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Fターム[4K024CB01]の内容

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Fターム[4K024CB01]に分類される特許

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【課題】シールローラによって基材を挟持せずに、処理槽に形成された開口からの処理液の流出を抑制するシール機構を備えた基材処理装置を提供する。
【解決手段】処理槽1の対向側面1bに、上下方向に向けた状態で搬送される基材wが通過する細長状の開口10を形成し、開口の周囲にシール機構2を備えた基材処理装置とした。シール機構として、基材の両側方に軸線方向を上下方向に向けて回転自在に配設された一対の回転ローラ20と、回転ローラの回転駆動手段とを設けた。また、少なくとも開口の液面下から当該開口の下端部に至る長さ寸法を有する回転ローラを、基材との間に0.1mm以上であって2.5mm以下の間隔を隔てた位置に配設し、回転駆動手段によって、回転ローラの外周面の周速が基材の搬送速度と同期して、外周面の基材側の対向部が基材と同方向に回転するように、回転ローラを駆動させる。 (もっと読む)


【課題】 半導体ウエハ下に電解メッキにより形成される柱状電極の高さのばらつきを軽減する。
【解決手段】 カップ状のめっき槽1の周壁上部の等間隔で離間する4領域には第1〜第4のめっき液流出ノズル9a〜9dが設けられている。そして、めっき槽1内の下部中央部に設けられためっき液噴出ノズル6からめっき液4をめっき槽1内に噴出させるとともに、第1〜第4のめっき液流出ノズル9a〜9dから順次めっき液4を水平に流出させる。これにより、半導体ウエハ18の下面に対するめっき液4の主な流れ方向が順次変化し、半導体ウエハ18の下面全体に対するめっき液4の流れが均一化され、めっきの均一性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】Niアノード表面の不動態化を抑制して、電流効率および成膜レートの低下を防止する。安定したNiめっき膜を供給することで品質向上に寄与し、また、安定した生産能力を維持できる電解Niめっき装置を提供する。
【解決手段】平均グレインサイズが10μm以下であるニッケル(Ni)アノードを備えることを特徴とする電解Niめっき装置。 (もっと読む)


【課題】低張力でフィルムを搬送させても、特別な外部動力を用いずに、フィルムが液中ロールの外周面上でスリップしてフィルム表面に擦り傷が発生すること防止しながらフィルム表面に連続的にめっきを実施することができるめっき装置を提供する。
【解決手段】少なくとも1つのめっき槽と、少なくとも1つの水洗槽とを有し、該めっき槽内及び該水洗槽内にはそれぞれフィルムの搬送方向を変える液中ロールを設け、フィルムの表面に連続的にめっき処理するめっき装置であって、少なくともめっき槽の一つに設けられた液中ロールの表面に、該ロール内部に供給されためっき浴液循環液を排出して該ロールの表面とフィルムの間に液膜を形成しフィルムを浮上させる、複数の透孔が設けられためっき装置。 (もっと読む)


【課題】低張力でフィルムを搬送させても、特別な外部動力を用いずに、フィルムが液中ローラーの外周面上でスリップしてフィルム表面に擦り傷が発生すること防止しながらフィルム表面に連続的にめっきを実施することができるめっき装置を提供する。
【解決手段】少なくとも1つのめっき槽と、少なくとも1つの水洗槽とを有し、該めっき槽内及び該水洗槽内にはそれぞれフィルムの搬送方向を変える液中ローラーを設け、フィルムの表面に連続的にめっき処理するめっき装置であって、少なくともめっき槽の一つに設けられた液中ローラーの側面又は軸に固着され、めっき浴液の循環液の吹き付けにより回転し、該液中ローラーの回転を補助する回転補助駆動手段を設け、該液中ローラーの回転速度とフィルムの搬送速度を同調させるよう構成しためっき装置。 (もっと読む)


【課題】基板上の水平電気めっき電着方法及び水平無電めっき方法を提供すること。
【解決手段】水平電気めっきの設備の一種で、その主要は一組みのめっき液当て板、一組の第一電極、一組のネット状、面状または針状第二電極、電極再生とめっき液回収システムを含む。基板が水平に定位に送り込まれた場合、前述めっき液緩流当て板と接触陰極をもって基板を挟み持って導電を行い、更にめっき液の注入を通じて上側の陽極と接触し、電気めっきの環境を形成して陰極側の基板の片面電気めっきを行い、または電着液の注入を通じて上側の陰極と接触し、電着の環境を形成して陽極側の基板の片面彩色フィルター顔料、染料または導電性フォトレジスト電着を行う。 (もっと読む)


