【課題】 真空圧の低いチャンバのメンテナンスの際にも、その真空圧の低いチャンバに対してのみ大気圧に戻すだけで済む真空処理装置を提供する。
【解決手段】 所定の真空圧の第一真空チャンバ（２０）と、この第一真空チャンバ（２０）より真空圧の低い第二真空チャンバ（４２）と、第一真空チャンバと第二真空チャンバとを連絡するゲートロックチャンバ（７０）と、第一真空チャンバとゲートロックチャンバとの間で開閉する第一ゲート弁（ＧＶ１）と、第二真空チャンバとゲートロックチャンバとの間で開閉する第二ゲート弁（ゲート弁ＧＶ２）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】１５００ｎｍ帯の波長帯域で入射角７０°〜７４°のＰ／Ｓ両偏光成分の反射率を１％以下とする。
【解決手段】高屈折率膜Ｈと低屈折率膜Ｌとを基板２００側の第１層を高屈折率膜Ｈとして交互に合計２９層積層する。高屈折率膜Ｈの屈折率ｎ_Ｈ及び低屈折率膜Ｌの屈折率ｎ_Ｌは２．０≦ｎ_Ｈ≦２．２，１．４≦ｎ_Ｌ≦１．５とし、リファレンス波長をλとした時、各層の光学的膜厚ｎｄ_ｉ（１≦ｉ≦２９）が所定の関係（３．５１９λ≦ｎｄ_１≦３．５５３λ，４．８７０λ≦ｎｄ_２≦５．０４９λ，３．４６０λ≦ｎｄ_３≦３．５９４λ，…，０．４４１λ≦ｎｄ₂₉≦０．４８３λ）を満たすものとする。 （もっと読む）

【課題】反応性スパッタリングを用いて、多孔質で屈折率の低い光学薄膜を成膜する。
【解決手段】成膜室２０内に、ターゲット１１の近傍の放電空間を囲う第１の仕切り部材１３と、仕切り部材１３に隣接する第２の仕切り部材１４を設ける。各仕切り部材１３、１４には、スパッタ粒子が通過するための穴１３ａ、１４ａが形成されている。第１の仕切り部材１３による放電空間にはスパッタガスを、第２の仕切り部材１４による反応空間には反応性ガスをそれぞれ供給する。放電空間を通常のスパッタリングよりも高圧にして成膜を行うことで、適度な成膜レートを保ちながら、充分な反応を得た良質で屈折率の低い多孔質膜を安定して成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】 一般的な成膜方法であるスパッタリング法や蒸着法等の物理的気相成長法において、特殊な処理をしなくても、Ｐｔ−Ｆｅ二元系合金膜よりも低温で規則化することができる磁性薄膜を提供すること。
【解決手段】Ｐｔ ４０〜６０ａｔ％、Ｆｅ ４０〜６０ａｔ％およびＰ ０．０５〜１．０ａｔ％ならびにさらに場合によりＣｕおよび／またはＮｉ ０．４〜１９．５ａｔ％より構成される磁性薄膜およびスパッタリングターゲットまたは蒸着材料。 （もっと読む）

本発明は、その上に薄く滑らかで緻密なコーティングまたは膜を有する光学素子の調製、およびそのようなコーティングまたは膜を製造する方法に関する。被覆素子は、＜１．０ｎｍ ｒｍｓの表面粗さを有する。コーティング材料としては、酸化ハフニウムまたは酸化ハフニウムと別の酸化物材料、例えば、二酸化ケイ素との混合物が挙げられる。本発明の方法は、回転している基板上にコーティングまたは膜を堆積させるための逆マスクの使用を含む。
（もっと読む）

【課題】ＦＰＤ用大型マスクにおけるウエットプロセス（レジスト剥離方法やエッチング方法、洗浄方法等）に適したマスクブランク及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】透光性基板上に、透過量を調整する機能を有するＭｏとＳｉを含む半透光性膜を少なくとも有するＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランクであって、
前記ＭｏとＳｉを含む半透光性膜は、マスクブランク及びマスクの製造工程及び使用工程で使用されるアルカリ水溶液（例えば水酸化カリウム（ＫＯＨ））に１５分接触させた前後において、超高圧水銀灯から放射される少なくともｉ線からｇ線に渡る波長帯域における透過率の変化量が５％以下である、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＷＳｉ膜の内部応力に起因する絶縁層、導電層及び半導体層のクラックの発生を防止することが可能な電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電気光学装置用の基板であるＴＦＴアレイ基板１０上に、ＷＳｉ（タングステンシリサイド）からなる下側遮光膜をスパッタリング法により成膜する電気光学装置の製造方法において、ＷＳｉ膜の平均成膜速度が前記スパッタリング法の放電維持限界における平均成膜速度以上、３５Å／ｓ以下となるようにＷＳｉ膜を成膜する。このような条件でＷＳｉ膜を成膜する事により、熱処理により結晶化した後のＷＳｉ膜の内部応力を抑制することができ、ＷＳｉ膜の内部応力に起因する絶縁層、導電層及び半導体層のクラックの発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】光学素子に用いられる誘電体多層膜の製造方法において、誘電体多層膜の特性を容易に精度よく管理することができ、優れた特性の光学素子を得ることができる誘電体多層膜の製造方法を提供する。
【解決手段】光学素子に形成される誘電体多層膜の製造方法において、本成膜前に光学素子と該光学素子の近傍に配置された参照用の参照基板に同時に誘電体多層膜を試験成膜し、試験成膜された光学素子と参照基板の特性を測定し、その特性差を取得する第１の工程と、第１の工程に続いて、光学素子と参照基板に同時に誘電体多層膜を本成膜し、本成膜された参照基板の特性を測定し、該特性と前記特性差に基づいて本成膜された光学素子の特性を取得する第２の工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】多大な工数をかけることなく、光学薄膜の形成後も優れた光学特性を有する光学部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】治具板７に設けられた外側の支持部１０と中心側の支持部８との相対位置の調整を、外側の支持部１０と中心側の支持部８との間の距離の調整で行なう。この調整は、治具板７を基準として行なうので、微小単位で、微少距離まで、再現性良く、任意に調整することができる。その結果、基板２に加える変形も微小単位で、微少量まで、再現性良く、任意に調整することができる。光学薄膜３の形成方法において、基板２と光学薄膜３の材料源や基板２の加熱源等との距離や角度によって、基板２毎の熱膨張や光学薄膜３の残留応力は微妙に異なった値となる。この発明では、基板２毎に調整を行なうので、かかる熱膨張や残留応力に応じた微妙な調整もできる。 （もっと読む）

