【課題】バリエーションに富んだ発色性を示し、また、従来の製造方法に比べて、容易な方法で得られ、色むらの発生による不良品の発生率が低い干渉色金属調表面を備えた樹脂成形体を得ることを課題とする。
【解決手段】中心線平均粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下である平滑表面を有する樹脂成形体基材の前記平滑表面に厚み０．１〜０．４μｍの透明性金属薄膜を形成することにより得られる干渉色金属調表面を備えた樹脂成形体を用いる。 （もっと読む）

【課題】
有機薄膜上にスパッタリング法により、透明導電膜を成膜した場合、高エネルギー粒子である反跳Ａｒプラズマ、γ電子、ターゲット粒子などの飛散・衝突により有機薄膜の分子構造（結合断裂）が破壊され、有機発光材料本来の発光ポテンシャルが低下するという問題があった。
【解決手段】
基板上にマスクを設け、スパッタリング法により基板上に透明導電膜をパターン形成する透明導電膜形成方法において、ターゲットと基板間にマグネットを備えたグリッドを設け、スパッタリング法により前記基板上にターゲット形成材料からなる透明導電膜をパターン形成することを特徴とする透明導電膜形成方法とした。 （もっと読む）

【課題】有機顔料を金属酸化物中に分散させることで、発色を損なわずに、且つ基材に対しての高密着性、耐溶剤性を有する有機顔料分散型薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｚｎの内の少なくとも一つを有する金属からなる低硬度な金属粉末と有機顔料粉末を準備し、これらの粉末を混合して混合粉末を形成し、この混合粉末を冷間等方圧プレス或いは乾式等方圧プレスにより加圧成形することでスパッタリングターゲットを作製し、このスパッタリングターゲットを用いて、酸素と反応させる反応性スパッタリングを直流放電によって行うことにより、基材上に有機顔料分散型薄膜を形成する方法である。前記有機顔料分散型薄膜は金属酸化物中に有機顔料が分散されたものである。 （もっと読む）

【課題】膜厚ばらつきの調整作業を効率的に行うことが可能であり、また基板５へのパーティクルの付着を防止することが可能な、スパッタ装置を提供する。
【解決手段】ターゲット４２を保持しつつ、基板に対するターゲット４２の傾斜角を調整可能なターゲット位置調整機構４０と、そのターゲット位置調整機構４０とチャンバ３２の壁面との間を封止する封止部材６６とを有し、ターゲット位置調整機構４０とチャンバ３２との摺動部６１が、封止部材６６により封止されたチャンバ３２の外側に配置されている。ターゲット位置調整機構４０は、基板に対するターゲット４２の傾斜角を、チャンバ３２の外側において調整しうるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成装置およびこれを用いたスパッタ源は、長尺の棒状あるいは紐状部材の表面全体（端面を除く）にプラズマ処理や被膜形成を施すのに適したプラズマ処理およびスパッタリングに関する方法および装置を提供しようとするものである。具体的には棒状あるいは紐状など細長い部材を取り囲むマグネトロンプラズマやスパッタ源を実現するものである。
【解決手段】非磁性でかつ導電性の部材からなる管状電極と、前記管状電極に接続されたプラズマ生成用電源と、前記管状電極の外周に配置されかつ前記管状電極内部に前記管状電極の軸方向と平行な成分の磁束密度が0.02T以上の静磁場を生成する手段とを備えることを特徴とする、プラズマ生成装置。 （もっと読む）

【課題】従来のスパッタ法では困難であった数十〜数百Åの極薄で磁気ヘッドのギャップ層やトンネル接合型ＧＭＲに好都合な化合物絶縁膜を形成する方法を提案する
【解決手段】基板に数十Å程度のメタル膜を堆積させる工程と、該メタル膜内部まで化合物絶縁膜とする化合物工程とを交互に繰り返し、前記基板に１００Å程度の化合物絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来のようなプライマ塗装を施す必要がなく、樹脂ガラス用高分子基板とハードコート層との付着性が十分に高く、しかも樹脂ガラス用高分子基板の紫外線による劣化が十分に防止できる高度な耐候性を発揮できるとともに優れた耐擦傷性を発揮することが可能な樹脂ガラス用積層体、並びに、その樹脂ガラス用積層体を効率よく且つ確実に製造することが可能な樹脂ガラス用積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】樹脂ガラス用高分子基板と、前記樹脂ガラス用高分子基板上にアルミニウム、ケイ素、チタン、アルミニウム化合物、ケイ素化合物及びチタン化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の微粒子を付着してなる無機層と、前記無機層を介して前記樹脂ガラス用高分子基板に積層されたアルコキシシラン含有ハードコート層とを備えることを特徴とする樹脂ガラス用積層体。 （もっと読む）

