【課題】固体表面の改質方法及び表面改質された基材を提供する。
【解決手段】基材の表面に、環状、枝状、又は直鎖構造からなる有機分子を共有結合を介して被覆し、分子膜を形成し、それにより、液体と固体表面の相互作用を著しく抑制して、前進接触角（θ_Ａ）と後退接触角（θ_Ｒ）の差（θ_Ａ−θ_Ｒ、ヒステリシス）を小さくすることで、液滴の滑落・滑水性、耐水性、固体表面からの液滴の除去性を向上させて耐食性あるいは防食性にして、ヒステリシスが５°以下の撥水性、超撥水性を示す表面に改質する、固体表面の改質方法、及びその表面改質された基材。
【効果】固体表面を極めて小さいヒステリシスを有する表面に改質することを可能とする固体表面の改質方法、及び動的接触角の差が極めて小さいため、塩水が表面に残存しにくい、優れた耐食性を示す基材を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】所望の基体上の任意の位置及び形状に、所望の色彩を放つ発光素子を形成する手法を確立する。
【解決手段】固体有機ポリシロキサン１に、波長１９０ｎｍ以上２６６ｎｍ未満のレーザー光２を照射することにより発光改質層を形成し、レーザーアブレーションにより発光改質層を所望の基体７上に薄膜化することにより、所望の基体７上の任意の位置及び形状に、所望の色彩を放つ発光素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】分子配向方向が制御された電荷輸送性非晶質薄膜を得る方法を提供する。
【解決手段】明確な融点を示さず、６０℃以上のガラス転移点（Tg）を有し、分子量４００〜２５００の範囲にあり、電荷輸送性のアミン系π共役化合物であって、該π共役化合物が内接する最小直径の円筒の長さ(L)と直径(D)の比(L/D)が２．５以上であるπ共役化合物を、基板に蒸着製膜する際に、基板温度を制御することにより、π共役化合物の配向方向を制御して電荷輸送性非晶質膜の配向方向を制御する方法、及び蒸着する基板の温度を０℃〜Tg-３０℃の範囲に制御してπ共役化合物の分子配向が基板に対して水平方向に配向した電荷輸送性非晶質薄膜を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】被加工物の被加工面を加工することにより平坦性の高い被加工面を形成することのできる加工方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る加工方法は、処理液３０中に被加工面２０ａを有する被加工物２０を設置する被加工物設置工程と、光触媒を含む薄膜を被加工面２０ａに対向させて処理液３０中に設置する薄膜設置工程と、薄膜に光を照射して、光触媒の光触媒作用により処理液３０から活性種４０を生成させる活性種生成工程と、活性種４０と被加工面２０ａの表面原子２２とを化学反応させ、処理液３０中に溶出する化合物５０を生成させることにより被加工物２０を加工する加工工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板の表面状態の影響を低減して微細構造を所定の位置に形成でき、かつ基板に効率よく高周波を伝送できる微細構造物の蒸着装置及び方法を提供する。
【解決手段】圧電体１１の表面に間隔を隔てて位置する少なくとも１対の電極１２，１３を有する表面弾性波素子１０と、表面弾性波素子の表面に２以上の物質Ａ，Ｂを真空蒸着可能な真空蒸着装置２０と、表面弾性波素子の電極間に高周波電圧を印加する高周波印加装置３０とを備え、前記高周波電圧の印加により表面弾性波素子の表面に表面弾性波の定在波を発生させた状態で、複数の薄膜層を構成し、定在波の特定位置に微細構造物を蒸着する。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比が高くて幅が狭い凹状フィーチャーに誘電層を形成するための新規方法を提供する。
【解決手段】間隙に流動性重合膜をプラズマ強化化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法によって形成した後で、当該膜を誘電材料に変換するためのインサイチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）処理を実行することを含む。インサイチュ処理は、純粋な熱処理プロセスまたはプラズマ処理プロセス。堆積−インサイチュ処理−堆積−インサイチュ処理というプロセスを実行して、間隙に誘電層を形成する。この一連の手順は、間隙をボトムアップ式に充填するべく必要なだけ繰り返される。エクサイチュ処理後プロセスは、間隙の充填が完了した後で実行される。特定の実施形態によると、誘電率が３．０未満の膜が形成される。上記プロセスは、フロントエンドおよびバックエンドの間隙充填に利用可能である。 （もっと読む）

