【課題】短時間で効率よく薄膜５１を形成できる薄膜形成装置１を提供する。
【解決手段】ＶＤＦオリゴマー３３が配置された蒸着源３０と被蒸着基板１０とを離間させた状態で前記蒸着源３０を加熱し、前記被蒸着基板１０と前記蒸着源３０が離間する離間状態から、前記被蒸着基板１０と前記蒸着源３０のとの少なくとも一方を移動させて、前記被蒸着基板１０の薄膜形成面１１と前記蒸着源３０のＶＤＦオリゴマー供給面３２が断熱マスク２０を挟んで対向し近接する近接状態に変化させ、前記近接状態で前記ＶＤＦオリゴマー３３の薄膜５１を前記薄膜形成面１１に蒸着する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、効率よくウェットエッチング法により製造され、遮光膜の端部の形状に荒れのない階調マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板と、上記透明基板上にパターン状に形成された遮光膜と、上記遮光膜上および上記透明基板上にパターン状に形成された半透明膜とを有し、上記透明基板が露出した透過領域、上記透明基板上に上記遮光膜が設けられた遮光領域、および上記透明基板上に上記半透明膜のみが設けられた半透明領域を有する階調マスクであって、上記遮光膜および上記半透明膜の結晶構造が、いずれも柱状である、またはいずれも粒状であることを特徴とする階調マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】蒸着装置の大型化を回避することができ、かつ、蒸着量の調節が容易な坩堝、蒸着装置及び有機ＥＬ装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】１つの坩堝５に異なる蒸発材料を収容可能な複数の収容部５ｄ、５ｅが設けられているので、複数種類の蒸着材料を用いる場合であっても坩堝５を２つ以上設ける必要は無い。このため、２つ以上の坩堝を収容する大型の容器は必要なくなる。また、開口部分７又は開口部分８の少なくとも一部を遮蔽可能であると共に、遮蔽する面積を調節可能なシャッタ部材９が当該開口部分７、８に設けられていることとしたので、複数種類の蒸着材料のそれぞれについて蒸発量の調節が容易になる。これにより、蒸着装置の大型化を回避することができ、かつ、蒸着量の調節が容易な坩堝を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】蒸着装置の大型化を回避することができ、かつ、蒸着量の調節が容易な坩堝、蒸着装置及び有機ＥＬ装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】１つの坩堝５に蒸発材料を収容可能な複数の収容部５ｄ、５ｅが設けられているので、複数種類の蒸着材料を用いる場合であっても坩堝５を２つ以上設ける必要は無い。このため、２つ以上の坩堝を収容する大型の容器は必要なくなる。また、収容部５ｄ及び収容部５ｅの平面視での開口面積が互いに異なっていることとしたので、複数種類の蒸発材料のそれぞれについて蒸発量の調節が容易になる。これにより、蒸着装置の大型化を回避することができ、かつ、蒸着量の調節が容易な坩堝を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】産業上有益な高効率光変換可能な太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上の主面側に形成され受光した光を電力に変換する発電層と、前記主面側に形成され該発電層に光が入射する側と反対側に形成された裏面電極層と、前記発電層に光が入射する側に形成された透光性電極とを具備する太陽電池であって、前記透光性電極が結晶性ＩＺＯ（インジウム亜鉛オキシド）を含む透光性電極であることを特徴とする太陽電池。 （もっと読む）

【課題】ガラスなどの絶縁基板やその他半導体、金属などの基板上にＳｉ結晶半導体薄膜をＳｉの融点以下の温度で形成する方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＺｎ−Ｓｉ二元合金系を出発材料とし、その液体もしくは過冷却液体の状態から熱平衡状態でのＳｉの析出、残存Ｚｎの冷却固化、そしてエッチング等による該Ｚｎの除去を経て基板に支持されたＳｉ薄膜４−１が形成される。 （もっと読む）

【課題】基板載置台に基板を載置し、基板載置台を回転させて加熱しながら基板に処理を施す際、簡単に取付けることができ、且つ半導体基板処理装置の処理炉内に設置せずに基板の位置ズレを高精度に検出するための基板位置ズレ検出方法及び基板位置ズレ検出装置
を提供する。
【解決手段】半導体基板処理装置が具備する基板載置台４に基板５を載置し、基板載置台４を回転させて加熱しながら基板５に処理を施す際、基板５の基板載置台４における位置ズレを検出する方法及びその装置１であって、基板載置台４の上方に設置してある熱放射量測定機２によって基板５又は基板載置台４の熱放射量を測定し、該測定値を演算機３により判定することにより基板５の位置ズレを検出することを特徴とする基板位置ズレ検出方法及び基板位置ズレ検出装置１。 （もっと読む）

