【課題】パターン形成用薄膜中のその周囲よりも多く酸素を含有する６０ｎｍ以上１５０ｎｍ未満の大きさの高酸化物欠陥数を低減させ、高いレベルの欠陥品質を要求されるマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板１上に金属及びケイ素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなるパターン形成用薄膜２をスパッタ成膜装置を用いてスパッタリング法で形成することによりマスクブランク１０を製造する。ここで、透光性基板１が搬入されるスパッタ成膜装置の室内の気体を水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換し終えた後に、該室内の減圧を行い、次いでパターン形成用薄膜２のスパッタリング法による成膜を開始する。 （もっと読む）

【課題】酸素または水素雰囲気中でのレーザーアブレーションにより金属などの異種基板に対して良好なダイヤモンド膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】酸素または水素雰囲気中で、グラファイト、アモルファスカーボン、グラッシーカーボン、またはダイヤモンドからなる炭素ターゲットに、５０ｎｓ以下のパルス幅でレーザー光を照射し、レーザーアブレーションによって前記ターゲットから炭素粒子を飛散させて基板上に堆積させ、パルス毎に堆積粒子の過飽和状態を形成して前記基板上にダイヤモンド膜を形成する方法において、前記基板に負バイアスを印加した状態で前記レーザー光を照射する。 （もっと読む）

【課題】鉛を含有しない強誘電体からなる圧電素子を有する液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子並びに圧電材料を提供する。
【解決手段】ノズル開口２１に連通する圧力発生室１２と、第１電極６０と、前記第１電極上に形成された圧電体層７０と、前記圧電体層上に形成された第２電極８０とを備えた圧電素子３００と、を具備し、前記圧電体層は、Ｂｉ、Ｌａ、Ｆｅ及びＭｎを含むペロブスカイト型複合酸化物からなり、強誘電体である液体噴射ヘッドＩとする。 （もっと読む）

本発明は、基板（１）と、少なくとも１つの極薄金属膜（３）と接触する導電膜（２）からなる層状構造部と、を備え、２つの膜（２，３）が異なる材料からなり、前記導電膜（２）がＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌから選択され、前記極薄金属膜（３）がＮｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌおよびこれらの混合物から選択される電極に関する。電極は、光電子デバイスに特に有益であり、良好な導電率、透過率および安定性を示す。
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【課題】曲面を有する基板に対して成膜の均一性を向上させるために、マスクや遮蔽板を用いることなく基板の角度を変える方法を用いた技術において、成膜工程ごとに角度変更のための部材（ギヤ等）を交換しなければならず、成膜中に所望の角度に変更したい時に変更することが困難であった。
【解決手段】スパッタリング等の成膜装置で、基板を自転するための第１回転機構、基板の中心線と薄膜形成手段の中心線によりなす角度を変更する角度変更手段、
基板を薄膜形成手段の中心線の回りで公転するための第２回転機構を有し、薄膜形成中に、自公転する基板に対して、膜厚計測手段の計測結果に基づいて角度変更手段を駆動させ、基板の薄膜形成手段に対する角度を変更させながら成膜する構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 ＡｒＦ露光光を用いた光透過型リソグラフィにおいて、表面反射率および裏面反射率が低減された、さらなる微細化に対応可能なマスクブランクを提供する。
【解決手段】 合成石英からなる基板１１上に、スパッタリングターゲットにＴａを用い、キセノン（Ｘｅ）と窒素（Ｎ）の混合ガス雰囲気で、ＤＣマグネトロンスパッタにより、ＴａＮ（膜組成比 Ｔａ：８４．０原子％，Ｎ：１６．０原子％）からなる遮光層１２を４３ｎｍの膜厚で成膜する。次に、遮光層１２が成膜された基板１１を枚葉式ＲＦスパッタ装置内に設置し、遮光層１２の上に、ＴａＳｉＯ混合焼結ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）ガス雰囲気で、ＲＦマグネトロンスパッタにより、ＴａＳｉＯ（膜組成比 Ｔａ：２７．４原子％，Ｓｉ：５．９原子％，Ｏ：６６．７原子％）からなる表面反射防止層１３を１２ｎｍの膜厚で成膜する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に対し簡易な手法により均質な絶縁膜を高速に形成できるようにする。
【解決手段】絶縁膜形成装置１は、堆積部１０の電子ビーム蒸着源１２からハフニウム金属の原子線を照射して、基板７０のシリコン酸化膜７２上に液体状のハフニウム微粒子７３を堆積させて堆積状態とし、照射部２０のプラズマ源２２から窒素原子、活性窒素分子及び窒素イオンでなる活性粒子７４を照射することにより、表面に窒化ハフニウムシリケート膜７６を形成すると共にシリコン酸化膜７２をシリコン酸窒化膜７５に変化させ、基板７０を成膜状態とする。この結果絶縁膜形成装置１は、基板７０へのハフニウム微粒子７３の堆積処理及び窒素プラズマでなる活性粒子７４の照射処理を行うことにより、高誘電率ゲート絶縁膜として機能し得る窒化ハフニウムシリケート膜７６を短時間で容易に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、金属硅素化合物薄膜を、チャネル領域とした薄膜トランジスタを提供することを課題とする。
【解決手段】 遷移金属原子Ｍの周りをz個のシリコン原子Siが取り囲む遷移金属内包シリコンクラスター（ＭＳｉz）を単位構造とし、シリコンと遷移金属との組成比（＝シリコン／遷移金属）をｎとしたとき、シリコンと遷移金属との組成比（＝シリコン／遷移金属）ｎが７以上１６以下である遷移金属とシリコンの化合物であって、ｎ／Ｚが０．７７８以上１．８１以下である遷移金属珪素化合物薄膜をチャネル領域としたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
ただしＺは、遷移金属原子Ｍの周りを取り囲むシリコン原子の数zの平均値である。 （もっと読む）