【課題】チタン／窒化チタン積層膜上にアルミニウム膜が形成されたアルミニウム配線を有する半導体製品の製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】バリアメタル成膜用のチャンバ６５において、チャンバ６５内に窒素を含まない不活性ガスを導入してスパッタリングを行い、シャッタ上にチタン膜を堆積する工程と、シャッタをチャンバ６５内に備わる格納場所へ移動させた後、半導体ウエハＳＷをチャンバ６５内に設置する工程と、チャンバ６５内に窒素を含まない不活性ガスを導入して半導体ウエハＳＷの主面上にチタン膜を堆積する工程と、チャンバ６５内に窒素を含む不活性ガスを導入してスパッタリングを行い、チタン膜上に窒化チタン膜を堆積する工程と、アルミニウム成膜用チャンバ６６において、チャンバ６６内に不活性ガスを導入してスパッタリングを行い、窒化チタン膜上にアルミニウム膜を堆積する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】大型基板に膜厚均一な薄膜を形成する。
【解決手段】本発明の成膜装置１は主ターゲット２１と、主ターゲット２１よりも小径の補助ターゲット２２とを有しており、補助ターゲット２２の中心軸線（副中心軸線）ｂは主ターゲット２１の中心軸線（主中心軸線）ａよりも、成膜面１２の回転中心ｄから離れた位置で成膜面１２と交差する。主ターゲット２１からのスパッタ粒子で成膜される薄膜３３は成膜面１２の中央で厚く、縁部分で薄くなるようになっており、該薄膜３３の薄い部分には補助ターゲット２２からのスパッタ粒子が多く到達する。従って、成膜面１２の回転中心ｄから外周まで膜厚均一な薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】 均一な膜厚組成を有する透明バリアフィルムを提供することにある。
【解決手段】 蒸着法により少なくとも片面に金属、あるいは無機酸化物層を積層したプラスチックフィルムを連続的に製造する際に、プラスチックフィルムの幅方向に１００ｍｍ以上５００ｍｍ以下であり、かつプラスチックフィルムと蒸着源との間隔が２５０ｍｍ以上の位置に少なくとも２台の蛍光Ｘ線を利用したモニターを配置し、形成した金属あるいは無機酸化物層の膜厚及び組成を測定しながら製造することを特徴とするロール状の長尺な透明ガスバリアフィルム。 （もっと読む）

平板ディスプレイを製造するための物理蒸着用ターゲットが実現される。このターゲットは、原子パーセントで、約９０〜９９．９８の量の、アルミニウムである第１成分、約０．０１〜２．０の量の、Ｎｄ、Ｃｅ、ＤｙおよびＧｄから成る群から選択された希土類元素である第２成分、および、約０．０１〜８．０の量の、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＳｃおよびＨｆから成る群から選択された第３成分を有する三元合金を含む。
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【課題】表面粗さが非常に小さく、しかも結晶の配向性がきわめて良好な単結晶質であり、光学特性に優れた緻密な金属膜および金属膜被覆部材、さらに光学被膜を提供する。
【解決手段】表面の算術平均粗さが２ｎｍ以下であり、かつＸ線回折による（１１１）ピーク強度がその他のピーク強度の合計の２０倍以上である金属膜、およびこの金属膜が基材に形成された金属膜被覆部材である。光学被膜は金属膜からなり、可視光領域での反射率の純金属における理論値との差が０．２％以内であり、光の入射角が１０〜５０°の範囲において反射率の変化量が０．５％以下であるか、光波長が２５０〜４００ｎｍでの反射率の純金属における理論値との差が０．２％以内である。 （もっと読む）

【課題】ダイレクト蒸着後の光輝性、耐熱性、流動性のいずれもが優れ、実用可能な程度の耐衝撃性を有するダイレクト蒸着用熱可塑性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】本発明のダイレクト蒸着用熱可塑性樹脂組成物は、粒子状のジエン系ゴム状重合体（Ｇ）に、芳香族ビニル系単量体７５〜６０質量％およびシアン化ビニル系単量体２５〜４０質量％を含むビニル系単量体混合物（Ｖ）をグラフト重合してなるグラフト重合体（Ａ）１〜５０質量部と、イミド化共重合体（Ｉ）５０〜９９質量部（（Ａ）と（Ｉ）の合計は１００質量部である。）とを含有するダイレクト蒸着用熱可塑性樹脂組成物であって、グラフト重合体（Ａ）のグラフト密度が０．３×１０^−１０〜１．５×１０^−１０（ｍｏｌ/ｃｍ^２）であり、ジエン系ゴム状重合体（Ｇ）は、質量平均粒子径が１００〜３００ｎｍであり、かつ、粒子径５００ｎｍ以上の粒子の割合が１０質量％未満である。 （もっと読む）