【課題】 波長に対して依存性の無いハーフトーン特性を有するハーフトーンマスクを容易に製造することが可能なハーフトーンブランクスを提供する。
【解決手段】 透明基板１上に、半透過膜２、エッチングストッパー膜３、遮光膜４が順次形成されている。エッチングストッパー膜３は、遮光膜４をエッチングする際にエッチングが半透過膜２まで進行しないようにする。遮光膜４及び半透過膜２はクロムより成る膜である。半透過膜２は、ハーフトーン露光を行うための所定の半透過特性が得られるよう遮光膜４より薄い厚さで形成されている。半透過膜２は、アルゴン５０％、炭酸ガス５０％の混合ガス雰囲気中でクロム製のターゲットをスパッタすることにより作成されている。 （もっと読む）

【課題】波長板を構成する圧電基板に開口フィルタを成膜しても反りが生じないようにすることを目的とする。
【解決手段】波長板を形成する第１の水晶基板３の一方の表面上には、位相調整膜６と波長選択膜７とからなる開口フィルタ５が成膜されている。また、第１の水晶基板３の他方の面には、第１の水晶基板３の一方の面に成膜された開口フィルタ５により生ずる圧縮応力を打ち消すために所定の材質の矯正用光学薄膜８を成膜するようにした。 （もっと読む）

【課題】１原子％を越える多量の窒素が添加された、ペロブスカイト薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ペロブスカイト薄膜１は化学式ＲＭＯ₃（ここで、ＲはＳｒ、Ｂａ、Ｃａ又はＭｇから選ばれる元素であり、ＭはＴｉ又はＺｒから選ばれる元素である。）で表わされ、薄膜の窒素含有量が１原子％を超えて添加されている。反応性スパッタ法のターゲットとしてペロブスカイトを用い、反応性スパッタに用いるガスとしては、窒素ガス、又は稀ガスと窒素ガスとの混合ガスを用い、基板２上に窒素が添加されたペロブスカイト薄膜１を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】長穴形状のマスク開口部を複数、梁部を間に挟んで並列させた場合でも、梁部の側面同士の貼りつきを防止することのできる蒸着用マスクおよび該蒸着用マスクの製造方法を提供すること。
【解決手段】蒸着用マスク１０は、ベース基板をなす矩形の支持基板３０に、複数のチップ２０を複数、取り付けた構成を有しており、チップ２０には、成膜パターンに対応する長孔形状のマスク開口部２２が複数一定間隔で平行に並列した状態で形成されている。チップ２０において、マスク開口部２２で挟まれた梁部２７の側面２７ａには、微細な凹凸２７ｂが形成されている。このため、チップ２０の製造過程で乾燥工程を行なった際、梁部２７の側面２７ａ同士が貼り付いて剥がれなくなる事態を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】フッ酸、硝酸等の腐食性洗浄液、ハロゲン系、塩素系等の腐食性ガスに対する耐食性に優れ、パーティクルの発生がない耐久性に優れた半導体製造装置用治具を提供する。
【解決の手段】半導体製造装置治具の石英ガラス基材を任意の表面粗さ、表面性状となるように表面加工を施した後、更にその面を硬質皮膜であるダイヤモンド・ライク・カーボン膜（ＤＬＣ）で被覆する。ＤＬＣ膜の厚さが０．５μｍ以上、フッ酸耐久性が０．００５μｍ／ｈｒ以下、６００℃における熱酸化速度が０．１μｍ／ｈｒ以下、密着力が９５／１００個以上、表面粗さが石英ガラス基材の表面粗さに倣った表面粗さとしてそのまま半導体製造装置用治具の表面性状として形成され、ハロゲン化物ガス及び／又はそのプラズマに対する耐食性が高く、パーティクルの発塵を抑制し、耐久性に優れている。 （もっと読む）

【課題】枠状又はリング状に全周が繋がっている成膜パターンを形成することが可能な成膜用治具を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の面２２に水晶ウエハ１０を配置することが可能で、且つ埋め込まれた磁石２１により磁力を有するベース部材２０と、ベース部材２０の一方の面２２上であって、ベース部材２０に埋め込まれた磁石２１の磁力により引き付けられる位置に配置される磁性体のマスク部材３０と、を備え、ベース部材２０に水晶ウエハ１０を配置したとき、ベース部材２０とマスク部材３０との間に水晶ウエハ１０が介在することが可能であり、マスク部材３０は、平面視して、水晶ウエハ１０よりも外形が小さく、水晶ウエハ１０の一部が、マスク部材３０から全周にわたり露出していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】枠状やリング状のような全周が繋がっている成膜パターンを形成することができる成膜用治具を提供する。
【解決手段】水晶ウエハ１０を載置することが可能なベース部材２０と、ベース部材２０に載置され、水晶ウエハ１０の少なくとも一部を露出することが可能な開口部３１を有するガイド部材３０と、開口部３１より外形が小さく、平面視して開口部３１内であって、開口部３１の縁から全周にわたり隙間を設けて配置されたマスク部材４０と、ガイド部材３０とマスク部材４０とを結合するブリッジ部材５０と、を備え、ブリッジ部材５０のうち、側面視して隙間上に配置された部分は、マスク部材４０におけるベース部材２０に対向する下面４１より上方に、所定の間隔を空けて配置されている。 （もっと読む）

