【課題】優れた導電性と化学的耐久性及び近赤外領域の高透過性を有する透明導電膜の成膜を可能にする酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料は、実質的に亜鉛、チタン、酸素および窒素からなる酸化物焼結体であって、原子数比でＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０２超０．１以下となるよう含有されている。 （もっと読む）

【課題】 良好な膜質の薄膜を形成することができる成膜装置の提供。
【解決手段】
ターゲット１１を保持するターゲットホルダ１０と、ターゲットホルダ１０を回転可能な回転機構８０と、成膜用基板２１を保持する基板ホルダ２０と、電子線を発生する電子線発生装置３０と、電子線収束装置４０と、レーザ光照射装置５０とを備えた回転ターゲット式成膜装置である。電子線収束装置４０は、回転機構８０により回転するターゲット１１に対して、電子レンズを形成することにより電子線発生装置３０から発生された電子線を収束させ、もってターゲット１１の少なくとも一部を液体化する。レーザ光照射装置５０は、液体化されたターゲット１１の少なくとも一部にレーザ光を照射してアブレーションを行う。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング成膜時の発塵を抑制して高品質な珪素含有薄膜の成膜を可能とするスパッタリング成膜用珪素ターゲットを提供すること。
【解決手段】ｎ型の珪素ターゲット材１０と金属性バッキングプレート２０はボンディング層４０を介して貼り合わされている。珪素ターゲット材１０のボンディング層４０側の面には、珪素ターゲット材１０よりも仕事関数の小さな材料からなる導電性層３０が設けられている。つまり、珪素ターゲット材１０は、導電性層３０とボンディング層４０を介して、金属性バッキングプレート２０に貼り合わされる構成となっている。珪素が単結晶の場合、ｎ型珪素の仕事関数は一般に４．０５ｅＶであるとされているから、導電性層３０の材料の仕事関数は４．０５ｅＶよりも小さい必要がある。このような材料としては、ランタノイド元素、希土類元素、アルカリ金属元素、およびアルカリ土類金属元素を主成分とするものがある。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング工程中にパーティクルが発生し難い珪素ターゲット材を提供し、成膜される珪素含有膜の低欠陥化（高品質化）を図ること。
【解決手段】珪素含有膜の成膜に、室温での比抵抗が２０Ω・ｃｍ以上の珪素ターゲット材を用いる。珪素ターゲット材は、多結晶や非晶質のものでもよいが、単結晶のものとすればより安定した放電状態を実現できるという利点がある。また、ＦＺ法により結晶育成された単結晶シリコンは、酸素含有量が低いため、高純度珪素ターゲット材として好ましい材料である。また、安定した放電特性を得る観点からはドナー不純物を含むｎ型のもののほうが好ましい。珪素含有膜のスパッタリング成膜は、本発明の珪素ターゲット材のみを単独または複数用いて行うことのほか、珪素ターゲット材と遷移金属と珪素を含有するターゲット材を同時に用いたり、珪素ターゲット材と遷移金属ターゲット材を同時に用いることとして行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】電子素子へ容易に適用が可能な状態で、キャリアがドープされたカーボンナノチューブが形成できるようにする。
【解決手段】基板１０の上に、ＣｏおよびＮｉより選択された金属の微粒子１０３を直接形成する。次に、ステップＳ１０３で、ベンジルアミンおよびホウ酸トリイソプロピルの少なくとも１つからなる原料ガスを用いた熱化学気相成長法により、微粒子１０３よりキャリアがドープされたカーボンナノチューブ１０４を成長する。 （もっと読む）

【課題】金属及びケイ素を含む光半透過膜や遮光膜における波長２００ｎｍ以下の露光光
に対する耐光性を向上させ、フォトマスクの寿命を改善できるフォトマスクブランクの製
造方法を提供する。
【解決手段】波長２００ｎｍ以下の露光光が適用されるフォトマスクを作製するために用
いられるフォトマスクブランクであって、
透光性基板１上に薄膜２を備え、
前記薄膜２は、遷移金属、ケイ素及び炭素を含み、ケイ素炭化物及び／又は遷移金属炭
化物を有する材料からなることを特徴とするフォトマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】有機膜の真空蒸着に用いられる酸化アルミニウムなどの多孔性セラミックス焼結体は有機膜特性を劣化させる要因となる不純物が多く、成膜する有機膜の安定性及び均一性の制御が難しいので、成膜する有機膜の安定性及び均一性を高めることである。
【解決手段】開口部を有する容器１０内に熱伝導体粉末１２が充填されており、容器１０の底部側から熱伝導体粉末１２に有機膜形成用有機物質１１ｂが含浸されており、開口部を密閉するように蓋部１３が設けられている構成である。 （もっと読む）

