本発明は、剥離剤を、基板に向けられた少なくとも１つのノズルを備えた真空室の内室内で気化させ、真空室内で移動する又は移動可能な基板上に剥離剤の層を施すための方法に関する。この場合、液状の剥離剤を、気化室の内室内に噴射して、気化させるようにした。また本発明は、真空室内で移動するか又は移動可能な基板に、剥離剤の層を施すための装置であって、前記真空室が少なくとも１つの金属蒸発装置を有しており、基板に向けられた少なくとも１つのノズルを備えた気化室が設けられており、剥離剤が供給管路を介して前記気化室の内室に供給可能である形式のものに関する。この場合、前記供給管路が噴射装置に接続されており、該噴射装置によって、液状の剥離剤が、気化させるために、気化室の内室内に噴射可能又は噴射され、それによって気化されるようになっていることを特徴としている。
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【課題】加工性が良好で、かつ耐電圧が高く信頼性が高いコンデンサ用金属蒸着フィルム、および金属化フィルムコンデンサを提供する。
【解決手段】コンデンサ用金属蒸着フィルムは、高分子フィルム１の少なくとも片面に金属蒸着層２を有するコンデンサ用金属蒸着フィルムにおいて、蒸着金属層が非蒸着スリットで細分化され、複数の分割電極とそれらを接続するヒューズ部で構成されており、高分子フィルムの金属蒸着層を形成する側の面の表面粗さが金属蒸着層を形成しない側の表面粗さよりも大きいものである。 また、金属化フィルムコンデンサは、かかるコンデンサ用金属蒸着フィルムを用いて構成されている。 （もっと読む）

【課題】高輝度を維持した状態で、耐湿試験での鮮鋭性の劣化率及び特異的な故障発生率が低く、画像ムラ及び線状ノイズが少ないシンチレータパネル、及びそれを用いた放射線フラットパネルディテクターを提供すること。
【解決手段】基板１０１ａ上に反射層１０１ｃ、下引層１０１ｄ、シンチレータ層１０１ｂをこの順に設けて成るシンチレータプレート１０１を用いたシンチレータパネル１ａにおいて、シンチレータプレートにはシンチレータ層の側に配置した第１保護フィルム１０２ａと基板の外側に配置した第２保護フィルム１０２ｂとにより封止部１０３ｂ、１０３ｄで封止して、耳をもつ保護層とする。該保護層はシンチレータプレートと脱水剤を同封しており、且つ該第１保護フィルムは該シンチレータ層に接着されず、空隙部１０８を有す。 （もっと読む）

【課題】銅系金属層の密着性に優れ、微細エッチングが可能で、信頼性の高いフレキシブル回路基板を提供する。
【解決手段】樹脂フィルム１の表面に、シリコンに対して窒素が当量で０．５〜１．３３含まれるスパッタ法による窒化シリコン層２ａもしくは酸窒化シリコン層２ｂを形成し、さらにケイ素、アルミニウム、ニッケルから選ばれる厚み０．５〜５ｎｍの金属膜７を形成し、さらに銅系金属層３を形成したことにより、銅系金属層３の密着性が良好となり、サイドエッチングがあまり起こらずに微細エッチングが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ヒロック発生を防止し、密着性とバリア性に優れた配線膜を形成する。
【解決手段】成膜対象物２１が配置された真空槽１３に酸素又は窒素を含有する添加ガスを導入し、Ｚｒ等の添加元素を含む銅ターゲット１１をスパッタリングし、アルミニウム膜２３の表面にバリア膜２４を形成する。バリア膜２４は銅を主成分とするため、アルミニウム膜２３と同じエッチング液でエッチング可能であり、添加元素と酸素を含むため、アルミニウム膜２３にヒロックが発生しない。また、配線膜２５の表面にＩＴＯを密着させた場合には、アルミニウム膜２３は直接ＩＴＯに接触しないからコンタクト抵抗も高くならない。 （もっと読む）