【課題】高密度であって、焼結工程中に組成の変動が起こらず、成膜中に針立ちの発生やターゲットの変形およびひび割れ等の損傷が起こらず、高透明で低抵抗な透明導電膜を高速成膜により得ることが可能な蒸着用あるいはイオンプレーティング用材料を提供する。
【解決手段】本発明は、酸化インジウム(In₂O₃)と酸化タングステン(WO₃)と酸化マグネシウム(MgO)の化合物又は混合物であることを特徴とする光学薄膜用蒸着材料である。また、本発明は、酸化インジウム(In₂O₃)と酸化タングステン(WO₃)と酸化マグネシウム(MgO)の化合物又は混合物であって、高温酸素雰囲気あるいは高温大気雰囲気中において焼結させた焼結体であることを特徴とする光学薄膜用蒸着材料である。 （もっと読む）

【解決手段】シングルカソードマグネトロンパルススパッタリング法による薄膜の成膜方法において、ターゲット電極に印加する印加電力のデューティ比を６０％以下にすると共に、ターゲット直上の水平方向磁場を３０ｍＴ以上としたこと、又はデュアルカソードマグネトロンパルススパッタリング法による薄膜の成膜方法において、２つのターゲット電極にそれぞれ印加する印加電力のデューティ比を４０％以下にすると共に、ターゲット直上の水平方向磁場を３０ｍＴ以上としたことを特徴とする結晶性薄膜の成膜方法。
【効果】本発明によれば、シングルカソードマグネトロンパルススパッタリング法又はデュアルカソードマグネトロンパルススパッタリング法において、低温あるいは無加熱の基板上へ、ターゲットの状態によらず、常に安定した結晶性薄膜を成膜することができる。 （もっと読む）

本発明は、多数のナノシリンダーがその上に施与されており、その際、それぞれのナノシリンダーは少なくとも４の上下に重なって存在している、１〜１０原子層からなる層を有する基板からなる部材の製造方法に関する。該層は、交互に磁性の元素の原子Ｍと非磁性の元素の原子Ｘとからなり、その際、有利にはＭ＝Ｆｅ、ＣｏまたはＮｉ、およびＸ＝Ｐｄ、Ｐｔ、ＲｈまたはＡｕが選択される。層の数および厚さは、ナノシリンダーの磁気特性に影響を与える。このために、まず準備した基板を、Ａｌ₂Ｏ₃からなるナノポーラス膜により被覆する。引き続き、該ナノポーラス膜により覆われた基板に交互に磁性の元素の原子Ｍと非磁性の元素の原子Ｘとを蒸着させる。最後に、膜の細孔の箇所にナノシリンダーが残るよう膜を除去する。本発明により製造された部材は、磁気メモリー媒体として、回路素子として、またはセンサーとして使用される。 （もっと読む）

【課題】酸化物領域を有する基板上への選択スパッタを実現する膜の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一方が酸化物であり、且つ互いに異なる材料からなる第１及び第２の領域を有する基板を用意する工程、及びバイアススパッタリング法により、該第１及び第２の領域のいずれか一方に選択的に成膜する工程を有する膜の製造方法。第１及び第２の領域が共に、酸化物からなるのが好ましい。一つ以上の元素からなる構成元素群と、構成元素群の異なる複数の領域を有する基体、基体に堆積させるための一つ以上の元素からなる原料元素群と、イオン化した元素を照射する気相成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】光学的性質を劣化させずに長期間に渡って帯電防止効果を保つことができる光学多層膜フィルタと、該フィルタを簡便に製造する光学多層膜フィルタの製造方法、さらに、このような光学多層膜フィルタを組み込んだ電子機器装置を提供すること。
【解決手段】光学多層膜フィルタ１０は、基板１上に形成された複数層からなる無機薄膜２を有し、前記無機薄膜の最表層を構成する酸化ケイ素層の密度が１．９〜２．２ｇ／ｃｍ^３である。 （もっと読む）

