【課題】膜材料の利用効率を向上させることが可能な蒸着装置、蒸着方法、および有機ＥＬ装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】蒸着装置１００は、膜材料を蒸発させて基板表面に成膜する蒸着装置であって、蒸着槽２０と、蒸着槽２０内に配置され、基板３６を保持する保持部３０と、蒸着槽２０内に保持部３０の基板保持面３４ａに対向して配置され、膜材料を蒸発させる蒸着源４０と、保持部３０を冷却する冷却機構５０と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ほとんど保磁力あるいは飽和磁化が無い非磁性部を記録層に形成することができ、優れた磁気特性の記録媒体を容易に得ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上にＣｒＰｔ₃からなる記録層１３’を形成する工程と、記録層１３’の表面にマスクパターン層１５’を形成する工程と、マスクパターン層１５’から露出した記録層１３’の各部にイオンを照射する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】マスクパターンの高解像度化に効果的なレジストの薄膜化が可能で、ドライエッチング時のローディング効果が低減され、レジスト寸法からのマスク寸法のシフト量の低減が図れ、マスク製造工程数の削減が図れるフォトマスクブランクスおよびそのブランクスを用いて製造したフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板上に単層もしくは２層以上の薄膜が形成されたフォトマスクブランクスにおいて、前記単層もしくは２層以上の薄膜のうち、少なくとも１層が遮光膜であり、該遮光膜が酸素非含有塩素系ガスでドライエッチング可能で、かつフッ素系ガスでは実質的にドライエッチングされない材料を主成分とすることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、（i）単結晶の基板を提供するステップと、（ii）上記基板上に、単結晶の酸化物の層をエピタキシャル成長するステップと、（iii）（ａ）単結晶の酸化物層の表面から不純物を除去するステップと、（ｂ）遅いエピタキシャル成長によって、半導体のサブ層を蒸着するステップと、を有するステップを用いて、サブ層を形成するステップと、（ｉｖ）そのように形成されたサブ層上に、エピタキシャル成長によって、単結晶の半導体層を形成するステップと、を備える固体の半導体構造を製造する方法に関する。本発明は、また、そのように得られた固体の半導体ヘテロ構造に関する。 （もっと読む）

【課題】サブミクロンオーダーの金属膜を透明基板上に確実に形成することができるメタルワイヤーパタンの製造方法、バックライトシステム及びそれらを用いた液晶ディスプレイを提供する。
【解決手段】モールド２０ａにナノインプリント法により凹凸部１１を形成する凹凸部形成工程と、モールド２０ａの凹凸部１１上に真空成膜法またはめっき法により金属膜１３を堆積させる金属膜形成工程と、凹凸部１１上に堆積した金属膜１３のうち、凸部１５上に堆積した金属膜１３を透明基板３０に転写してメタルワイヤー層３２を形成する転写工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高周波域において、透磁率実部μ’と透磁率虚部μ”の比（μ”／μ’）が小さな、優れた高周波用磁性材料およびこれを用いたアンテナ装置を提供する。
【解決手段】基板１２と、この基板１２上に形成され、長手方向が基板１２の表面に対して垂直方向を向いた複数の柱状体を形成する磁性相１４と、これらの柱状体の間隙を充填する絶縁体相１６とから成る複合磁性膜１８を備え、磁性相１４が非晶質であり、基板１２の表面に平行な面内の最小異方性磁界をＨｋ１、最大異方性磁界をＨｋ２とする場合に、Ｈｋ２／Ｈｋ１≧３、Ｈｋ２≧３．９８×１０^３Ａ／ｍの面内一軸異方性を有することを特徴とする高周波用磁性材料１０およびこれを用いたアンテナ装置。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜上に高温アルミニウムスパッタ法により形成されるＡｌ膜に白濁が生じる。
【解決手段】シリコン酸化膜４４へ向けてアルゴンイオンによるスパッタエッチングを行い、先行するエッチバック処理等で生じたシリコン酸化膜４４の表面の微小な凹凸を平滑化する。しかる後、シリコン酸化膜４４の表面に高温アルミニウムスパッタ法によりアルミニウム膜を堆積する。これによりＡｌ膜の白濁が抑制され、これを用いて形成されるアライメントマークの反射率が確保される。 （もっと読む）

【課題】 絶縁体である担体粒子の表面に均等に、かつ排ガスの浄化触媒として機能する場所である排ガスと貴金属ナノ粒子と担体との三相界面が効率よく形成されるように貴金属ナノ粒子を担持させること。
【解決手段】 白金の円柱状カソード電極２２、その外周の絶縁碍子２３、その外周のトリガ電極２４、その外周から所定の間隔をあけた円筒状で一端が真空チャンバ１１内に開口され他端が閉じられたアノード電極２５からなる同軸型真空アーク蒸着源２１を備えた真空アーク蒸着装置１を使用し、カソード電極２２とアノード電極２５との間に間欠的にアーク放電を誘起させて、カソード電極２２から蒸発しプラズマ化される白金を担体のアルミナ粒子Ｐへに到らせ、その表面に白金のナノ粒子を形成させる。 （もっと読む）