【課題】配向性の高いＡｌ膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。また、配向性の高いＴｉ膜を成膜可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】スパッタリングを行う成膜室内に、Ｈ_２ガスを導入してから、または、Ｈ_２ガスを導入しながら、Ｔｉ膜の成膜を行う。成膜中におけるＨ_２ガスの分圧は、１×１０^−４Ｐａ〜１×１０^−２Ｐａであることが好ましい。また、Ｔｉ膜の成膜は、半導体基板を２００℃〜２５０℃の温度に加熱した状態で行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】１枚の基板内に複数個の有機ＥＬ素子を配した場合、基板の所定の領域に配された有機ＥＬ素子に所定の膜厚を成膜することが可能な、蒸着装置およびそれを用いて作製された有機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】蒸着源により蒸着材料を気化させて、基板にマスクを用いて所望の形状に膜形成を行う蒸着装置において、前記基板およびマスクの蒸着源側に、膜形成を行いたい領域部分に開口を設けたシャッターマスクを配することを特徴とする蒸着装置、およびそれを用いて製造した有機ＥＬ素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】電子レンジ発熱体上にのせた内容物を電子レンジで加熱する時に、発生した熱が効率良く内容物に伝達される電子レンジ発熱体及びその電子レンジ発熱体を具備する電子レンジ発熱体付き紙容器を提供することにある。
【解決手段】電子レンジ発熱体が波形に成形された中芯層の一方の面に、樹脂フィルム層の片面に金属蒸着薄膜層、接着層、紙層を積層してなる発熱性積層フィルムの紙層側を、中芯層の山頂部に設けた部分的な接着剤層を介して積層し、他方の面にライナー層を、中芯層の山頂部に設けた部分的な接着剤層を介して積層した積層体からなり、電子レンジ発熱体付き紙容器が、前記電子レンジ発熱体を紙容器本体の底部にライナー層面を底部側にして装着したものからなる。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットの利用効率が高いと共に、ターゲットの寿命も長く、その上、所定面積の処理基板に対し、均一な膜厚で所定の薄膜を形成できるマグネトロンスパッタ電極を提供する。
【解決手段】 処理基板Ｓに対向して設けたターゲットの後方に、このターゲットの前方にトンネル状の磁束を形成すべく、線状に配置した中央磁石とこの中央磁石５２の周囲を囲うように設けた周辺磁石５３とから構成される磁石組立体５を設ける。そして、中央磁石の延長線上に位置させて中央磁石と周辺磁石との間に、中央磁石及び周辺磁石を含むターゲット側の極性を交互にかえて少なくとも一対の補助磁石５４を設ける。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス工数、メンテナンス時間、メンテナンス費用、装置立ち上げ時間などが縮減されたスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】独立した複数のカソード４１を備えたスパッタリング処理室４０と、処理室４０内に設けられた基板ステージ４４とを有し、基板ステージ４４上の処理基板を各カソード４１上のターゲット２２と順次対向させてスパッタリング処理を実行する。基板ステージ４４は、各カソード２２と対向する直立状態まで回動可能であり、直立状態となったときに、対向しているカソード４１及び該カソード４１上のターゲット２２を内包する気密な空間２４を処理室４０内に形成する。 （もっと読む）

【課題】膜厚均一性に優れた薄膜を蒸着法によって形成可能とする。
【解決手段】 蒸着装置において蒸着材料を蒸発させるのに使用する蒸着ボートＥＢであって、非金属材料によって形成され蒸着材料が供給されるべき凹部ＲＳが上面ＴＳに設けられた抵抗発熱体ＨＲと、抵抗発熱体ＨＲの凹部ＲＳを挟むように配置された一対の電極ＥＤ１及びＥＤ２と、金属材料によって形成され抵抗発熱体ＨＲの上面ＴＳにおいて凹部ＲＳと少なくとも一方の電極ＥＤ１との間に配置された被覆体ＣＢと、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高周波放電によってプラズマを励起させ、活性種を生成させる放電室３と、放電室３で生成された活性種による処理対象である基板１０を収容する基板処理室４と、プラズマを放電室３に閉じ込めると共に、貫通孔５を介して活性種を放電室３から基板処理室４へと移動させることができる仕切り板２とを備えた真空処理装置において、放電室３内に生ずる活性種の数を増大させることで、基板処理室４へ移動する活性種の数を増大させて、もって処理効率を向上させる。
【解決手段】放電室３において高周波放電を生じさせる電極間の間隔を１５〜２５ｍｍとし、高電力の高周波でプラズマを形成する。 （もっと読む）

【課題】凹部を隙間無く充填する。
【解決手段】本発明は基板１１の表面の凹部１２が形成された面に、金属膜１５を形成する成膜工程と、金属膜にエッチングガスのイオンを入射させるエッチング工程とを交互に繰り返す。成膜工程で凹部１２に突き出すように形成されるオーバーハング部１９はエッチング工程で除去されるので、次の成膜工程の時に凹部１２の開口は塞がれておらず、凹部１２内部の金属膜１５を成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、ファインピッチ化で要求される平滑な表面の銅箔において、防錆処理、クロメート処理、シランカップリング剤等の表面処理を行わずとも金属層を形成させることで絶縁樹脂との密着性、特には加熱処理後も密着性に優れる銅箔を提供することである。
【解決手段】表面にＡｌ被膜を形成したことを特徴とする銅張積層板Ａｌ被膜付き銅箔であり、被膜のＡｌ濃度は、８５質量％以上、被膜の厚みが０．４ｎｍ以上であればよい。 （もっと読む）