【課題】従来のスパッタリング装置では困難であった数十〜数百Åの極薄で磁気ヘッドのギャップ層やトンネル接合型ＧＭＲに好都合な化合物絶縁膜を形成するスパッタリング装置を提案する。
【解決手段】スッパタ用ガスと反応ガスとがそれぞれ導入される真空室１内に、直流電流５に接続されたターゲット６とその背後に磁石７および前記ターゲット前方のイオン化効率を高めるＲＦコイル８とを備えたマグネトロンカソード９を設け、前記ターゲットを異常放電力防止回路を介して前記直流電流に接続する。 （もっと読む）

【課題】良好な強誘電体膜を容易に効率よく製造する強誘電体膜の製造方法及び強誘電体膜の製造装置を提供する。
【解決手段】ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、カソードに設けた強誘電体を原料とするターゲットを用いて、アノードに設けた基板の上に強誘電体膜を形成する強誘電体膜の製造方法において、前記基板を加熱するための基板加熱工程と、前記強誘電体膜となる、前記基板に飛来し堆積する前記強誘電体の帯電した粒子を中和するための帯電粒子中和工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】外観の良好な多層膜光学素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス等の基板１の上にアルミニウム薄膜２を成膜し、さらにその上にSiＯ_２薄膜３を成膜する（ａ）。そして、ＧＣＩＢを使用してラテラルスパッタを行う（ｂ）。これにより、SiＯ_２薄膜３の表面粗さは、１nm以下となる。その上に、多層薄膜４を成膜する（ｃ）。多層薄膜４としては、例えばNb_２Ｏ_５薄膜とSiＯ_２薄膜を交互に積層したものがある。最終的には、SiＯ_２薄膜３も多層膜の一部となる。最後に、アルミニウムエッチング液によりアルミニウム薄膜２を溶解し、多層膜（SiＯ_２薄膜３と多層薄膜４）を基板１から分離する（ｄ）。SiＯ_２薄膜３の表面粗さが、評価長さ１mmのＲＭＳで１nm以下とされているので、分離された多層膜からなる多層膜光学素子は、良好な外観を有する。 （もっと読む）

【課題】
フィルム搬送方向が正逆反転する装置において、フィルム搬送方向にかかわらず搬送フィルムのしわを拡幅するフィルムの加工装置を提供する
【解決手段】
フィルムの搬送方向が反転可能であるフィルム加工装置において、連続搬送する前記フィルムの幅方向両端近傍に、前記フィルムに拡幅力を与える位置で前記フィルムを挟持するように軸を互いに傾けて設置されたフィルムガイド手段と、前記フィルムガイド手段の角度をフィルムの搬送方向に調整する角度調整手段とを有することを特徴とするフィルムの加工装置が提供される。
（もっと読む）

【課題】金層からなる配線を用いながら、金の拡散を防止でき、腐食性も良好な半導体
装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、半導体基板上に形成されたアルミニウム配線層１４と、このアルミニウム配線層１４上に形成された層間絶縁膜１６と、この層間絶縁膜１６上に形成され、金層からなる最上層配線層としての金配線層１９とを備えている。アルミニウム配線層１４と層間絶縁膜１６との間には、バリア層を構成するＴｉＮ膜３０が介在されている。層間絶縁膜１６に形成された層間接続用開口Ｈ内において、ＴｉＮ膜３０と金配線層１９との間には、接着層としてのＴｉＷ膜２０が介在されている。層間絶縁膜１６は、ＵＳＧ層１６Ｕと窒化シリコン膜１６Ｓとの積層膜からなる。 （もっと読む）

【課題】耐食性と耐熱衝撃性が更に向上したセラミックス焼結体と、このセラミックス焼結体の容易な製造方法と、このセラミックス焼結体で構成された長寿命のボートを提供する。
【解決手段】
二硼化チタン、窒化硼素及びストロンチウム化合物を含有してなり、窒化硼素のＣ軸格子定数が６．６６６Å以下であり、３点曲げ強さが６０〜１３０ＭＰａ、弾性率が４０〜６０ＧＰａであることを特徴とするセラミックス焼結体。このセラミックス焼結体で構成された金属蒸発用発熱体。特定二種の窒化硼素粉末と二硼化チタン粉末とストロンチウム化合物粉末とを含有してなる原料粉末を焼結することを特徴とするセラミックス焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】Ａｌを主成分とするスパッタリングターゲットにおいて、各種デバイスの高性能化等に伴って益々厳しくなってきているスパッタ膜への要求特性を満足させる。
【解決手段】Ａｌを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の酸素量をターゲット全体の酸素量の平均値に対して±２０％以内とする。Ａｌを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の窒素量をターゲット全体の窒素量の平均値に対して±４０％以内とする。Ａｌを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の炭素量をターゲット全体の炭素量の平均値に対して±７０％以内とする。 （もっと読む）