【課題】 構造底部のバリア材料厚と比べると、構造側壁においてより厚いバリア材料被覆範囲を有する相互接続構造体、及び、そのような相互接続構造体を製造する方法を提供すること。
【解決手段】 構造底部のバリア材料厚と比べると、構造側壁においてより厚いバリア材料被覆範囲を有する相互接続構造体、及び、そのような相互接続構造体を製造する方法が提供される。本発明の相互接続構造体は、従来のＰＶＤプロセス、従来のイオン化プラズマ堆積、ＣＶＤ、又はＡＬＤによってバリア材料が形成される従来技術の相互接続構造体と比べると、半導体業界のための改善された技術拡張性を有する。本発明によると、構造底部のバリア材料厚（ｈ_ｔ）より厚い、構造側壁のバリア材料厚（ｗ_ｔ）を有する相互接続構造体が提供される。すなわち、本発明の相互接続構造体において、ｗ_ｔ／ｈ_ｔ比は、１００％に等しいか又はそれより大きい。 （もっと読む）

【解決手段】 遷移金属とケイ素と窒素とを含有する材料で構成された単層、又は遷移金属とケイ素と窒素とを含有する材料で構成された層を１層以上含む多層で構成された遮光膜と、１又は２以上のクロム系材料膜とを有し、遷移金属とケイ素と窒素とを含有する材料のケイ素と遷移金属との比が、ケイ素：遷移元素＝１：１〜４未満：１（原子比）であり、かつ窒素含有量が５原子％以上４０原子％以下であるフォトマスクブランク。
【効果】遷移金属含有率が高いことから導電性が確保され、フォトマスク製造プロセスでのチャージアップ防止の機能を有すると共に、フォトマスク製造プロセスにおける洗浄に対して十分な化学的安定性を確保でき、更に、この遮光膜が、これと共に設けられたクロム系材料膜をエッチングする条件である塩素と酸素を含有するドライエッチングに対し高いエッチング耐性を示し、高い微細加工精度が確保される。 （もっと読む）

【課題】有用な透明酸化物薄膜を安定且つ高速に製造するためのスパッタリングターゲット用焼結体、透明酸化物薄膜、及びガスバリア性透明樹脂基板を提供すること。
【解決手段】焼結体は、導電性酸化物と炭化シリコンで構成されている。焼結体中のシリコン含有量が、焼結体中の全金属元素含有量に対して０．５〜９９．５原子％の割合であることを特徴とする。透明酸化物薄膜は、前記焼結体を原料として用いて、スパッタリング法で製造され、シリコンを含むことを特徴とする。ガスバリア性透明樹脂基板は、樹脂フィルム基材の少なくとも一方の面側に前記透明酸化物薄膜を形成することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法などの真空蒸着法で酸化物透明導電膜を製造する際に、大量の電子ビームを投入しても、割れやクラックが発生することのない酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】主としてガリウムおよびインジウムおよび酸素からなる酸化物焼結体、あるいは、主としてガリウムおよび酸素からなる酸化物焼結体であり、ガリウムが全金属原子に対して３５原子％〜１００原子％の割合で含まれ、金属相が含まれず、密度が３．４ｇ／ｃｍ³以上５．５ｇ／ｃｍ³以下である酸化物焼結体とする。 （もっと読む）

【課題】成膜手段による温度上昇に伴う、水晶基板の変形、反りを防止し、正確な成膜パ
ターンを形成することができる水晶基板の成膜方法を提供する。
【解決手段】水晶基板６０の成膜治具は、略中央に案内孔６１が開設される水晶基板６０
の表裏の主面に配設される下マスク４０と上マスク７０と、水晶基板６０の外周を間隙を
有して取り囲む中板５０と、水晶基板６０及び下マスク４０と上マスク７０とを挟み込む
上枠８０及び下枠２０と、基台１０とを備え、下枠２０に突設される案内軸２３に、水晶
基板６０の案内孔６１、下マスク４０の案内孔４１、上マスク７０の案内孔７１を挿通し
て組立てる。中板５０と水晶基板６０の外周とは間隙を有しており、成膜工程の熱膨張に
伴う水晶基板６０の変形、反りを低減し、正確な成膜パターンを形成する。 （もっと読む）

ｐ型酸化亜鉛（ＺｎＯ）を調製する方法が記載される。ｐ型ＺｎＯは、ｎ型ＺｎＯ基材に低エネルギーのアクセプタイオンを注入し、そしてアニールすることによって調製される。別の実施態様では、ｎ型ＺｎＯ基材が低エネルギーのドナーイオンを注入することによって予備ドーピングされる。ｐ型ＺｎＯは種々の光電子素子において用途を有することができ、また、上記のようにして調製されたｐ型ＺｎＯ及びバルクｎ型ＺｎＯ基材から形成されたｐ−ｎ接合が記載される。 （もっと読む）