【課題】結晶ｃ軸を一定方向に配向させることができる薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜製造方法は、電子ビーム蒸着法によって基板に薄膜を堆積させつつ基板１０に対してイオンビームを照射するとともに、基板１０とイオンビームの照射方向とのなす角度を略垂直とすることで、基板１０上に形成される薄膜の結晶ｃ軸を基板面内方向で一方向に配向させる。 （もっと読む）

【課題】 特別な設備や装置を用いずに、安価で、かつ簡易な工程で、金属ナノ粒子付着
基材を製造する方法を提供する。
【解決手段】
基材を、加水分解触媒の存在下に、キレート形成性官能基含有シランカップリング剤、
金属ナノ粒子形成性金属塩および還元剤と接触させることにより、基材上にキレート形成
性官能基含有シランカップリング剤を介して金属ナノ粒子の点在物または層状物を形成す
ることを特徴とする金属ナノ粒子付着基材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶマスクブランクを製造する際に使用され、反射層としての多層反射膜および保護層としてのＲｕ層の形成を実機での生産レベルで多数サイクル実施した場合にも、膜剥がれによるパーティクルを防止することができるスパッタリングターゲットの提供。
【解決手段】基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層におけるルテニウム（Ｒｕ）層を形成するためのスパッタリングターゲットであり、前記スパッタリングターゲットは、Ｒｕと、ホウ素（Ｂ）およびジルコニウム（Ｚｒ）からなる群から選択される少なくとも１つの元素と、を含有し、前記スパッタリングターゲットにおけるＢおよびＺｒの合計含有率が５ａｔ％〜５０ａｔ％であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】透過率調整が簡便で薬品耐性に優れ、しかも低欠陥の高品質な位相シフト膜を備えたフォトマスクブランクを提供すること。
【解決手段】複数のターゲットを用いて透明基板上に位相シフト膜をスパッタリング成膜するに先立ち、これら複数のターゲットの表面を、ターゲットと実質的に反応しないガス（例えばアルゴン）を用いてスパッタ処理することとした。このスパッタ処理により、他のターゲットからスパッタリングされた粒子がターゲット上に飛来して形成された堆積物が除去され、位相シフト膜のスパッタリング成膜時の異常放電が抑制される。その結果、位相シフト膜の透過率調整が簡便で、得られた膜が薬品耐性に優れ、しかも低欠陥の高品質な位相シフト膜を備えたフォトマスクブランクを提供することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 基板の第１部分に導電性領域を形成する方法を提供する。
【解決手段】 本方法は、パルス変調電気バイアスの下で実質的に完全に電離した金属イオンのフィルタリングされたビームに第１部分を露出させる工程を含む。本方法は、ＦＣＶＡ(フィルタ処理陰極真空アーク)法を用いて、フィルタリングされたイオンビームを生成し、高アスペクト比のバイアおよびトレンチにおいてもコンフォーマルな金属コーティングの形成を可能にする。また本方法は、バイアおよびトレンチを充填した導電性配線の形成も可能にする。実施の形態は、銅イオンの堆積に関する。基板に金属を堆積する適応ＦＣＶＡ装置および基板に衝突するイオンビームを制御する制御装置も、開示される。制御装置は、既存のフィルタリングされたイオンビーム源内に組み込むのに適している。 （もっと読む）

【課題】界面破壊現象が発生しない炭素ナノチューブ配線の形成方法及びこれを利用した半導体素子配線の形成方法が開示されている。
【解決手段】基板上に酸化金属膜を形成した後、前記酸化金属膜上に前記酸化金属膜の表面を露出させる開口を含む絶縁膜パターンを形成する。前記開口に露出された前記酸化金属膜を炭素ナノチューブの成長が可能な触媒金属膜パターンに形成する。前記触媒金属膜パターンから炭素ナノチューブを成長させて炭素ナノチューブ配線を形成する。前述した炭素ナノチューブ配線の形成方法は、前記絶縁膜パターンと触媒金属膜パターンとの間で炭素ナノチューブが成長する現象を防止することができる。 （もっと読む）