【課題】イオンプレーティング法により基体の表面に設けられた金属又は金属化合物の蒸着層と該蒸着層上に設けられた樹脂の保護層とを含む被覆を備えた物品において、基体に対する被覆の密着性、耐候性等の実用特性を満足する物品を提供する。
【解決手段】基材２の表面上に、プライマー層６を形成し、その上にイオンプレーティング法により金属又は金属化合物の蒸着層４を形成し、その上に、２０〜７０質量％のアクリル樹脂成分、１０〜７０質量％のウレタン樹脂成分及び０．５〜２０質量％のシリコーン樹脂成分（但し、アクリル樹脂成分、ウレタン樹脂成分、及びシリコーン樹脂成分の合計量は１００質量％である。）からなるポリマーアロイを含有する塗料を塗布して保護層５を形成することにより、被覆３を備えた物品１を得る。蒸着層４にピンホールが存在すると、プライマー層６、保護層５及び蒸着層４を含む被覆３の基体２に対する密着性が向上する。 （もっと読む）

【課題】凹凸格子の凸部壁面に金属が被着することを抑制しながら微細凹凸格子を有するワイヤグリッド偏光板を得ることができるワイヤグリッド偏光板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のワイヤグリッド偏光板の製造方法は、基材表面の格子状凸部に対して、前記格子状凸部の長手方向と垂直に交わる平面内であって基材面に対する垂線と金属を被着する方向とのなす角をθとし、被着開始時の前記なす角をθdとし、被着終了時の前記なす角をθsとしたときに、θsからθdとの間の角度範囲における２つ以上の角度であって大きい方の角度から順次金属を被着して、格子状凸部を有する基材上に金属ワイヤを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】１以上のアスペクト比を有する多層集積回路のビア、スルーホール又はトレンチにＡｌ電気コンタクトを形成する。
【解決手段】スパッタチャンバと、堆積チャンバと、移送チャンバと、を備え、半導体基板上における薄膜層のアパーチャを充填する充填装置において、スパッタチャンバは、スパッタ堆積材料の供給源となるターゲットカソードと、半導体基板を支持するための基板位置決め部材と、ＤＣ電源装置を具備し、ターゲットカソードからスパッタされた種を生成するために使用される第１のプラズマ発生ユニットと、基板位置決め部材に接続された基板バイアスＲＦ電源装置と、ＲＦ電源装置を具備し、ターゲットカソードと基板位置決め部材との間に位置して、ターゲットカソードから前もってスパッタされた種をイオン化又は再イオン化するために使用される第２のプラズマ発生ユニットと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜の材質としてフッ素添加カーボン（ＣＦ膜）を用いた半導体装置において、低誘電率であるフッ素添加カーボン膜の利点を生かすこと。
【解決手段】直鎖構造のＣ_５Ｆ_８ガスを用いてＣＦ膜を成膜し、その表面にハードマスクになる金属を直接形成する。このＣＦ膜は、耐熱性が大きいので金属膜の膜剥れがなく、また機械的強度が大きいのでＣＭＰ加工にも耐えられ、またＣＭＰ加工の後処理を有機酸などで行うことによりＣＦ膜の損傷もなくなる。その結果下層側のＣＦ膜と上層側のＣＦ膜との間にＳｉＣＮなどからなる比誘電率の高いキャップ膜が存在しなくなる。 （もっと読む）

【課題】内部チャンバ構成材と基板の張り出し縁部上への処理堆積物の堆積を軽減させる処理キットを提供する。
【解決手段】処理キット２００は処理チャンバ内において基板支持体の周囲に位置されるシールド２０１とリングアセンブリ２０２を備え、シールド２０１はスパッタリングターゲットを取り囲む上壁部と、基板支持体、支持出っ張り部、傾斜段差部、ガスコンダクタンス穴部を有するＵ型チャネルを取り囲む底壁部とを有する円筒状バンド２１４を備える。リングアセンブリ１２０は堆積リング２０８とカバーリング２１２を備え、カバーリングはバルブ型突起部をリングの周縁に有する。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダ内における温度の均一性を保持しつつ、基板ホルダ表面への成膜材料の付着（蒸着）を実質的に防止可能とする真空蒸着装置を提供すること。
【解決手段】基板に成膜材料を真空蒸着させて膜を形成する真空蒸着装置であって、前記基板を保持する基板ホルダを、基板保持部と蒸着領域規制部材（マスク）とから構成し、前記基板保持部と蒸着領域規制部材（マスク）とを異なる材料から構成するとともに、前記基板保持部を熱伝導率１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、かつ比重４．０×１０^３ｋｇ／ｍ^３以下の材料で、前記蒸着領域規制部材（マスク）を融点１３００℃以上の材料でそれぞれ構成してなることを特徴とする。 （もっと読む）