【課題】 紫外線領域および可視光領域の双方において高い光触媒活性を示す光触媒を提供する。
【解決手段】 窒素含有不活性ガス雰囲気および基板温度４００℃以上の条件下、ターゲットを酸化チタンとするＲＦマグネトロンスパッタ法により窒素置換型酸化チタン薄膜を製造する。前記窒素置換型酸化チタンは、ルチル構造を含まず、また窒素置換率が１．５％以上である。前記窒素置換型酸化チタンは、図１のグラフに示すように、紫外線領域および可視光領域の双方において、光吸収性を示す。 （もっと読む）

【課題】 高密度銅配線半導体の銅の拡散を抑制するに際し、膜剥離を生じさせない程度の薄い膜厚で、また細かい配線ピッチでも十分なバリア効果を得ることができ、さらに熱処理等により温度上昇があっても、バリア特性に変化がない高密度銅配線半導体用バリア膜及びバリア膜形成用スパッタリングターゲットの提供。
【解決手段】 Ｃｒ：５〜３０ｗｔ％、Ｔｉ及び／又はＺｒ：１〜１０ｗｔ％含有し、残部が不可避的不純物及びＮｉからなるＮｉ−Ｃｒ系合金膜からなり、膜厚が３〜１５０ｎｍ、膜厚均一性が１σで１０％以下であることを特徴とする高密度銅配線半導体用バリア膜。Ｃｒ：５〜３０ｗｔ％、Ｔｉ及び／又はＺｒ：１〜１０ｗｔ％含有し、残部が不可避的不純物及びＮｉからなるＮｉ−Ｃｒ系合金であって、スパッタ面の面内方向の比透磁率が１００以下であることを特徴とするバリア膜形成用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスかつ高速成膜にて光触媒活性を有する酸化チタン薄膜を安価に製造する。
【解決手段】ガスフロースパッタリングにより、成膜された光触媒酸化チタン薄膜。成膜後、アズデポジッションのアモルファス膜で光触媒活性を示し、その後の焼成で、より一層の光触媒活性の向上が可能である。ガスフロースパッタリングでは通常のスパッタリングより圧力が２桁程度高く、ターゲット表面をアルゴンガスの強制流が流れ、ターゲット表面に酸素ガスが拡散してくるのを防ぎ、ターゲット表面を酸化させることなく常にフレッシュなメタル状態に維持しつつスパッタリングし、スパッタ粒子をアルゴンの強制流にて基板上まで輸送し、基板上で酸素ガスにより酸化させることが可能である。これにより十分な酸素を導入しても通常のスパッタリングのように酸化物モードになって成膜速度が低下することはなく、酸化チタン薄膜の高速成膜が可能となる。 （もっと読む）

【課題】クラスターイオンアシストによる成膜方法において、成膜中の電子チャージによるフッ化物膜のフッ素欠損を防ぐ。
【解決手段】ホルダー２に保持された被処理基板Ｗに、電子ビーム蒸発源２０からの蒸発粒子２０ａとクラスターイオン生成装置３０からのクラスターイオン３０ａを入射させることで、クラスターイオンアシストによるフッ化物膜の成膜を行う。電子ビーム加熱源２２からの反跳電子が被処理基板Ｗに到達してしまうと膜形成に悪影響を及ぼすため、被処理基板Ｗに反跳電子が到達するのを防ぐための反跳電子制御板２３を設けて、被処理基板Ｗのチャージ電位を制御する。 （もっと読む）

【課題】
水素ガスを含んだ雰囲気に曝された時に光学特性が変化する水素検知材料とその作製方法を提供する。
【解決手段】
水素を含んだ雰囲気に曝された時に光学特性が変化する水素検知材料とその作製方法は、（１）上記水素検知材料の主成分が酸化パラジウム(PdO)であり、その形状が薄膜である、（２）上記水素検知材料の表面上に触媒金属層が形成されている、（３）上記触媒金属層は、パラジウム(Pd)、白金(Pt)、金(Au)のいずれかを用いる、（４）上記酸化パラジウム膜は、石英ガラスなどの透明基板上に蒸着したパラジウムを空気又は酸素雰囲気下で500℃〜700℃の温度範囲で熱処理を行い、酸化パラジウム（PdO）を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、物体を１つ以上の表面によってコーティングするためのレーザアブレーション方法であって、コーティング対象の物体、すなわち基材を、コーティング対象の物体へと蒸着される表面の一様性が±１００ｎｍとなるように、ターゲットをアブレーションすることによってコーティングする方法に関する。コーティングされた物体の表面は、有利にはミクロンサイズの粒子が存在せず、典型的には個々の粒子のサイズが最大でも±２５ｎｍであるであるナノテクノロジー表面である。さらに、物体は、前記方法によって製造される製品に関する。
（もっと読む）