【課題】小型で、消費電力が低く、寿命が長く、しかも簡易な構造で大面積の殺菌が可能な用光源を提供でき、一般家庭や医療分野において好適に使用することができるだけでなく、小型で高出力の携帯用殺菌用光源として飛躍的に応用分野が広がることが期待できる。
【解決手段】石英、石英ガラス、フッ化ガラス、フッ化カルシウムなどの透明基板と該透明基板上に形成された、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、又はプラセオジウム（Ｐｒ）をドープしたＣａＦ_２などの金属フッ化物薄膜層とからなる発光基板、並びに熱電子銃やフィールドエミッター等の電子線源を備え、該発光基板の金属フッ化物層に電子線を照射することにより、殺菌光として有用な２００乃至３２０ｎｍの波長の深紫外光を含む光を発生させることを特徴とする殺菌用光源。 （もっと読む）

【課題】有機電界発光素子用材料の取扱いを容易にすると共に内部に収容される有機電界発光素子用材料の蒸着時における熱分解を抑制することができる有機電界発光素子用材料入り容器などの提供。
【解決手段】有機電界発光素子用材料入り容器は、蒸着で成膜可能な有機電界発光素子用材料と、該有機電界発光素子用材料を内部に収容する容器とを含む有機電界発光素子用材料入り容器であって、前記有機電界発光素子用材料の粉粒と鉄粉粒との摩擦により帯電された有機電界発光素子用材料の粉粒の帯電量と、前記容器を粉砕して得られた容器の粉粒と鉄粉粒との摩擦により帯電された容器の粉粒の帯電量との差の絶対値が、１０μＣ／ｇ以下である。 （もっと読む）

【課題】成膜装置および成膜方法において、成膜を繰り返しても、顆粒材料の形状を正確に制御することにより基板ごとの膜厚のバラツキを低減することができるようにする。
【解決手段】真空槽２内で、顆粒材料６をターゲット材料として基板４上に薄膜を成膜する成膜装置１であって、基板４に向かい合う位置に顆粒材料６を集積させて保持する保持容器５と、保持容器５に集積された顆粒材料６の集積表面を一定形状に整形する整形機構１２を備える。 （もっと読む）

【課題】非鉛系の圧電性薄膜を用いて、高性能かつ高信頼の圧電性薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板１と、接着層２と、下部電極３と、配向制御層である下地層６と、スパッタリング法によって成膜された（Ｎａ_xＫ_yＬｉ_z）ＮｂＯ₃（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表されるペロブスカイト型酸化物を主相とする圧電性薄膜４と上部電極５を有し、圧電性薄膜４の内部応力の絶対値が１．６ＧＰａ以下である。 （もっと読む）

【課題】微細かつ高精度な露光パターンを形成することが可能な位相シフトマスクの製造方法、フラットパネルディスプレイの製造方法及び位相シフトマスクを提供する
【解決手段】本発明の一形態に係る位相シフトマスク１は、３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長領域のいずれかの光に対して１８０°の位相差をもたせることが可能な位相シフト層１３Ｐ１を有する。これにより、上記波長領域の光を露光光として用いることで、位相の反転作用により光強度が最小となる領域を形成して、露光パターンをより鮮明にすることができる。位相シフト層１３Ｐは、４０％以上９０％以下の窒化性ガス及び１０％以上３５％以下の酸化性ガスを含む混合ガスの雰囲気下、クロム系材料のターゲットをスパッタすることで形成される。 （もっと読む）