耐プラズマコーティング材料、耐プラズマコーティング、及びそのようなコーティングをハードウェア部品上に形成する方法。一実施形態では、ハードウェア部品は静電チャック（ＥＳＣ）であり、耐プラズマコーティングはＥＳＣの表面上に形成される。耐プラズマコーティングは、熱溶射以外の方法によって形成され、これによって有利な材料特性を有する耐プラズマコーティングを提供する。
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本発明は、反転して増大する有機感光性光電子デバイスに関する。本発明の反転型有機感光性光電子デバイスは、反射電極、前記反射電極の上の有機ドナー−アクセプターヘテロ接合、および前記ドナー−アクセプターヘテロ接合上の透明電極を含む。 （もっと読む）

本発明は、可視域から近紫外域にかけてまで（すなわち、２２０ｎｍの波長まで）であるスペクトル領域において、高い屈折率並びに良好な光学特性（すなわち、低い吸収と散乱）及び低い内部応力を有する光学コーティング（３，３'）に関する。本発明によるコーティング（３，３'）は、１ａｔ％〜１０ａｔ％、殊に１．５ａｔ％〜３ａｔ％のケイ素割合（ｙ）を含有する、ハフニウム又はジルコニウムを含むＨｆ_xＳｉ_yＯ_zもしくはＺｒ_xＳｉ_yＯ_zから成る。
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【課題】Ａｇ膜の凝集が生じ難い照明用、ミラー用またはディスプレイパネル用の反射体を提供する。
【解決手段】本発明に係る照明用、ミラー用またはディスプレイパネル用の反射体は、基板の一方の面に純ＡｇまたはＡｇ基合金の反射膜を有する反射体であって、上記基板は、ＪＩＳ Ｋ７２０９（Ａ法）に基づき、２３℃の純水に２４時間浸漬したときの吸水率が０．１％未満の樹脂で構成されている。 （もっと読む）

【課題】 焼成が必要な透明導電膜前駆体について、膜強度や導電性への影響が無く、簡便に焼成処理を行い得る透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 基材上に形成され焼結によって透明導電膜を形成する透明導電膜前駆体の表面に、レーザー光に対して吸収のある吸収剤を含む吸収剤含有液を塗布し乾燥させることにより吸収剤層を形成し、該吸収剤層に吸収のある波長を有するレーザー光を該吸収剤層に照射することにより、前記透明導電膜前駆体を焼結させて透明導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】真空蒸着の際に、真空蒸着装置の真空度が落ち難く、且つ、スプラッシュ量が少ない酸化タンタル蒸着材およびその製造方法、並びに蒸着膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｔａ_２Ｏ_５を１２００℃以上で焼成するＩ工程と、Ｉ工程で得られた焼結体を真空雰囲気下で電子ビーム溶解法によって溶解して酸化タンタル蒸着材を得るＩＩ工程、を有する酸化タンタル蒸着材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い基板の成膜方法、および圧電振動子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電振動子の製造方法であって、少なくとも、圧電基板の被成膜領域を所定範囲で分割した開口を有するマスクに圧電基板を保持する工程と、蒸着法またはスパッタリング法により前記開口を通して前記圧電基板表面に薄膜を形成する工程と、前記薄膜上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜を圧電振動子の形状にパターニングする工程と、圧電振動子の形状にパターニングされた前記レジスト膜をマスクとして露出した薄膜を除去する工程と、前記薄膜をマスクとして前記圧電基板をエッチングする工程と、を有する圧電振動子の製造方法とする。 （もっと読む）