【課題】バリアメタルが薄い場合でもＡｌ配線のモフォロジ及びエレクトロマイグレーションを改善することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】まず、半導体基板１１上にＳｉＯ_２層間膜１３（酸化膜）を形成する。次に、ＳｉＯ_２層間膜１３上にＴｉ膜１８を形成する。次に、Ｔｉ膜１８上にＴｉＮ膜３２を形成する。次に、ＴｉＮ膜３２上にＡｌ配線３３を形成する。ここで、Ｔｉ膜１８を形成する工程において、圧力が０．３Ｐａ以下の雰囲気中で物理気相成長法を用いる。これにより、Ｔｉ膜１８とＳｉＯ_２層間膜１３との間にＴｉＯ_２膜３１が形成される。 （もっと読む）

【課題】２層型位相シフト膜の膜厚を薄くし、膜中の欠陥低減とフォトマスクとしてのパターン解像度の改善を可能とすること。
【解決手段】透過率調整膜中を伝播する光の位相シフト量（透過率調整膜中を伝播した光の位相変化量δ＝φ_ｔと、露光時にマスクのパターン面が接している媒質中を透過率調整膜と同じ「厚さ」（距離）だけ伝播した光の位相変化量δ_０＝φ_０の位相差δφ_ｔ＝φ_ｔ−φ_０）と位相調整膜中を伝搬する光の位相シフト量（位相調整膜中を伝播した光の位相変化量δ＝φ_ｐと、露光時にマスクのパターン面が接している媒質中を位相調整膜と同じ「厚さ」（距離）だけ伝播した光の位相変化量δ_０＝φ_０の位相差δφ_ｐ＝φ_ｐ−φ_０）の「符号」が「同符号」となるように「２層型」の位相シフト膜を設計することとした。これにより、位相シフト膜の薄膜化が図られ、膜中欠陥が抑制され、かつ、パターン解像度を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】安価で大量に存在するＷＣ_１−ｘを担体上に分散担持させた新規な燃料電池用触媒材料及びその作製方法を提供すること。
【解決手段】粒径が２〜１０ｎｍのタングステンカーバイト微粒子を担体に担持させてなる。このタングステンカーバイトは、式：ＷＣ_１−ｘ(但し、ｘは０≦ｘ≦０．５である)で表され、アーク放電法により担体に担持せしめる。 （もっと読む）

【課題】 物理的膜厚ｄを均一にするだけでなく屈折率ｎも光学基板（ＯＥ）上で均一にすることで光学膜厚ｎｄを全体で均一にする光学薄膜成膜方法を提供する。
【解決手段】 第１の観点による光学薄膜成膜方法は、真空チャンバー（１２）内に配設された基板（ＯＥ）上に光学薄膜を成膜する方法である。そして、基板保持部（１９）が有する複数の保持枠（３３）に基板を保持させる保持工程（Ｓ１１）と、基板を加熱する加熱工程（Ｓ１２）と、蒸着源から蒸着材料を放出する放出工程（Ｓ１５）と、を備え、保持枠（３３）が基板（ＯＥ）全体を均一に加熱された状態にする。 （もっと読む）

【課題】 ハーフトーン型位相シフトマスクにおける露光波長、レジスト描画波長、及び検査波長等の推移に伴う再設計を適切かつ迅速に行えるようにするべく、遮光膜の反射率波長依存性を容易にかつ正確に調整できる技術を提供する。
【解決手段】 透明基板１上に、露光光に対して所定の透過率及び位相シフト量を有する半透光膜２と、この半透光膜２上に形成された遮光膜３とを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおける遮光膜３の反射率波長依存性の調整方法であって、遮光膜３の最上層部分を、クロム、炭素、酸素、及び窒素を含有してなる反射率調整部３ａとし、この反射率調整部３ａにおける窒素の含有率によって、遮光膜３全体としての反射率波長依存性を調整する。 （もっと読む）

【課題】基板から剥離が可能で、多量の水素透過流量を得ることが可能な極薄膜の水素透過膜を提供する。
【解決手段】ガラス板、セラミックス板、酸化物または窒化物からなる膜厚０．０１〜１μｍのバリア層を被覆したガラス板、酸化物または窒化物からなる膜厚０．０１〜１μｍのバリア層を被覆したセラミックス板、酸化物または窒化物からなる膜厚０．０１〜１μｍのバリア層を被覆したシリコンウエハー、および、酸化物または窒化物からなる膜厚０．０１〜１μｍのバリア層を被覆した金属板からなる群より選ばれる１種である基板に、ＰｄまたはＰｄ合金からなる膜厚０．１〜１μｍｍの水素透過層（１、２）を形成し、得られた水素透過層（１、２）の外周に、ＰｄまたはＰｄ合金からなる膜厚３μｍ以上の外周部（３、４）を形成し、基板上から、得られた外周部（３、４）および水素透過層（１、２）を一体のまま剥離する。 （もっと読む）