【課題】搬送式両面スパッタリング装置による基板への熱ストレスを抑制し、基板品質を劣化させない搬送式両面スパッタリング装置に用いる被処理物保持装置、いわゆる基板ホルダーを提供する。
【解決手段】複数の開口を備え、対向配置される第１遮蔽板と第２遮蔽板と、前記第１遮蔽板と前記第２遮蔽板とに対向し、前記第１遮蔽板と前記第２遮蔽板とに挟まれ配置され、前記被処理物を保持し処理面を開放する開口部を有する保持部を備える保持部材と、を備え前記保持部材は、前記第１遮蔽板および第２遮蔽板とは相対的に移動可能に保持され、前記保持部材の前記保持部と前記第１遮蔽板の前記開口部が、平面視で重なる第１処理位置と、前記保持部材が前記第１および第２遮蔽板に対して相対的に移動し、前記保持部材の前記保持部と前記第２遮蔽板の前記開口部とが平面視で重なる第２処理位置と、を備える搬送式両面スパッタリング装置用の被処理物保持装置。 （もっと読む）

【課題】 ブランクマスク、フォトマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 透明基板、金属膜、ハードマスク膜及びレジスト膜が順次に積層されてなるブランクマスク。ここで、金属膜及びハードマスク膜のうち少なくとも一つは、膜を構成する元素のうち少なくとも一つの元素の組成比が膜の深さ方向に連続的に変わる区間である成分変化区間を持つ。これにより、既存の深さ方向に元素の組成比が均一な薄膜と比較する時、光学密度の均一性、反射率の均一性、表面粗度、耐化学性、耐露光性などを向上させ、成長性欠陥と残留応力の問題を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】ターゲットを長期間に亘って均一に使用できると共に、成膜速度を向上させることができるマグネトロンスパッタ装置によって、ＬａＢ_６膜を下地である基体上に成膜した場合、ＬａＢ_６膜が剥離し易いことが判明した。
【解決手段】基体の表面を窒化した後、引き続き同一処理装置内にて、基体の窒化された前記表面にスパッタによりＬａＢ_６の膜を形成することによって、基体から剥離し難いＬａＢ_６膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が低く、かつ、光の透過率が高い薄膜を形成することができるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体は、ＺｎＧａ₂Ｏ₄結晶で形成される第１相と、Ｉｎ₂Ｏ₃結晶で形成される第２相とを含み、焼結体の任意の断面における全ての相に対する第１相および第２相の合計の相面積比率が７０％以上１００％以下である。また、本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体の製造方法は、ＺｎＯ粉末とＧａ₂Ｏ₃粉末とを混合して第１混合物を調製する第１混合工程と、第１混合物を８００℃以上１３００℃以下で仮焼してＺｎＧａ₂Ｏ₄を含む粉末を形成する仮焼工程と、ＺｎＧａ₂Ｏ₄を含む粉末とＩｎ₂Ｏ₃粉末とを混合して第２混合物を調製する第２混合工程と、第２混合物を焼結する焼結工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】導電性酸化物焼結体に含まれる結晶相の種類や量の制御を容易化し得る導電性酸化物焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含む導電性酸化物焼結体を製造する方法は、酸化亜鉛と酸化ガリウムの混合物を調製した後に仮焼することによってＧａ_２ＺｎＯ_４粉体を形成する工程を含む。この仮焼の後には、Ｇａ_２ＺｎＯ_４粉体とＩｎおよびＯを含む粉体とを混合または粉砕混合して第２の混合物を調製し、この第２の混合物の成形体を作製し、そしてこの成形体を焼結する工程をさらに含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が低く、かつ、光の透過率が高い薄膜を形成することができるＩＧＺＯ焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体は、ＺｎＧａＯ_2.5結晶で形成される第１相と、ＩｎＧａＯ₃結晶で形成される第２相と、Ｉｎ₂Ｏ₃結晶で形成される第３相とを含み、焼結体の任意の断面における全ての相に対する第１相、第２相および第３相の合計の相面積比率が７０％以上１００％以下である。本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体の製造方法は、ＺｎＯ粉末とＧａ₂Ｏ₃粉末とを混合して第１混合物を調製し、第１混合物を１１５０℃以上１３００℃以下で仮焼してＺｎＧａＯ_2.5を含む粉末を形成し、ＺｎＧａＯ_2.5を含む粉末とＧａ₂Ｏ₃粉末とＩｎ₂Ｏ₃粉末とを混合して第２混合物を調製し、第２混合物を焼結する方法である。 （もっと読む）

【課題】加熱などを必要とせず、また、製造時や使用環境においてガスを発生することなく、より強い強度で水晶が接合できるようにする接合方法を提供する。
【解決手段】スパッタ法により、水晶基板１０１の接合面に対する物質層１０２の形成、および水晶基板１１１の接合面に対する物質層１０２の形成を開始した後、０．２ｎｍ以上１ｎｍ未満の層厚の物質層１０２が各々形成された水晶基板１０１の接合面および水晶基板１１１の接合面とを、物質層１０２を介して着接する。物質層１０２の層厚が、１ｎｍになる前に、２つの基板の着接を行う。 （もっと読む）