【課題】大気中に長時間放置しても高強度を維持することができるエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ａｌ：２０〜５０質量％、Ｅｕ：１〜１０質量％、Ｍｇ：０．５〜２０質量％を含有し、残部がＢａおよび不可避不純物からなる組成、並びにＭｇとＡｌの金属間化合物相およびＥｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相からなる組織を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲットであって、前記ＭｇとＡｌの金属間化合物相は、Ａｌ_３Ｍｇ_２金属間化合物、Ａｌ_１２Ｍｇ_１７金属間化合物およびＡｌＭｇ金属間化合物とからなり、前記Ｅｕが固溶したＢａとＡｌの金属間化合物相は、ＢａＡ１_４金属間化合物におけるＢａにＥｕが固溶している金属間化合物相およびＢａ_７Ａｌ_１３金属間化合物におけるＢａにＥｕが固溶している金属間化合物相からなる。 （もっと読む）

【課題】近紫外域において高い光透過率を有する酸化物膜、また該酸化物膜を得るために必要なスパッタリングターゲットに用いることが可能な酸化物焼結体、さらには、得られた酸化物膜を含む透明基材を提供すること。
【解決手段】酸化物焼結体は、主としてガリウム、インジウム、および酸素からなり、前記ガリウムを全金属元素に対して６５原子％を超えて１００原子％未満含有し、その密度は５．０ｇ／ｃｍ³以上である。酸化物膜は、光透過率が５０％を示す最短波長が３２０ｎｍ以下である。透明基材は、ガラス板、石英板、片面若しくは両面がガスバリア膜で覆われている樹脂板若しくは樹脂フィルム、又は、内部にガスバリア膜が挿入されている樹脂板若しくは樹脂フィルムから選ばれた透明基板の片面若しくは両面に、前記酸化物膜を形成することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】遮光膜のドライエッチング速度を向上させることでローディング現象を低減でき、微細パターンであっても良好なパターン精度が得られるフォトマスクブランクを提供する。
【解決手段】遮光膜２上に形成されるレジストパターン３ａをマスクにしてドライエッチング処理により遮光膜をパターニングするフォトマスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のフォトマスクブランクであって、遮光膜は、クロムを含むスパッタリングターゲットを使用し、雰囲気ガスとして酸素及び／又は窒素を含む活性ガスと、ヘリウムを含む不活性ガスとを含む混合ガス雰囲気下でスパッタ成膜し、遮光膜のドライエッチング速度を高めることで、ドライエッチング時間を短縮する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング装置において、仕込室から成膜室への気体分子流入を効果的に抑制する。
【解決手段】内部にスパッタカソードが配置された成膜室、成膜室に仕切りバルブを介して連接された仕込室、成膜室にメインバルブを介して接続された高真空ポンプ、および仕込室に接続された粗引きポンプを備えたスパッタリング装置において、さらに、高真空ポンプと仕込室とを接続するバイパス配管、および、バイパス配管を開閉するための、メインバルブと同時には開かないように設定可能なバイパスバルブを設けた。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコンの上に剥離しにくい状態で、平坦性が優れて＜１１１＞方向に配向した白金の薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】主表面が（１００）面とされた単結晶シリコンからなるシリコン基板１０１を用意し、シリコン基板１０１の主表面に酸化シリコン層１０２が形成された状態とする。例えば、熱酸化法により酸化シリコン層１０２のが形成可能である。また、ＣＶＤ（化学的気相成長法）により、酸化シリコン層１０２のが形成可能である。次に、白金ターゲットを用い、加えて酸素ガスを導入したＥＣＲスパッタ法により、酸化シリコン層１０２の上に、遷移層１０３を介して膜厚１５０〜２００ｎｍ程度の白金薄膜１０４が形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】β−ＦｅＳｉ_２半導体を、今後様々なデバイスへ用いる場合、光及び電気特性の
制御が必要となる。特に、キャリア濃度の低減と制御、及び光学バンドギャップの値の制
御などは必要不可欠である。
【解決手段】β−ＦｅＳｉ_２の薄膜の物理気相成長法又は化学気相成長法において、基板
温度を４００℃以上とし、成膜時の雰囲気に水素ガスを流入して成長する薄膜中に水素を
混入することによりβ−ＦｅＳｉ_２を水素化させ、水素化の度合いにより光学バンドギャ
ップの値及び比抵抗の値を制御した直接遷移型半導体を形成することを特徴とするβ−Ｆ
ｅＳｉ_２半導体薄膜の製造方法 （もっと読む）