作動波長域を軟Ｘ線領域又は極紫外線領域とする、特にＥＵＶリソグラフィにおいての使用のための応力軽減型反射光学素子を製造するために、基材と作動波長域においての高反射率のために最適化された多層系との間に応力軽減型多層系を４０ｅＶ以上の、好適には９０ｅＶ以上の、エネルギーを有する層形成粒子によって蒸着することが提案される。得られる反射光学素子はその低い界面粗さ、応力軽減型多層系における周期数の少なさ及び応力軽減型多層系におけるΓ値の高さにより特徴付けられる。
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【課題】 電気抵抗のさらなる低減化と基板表面に対する銅薄膜の密着性の確保との両方を高いレベルで達成することができ、かつスパッタリングプロセスで用いられる金属ターゲット材のコスト削減やそれを用いたスパッタリングプロセスを中心として全体的な製造プロセスのコスト低減を達成することを可能とした、銅配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の銅配線基板の製造方法は、ガラスまたは石英からなる基板１の表面２に、例えばＡｒガスのような不活性ガスのプラズマ４を照射することで、その表面２に改質を施して、その基板１の表面２自体における純Ｃｕに対する密着性を向上させ、その基板１の表面２の直上に、銅薄膜３をスパッタリングによって形成することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】溝を埋め尽くすように形成されるＣｕ層中のＭｎの残留量の増加を生じることなく、溝の側面上における合金膜の膜剥がれの発生を防止することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉおよびＯを含む絶縁材料からなる第２絶縁層６に、第２溝１１が形成される。次に、スパッタ法により、第２溝１１の内面に、ＣｕＭｎ合金からなる合金膜１８が被着される。この合金膜１８は、第２溝１１の内面に接する部分のＭｎ濃度が相対的に高く、その表層部分のＭｎ濃度が相対的に低くなるように形成される。次いで、合金膜１８上に、Ｃｕからなる第２配線１４が形成される。第２配線１４の形成後、熱処理により、第２配線と第２絶縁層６との間に、ＭｎＳｉＯからなる第２バリア膜１３が形成される。 （もっと読む）

【課題】成膜する際に基板表面に異物が付着することにより膜に欠陥が生じるのを防止し、製造歩留りを向上できる成膜装置を提供すること。
【解決手段】成膜装置１００は、膜材料２２を蒸発させて基板２８の表面２８ａに成膜する成膜装置であって、成膜室１０と、成膜室１０内の底部１４側に配置されており、膜材料２２を収容するハース２０と、成膜室１０内にハース２０に対向して配置されており、基板２８を保持する保持部２６と、成膜室１０内にプロセスガス４９が導入されるガス導入口１８と、成膜室１０の底部１４に設けられた開口部１４ａと、開口部１４ａを介して成膜室１０に連通されており、成膜室１０内の雰囲気を排気する排気口３４が設けられた排気室３０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性が高いシリコン層を形成できる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の製造方法は、シリコンの結晶粒を含むシリコン層を備える基板の製造方法である。この製造方法は、Ｙ₂Ｏ₃の含有率が６モル％以上であるイットリア安定化ジルコニア層１２を基材１１上に形成する第１の工程と、イットリア安定化ジルコニア層１２上に気相堆積法によってシリコン薄膜１６を形成する第２の工程とを含む。 （もっと読む）

太陽光による劣化に対して高い耐性を有する、乾式蒸着法を用いて、ＴｉＯ_２またはＺｎＯの透明の薄膜にて被覆された石骨材から製造された石板状または敷石状の物品であって、これらは、低い光触媒作用を有するか、または光触媒作用を有さないＴｉＯ_２および／またはＺｎＯの透明の薄膜で被覆された石骨材から製造された石板状または敷石状の形態であり、上記膜は乾式蒸着法、物理気相成長法（ＰＶＤ）またはプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）によって蒸着されている。上記の物品は、太陽光による劣化に対して高い耐性を有している。これは、得られた材料が外部環境に適していることを意味する。 （もっと読む）

【課題】アーキングの抑制とクリーニング頻度の低減により、欠点の少ない膜を生産性よく製造する。
【解決手段】陽極部(30)の内部又はその近傍に補正磁気回路(32)を設け、ターゲット(18)を貫通する磁力線の一部が防着板(27)を迂回して陽極部(30)の一部を貫通する磁界を形成する。防着板(27)は、補正磁気回路(32)単独の磁力線が陽極部(30)表面の法線と最も平行に近くなる点のうち、該法線方向の前記陽極の一部を貫通する磁界の貫通位置に近い方の点における法線の方向(48)とのなす角度が１０度以下の着膜側表面(27Ａ)を有する。 （もっと読む）