【課題】 ハーフトーン型位相反転ブランクマスク、ハーフトーン型位相反転フォトマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 透明基板、位相反転膜、金属膜及びレジスト膜が順次に積層されてなるハーフトーン型位相反転ブランクマスク。ここで、位相反転膜は、膜を構成する元素のうち少なくとも一つの元素の組成比が膜の深さ方向に連続的に変わる区間である成分変化区間を持つ。これにより、位相反転膜に厚さ方向に相異なる組成比を持たせることによって、位相反転膜の接着力、パーチクル、ピンホール、耐化学性、耐露光性、残留応力、面抵抗特性の優秀なハーフトーン型位相反転ブランクマスクの製造ができる。 （もっと読む）

【課題】ウルツ鉱型結晶の面内配向薄膜の製造において、大面積で製造することができ、且つ装置に要するコストを抑えることができる方法及び装置を提供する。
【解決手段】真空容器１１内にプラズマ生成ガスを導入し、真空容器１１内に配置されたウルツ鉱型結晶のターゲットＴをスパッタすることによる生成されたスパッタ粒子をターゲットＴに対向して真空容器１１内に配置された基板ホルダ１５に取り付けられた基板Ｓに堆積させることにより薄膜を製造する際に、基板ホルダ１５と真空容器１１の壁の間に高周波電圧を印加する。これにより、基板Ｓの表面においてプラズマシースが形成され、プラズマ生成ガスが電離して生じる陽イオンの量を増加させると共に、このプラズマシースによって陽イオンが加速され、十分なエネルギーをもって成膜中の薄膜に入射するため、ウルツ鉱型結晶の最密面が基板に平行に成長しにくくなる。その結果、全体としてウルツ鉱型結晶のc軸が面内方向に配向した面内配向薄膜を得ることができる。 （もっと読む）

本願は、第１基材上の収容溝に補助体を挿入して、前記補助体の第１表面は、前記収容溝に収容され、前記補助体の第２表面は、外部に露出させるステップ、前記第２表面に第１コーティング層を形成するステップ、前記第１コーティング層が形成された補助体と第２基材とを付着するステップ、前記第２基材に付着した前記第１コーティング層が形成された補助体を前記第１基材から分離して、前記第１コーティング層が形成された補助体の第１表面を外部に露出させるステップ、前記第１表面上に第２コーティング層を形成するステップ、及び前記第１コーティング層と前記第２コーティング層とが形成された補助体を前記第２基材から分離するステップを含む粒子の製造方法及びこれによって製造される粒子を提供する。 （もっと読む）

【課題】 十分に静電耐性を有する圧電デバイス（５０）を提供する。
【解決手段】 圧電デバイス（５０）はパッケージ（ＰＫＧ）内に圧電振動片（２０）を収納するものである。そして圧電デバイスは、第１面と第２面とを有し、圧電振動片を第１面に載置するとともに静電気保護回路が形成された台座（６０）と、パッケージ内に形成され台座の第２面と接続する内部電極（５９）と、を備える。台座（６０）の第１面には、圧電振動片の電極と接続する第１パット（７１）が形成され、台座の第２面には、内部電極と接続する第２パット（７２）及び静電気を拡散する第３パッド（７４）が形成され、台座には第１パッドと第２パッドとを接続する配線（７３）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】有機電界発光素子用材料の取扱いを容易にすると共に内部に収容される有機電界発光素子用材料の蒸着時における熱分解を抑制することができる有機電界発光素子用材料入り容器などの提供。
【解決手段】蒸着で成膜可能な所定の有機電界発光素子用材料と、該有機電界発光素子用材料を内部に収容する容器とを含む有機電界発光素子用材料入り容器であって、前記有機電界発光素子用材料の粉粒と鉄粉粒との摩擦により帯電された有機電界発光素子用材料の粉粒の帯電量と、前記容器を粉砕して得られた容器の粉粒と鉄粉粒との摩擦により帯電された容器の粉粒の帯電量との差の絶対値が、１０μＣ／ｇ以下である有機電界発光素子用材料入り容器とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法により、酸化物半導体膜上に薄膜を成膜する際に、酸化物半導体膜のプラズマダメージを膜面内均一性良く抑制して成膜する。
【解決手段】基板Ｂ上に成膜された、Ｉｎと、Ｇａ，Ｚｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｎ，Ｓｂ，ＣｄおよびＧｅからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素とを含む酸化物半導体膜１上に、基板ＢとターゲットＴとを対向させて、プラズマを用いるスパッタ法によりターゲットＴの構成元素を含む薄膜２を形成する成膜方法において、薄膜２の成膜時のプラズマ中のプラズマ電位Ｖｓ（Ｖ）と、基板Ｂの基板電位Ｖｓｕｂ（Ｖ）との電位差を０Ｖ超２０Ｖ以下とする。 （もっと読む）