【課題】基板との密着性を高めて膜剥がれを防止すると共に、優れた反射防止特性を有する反射防止膜を提供する。
【解決手段】基板上に施される反射防止膜であって、前記基板側から順に、金属で構成される第１の層と、フッ化物で構成される第２の層とを有することを特徴とする反射防止膜を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板の高温加熱を行わなくても、可視だけでなく紫外領域においても光学吸収が低く、緻密で、環境耐久性が高いクラスタビームによる弗化物膜の形成方法を提供する。
【解決手段】真空蒸着法による膜形成方法とクラスタビームを用いて、つぎのように弗化物膜を形成する。
すなわち、弗化物膜の形成に際し、クラスタイオンビーム源５から合成石英基板７にクラスタイオンビーム照射しながら、抵抗加熱ボード３から弗化物膜材料を真空蒸発させ、合成石英基板７上に弗化物膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜の内部応力のために基板が歪んだり膜剥がれが発生する等のトラブルを効果的に回避できる光学多層膜フィルタの製造方法を提供すること。
【解決手段】光学多層膜フィルタの製造方法は、基板１上に１層以上の無機薄膜を形成する工程と、無機薄膜の最下層と前記基板との間に、前記無機薄膜から前記基板への応力伝達を阻止する有機化合物からなる粘弾性緩衝層２を形成する工程とを備え、粘弾性緩衝層２を形成する工程において、化学気相成長法（ＣＶＤ法）を用いる。ＣＶＤ法を用いているので、粘弾性緩衝層２の成膜速度が速く、実用的な厚さの膜を効率よく作成することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコンの上に剥離しにくい状態で白金の薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】主表面が（１００）面とされた単結晶シリコンからなるシリコン基板１０１を用意し、シリコン基板１０１の主表面に酸化シリコン層１０２が形成された状態とする。例えば、熱酸化法により酸化シリコン層１０２のが形成可能である。また、ＣＶＤ（科学的気相成長法）により、酸化シリコン層１０２のが形成可能である。次に、白金ターゲットを用いたＥＣＲスパッタ法により、酸化シリコン層１０２の上に、膜厚２００ｎｍ程度の白金薄膜１０３が形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】
材料の水素吸着による光学的な透過率の変化により水素を検知できる水素検出材料の製造方法を提供する。
【解決手段】
水素を含んだ雰囲気に触れた時の光学的な透過率の変化をモニターすることにより水素の検知を行う水素検出材料であって、（１）上記水素検出材料の主成分が酸化タングステンであり、その形状が薄膜である、（２）成膜後にイオン照射を用いて水素吸着による着色濃度（光学的な透過率）が調節されている（３）上記水素検出材料の表面上に触媒が堆積されている、（４）室温（２０℃付近）で水素と反応して着色することを特徴とする水素検出材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】パーティクル起因の欠陥を低減させたフォトマスクブランクを製造する方法を提供すること。
【解決手段】最も基本的な構造のサセプタ１１は、第１および第２の透明石英部１１ａとの間に不透明石英部１１ｂを挟み込んだ３層構造を有している。不透明石英部１１ｂは例えば「泡入り石英」などの素材が用いられる。また、閃光に対する不透明度は、基板１０上に設けられた薄膜の組成や膜厚ならびに閃光処理する際の照射光エネルギなどの諸条件との関係を考慮して、適当な範囲の値となるように不透明石英部１１ｂの材料選択や厚み設定により決定される。なお、この積層構造は、互いに不透明度が異なる不透明石英部を複数積層させることとしてもよく、光透過性材料からなる層をｎ層（ｎは２以上の自然数）積層させた構造とし、これらｎ層のうちの少なくとも１層をその不透明度が他の層とは異なる構造とすることもできる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、ビューポートを構成している接着行程をなくし、製造コストを下げ、さらに紫外線の透過率を向上させることである。
【解決手段】 ビューポートの保護膜をエアロゾルデポジションによるアルミナあるいはイットリアなどの薄膜セラミックで形成する。 （もっと読む）

【課題】 電極膜としてのクロム膜を形成する際の引っ張り応力の発生を減少させ、ＣＩ値、温度特性などの特性劣化を防止することが可能な圧電振動片の製造方法を提供する。
【解決手段】 ジャイロ振動片１０の駆動アーム１５Ｂの表裏面にクロム膜１９Ｂを２０ｎｍ〜５０ｎｍ程度の厚さに形成する。クロム膜１９Ｂは、スパッタリング装置５０を用い、スパッタリング法によって形成する。このときの、スパッタリング装置５０の容器５１内の圧力は、０．２８Ｐａ（パスカル）以上０．３２Ｐａ（パスカル）以下とする。 （もっと読む）