【課題】めっき後の超音波洗浄の洗浄力を確保しつつ、リードフレームの表面に残留する洗浄水の量を減らすことでめっき被膜の表面に厚い酸化膜が形成されるのを防ぐことができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】リードフレームの表面にめっき被膜を形成するめっき工程と、めっき工程の後に、リードフレームを温度が50℃以下の洗浄水に浸して超音波洗浄を行う第1の超音波洗浄工程と、第1の超音波洗浄工程の後に、リードフレームを温度が60℃以上の洗浄水に浸して超音波洗浄を行う第2の超音波洗浄工程と、第2の超音波洗浄工程の後に、リードフレームの水切り及び乾燥を行う工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】ルテニウム膜の表面の不動態層(酸化ルテニウム)を除去した後、連続して電解めっきを行うことができ、しかもルテニウム膜の表面の不動態層(酸化ルテニウム)を除去する時のターミナルエフェクトを改善できるようにする。
【解決手段】基板上のルテニウム膜をカソードとした電解処理により該ルテニウム膜表面に形成された不動態層を電気化学的に除去する電解処理装置22と、基板上のルテニウム膜の表面に電解銅めっきを行う電解銅めっき装置24と、電解前処理部22と電解銅めっき装置24とを収容する装置フレーム12とを有する。 (もっと読む)


対象物の表面の少なくとも一部を処理するための流体メニスカスを利用する湿式処理装置および方法である。対象物の表面の1つが処理された後に、対象物の他の側面または表面が同様に処理されうる。いくつかの例を挙げれば、この処理はコーティング、エッチング、めっきでありうる。この装置と方法の用途は、半導体処理産業、特にウェハおよび基板の処理にある。この方法と装置は、電子構成部品の多数の表面の処理をも可能にする。 (もっと読む)


【課題】金属基体の表面に電気めっきする際に、金属基体の溶解を防止して極めて薄い金属基体であっても正常に電気めっきできるようにした電気めっき方法を提供すること。
【解決手段】金属基体の表面に電気めっきする際に、電気めっき液19中に金属粉末を分散させた状態で電気めっきを行う。そうすると、電気めっき液19中の金属濃度は飽和もしくは過飽和状態となっているので、金属基体22の溶解速度を抑えることができるとともに、誘導共析現象を利用して短時間で平滑な表面のめっき層が得られる。本発明の電気めっき方法は、金属基体22が基板上に設けられた絶縁膜の表面に形成された金属薄膜からなる場合であっても、前記金属が銅、亜鉛、鉄、ニッケル、コバルトの場合であっても適用可能である。また、本発明の電気めっき方法は超臨界流体ないしは亜臨界流体を使用した電気めっき方法にも適用可能である。 (もっと読む)


【課題】電解液やメッキ液が均一に分散されて均一な研磨面あるいはメッキ面が得られるようにする。
【解決手段】被研磨物や被メッキ物に圧接されて相対的に摺動されるパッドにおいて、被研磨物や被メッキ物に圧接される研磨層3を、超極細繊維で構成するとともに、下地層4に貫通孔4を形成し、貫通孔4を介して供給される電解液やメッキ液が、超極細繊維からなる研磨層3で均一に分散され、電流密度が均等になるようにしている。 (もっと読む)


【課題】メッキの際のマスキングの面倒を少なくして作業効率のアップ及びコストの削減を図る。
【解決手段】背面にベース1が一体化された金属セラミック複合部材4の金属板3の接合面側に、金属板3上のメッキ予定箇所に対応した開口21を有する枠状のマスキング部材20を被せて、開口21の周囲を金属セラミック複合部材4に密着させることでシールし、金属板3を下に向けた姿勢で、マスキング部材20を通して金属セラミック複合部材4にメッキ液110を下側から接触させることにより、金属板3上のメッキ予定箇所にメッキを施す。 (もっと読む)


【課題】添加剤を含むめっき液でめっき処理を行う際に、添加剤の消費を低減する。
【解決手段】めっき処理装置200は、めっき槽201中に配置された被処理基板100とアノード220との間に、中性濾過膜210と陽イオン交換膜208との積層体204を、被処理基板100側に中性濾過膜210が位置するように配置して、積層体204によりめっき槽201を被処理基板100および添加剤を含む第1室202aとアノード220を含む第2室202bとに隔離した構成を有する。 (もっと読む)


【課題】 ウェハーの被めっき面全面でのめっき膜厚が均一となるウェハーめっき処理技術を提供する。
【解決手段】
めっき槽の開口部にウェハーを配置し、ウェハー外周側とカソード電極とを接触させ、めっき液を供給し、ウェハーに到達しためっき液がウェハーの被めっき表面の外周方向に流動させるようにして、めっき槽内にウェハーと対向させて配置したアノード電極と前記カソード電極とによってめっき電流を供給して、ウェハーにめっき処理を行うウェハーめっき方法において、前記アノード電極は、ウェハーの被めっき面と略同一形状とし、アノード電極の周縁へ複数の周縁電流供給部を設けるとともに、アノード電極の中央へ中央電流供給部を設け、前記周縁電流供給部から供給する周縁めっき電流と、中央電流供給部から供給する中央めっき電流とを調整するものとした。 (もっと読む)