【課題】物理蒸着プロセスによって得られる領域、及び化学蒸着プロセスによって得られる領域を有する、光学干渉多層被膜を開示する。また、こうした被膜を作製する方法、並びに光透過性エンベロープを有するランプも開示する。
【解決手段】光透過性エンベロープの表面の少なくとも一部に、上記の光学干渉多層被膜を設ける。このような被膜をランプに使用すると、ランプのエネルギー効率が有利に改善される。
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【課題】基板が薄くても、成膜の内部応力に起因する反りの発生を簡易に防止することができる成膜方法の提供。
【解決手段】短冊状基板の両面のそれぞれ一部に接する一対の保持部２５，２８を有する成膜治具２を用いて大板１を成膜し、成膜後の大板１を複数の短冊状基板に切断分割し、保持部２５，２８が接した領域を含まない非保持領域から切断分割された短冊状基板のみを検査する。成膜の内部応力によって大板１が反ろうとしても、大板１の両面を一対の保持部２５，２８で保持しているから、保持部２５，２８と大板１との間の隙間がなくなって大板１の反りを効率的に防止できる。検査工程によって、保持部２５，２８で保持される領域の短冊状基板を製品に使用しないようにするので、製品として使用される短冊状基板が確実に成膜される。 （もっと読む）

本発明は、基材に高疎水性を付与するために基材の表面を処理する方法に関する。さらに詳細には、上記方法は、基板の処理中に、低い表面エネルギーを有するが異なる鎖長を有する２つの異なる種類の有機シラン分子の自発的に生じる相分離を利用する。これらのドメイン（domain）とマトリクス（matrix）構造の高さ差から生じ、相分離され低い表面エネルギーを有する長い有機シラン分子及び短い有機シラン分子により形成された表面粗度は、それぞれロータス効果（Lotus effect）の超疎水性を再現する。このように、上記方法は上記基板を高疎水性とすることができる。最後に、基板の表面を高疎水性にする、上記基板表面の処理方法は、高疎水性の表面が、ＣＦ_３基を官能基として有する有機シランと上記有機シランより炭素鎖長が短くＣＨ_３基を官能基として有する有機シランとを使用して、化学気相蒸着によって混合自己組織化単分子膜を形成することにより得られることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】新規な炭素膜製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の炭素膜製造装置は、供給ガスに電子ビームを照射し、プラズマを発生させる電子ビーム発生装置７と、炭素源を収容し、炭素源を加熱して気化させる炭素源容器４と、炭素膜を堆積させる基板３を有する。ここで、供給ガスは、アルゴンガスであることが好ましい。また、電子ビーム発生装置７の電子通過量は10〜100Aの範囲内にあることが好ましい。また、炭素源は、フラーレンC₆₀、フラーレンC₇₀、その他ナノメートルスケールのカーボン粒子であることが好ましい。また、基板３の広さは1〜100cm² の範囲内にあることが好ましい。また、基板３のバイアス電圧は-500〜0Vの範囲内にあることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】均一性の良い薄膜を形成する成膜装置若しくは薄膜の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板の一の領域に特定の成膜材料が被着されるように配置された第１の蒸発源と、基板の他の一の領域に他の特定の成膜材料が被着されるように配置された第２の蒸発源とを設け、基板の被成膜表面において異なる材料が所定の比率で含まれるように基板を回転させる。複数の蒸発源を異なる位置に配置することにより、複数の材料が混合した薄膜、複数の材料の層が格子状に配列した薄膜、若しくは複数の材料の単分子層が膜厚方向に積層した薄膜であって実質的に単分子超多層構造した薄膜を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】効率的に膜応力の低減が可能であるフォトマスクブランクの製造方法
等を提供する。
【解決手段】透明基板上にマスクパターンを形成するための膜を少なくとも有
するフォトマスクブランクの製造方法において、前記マスクパターンを形成する
ための膜を、スパッタリング雰囲気中に少なくともヘリウムガスを含有させてス
パッタ成膜を行う成膜工程と、前記成膜工程の間又は後に前記透明基板を加熱す
る工程をと有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光学的性質を劣化させずに長期間に渡って帯電防止効果を保つことができるとともに耐薬品性に優れる光学多層膜フィルターと、該フィルターを簡便に製造する光学多層膜フィルターの製造方法を提供すること。
【解決手段】光学多層膜フィルター１０は、ガラス基板１と、ガラス基板１の上面に複数層の光学薄膜２と、防汚層３と、を備えて構成される。光学薄膜２は、ガラス基板１側から高屈折率層２Ｈ１がまず積層され、積層された高屈折率層２Ｈ１の上面に低屈折率層２Ｌ１が積層され、以下、高屈折率層、低屈折率層が順次、交互に積層され、低屈折率層２Ｌ３０と高屈折率層２Ｈ３０との間にa−Ｓｉ層２１が積層され、高屈折率層と低屈折率層とが各々３０層とa−Ｓｉ層２１との計６１層の光学薄膜２を形成している。 （もっと読む）