【課題】高い結晶品質を有する、多様な材料からなる、完全に緩和した、又は歪んだ半導体層を積層するために絶縁体層の格子寸法を調整するための高い柔軟性を許容する、ＳＯＩ構造の作製のための基板を提供する。
【解決手段】実質的にシリコンからなる単結晶基板ウェハ１、電気絶縁性材料を含み、かつ２ｎｍ〜１００ｎｍの厚さを有する第一非晶質中間層２、立方晶系Ｉａ−３結晶構造と、（Ｍｅ１₂Ｏ₃）_-1-x（Ｍｅ２₂Ｏ₃）_xの組成と、基板ウェハの材料の格子定数と０％〜５％異なる格子定数とを有する単結晶第一酸化物層３を示される順序で含むことを特徴とする半導体ウェハ。 （もっと読む）

【課題】パターン転写時の露光装置に高ＮＡの露光方法を利用した場合の焦点深度による影響に対応でき、ハーフピッチ４５ｎｍ以降の微細パターンを精度良くパターン転写するのに好適な遮光膜を備えたフォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】透光性基板１上に遮光膜２を有するフォトマスクブランク１０であって、前記遮光膜２は、金属と珪素（Ｓｉ）を含み、該金属の含有量が、金属と珪素（Ｓｉ）との合計に対し２０原子％を超える量である。また、このフォトマスクブランク１０における上記遮光膜２をドライエッチング処理によりパターニングすることにより、フォトマスクを製造する。 （もっと読む）

【課題】合金ナノ粒子及び合金薄膜の効率よい作製方法、この方法を実施するための同軸型真空アーク蒸着装置の提供。
【解決手段】少なくとも２つの蒸着源の各トリガ電極と各アノード電極との間にトリガ放電をパルス的に発生させて、異なる金属材料で構成された各カソード電極と各アノード電極との間にアーク放電を発生させる際に、各アーク放電を同時発生させ、各カソード電極の金属材料から生成するナノ粒子を真空チャンバ内へ同時放出せしめ、合金ナノ粒子を作製する。トリガ電極とカソード電極とが、絶縁碍子を挟んで同軸状に隣接して固定され、カソード電極の周りに同軸状にアノード電極が離間して配置されている蒸着源を少なくとも２つ備え、蒸着金属が基板に対して斜入射できるように蒸着源を配置してなり、各トリガ電源にトリガ放電の発生のタイミングをずらすための遅延ユニットが接続されている。 （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ系の強誘電体膜において、焼結助剤やアクセプタイオンを添加することなく、Ｂサイトに１０モル％以上のドナイオンを添加することを可能とする。
【解決手段】本発明の強誘電体膜は、多数の柱状結晶からなる柱状結晶膜構造を有し、下記式（Ｐ）で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とするものである。
Ａ_１＋δ［（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）_１−ｙＭ_ｙ］Ｏ_ｚ・・・（Ｐ）
（式中、ＡはＡサイト元素であり、Ｐｂを主成分とする少なくとも１種の元素である。Ｚｒ，Ｔｉ，及びＭはＢサイト元素である。ＭはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，及びＳｂからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０＜ｘ≦０．７、０．１≦ｙ≦０．４。δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】セラミック多孔体１を用いた小さくて緻密な気孔径で安定した通気抵抗を有するセンサー等のフィルターを提供することを目的とする。
【解決手段】気泡導入された酸化物系セラミック材料からなるスラリー中にモノマーを溶解させ成形用型内に注入するゲルキャスティング法で成形したセラミック多孔体１は、内部が気泡３によって形成される多孔構造で、気泡の径を小さくすることで、小さくて緻密な気孔径のセラミック多孔体が得られ、このセラミック多孔体に化学的蒸着処理で撥水性を有する樹脂２コーティングを施すことで、セラミック多孔体の骨格を形成する表面に均一な薄膜厚が形成でき、小さくて緻密な気孔径で安定した通気抵抗で、かつ、耐汚損性の高く軽くて強度も高いものが得られるようになる。 （もっと読む）

【課題】構造制御が容易で、高周波域で優れた磁気特性を有すると共に長時間に亘って優れた磁気特性の熱的安定性を有する磁性材料を提供する。
【解決手段】Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉのうち少なくとも１種類を含む磁性元素と難還元性金属酸化物とを含むアモルファス複合酸化物を熱処理して難還元性金属を含む酸化物の内部および表面に磁性元素を含む金属粒子を析出させてなる磁性材料。 （もっと読む）