【課題】線材の長さ方向における電気伝導性に優れた電気複合めっき線材、電気複合めっき線材の製造方法及び電気複合めっき線材の製造装置を提供すること。
【解決手段】長軸と短軸の長さ比が10以上の微粒子をその長軸方向が電気複合めっき線材長さ方向に沿うように含有している電気複合めっき被膜を線材表面に形成して成る電気複合めっき線材。該線材は、有底容器12と筒状陽極14を備えるめっき液槽10、複合めっき液流れ制御手段20及び線材走行制御手段30を具備し、複合めっき液流れ制御手段20が筒状陽極14内で複合めっき液4を一方向に流し、線材走行制御手段30が筒状陽極14内で複合めっき液4の流れと同一又は逆方向に線材2を走行させる装置を用いることによって製造する電気複合めっき線材製造方法および該製造装置。 (もっと読む)


【課題】被めっき面への気泡の滞留を確実に防止することができる電解めっき装置および電解めっき方法を提供する。
【解決手段】半導体基板100を支持する保持体104とめっき液102とを水平方向に相対的に移動させる。これにより、半導体基板100の表面に、半導体基板100の表面に沿った力を作用させることができる。このため、半導体基板100の被めっき面に存在する気泡を排出することができ、均一なめっき膜を安定して形成することができる。なお、保持体104とめっき液102との相対的な移動は、例えば、保持体104を水平方向に移動させる、あるいは、半導体基板100の中心以外に位置する軸心周りに保持体104を回転させることにより行うことができる。 (もっと読む)


工業プロセスでのコーティングとしてのナノ結晶金属もしくはアモルファス金属またはそれらの合金の使用方法が提供される。三つの特定の前記方法が詳説されている。好適な一実施形態は、多数の部品をナノ結晶金属もしくはアモルファス金属またはそれらの合金で大量電着する方法、およびそれによって製造される部品を提供する。別の好適な実施形態は、連続電着処理におけるナノ結晶コーティングまたはアモルファスコーティングの被覆方法、およびそれによって製造される製品を提供する。本発明の別の好適な実施形態は、部品の再加工および復元もしくはそのいずれかの方法、およびそれによって製造される部品を提供する。
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【課題】基板に形成した非貫通穴をめっき法により導体で埋める際の処理時間を大幅に短縮でき、半導体装置の製造コストを削減できる基板処理方法、半導体装置及び基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板Wに非貫通穴100を形成し、非貫通穴100内部にめっき法により導体(めっき膜105)を充填する基板処理方法である。めっき液Qに固体粒子103を含有する。このメッキ液Qで電解めっきを行なうと、めっき膜105の成膜と同時に固体粒子103がめっき膜105中に取り込まれ、めっき膜105の体積が嵩上げされる。 (もっと読む)


【課題】表面抵抗の高いフィルムに、めっきをムラなく均一で、かつ線幅を増大させずにメッシュ状パターン上に電解めっきするめっき処理方法を提供すること。また、それを用いて優れた導電特性を有する導電性膜および優れた電磁波遮蔽効果を有する透光性電磁波シールド膜を提供すること。
【解決手段】表面抵抗が1〜1000Ω/□のフィルム表面に、連続した複数の電解めっき槽を用い、同種類の貴金属を連続的に電解めっきするめっき処理方法であって、複数の電解めっき槽の上流から下流に向けての前半部における累積めっき通電量が、全累積めっき通電量に対し14.40%以上50.20%未満であるめっき処理方法。該方法を用いた導電性膜および透光性電磁波シールド膜。 (もっと読む)


【課題】めっき効率の向上と、被めっき物同士の分離効率の向上とを両立させることができるバレルめっき方法を提供する。
【解決手段】バレルめっき方法では、めっき液5よりも比重が小さく、かつ洗浄液6よりも比重の大きい板状の電気絶縁部材20を、電子部品10と共にバレル3内に収容する。電気絶縁部材20は、電解めっき処理においてバレル3の内壁上部を覆うように存在するので、電子部品10が位置するバレル3の下部に電力線Cが集中し、めっき効率の向上が図られる。一方、電気絶縁部材20は、電子部品10の洗浄処理において電子部品10に覆い被さるようにバレル3内の下部に沈み、電子部品10の流動範囲を規制する。そのため、電子部品10が他の電子部品10や電気絶縁部材20の下面側に頻繁に当たり、電子部品10同士の分離効率が高められる。 (もっと読む)


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