と、固定ドラムの外周に配置され、長手方向に送り移動されるワークＷが巻き付けられる回転ドラムと、回転ドラムの下側に形成され、回転ドラムの周方向に連続し且つ回転ドラムの外周から内周に貫通するように設けられた環状開口３５と、固定ドラムの内部を通り、ワークが巻き付けられる回転路ドラムの前記所定巻付角度範囲の角度位置５２ａに対応する固定ドラム外周上の位置に開口したメッキ液供給通路２２と、回転ドラム外周に巻き付けられたワークと環状開口の周壁と固定ドラムの外周とで囲まれるトンネル状空間５２を流路とし、該流路にメッキ液を供給するメッキ装置およびメッキ方法を発明した。 （もっと読む）

【課題】 めっき液中の異物混入を防止してめっき不良率を低減すると共に、機構部分の腐食対策も行え、エア溜まりによるめっき未着を防止できるめっき装置を提供する。
【解決手段】 一側壁部が開口された処理槽３１を有する処理ユニット３４と、保持面３２ａに複数の被めっき物１０が着脱可能に保持されるキャリアセットユニット３２と、めっき液タンク３８と、めっき液タンク３８からめっき液を処理槽３１内に供給するポンプ４０と、処理槽３１内に送り込まれるめっき液を濾過するフィルター４０と、処理槽３１内のめっき液をめっき液タンク３８に戻す排出管４１と、排出管４１に介装されたバルブ４２とを具備し、保持面３２ａに複数の被めっき物１０が保持されたキャリアセットユニット３２を、保持面３２ａに保持された被めっき物１０が処理槽３１内に臨むようにして処理槽３１の開口された部分３５を覆って装着される。 （もっと読む）

【課題】メッシュ状の導電層上に均一な膜厚でメッキ層を形成して、電磁波シールド性光透過窓材を製造する方法及びそのために有利な簡易なメッキ装置を提供する。
【解決手段】メッキ液が満たされるメッキ槽、該メッキ槽内に配置された陽極電極、及び該陽極電極に陽極電圧が印加されると同時に陰極電圧が印加される被メッキ材料を、該陽極電極に対向して配置するための固定手段を備え、該被メッキ材料に電気メッキを施すことにより電磁波シールド性光透過窓材を製造するためのメッキ装置であって、前記被メッキ材料が透明基板及び該透明基板上に設けられたメッシュ状の導電層からなり、そして前記陽極電極が、中央領域と該中央領域の外側に配置された複数の板状の外側領域とが連結された形状を有し、且つ該中央領域の容積が、外側領域の容積より大きいことを特徴とするメッキ装置。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般に、単一のメッキプロセスに対して複数の化学物質を与えるように構成された電気化学的処理システムを提供する。これらの複数の化学物質は、一般に、処理システムに位置決めされた個々のメッキセルへ配送される。個々の化学物質は、一般に、バリア層への直接的なメッキ、合金メッキ、薄いシード層へのメッキ、最適な特徴部充填及びバルク充填メッキ、最小限の欠陥を伴うメッキ、及び／又は複数の化学物質を使用して各化学物質の希望の特性の利点を取り入れられる他のメッキプロセス、を遂行するのに使用できる。
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粉末材料、特にナノメートル又はサブミクロン範囲の平均直径を有する超微細粉末を、電解プロセスによってコーティング又は処理する装置及び方法。プラテン（３０）は、固定シャフト（２０）上で回転するように取り付けられ、回転式貫流電解セル（３６）は、プラテン（３０）上で回転するように取り付けられ、セルの回転軸線（Ｂ）は、プラテンの回転軸線（Ａ）からオフセットする。セルの回転軸線（Ｂ）は、プラテン（３０）が回転する際に、プラテンの軸線（Ａ）を中心に回転する。したがって、電解セル（３６）は、セル（３６）がプラテンの回転軸線（Ａ）を中心に回転する際に遊星回転を与えられる。セルの遊星回転（Ｂ）は、粉末材料を遠心力によって収集し、絶えず撹拌して、均一な電気メッキを促進できる。処理対象の粉末材料と実際に接触する電極のみに電位を印可可能な、電極アレイ（４４）及び転がり接触システムが供給される。
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高度に制御された電着工程中に基板への電流配分を最良化させるよう、その形状が可変である動的形状アノードが開示されている。工程の改善された制御は基板全体にさらに均一な厚みの堆積物を提供し、サブミクロン特徴部のメッキ加工を改善する。そのようなアノードはサブミクロン構造部のメッキに特に有用である。アノードは金属イオン源を利用でき、カソードの近くに設置されて基板の汚染を最低限に抑える。アノード形状は堆積処理中に変更可能である。アノードは複数の同心領域を有することができ、それぞれは独立した電圧と電流で利用できる。
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